SU1160471A1 - Unit for expanding bubbles - Google Patents
Unit for expanding bubbles Download PDFInfo
- Publication number
- SU1160471A1 SU1160471A1 SU843691374A SU3691374A SU1160471A1 SU 1160471 A1 SU1160471 A1 SU 1160471A1 SU 843691374 A SU843691374 A SU 843691374A SU 3691374 A SU3691374 A SU 3691374A SU 1160471 A1 SU1160471 A1 SU 1160471A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- holes
- trapezoidal
- bases
- groups
- lengths
- Prior art date
Links
Abstract
УЗЕЛ ДЛЯ РАСТЯЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ . МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены изолированные один от другого токопровод щие слои. в которых выполнены группы периодически расположенных отверстий, о тличающийс тем, что, с целью расширени области устойчивой работы узла дл раст жени цилиндрических магнитных доменов, периодически расположенные отверсти . группы в калодом токопровод щем слое выполнены трапецеидальными, причем длины одноименных оснований трапецеидальных отверстий группы больше длин других оснований соответствзгющих трапецеидальных отверстий группы не менее чем на 0,2 диаметра цилиндрического магнитного домена и меньше длин прилежащих оснований смежных трапецеидальных отверстий (О группы не менее чем на 0,2 диаметра цилиндрического магнитного домена.NODE FOR STRETCHING CYLINDRICAL. MAGNETIC DOMAINS containing a magnetically uniaxial film on which conductive layers are insulated one from another. in which there are groups of periodically arranged holes, which are characterized by the fact that, in order to expand the region of stable operation of the unit for stretching cylindrical magnetic domains, there are periodically arranged holes. the groups in the current-conducting layer are trapezoidal, and the lengths of the bases of the same name of the trapezoidal holes of the group are longer than the other bases of the corresponding trapezoidal holes of the group not less than 0.2 times the diameter of the cylindrical magnetic domain and less than the lengths of the adjacent bases of the adjacent trapezoidal holes (O groups not less than 0.2 diameter cylindrical magnetic domain.
Description
Л7L7
оabout
оabout
4 1 11 Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть исполь зовано в запоминающих и логических устройствах, в которых носител ми информации вл ютс цилиндрические магнитные домены (1ЩЦ). Известен узел дл раст жени ЦВД содержащий магнитоодноосную пленку, на которую -нанесены изолированные слои проводника с периодически расположенными отверсти ми, вьщолненны ми в виде шевронов D Однако в этом устройстве дл рас ширени ЦМД требуетс ток, вращающийс в плоскости проводникового сл что существенно усложн ет проектиро вание ЦМД кристалла. Кроме того, пр продвижении раст нутого ЦВД вдоль к нала продвижени изменение длины ЦМД носит существенно неравномерный 1сарактер. Расширение ЦМД происходит лишь на 1/4 части пространственного периода схемы и , в то врем как на пути 3/4 расширени не происходи это влечет за собой увеличение размеров узла считывани , что ведет к (увеличению энергопотреблени и снижению надежности устройства. Наиболее близким к изобретению по технической сущности вл етс уз дл раст жени 1ЩЦ, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены изолированные один от другого токопровод щие слои, в кото рых выполнены группы периодически расположенных отверстий 2 J. Однако в известном устройстве изменение длины ЦЩ носит пульсирую щий характер, ЦМД за один такт раст . гиваетс на величину шага удлинени ли, далее в течение одного так та сжимаетс на ту же величину и за следующие два такта раст гиваетс на величину 2 ДЪ. Таким образом, ЦМД эффективно раст гиваетс только в течение полупериода, т.е. на половине пространственного периода | , что значительно снижает эффективность работы устройства. Эт вызывает необходимость увеличени размеров узла дл раст жени ЦМД дл обеспечени требуемой длины домена . За счет увеличенных геометрических размеров устройства увеличиваетс значение рабочих токов управ лени , что ведет к увеличению .перегрева и снижает область устойчивой работы устройства. Кроме того, уве1 личенные размеры узла дл раст жени ЦМД снижают плотность записи информации на ЦМД-крйсталле. Целью изобретени вл етс расширение области устойчивой работы узла дл раст жени цилиндрического магнитного домена. Поставленна цель достигаетс тем, что в узле дл раст жени ЦМД, содержащем магнитоодноосную пленку, на которой расположены изолированные один от другого токопровод щие слои, в которых вьшолнены группы периодически расположенных отверстий, последние в каждом токопровод щем слое вьтолнены трапецеидальными, причем длины одноименных оснований трапецеидальных отверстий группы больше длин других Оснований соответствующих трапецеидальных отверстий группы не менее чем на 0,2 диаметра цилиндрического магнитного домена и меньше длин прилежащих оЬнований смежньпс трапецеидальных отверстий группы не менее чем на 0,2 диаметра цилиндрического магнитного домена. На чертеже изображена конструкци предлагаемого узла дл раст жени ЦМД. Узел дл раст жени ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположены изолированные один от другого токопровод щие слои (не показаны ) , в которых выполнены группы периодически расположенных отверстий 2 и 3 трапецеидальной формы, образованные основани ми 4 и 5 и боковыми стенками 6. На участке расширени доменов основани 4 и 5 последовательно увеличиваютс в направлении о-т входа узла 7 к его выходу 8, а на участке ст гивани домена - уменьшаютс . Устройство работает следующим образом. Цри пропускании через первый . и второй токопровод щие слои управл ющих токов 1,, и 1 . соответст:венно под основани ми отверстий 4 и 5 поочередно генерируютс магнитостатические ловушки, обеспечивающие раст жение круглых ЦМД 9 в раст нутые домены 10 и их перемещение от входа 7 к выходу 8. При этом длины оснований отверстий 2 и 3 последовательно измен ютс не только при переходе от отверсти к отверстию, как в известном устройстве, но и в самих отверсти х за счет их трапецеидальной формы. Поэтсзму изменение длины раст нутого домена при его. движении от входа к выходу носит монотонный характер, т.е. обеспе;чиваетс последовательное изменение ддины домена при переходе его в каждую из своих четырех устойчивых позиций (во всех четырех тактах), на всем периоде схемы Л . В предложенном устройстве при том же шаге удлинени домена на один такт за один период Т домен раст гиваетс на величину AdL, а в известном устройстве - на величину 2дЬ.4 1 11 The invention relates to computing and can be used in memory and logic devices in which the storage media are cylindrical magnetic domains (1 PST). A known node for stretching a CVP containing a magnetically uniaxial film on which are insulated conductor layers with periodically arranged openings formed in the form of chevrons. D However, in this device, the current rotating in the plane of the conductor layer is required for expanding the CMD CMD crystal. In addition, in moving the extended CVP along the advance, the change in the length of the CMD has a significantly uneven 1 character. The expansion of the CMD occurs only on 1/4 of the spatial period of the circuit and, while on the 3/4 expansion path does not occur, this entails an increase in the size of the readout node, which leads to (increased power consumption and decreased reliability of the device. The closest to the invention by its technical essence is a 1SCh stretch knot, containing a magnetically uniaxial film, on which conductive layers insulated from one another are located, in which groups of periodically arranged holes 2 J are located. In this device, the change in the length of the central block has a pulsating character, the CMD is stretched by one step for an elongation step, then for one so it is compressed by the same amount and for the next two cycles it is stretched by an amount of 2. DB. it is effectively stretched only during half a period, i.e., at half of the spatial period |, which significantly reduces the efficiency of the device, which necessitates an increase in the size of the node for stretching the CMD to ensure the required domain length. Due to the increased geometrical dimensions of the device, the value of the operating currents of the control increases, which leads to an increase in overheating and reduces the area of stable operation of the device. In addition, the increased size of the node for stretching the CMD reduces the recording density of information on the CMD-crystal. The aim of the invention is to expand the area of stable operation of the node for stretching a cylindrical magnetic domain. This goal is achieved by the fact that in a node for stretching a CMD containing a magnetically uniaxial film on which conductive layers are isolated one from another, in which groups of periodically arranged holes are filled, the last in each conductive layer are filled with trapezoidal, and the lengths of the same name trapezoidal the holes of the group are longer than the other Bases of the corresponding trapezoidal holes of the group not less than 0.2 times the diameter of the cylindrical magnetic domain and less than the lengths of ilezhaschih onovany smezhnps trapezoidal openings group is not less than 0.2 diameter of the cylindrical magnetic domain. The drawing shows the design of the proposed site for stretching the CMD. The CMD stretch assembly contains a magnetically uniaxial film 1, on which conductive layers (not shown) insulated one from another are located, in which groups of periodically arranged holes 2 and 3 of trapezoidal shape formed by bases 4 and 5 and side walls 6 are arranged. The expansion domain of the base 4 and 5 domains successively increases in the direction of the entrance of the node 7 to its output 8, and decreases at the contraction section of the domain. The device works as follows. Cree passing through the first. and the second conductive layers of control currents 1 ,, and 1. respectively: under the bases of the holes 4 and 5, magnetostatic traps are alternately generated, which stretch the circular CMD 9 into the stretched domains 10 and move them from inlet 7 to outlet 8. In this case, the lengths of the bases of the holes 2 and 3 sequentially change not only when the transition from the hole to the hole, as in the known device, but also in the holes themselves due to their trapezoidal shape. For a poet, change the length of an extended domain when it is. movement from entrance to exit is monotonous, i.e. a consistent change in the length of the domain is ensured when it passes to each of its four stable positions (in all four cycles), throughout the entire period of the scheme L. In the proposed device, with the same domain elongation step for one cycle in one period, the T domain is extended by the AdL value, and in the known device by the 2db value.
Таким образом, дл раст жени домена на какзпо-то длину в предлагаieMOM устройстве требуетс примерно Вдвое меньшее число периодов про ,движени Л.Thus, in order to stretch a domain by some length in a proposed MIE device, approximately twice as fewer periods of movement are required.
5 Уменьшение размеров узла дл раст жени ЦМД позвол ет вдвое снизить амплитуду рабочего тока, протекающего через токопровод щие слои, и позвол ет существенно умень0 шить рассеиваемую мощность. Это приводит к уменьшению нагрева ЦМД-кристалла и увеличивает область устойчивой работы устройства. Кроме того, уменьшение размеров устройства5 Reducing the size of the node for stretching the CMD allows halving the amplitude of the operating current flowing through the conductive layers and significantly reducing the dissipated power. This leads to a decrease in the heating of the CMD crystal and increases the area of stable operation of the device. In addition, reducing the size of the device
5 позвол ет увеличить плотность записи информации на ЦМД-кристатшё. 5 allows you to increase the recording density of information on the CMD crisstay.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843691374A SU1160471A1 (en) | 1984-01-16 | 1984-01-16 | Unit for expanding bubbles |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843691374A SU1160471A1 (en) | 1984-01-16 | 1984-01-16 | Unit for expanding bubbles |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1160471A1 true SU1160471A1 (en) | 1985-06-07 |
Family
ID=21100039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU843691374A SU1160471A1 (en) | 1984-01-16 | 1984-01-16 | Unit for expanding bubbles |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1160471A1 (en) |
-
1984
- 1984-01-16 SU SU843691374A patent/SU1160471A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Патент US № 4181978, кл. G 11 С 11/08, опублик. 1980. 2. Патент US № 4142247, кл. G lie 11/08, опублик. 1979 (прототип). * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Low | Magnetohydrodynamic processes in the solar corona: Flares, coronal mass ejections, and magnetic helicity | |
US4904926A (en) | Magnetic motion electrical generator | |
US3540019A (en) | Single wall domain device | |
US3523286A (en) | Magnetic single wall domain propagation device | |
Bonyhard et al. | 68 kbit capacity 16 µm-period magnetic bubble memory chip design with 2 µm minimum features | |
SU1160471A1 (en) | Unit for expanding bubbles | |
SU988200A3 (en) | Storage device for memory | |
US4225947A (en) | Three phase line-addressable serial-parallel-serial storage array | |
US3806901A (en) | Rapid access cylindrical magnetic domain memory | |
US4157591A (en) | Magnetic domain device | |
US3895363A (en) | Magnetic domain counter | |
US3602906A (en) | Multiple pulse magnetic memory units | |
EP0037900A1 (en) | Two-level major/minor loop organization using current field access for magnetic bubble domain devices | |
US3713117A (en) | Magnetoresistance detector for single wall domains | |
US3562722A (en) | Magnetic thin film shift register having unidirectional transmission elements | |
RU1790006C (en) | Storage device based on cylindrical magnetic domains | |
US4520459A (en) | Bubble memory which transfers bubbles in both right-to-left and left-to-right SPS loops to provide a short access time | |
US3474425A (en) | Thin film register forming an alternately staggered array | |
US3727200A (en) | Laminated ferrite sheet memory | |
SU1361625A1 (en) | Information memory employing cylindrical magnetic domains | |
SU1594600A1 (en) | Magnetic domain-type compressor | |
US3699550A (en) | Binary coded information stores | |
US3145371A (en) | Multiapertured magnetic cores | |
SU464046A1 (en) | Linear motor direct current | |
SU440699A1 (en) | Random Access Memory Drive |