SU115992A1 - Импульсный электронный бесконтактный логометр - Google Patents

Импульсный электронный бесконтактный логометр

Info

Publication number
SU115992A1
SU115992A1 SU455970A SU455970A SU115992A1 SU 115992 A1 SU115992 A1 SU 115992A1 SU 455970 A SU455970 A SU 455970A SU 455970 A SU455970 A SU 455970A SU 115992 A1 SU115992 A1 SU 115992A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
pulse
logometer
pulses
voltage
pulse electronic
Prior art date
Application number
SU455970A
Other languages
English (en)
Inventor
И.Г. Гольдреер
Original Assignee
И.Г. Гольдреер
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by И.Г. Гольдреер filed Critical И.Г. Гольдреер
Priority to SU455970A priority Critical patent/SU115992A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU115992A1 publication Critical patent/SU115992A1/ru

Links

Landscapes

  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)

Description

Импульсные бесконтактные логометры, предназначенные дл  измерени  отношений двух импульсов, известны. Точность измерени  у подобных логометров при измерении импульсов, амплитуда которых в процессе измерени  сильно мен етс , получаетс  низкой.
Описываемое устройство пригодно дл  точного измерени  отношени  уровней импульсов в услови х резкого изменени  их абсолютных значений , что достигнуто применением в схеме логометра инерционного элемента и дополнительного усилител , на вход которого подаетс  опорное напр жение.
На фиг. 1 показаны измер емые импульсы; на фиг. 2-блок-схема описываемого устройства.
Механическа  коммутаци  световых или других импульсов на датчик в устройствах, где примен ютс  логометры данного типа, должна быть такой, чтобы длительность одного из импульсов tj оказалась значительно меньшей, чем длительность другого т,, а уровень узкого импульса U был несколько больше уровн  широкого импульса f/i (фиг. 1).
Скелетна  схема построени  логометров данного тина изображена на фиг. 2. Входиые сигналы f/g. преобразовател  неэлектрических величин (фотоэлемент, ионизационна  камера) в электрические усиливаютс  усилителем / и поступают на вход инерционного стабилизатора напр жени  2, поддерживаюшего посто нным эффективное значение своего входного напр жени . Вследствие того, что длительность одного из логометрируюших импульсов значительно больше, чем у другого, при посто нстве эффективного значени  выходного напр жени  стабилизатора, уровень широкого импульса на выходе стабилизатора будет очень мало измен тьс  и его можно считать посто нным.
Стабилизатор должен быть инерционным, иначе он будет измен ть отношение импульсов. Если обозначить через т точность поддержани  посто нства уровн  широкого импульса, прин в дл  простоты широкий
№ 115992
импульс пр моугольным, а узкий-треугольпым, можно ПОЛУЧИТЬ следующее выражение, которое св зывает , т , -,-, -
2 (2 т-т-) U
lU
Прин в ,01 и (7у-)3, получим /г 225. На входе усилител  /
1 талимпульсы t/ И Uz При различных отношени х -т имеют и различные
абсолютные значени  уровней Ui и U, тогда вследствие наличи  стабилизатора напр жени  импульсы на его выходе всегда имеют один и тот же уровень.
Усилитель 3, питающий измерительный прибор 4, отпираетс  только в том случае, когда напр жение, поступающее на него со стабилизатора, превышает запирающее напр жение, получаемое от опорного исгочника напр жени  5, поэтому через пего будут проходить импульсы тока, имеющие треугольную форму. Так как площадь каждого из этих импульсов
пропорциональна отношению-....-, а измерительный прибор показывает
среднее значение проход щего через него тока, то он может быть проградуироваи в отнощении-гу -. Счита  импульс Hz треугольным, а уровень импульса f/i равным запирающему напр жению t/з, можно найти выражение дл  площади 5 треугольного импульса, воздействующего на измерительный контур. Исход  из подоби  треугольников и произвед  соответствующие математические преобразовани , получим, что площадь треугольника 5 равна:
-h -. Л Л /1
){1-) 2
При измер емом отношении-у-тгр- 2 получим , если же
измер емое отнощение изменитс  в полтора раза, т. е.--- 3, то 5
0,17 , и,,.
Отсюда видно, что без какого-либо дополнительного расщирени  щкалы измерительного прибора, вследствие высокой чувствительности площади 5 к изменению отношени , показани  прибора соответствующей чувствительности могут измен тьс  от нул  до максимума при изменении отношени  всего в полтора раза.
Форма узкого импульса определ ет характер шкалы логометра. В качестве инерционных стабилизаторов напр жени  могут быть использованы простейшие параметрические стабилизаторы на термисторах или на серийно изготовл емых плечевых элементах газоанализаторов. В некоторых случа х дл  достижени  большого коэффициента стабилизации, одновременно с большой точностью по..вдержани  уровн  U в течение длительного времени, необходимо примен ть термостатироваиие нелинейного сопротивлени , вход щего в стабилизатор напр жени .
Предмет изобретени 
Ил пульсный электронный бесконтактный логометр, отличающийс  тем, что, с целью повышени  точности измерени  отношени 
-с,и,
2 2
1 / f/,
и. /2
мощностей двух импульсов при резком изменении их абсолютных значений , в нем применен инерционный стабилизатор эффективного значени  напр жени , поддерживающий посто нство уровн  широкого импульса , и усилитель, ко входу которого дл  измерени  части площади узкого импульса, ограниченной вершиной импульса и некоторым напр жением, превышающим уровень широкого импульса, подключен источник опорного напр жени .
SU455970A 1953-07-31 1953-07-31 Импульсный электронный бесконтактный логометр SU115992A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU455970A SU115992A1 (ru) 1953-07-31 1953-07-31 Импульсный электронный бесконтактный логометр

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU455970A SU115992A1 (ru) 1953-07-31 1953-07-31 Импульсный электронный бесконтактный логометр

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU115992A1 true SU115992A1 (ru) 1957-11-30

Family

ID=48388244

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU455970A SU115992A1 (ru) 1953-07-31 1953-07-31 Импульсный электронный бесконтактный логометр

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU115992A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU625636A3 (ru) Система контрол уровн жидкости
US3092998A (en) Thermometers
US4060715A (en) Linearized bridge circuitry
US3420104A (en) Temperature measuring apparatus using semiconductor junction
SU115992A1 (ru) Импульсный электронный бесконтактный логометр
US4672544A (en) Dosimeter-radiation meter and method for measuring the dose flow of ionizing radiance
US3054951A (en) Device for measuring the root mean square value of a slowly varying voltage
US3978729A (en) Circuit for monitoring temperature of high-voltage equipment
GB997181A (en) Temperature measuring instrument
US3439270A (en) Electrical device for indicating the mathematical product of two electrical quantities
SU366425A1 (ru) УСТРОЙСТВО дл ИЗМЕРЕНИЯ УДЕЛЬНОГО ТОКА ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА
SU428296A1 (ru) Способ измерения скважностипоследовательности прямоугольныхимпульсов
SU920524A1 (ru) Устройство дл определени физико-химических параметров различных сред
US3659200A (en) Method and apparatus for automatically determining characteristic parameters
SU381911A1 (ru) УСТРОЙСТВО дл ИЗМЕРЕНИЯ УРОВНЯ
SU149912A1 (ru) Способ измерени скорости изменени температуры
SU143466A1 (ru) Устройство дл измерени активных сопротивлений
SU165198A1 (ru) Прямопоказывающий измеритель амплитуд и длительности периодических импульсов
SU898332A1 (ru) Способ измерени сопротивлени резистора
SU411303A1 (ru)
SU464839A1 (ru) Измеритель мощности свч
SU464860A1 (ru) Устройство дл измерени азимутальной неоднородности синусоидальных магнитных полей
SU344293A1 (ru) УСТРОЙСТВО дл ИЗМЕРЕНИЯ ОТКЛОНЕНИЯ НЕЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ВЕЛИЧИНЫ ОТ ЗАДАННОГО ЗНАЧЕНИЯ
SU424082A1 (ru) Измеритель скважности последовательности прямоугольных импульсов
SU430338A1 (ru) Устройство для измерения электрическихпараметров полупроводниковыхматериалов