SU1142884A1 - Emitter follower - Google Patents

Emitter follower Download PDF

Info

Publication number
SU1142884A1
SU1142884A1 SU833650389A SU3650389A SU1142884A1 SU 1142884 A1 SU1142884 A1 SU 1142884A1 SU 833650389 A SU833650389 A SU 833650389A SU 3650389 A SU3650389 A SU 3650389A SU 1142884 A1 SU1142884 A1 SU 1142884A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
additional
emitter
collector
power supply
Prior art date
Application number
SU833650389A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Сергей Григорьевич Иванов
Владимир Филиппович Федючок
Original Assignee
Организация П/Я М-5222
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Организация П/Я М-5222 filed Critical Организация П/Я М-5222
Priority to SU833650389A priority Critical patent/SU1142884A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1142884A1 publication Critical patent/SU1142884A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

ЭМИТТЕРНЬЙ ПОВТОРИТЕЛЬ, содержапщй первый и второй транзисторы, имеющие разную структуру базы которых объединены и  вл ютс  входом эмиттерного повторител , эмиттер первого транзистора через источник тока соединен с первой шиной источника питани  i экшттер второго транзистора соединен с выходом отражател  тока, вьгаоды питани  которого подключены к второй шине источника питани , и  вл етс  выходомэмиттерного повторител , а коллектор соединен с первой шиной источника питани j отличающийс  тем, что, с целью повьш1ени  быстродействи  путем уменьшени  времени установлени . в него введены первый, второй и третий дополнительные транзисторы, дополнительньв источник тока., диодна  цепь и резистор, включенный между эмиттерами второго и третьего дополнительных транзисторов., причем база второго дополнительного транзистора соединена с эмиттером первого тран-зистора , коллектор которого соединен с второй шиной источника питани , а коллектор - с входом отражател  тока, к вькоду которого подключена база первого дополнительного транзистора, коллектор которого соединен с второй шиной источника питани  а эмиттер через диодную цепь - с вьтодом дополнительного источника тока, соеди (Л ненного другим выводом с первой шиной источника питани -, и с базой третьего дополнительного транзистора, включенного по схеме с общим коллектором ,, при этом структура первого и второго дополнительных транзисторов соответствует структуре первого транзистора , а структура третьего дополнительного транзистора -структуре ( второго транзистора. о 00 00 4The EMITTERNEY REPEATER, containing the first and second transistors, having different base structures are combined and are the input of the emitter follower, the emitter of the first transistor is connected to the second power supply bus through the current source and the second transistor is connected to the output of the current reflector; the power supply bus, and is an output emitter follower, and the collector is connected to the first power supply bus j, characterized in that, in order to increase the speed by reducing the settling time. The first, second and third additional transistors are added to it, in addition to the current source., a diode circuit and a resistor connected between the emitters of the second and third additional transistors. The base of the second additional transistor is connected to the emitter of the first transistor, the collector of which is connected to the second bus power supply, and the collector - with the input of a current reflector, to the code of which the base of the first additional transistor is connected, the collector of which is connected to the second power supply bus of the emitter ep through a diode circuit — with the additional current source connected (connected to the first bus power supply source — and with the base of the third additional transistor connected to the common collector, the structure of the first and second additional transistors corresponds to the structure of the first transistor, and the structure of the third additional transistor - the structure (the second transistor. o 00 00 4

Description

Изобретение относитс  к радиоэлек ронике и может использоватьс  в операционном усилителе, работающем на емкостную нагрузку. Известен повторитель, содержащий ,первый и второй входные транзисторы имеющие разную структуру, к эмиттеру каждого из которых через отражатель тока подключен непосредственно источник стабильного тока и через коллектор другого транзистора Л . Однако в известном устройстве необходимым условием дл  повышени  быстродействи   вл етс  наличие симметричного выхода, соединенного с ем костной нагрузкой. При несимметричном выходе выигрьша в быстродействии не будет. Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности  вл етс  змиттерный повторитель, содержащий первый и второй транзисторы, имеющие разную структуру,, базы которых объединены и  вл ютс  входом эмиттерного повторител , эмиттер первого тракзистора через источник тока соединен с первой шиной источника питани , эмиттер второго транзистора соединен с выходом отражател  тока, выводы питани  которого подключены к второй шине источника питани , и  вл етс  выходом эмиттерного повторител , а коллектор соединен с первой шиной источника питани , а также конденсатор , шунтирующий источник тока Однако в данном эмиттерном повторрхтеле при рассогласовании нагрузочной емкости и емкости конденсатора эмиттерного повторител  увеличиваетс  врем  установлени  и тем самым снижаетс  быстродействие. Цель изобретени  - повьш1ение быст родействи  путем уменьшени  времени установлени  Поставленна  цель достигаетс  тем что в эмиттерный повторитель, содержащий первый и второй транзисторы, имеющие разную структуру, базы которых объединены и  вл ютс  входом эмиттерного повторител , эмиттер пер вого транзистора через источник тока соединен с первой шиной источника питани ,- эмиттер второго транзистора соединен с выходом отражател  тока, выводы питани  которого подключены к второй шине источника питани , и  вл етс  выходом эмиттерного повтори тел , а коллектор соединен с первой шиной источнрп а питани , введены первый, второй и третий дополнительные транзисторы, дополнительный источник тока, диодна  цепь и резистор, включенньй между эмиггтерами второго и.третьего дополнительных транзисторов , причем база второго дополнительного транзистора соединена с эмиттером , первого транзистора, коллектор которого соединен -с второй шиной источника питани , а коллектор - с входом отражател  тока, к выходу которого подключена база первого дополнительного транзистора, коллектор которого соединен с второй шиной источника питани , а эмиттер через диодную цепь - с выводом дополнительного источника тока, соединенного другим выводом с первой шиной источника питани , и с базой третьего дополнительного транзистора,.включенного по схеме с общим коллектором, при этом структура, первого и второго дополнительных транзисторов соответствует структуре первого транзистора, а структура третьего дополнительного транзистора - структуре второго транзистора . На чертеже представлена электрическа  принципиальна  схема змиттерного повторител . Змиттерный повторитель содержит первьй и второй транзисторы 1 и 2, первый, второй и третий дополнительные транзисторы 3 -.5, источник 6 тока, дополнительный источник 7 тока, отражатель 8 тока, диодна  цепь 9, резистор 10, перва  и втора  шины 11 и 12 источника питани . Эмиттерный повторитель работает следующим образом. При по влении на входе эмиттерного повторител  крутого перепада напр жени  определенной пол рности (дл  схемы, изображенной на чертеже - отрицательного) из-за наличи  емкости нагрузки происходит запаздывание напр жени  на э:миттере второго транзистора 2 от напр.чжени  на базе, что обеспечивает резкое увеличение эмиттерного тока данного транзистора .и быструю перезар дку нагрузочной емкости . Скорость нарастани  напр жени  при передаче перелада этой пол рности на эмиттерах первого и первого дополнительного транзисторов 1 и 3 зависит от величин токов, поступающих из источника б и дополнительного исThis invention relates to radio electronics and can be used in an operational amplifier operating on a capacitive load. Known repeater, containing, the first and second input transistors having a different structure, to the emitter of each of which through the current reflector is connected directly to the source of stable current and through the collector of the other transistor L. However, in a known device, a prerequisite for improving speed is the presence of a symmetrical output connected to it by bone load. With asymmetric output, there will be no gain in speed. Closest to the proposed technical entity is a zmitter repeater containing first and second transistors having a different structure, the bases of which are combined and are the input of an emitter follower, the emitter of the first resistor through a current source is connected to the first power supply bus, the emitter of the second transistor is connected with the output of a current reflector, the power terminals of which are connected to the second power supply bus, and is the output of the emitter follower, and the collector is connected to the first power source bus power supply, as well as a capacitor, a shunt current source. However, in this emitter duplicator, when the load capacitance and capacitance of the emitter follower capacitor mismatch, the settling time increases and thus the speed is reduced. The purpose of the invention is to increase the speed by reducing the establishment time. The goal is achieved by providing an emitter follower containing first and second transistors with different structure, the bases of which are combined and are the input of the first transistor through a current source connected to the first bus power supply, the emitter of the second transistor is connected to the output of the current reflector, the power terminals of which are connected to the second power supply bus, and is the output of the emitter terminal These are bodies, and the collector is connected to the first power supply bus, the first, second and third additional transistors, an additional current source, a diode circuit and a resistor, are connected between the second and third additional transistors, the base of the second additional transistor is connected to the emitter, the first transistor, the collector of which is connected to the second power supply bus, and the collector is connected to the input of a current reflector, to the output of which is connected the base of the first additional transistor, the collector which is connected to the second power supply bus, and the emitter through the diode circuit to the output of an additional current source connected by another output to the first power supply bus and to the base of the third additional transistor connected to the common collector, the structure of which is first and the second additional transistors corresponds to the structure of the first transistor, and the structure of the third additional transistor - the structure of the second transistor. The drawing shows an electrical schematic diagram of a zmitter repeater. Zmitterna repeater contains the first and second transistors 1 and 2, the first, second and third additional transistors 3 -.5, current source 6, additional current source 7, current reflector 8, diode circuit 9, resistor 10, first and second buses 11 and 12 power source. The emitter follower works as follows. When a steep voltage drop of a certain polarity (for the circuit shown in the drawing is negative) appears at the input of the emitter follower, because of the presence of the load capacity, the voltage on the second transistor 2 on the emitter is delayed, which ensures a sharp increase in the emitter current of this transistor. and a quick recharge of the load capacitance. The rate of increase of voltage during the transfer of the polarity of this polarity at the emitters of the first and first additional transistors 1 and 3 depends on the magnitudes of the currents coming from source b and additional

Claims (1)

ЭМИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ, содержащий первый и второй транзисторы, имеющие разную структуру; базы которых объединены и являются входом эмиттерного повторителя, эмиттер первого транзистора через источник тока соединен с первой шиной источника питания i эмиттер второго тран- . зистора соединен с выходом отражателя тока, выводы питания которого подключены к второй шине источника питания, и является выходом’ эмиттерного повторителя, а коллектор соединен с первой шиной источника питания; отличающийс я тем, что, с целью повышения быстродействия путем уменьшения времени установления, в него введены первый, второй и третий дополнительные транзисторы, дополнительный источник тока, диодная цепь и резистор, включенный между эмиттерами второго и третьего дополнительных транзисторов., причем база второго дополнительного транзистора соединена с эмиттером первого тран зистора, коллектор которого соединен с второй шиной источника питания, а коллектор - с входом отражателя тока,· к выходу которого подключена база первого дополнительного транзистора, коллектор которого соединен с второй шиной источника питания, а эмиттер через диодную цепь - с выводом дополнительного источника тока, соединенного другим выводом с первой шиной источника питания·, и с базой третьего дополнительного транзистора, включенного по схеме с общим коллектором,. при этом структура первого и второго дополнительных транзисторов соответствует структуре первого тран зистора, а структура третьего дополнительного транзистора структуре второго транзистора.EMITTER REPEATER containing the first and second transistors having a different structure; the bases of which are combined and are the input of the emitter follower, the emitter of the first transistor is connected through the current source to the first bus of the power supply i the emitter of the second trans. the resistor is connected to the output of the current reflector, the power terminals of which are connected to the second bus of the power source, and is the output of the emitter follower, and the collector is connected to the first bus of the power source; characterized in that, in order to improve performance by reducing the settling time, the first, second and third additional transistors, an additional current source, a diode circuit and a resistor connected between the emitters of the second and third additional transistors are introduced into it, and the base of the second additional transistor connected to the emitter of the first transistor, the collector of which is connected to the second bus of the power source, and the collector is connected to the input of the current reflector, · to the output of which the base of the first additional Yelnia transistor, whose collector is connected to the second bus of the power supply, and an emitter through a diode chain - with the output of the additional current source, the other terminal connected to the first power supply rail +, and with the base of the third additional transistor included in the circuit with common collector ,. the structure of the first and second additional transistors corresponds to the structure of the first transistor, and the structure of the third additional transistor corresponds to the structure of the second transistor. ίί
SU833650389A 1983-10-10 1983-10-10 Emitter follower SU1142884A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833650389A SU1142884A1 (en) 1983-10-10 1983-10-10 Emitter follower

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833650389A SU1142884A1 (en) 1983-10-10 1983-10-10 Emitter follower

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1142884A1 true SU1142884A1 (en) 1985-02-28

Family

ID=21084741

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833650389A SU1142884A1 (en) 1983-10-10 1983-10-10 Emitter follower

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1142884A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Авторское свидетельство СССР 785952, кл. Н 03 F 3/5, 08.01.79. 2. Авторское свидетельство СССР № 932593, кл. Н 03 F 3/50, 20.12.77 (прототип). *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU1142884A1 (en) Emitter follower
JPS6184913A (en) High-pass circuit device
US5128631A (en) Operational amplifier having improved slew rate
SU1173518A1 (en) Voltage follower
SU1508280A1 (en) Level converter for readout amplifier
US4280103A (en) Multistage transistor amplifier
SU1550597A1 (en) High frequency generator
SU1755363A1 (en) Differential amplifier
SU750456A1 (en) Dc source
SU959230A1 (en) Dc voltage converter
SU503344A1 (en) Transistor modulator
SU1450076A1 (en) Amplification cascade
SU1246339A1 (en) Differential amplifier
SU1429329A1 (en) Information exchange device
SU1658209A1 (en) Reading amplifier
SU1270874A1 (en) Power amplifier
RU1806440C (en) Differential voltage amplifier
SU1084955A1 (en) Amplifier
SU1083339A2 (en) Two-step power amplifier
SU729575A1 (en) Current source
SU1656667A1 (en) Power amplifier
SU1460715A1 (en) Current stabilizer
SU1124427A1 (en) Differential amplifier
SU1290486A1 (en) Device for shifting potential level
SU1598113A1 (en) Distributed-amplification amplifier