1. Элемент памяти, содержащий структуру, включающую подложку из арсенида галлия и активный полупроводниковый слой на ней с контактами стока и истока, а также электрод затвора, отделенный от активного слоя изолирующим слоем с захватом заряда, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности считывания информации в виде оптического излучения, между активным слоем и подложкой введены дополнительный изолирующий слой и два дополнительных полупроводниковых слоя из твердого раствора соответственно Ga AlAs и Ga AlAs, где z < y противоположных типов проводимости, причем дополнительный изолирующий слой примыкает к активному слою, а дополнительный полупроводниковый слой, прилегающий к подложке, имеет с нею один тип проводимости, подложка выполнена из сильнолегированного материала, а в активном и дополнительном изолирующем слоях сформирована канавка, дно которой расположено на дополнительном полупроводниковом слое, примыкающем к дополнительному изолирующему слою, на дне канавки сформирован омический контакт, площадь которого меньше площади дна канавки, который гальванически соединен с контактом стока, при этом оба изолирующих слоя с захватом заряда выполнены из Ga AlAs • (x = 0,1C 0,6, x < z) и содержат кислород в количестве 10 - 5 • 10 см и германий в количестве 5 • 10 - 5 • 10 см .2. Элемент памяти, содержащий структуру, включающую подложку из арсенида галлия и активный полупроводниковый слой на ней с контактами стока и истока, а также электрод затвора, отделенный от активного слоя изолирующим слоем с захватом заряда, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности считывания информации в виде оптического излучения, изолирующий слой с захватом заряда выполнен из монокристаллического слоя твердого раствора Ga AlAs, где x = 0,1C 0,6 содержащего кислород в количестве 10 - 10 см и германий в количестве 5 • 10 - 5 • 10 см , расположен под активным слоем, при этом дополнительно введены три полупроводниковых слоя, выполненных из твердых растворов Ga AlAs, Ga AlAs, GaAlAs, где j < z <y, расположенных между изолирующим слоем и подложкой из сильнолегированного арсенида галлия, слой выполненный из твердого раствора Ga AlAs примыкает к подложке и имеет одинаковый с нею тип проводимости, а слой из твердого раствора GaAlAs примыкает к изолирующему слою и со слоем твердого раствора Ga AlAs имеет тип проводимости, противоположный типу проводимости подложки, в структуре выполнена канавка со стороны контакта стока до слоя из твердого раствора Ga AlAs, на дне которой сформирован омический контакт, площадь которого меньше площади дна канавки, который гальванически соединен с контактом стока.