Изобретение относитс к электрографии , в частности, к электрофотографической сенситометрии. Цель изобретени - расширение тех нологических возможностей способа определени режимов за счет использо вани в электрофотографическом режим с перезар дкой фотоносител и последующей его засветкой. На фиг. 1 показана структура и схема фртоносител и распределение зар дов После темнового зар жени ; на фиг. 2 - распределение зар дов на трех участках проэкспонированного через ступенчатый оптический клин фотоносител и распределение потенциала на фотоносителе в соответствую щих участках; на фиг. 3 - распределе ние зар дов и потенциала поверхности после перезар жени фотоматериала; на фиг. 4 - то же, после экспонирова ни равномерной засветкой перед изме рением электростатического контраста Сенситометрические испытани фото носител с диэлектрическим покрытием и определение режимов записи согласно предлагаемому способу провод т в электрофотографическом процессе с разделенными во времени этапами за р дки (перезар дки) и экспонировани что позвол ет избежать искажений, вносимых в измерени ионным контактом в котором генерируютс осаждаемые на фотоноситель свободные зар ды. Осажденные на поверхность диэлектричес-. кого сло 1 (фиг. t) зар ды создают в фотополупроводниковом слое 2 электрическое поле и делают его светочувствительным . За врем экспонировани .р соответствии с освещенностью происходит перераспределение зар дов на границе между 1 и 2 сло ми фотоносител « При этом зар д на внешней диэлектрической поверхности остаетс неизменным, а зар ды экранировани располагаютс в провод щей подложке 3 и на границе раздела между сло ми 1 и 2. Чемсильнее освещен фотоноси тель при экспонировании,- тем больше зар дов экранировани переходит с подложки 3 на границу раздела фото полупроводника с диэлектриком, тем сильнее измен етс потенциал поверхности фотоносител . На фиг. 2 схематически показано распределение зар дов экранировани на трех ступен х оптического клина. Соответствующие изменени потенциала поверхности относительно первоначального темнового потенциала тех же ступен х оптического клина показаны на диафрагме фиг. 2. Измер ют Ц, Uf, , U,7| и т.д. по ступен м клина, а также потенциал зар жени , соответствующий потенциалу неэкспонированньк участков (т.е. темновому потенциалу) и вьфажают указанные изменени потенциала в абсолютньк величинах Atlj , ли.-; J iUff и т.д. или в безразмерных параметрах М, Н, М, и т.д. Уровень экспозиции при определении режимов выбирают достаточным дл полной разр дки фотополупроводникового сло 2 на наиболее светлой ступени оптического клина. При посто нном модуле оптического клина, например, перепад оптической плотности от ступени к ступени составл ет 0,15, перепад потенциала от ступени к ступени (т.е. электростатический контраст дл оптического контраста 0,15) не остаетс в пределах клина посто нным, что св зано с особенност ми фоторазр дной характеристики фотополупроводникового сло фотоносител . Поэтому фиксируют две соседние ступени оптического клина, на которых достигаетс максимальный электростатический контраст дл данного контраста оптического изображени , и устанавливают требуемую дл этого экспозицию. В зависимости от того, на работу с каким оптическим контрастом рассчитан данный фотоноситедь , выбирают этот контраст кратным модулю оптического клина, например, 0,3, 0,45, 0,60 и т.д., оценива электростатический контраст соседних участков через одну, две, три и т.д. ступени оптического клина. Сформированное после экспонировани скрытое иэображение не отвечает необходимым критери м качества, так как имеет очень высокий остаточный потенциал на светлых участках изображени . Дл улучшени скрытого изображени производ т перезар дку внёй-. ней йоверхности фотоносител зар дами противоположного значени . В-результате поверхностный потенциал на ступен х экспозиционного клина выравниваетс (фиг. 3) за счет увеличени плотности поверхностного зар да на участках, имевших большую модул цию потенциала (М, Mj, Mj, т.е. безраэ мерные параметры модул ции, отражают увеличение плотности поверхностного зар да, возникающее при перезар жении поверхности фотоносител ). Перед про влением электростатического изоб ражени на носителе с диэлектрическим покрытием осуществл ют засветку, перевед зар ды экранировани с провод щей подложки 3 на границу раздела слоев 1 и 2. Соответствующее распределение зар дов на трех ступен х экспозиционного клина показано на фиг. 4. Поскольку большей плотности зар да на диэлектрическом слое фотоносител соответствует больший потенциал, после засветки на поверхности фотоноси теп возникает контраст по потенциалу (схема фиг. 4), который измер ют известными способами. Если контраст на зафиксированных ранее ступен х соответствует заданному электростатическому контрасту йИи остаточный потенциал на более светлом из зафиксированных участков не превьшгает заданньй i , определение режима процесса заканчивают фиксацией величин напр жени зар жени Ил f напр жени перезар дки U экспозиции более светлой из фиксированных ступеней клина с указанием оптического контраста, дл которого проведено определение режимов. Если же параметры качества электростатического изображени не соответствуют заданным, осуществл ют повторный цикл с новыми параметрами дл напр жений зар дки (перезар дки) и экспонировани , которые выбирают расчетньа4 путем по формулам, аналогн ньал следующим (в зависимости от т па электрофотографического процесса они могут несколько модифицироватьс ,(4-M,)MHMi-M3), UdCT t4-M4)(,,-), где -(«2 или 3. Поскольку безразмерные параметры модул ции М, М, Мз могут несколько зависеть от напр жений зар жени (перезар жени ), определение их про вод т на калщом цикле записи. Пример . Провод т сенситоме рические испытани электрофото рафи ческого фотоносител , состо щего из 80 мкы сло аморфного селена, напыленного на провод щую подложку, и 1 94 4и мкм сло диэлектрика из полиэтилентерефталатной пленки. Предельное напр жение зар жени , до которого можно было зар жать фотоноситель, не опаса сь по влени пробойных дефектов , составл ет 4 кВ. Дл зар дки (перезар дки) используют коронаторы посто нного тока, обеспечивающие равномерность зар дки до нужного потенциала с погрешностью не более 10% с управлением потенциалом с помощью сетки. Модуль оптического клина составл ет 0,15 (перепад освещенности между соседними ступен ми 1,42). Стандартный перепад освещенностей между светлыми и темными участками, дл которого определ ют режим записи, равен 1:4 (т.е. через три ступени оптического клИна). Потенциал поверхности фотоносител измер ют динамическим электрометром . По результатам измерени потенциалов на экспозиционном клине рассчитывают безразмерные коэффициенты М, M.J, Мэ, которые ввод т в пам ть микрокалькул тора Электроника БЗ-21, запрограммированного на расчет управл ющих напр жений дл последующих циклов в соответствии с приведенньв и вьвпе формулами. , Разр дку поверхности провод т дл jf двух вариантов: когда разр жают до остаточного потен1щала проэкспонированные светлые участки изображени ( соответствии с второй строкой дл Цхп- в приведенной вьше формуле) или темные участки изображени (в соответствии с первой строкой дл UOCT в приведенной формуле),. Количество циклов поиска режима записи не превышает 2-3 при отклонении критериев качества электростатического изобра- , жени от заданного.значени (АУ 300 В, -Uoct 50 В) не более 10%. Использование предложенного способа определени режимов позвол ет прог водить сенситометрические испытани электрофотографических носителей с диэлектрическим покрытием и сснсратить необходимое дл этих испытаний врем , что достигнуто выбором контролируемых на каждом цикле записи промежуточных безразмерных параметров, использу которые можно рассчитать и установить на следующем цикле необходимые режимы записи. Кроме того, редлагаемый способ может быть испольS1155989 This invention relates to electrography, in particular, to electrophotographic sensitometry. The purpose of the invention is to expand the technological capabilities of the method for determining modes by using an electrophotographic mode with charge transfer of the photocarrier and its subsequent illumination. FIG. Figure 1 shows the structure and layout of the phono carrier and charge distribution after dark charging; in fig. 2 — charge distribution in three areas of the photo carrier projected through the step optical wedge and potential distribution on the photo carrier in the corresponding areas; in fig. 3 — distribution of surface charge and potential after recharging the photographic material; in fig. 4 - the same, after exposure to uniform illumination before measuring electrostatic contrast. Sensitometric tests of a photo of a carrier with a dielectric coating and determination of recording modes according to the proposed method are carried out in an electrophotographic process with time-separated stages for re-charging and re-exposing. It is necessary to avoid distortions introduced into measurements by ionic contact in which free charges deposited on a photocarrier are generated. Deposited on the surface of the dielectric. Whose layer 1 (fig. t) charges create an electric field in the photo-semiconductor layer 2 and make it photosensitive. During the exposure time, according to the illumination, the charge is redistributed at the boundary between 1 and 2 photocarrier layers. In this case, the charge on the external dielectric surface remains unchanged, and the screening charges are located in the conductive substrate 3 and at the interface between the layers 1 and 2. The more intense the photocarrier is illuminated during exposure, the more screening charges transfer from the substrate 3 to the interface between the photo of the semiconductor and the dielectric, the more strongly the potential of the photocarrier surface changes. FIG. Figure 2 shows schematically the distribution of shielding charges on the three steps of the optical wedge. The corresponding changes in the surface potential relative to the initial dark potential of the same steps of the optical wedge are shown in the diaphragm of FIG. 2. Measure C, Uf,, U, 7 | etc. the wedge stages, as well as the potential of the charge corresponding to the potential of the nonexponded regions (i.e., the dark potential), and amplify the indicated potential changes in absolute Atlj values, li.-; J iUff, etc. or in dimensionless parameters M, H, M, etc. The exposure level in determining the modes is chosen sufficient to completely discharge the semiconductor layer 2 at the lightest stage of the optical wedge. With a constant optical wedge module, for example, the optical density difference from stage to stage is 0.15, the potential difference from stage to stage (i.e., the electrostatic contrast for optical contrast is 0.15) does not remain constant within the wedge. This is due to the features of the photodischarge characteristic of the photosemiconductor photocarrier layer. Therefore, two adjacent steps of the optical wedge are fixed, at which the maximum electrostatic contrast is achieved for a given contrast of the optical image, and the required exposure is set. Depending on the work with which optical contrast this photocell is designed, choose this contrast as a multiple of the optical wedge module, for example, 0.3, 0.45, 0.60, etc., estimating the electrostatic contrast of neighboring areas through one, two, three, etc. optical wedge steps. The latent image formed after the exposure does not meet the necessary quality criteria, since it has a very high residual potential in bright areas of the image. In order to improve the latent image, the external recharging is performed. The surface of the photocarrier is charged oppositely. As a result, the surface potential at the steps of the exposure wedge is leveled (Fig. 3) by increasing the density of the surface charge in areas with a large potential modulation (M, Mj, Mj, i.e., dimensionless modulation parameters, reflect an increase in surface charge density arising from the recharging of the surface of the photocarrier). Before an electrostatic image is displayed on a dielectric coated carrier, illumination is carried out by transferring the shielding charges from the conductive substrate 3 to the interface between layers 1 and 2. The corresponding distribution of charges in the three stages of the exposure wedge is shown in FIG. 4. Since a higher potential corresponds to a higher charge density on the dielectric layer of the photocarrier, a potential contrast appears on the photocell surface after illumination (the circuit shown in Fig. 4), which is measured by known methods. If the contrast on the previously fixed stages corresponds to a given electrostatic contrast, and the residual potential on the lighter of the fixed sections does not exceed the preset i, the determination of the process mode is completed by fixing the values of the charging voltage IL f the voltage of the supercharge U exposing the lighter of the fixed wedge steps an indication of the optical contrast for which the modes were determined. If the quality parameters of the electrostatic image do not correspond to the specified ones, a new cycle is carried out with new parameters for charging (recharge) and exposure voltages, which are calculated using the formulas, analogous to the following (depending on the number of electrophotographic processes). modified, (4-M,) MHMi-M3), UdCT t4-M4) (,, -), where - ("2 or 3. Since the dimensionless modulation parameters of M, M, and M3 may be somewhat dependent on the (reloading the marriage), their determination is carried out write cycle Example: Conduct sensitometric tests of an electrophoretic photocarrier consisting of 80 microns of an amorphous selenium layer sprayed on a conductive substrate, and a 1 94 4 μm layer of polyethylene terephthalate film dielectric. It was charged a photocarrier, without fear of breakdown defects, is 4 kV. For charging (recharging) DC coronators are used to ensure uniform charging to the desired potential with an error of no more than 10% from the control potential using a grid. The optical wedge module is 0.15 (the difference in illumination between adjacent steps is 1.42). The standard difference in illumination between light and dark areas, for which the recording mode is determined, is 1: 4 (i.e., through the three stages of the optical key). The surface potential of the photocarrier is measured by a dynamic electrometer. According to the measurement results of the potentials on the exposure wedge, dimensionless coefficients M, M.J, Me are calculated, which are entered into the memory of the BZ-21 Electronics micro calculator programmed to calculate control voltages for subsequent cycles in accordance with the above formulas. The surface discharge is carried out for jf of two options: when the exposed light areas of the image (according to the second line for Cxp in the above formula) are discharged to the residual potential or the dark areas of the image (according to the first line for UOCT in the above formula) , The number of write mode search cycles does not exceed 2-3 if the electrostatic image quality criteria do not deviate from the specified value (AU 300 V, -Uoct 50 V) not more than 10%. Using the proposed method for determining the modes, one can carry out sensitometric tests of dielectric-coated electrophotographic carriers and compare the time required for these tests, which is achieved by selecting intermediate dimensionless parameters that are monitored on each recording cycle, using which the necessary recording modes can be calculated and set in the next cycle. In addition, the proposed method can be used: S1155989
зован как дл технологической отработки новых.электрофотографических фoтoнocитeJteй, так и дл аттестацииit is designed both for technological development of new electrophotographic photographic images and for certification
4--b4--l--f--t--l-+4-4выпускаемой продукции с указанием рекомендуемых режимов ее использовани ,4 - b4 - l - f - t - l- + 4-4 output products with an indication of the recommended modes of its use,
Фиг.дFig.d