SU1137492A1

SU1137492A1 - Устройство дл моделировани бипол рного транзистора

Info

Publication number: SU1137492A1
Application number: SU833645423A
Authority: SU
Inventors: Юрий Валентинович Хара
Original assignee: Войсковая часть 67947
Priority date: 1983-09-28
Filing date: 1983-09-28
Publication date: 1985-01-30

Abstract

УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА, содержащее переменный резистор, блок моделировани тока базы, выполненный в виде усилительного транзистора, .эмиттер которого подключен к первому выходу переменного резистора, блок моделировани коллекторного тока, вьтолненный в виде усилительного транзистора, кoллeкfop которого вл етс коллекторным выводом устройства, базовый вьшод которого соединен с базой усилительного транзистора блока моф делировани тока базы, отличающеес тем, что, с целью повышени точности моделировани , в него введен блок моделировани изменени коэффициента усилени по току, выполненный в виде усилительного транзистора, коллектор которого подключен к второму, выводу переменного резистора, подвижный контакт которого соединен с базой усилительHoi:o транзистора блока моделировани коллекторного тока, эмиттер котот iporo вл етс эмиттерным выводом устройства и подключен к первому выводу переменного резистора, коллектор усилительного транзистора блока моделировани тока базы сое (Л динен с базой усилительного транзистора блока моделировани изменени коэффициента усилени по току, эмиттер которого соединен с коллектором усилительного транзистора блока моделировани коллекторного тока. со 4 СО to

Description

-€)

Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть испольЭовано дл анализа работоспосрбности устройств в услови х повьшенной температуры и технологического разбро™ са параметров транзисторов. Известно устройство дл моделировани пйлупроводникового элемента, содержащего операционные усилители, переменный резистор и транзистор fQ Наиболее близким по технической сущности к изобретении вл етс устройство дл моделировани полупроводникового элемента, содержащее входной усилительный транзистор, эмиттер которого подключен к первому выводу переменного резистора, и дополнительный транзистор, позвол ющее моделировать изменение коэффицие та передачи по току транзистора Однако известные устройства характеризуютс недостаточной точность моделировани эмиттерного перехода кремниевого транзистора при больших токах базы, на которую оказывают вли ние многие факторы, в том числе вид входных характеристик германиевых усилительных транзисторов, точность подбора компенсирующего резистора-и вьтр мительного диода, поло- жение движка переменного резистора, в св зи с чем устройства оказываютс неработоспособными в услови х, св занных с необходимостью регулировки в больших пределах коэффициента, усилени по току и одновременно точного моделировани характеристик эмиттерного перехода транзистора при больших токах базы, а также запирающем смещении на эмиттерном переходе, Цель изобретени - повышение точности моделировани . Поставленна цель достигаетс тем, что в устройство дл моделировани бипол рного транзистора, содержащее переменный резистор, блок моделировани тока базы, выполненный в виде усилительного транзистора, эмиттер которого подключен к первому выводу переменного резистора, блок моделировани коллекторного тока, вьтолненный в виде усилительного транзистора, коллектор которого вл етс коллекторным выводом устройства , базовый вывод которого соединен с базой усилительного транзистора блока моделировани тока базы, введен блок моделировани изменени коэффициента усилени по то ку, выполненный в виде усилительного транзистора, коллектор которого подключен к второму выводу переменного резистора, подвижный контакт которого соединен с базой усилительного транзистора блока моделировани коллекторного тока, эмиттер которого вл етс эмиттерным выводом устройства и подключен к первому выводу переменного резистора, коллектор усилительного транзистора блока моделировани тока базы соединен с базой усилительного транзистора блока моделировани изменени коэффициента по току, эмиттер которого соединен с коллектором усилительного транзистора блока моделировани коллекторного тока. На чертеже представлена схема предлагаемого устройства. Устройство содержит блок моделировани тока базы, выполненный в виде усилительного транзистора 1, блок моделировани коллекторного тока, выполненный в виде усилительного транзистора 2, блок моделировани коэффициента усилени по току, выполненный в виде усилительного транзистора 3., и переменный резистор 4. Устройство работает следующим образом. Усилительные транзисторы 1,2 и 3 служат дл имитации увеличени коэффициента усилени транзистора по току с ростом температуры. Транзистор 3 выполн ет также фукцию элемента разв зки. Введение в схему устройства транзистора 3 и св занное с этим изменение включени входного транзистора 1 впервые позволило исключить необходимость применени и подбора элементов,, выравнивающих входную характеристику устройства , и достичь максимально возможной точности моделировани входной характеристики транзистора при любых, в том числе больших значени х тока, а также при запирающем смещении на эмиттерном переходе. В ;зависи- мости от положени движка переменного резистора А мен ютс величины коллекторного тока транзистора 3 и базового тока транзистора 2, а следовательно, и величины эмиттерно- го тока транзистора 3, что при неизменном базовом токе устройства эквивалентно изменению коэффициента

3

усилени по току устройства „ . Обозначим коэффициенты усилени по току транзисторов 1,2 и 3 соответственно 4 , Р и R , Тогда при верхнем положении движка переменного резистора 4 м гРгРз При нижнем положении движка переменного резистора 4 J3/ Д. ,

Устройство можно использовать в услови х, св занных с необходимостью регулировки в болыцих пределах коэффициента усилени по току и одновременно точного моделировани , характеристик эмиттерного перехода транзистора при больших токах базы, а также запирающем смещении на эмиттерном переходе, например при оценке вли ни изменени и технологического разброса величины коэффициента усилени по току транзисторов на работоспособность

374924

переключательных транзисторов схем.

Дл создани устройства могут быть использованы серийные транзис-

J торы,

Использование предлагаемого устройства позвол ет упростить аппаратуру , предназначенную дл проведени экспериментальных исследований , и проводить оценку вли ни на работоспособность переключательных транзисторных схем технологического разброса величины коэффициента усиле ни транзисторов по току без использовани специально подобранных транзисторов с граничными зна е;ни ми В t а также теютературного -изменени коэффициента усилени по току транзисторов без-проведени климатических испытаний в камере тепла.

Claims

УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА, содержащее переменный резистор, блок моделирования тока базы, выполненный в виде усилительного транзистора, эмиттер которого подключен к первому выходу переменного резистора, блок моделирования коллекторного тока, выполненный в виде усилительного транзистора, коллектор которого является коллекторным выводом устройства, базовый вывод которого соединен с базой усилительного транзистора блока мо- делирования тока базы, отличающее с я тем, что, с целью повышения точности моделирования, в него введен блок моделирования изменения коэффициента усиления по току, выполненный в виде усилительного транзистора, коллектор которого подключен к второму выводу перемен—' ного резистора, подвижный контакт которого соединен с базой усилительного транзистора блока моделирования коллекторного тока, эмиттер κοτογ iporo является эмиттерным выводом устройства и подключен к первому выводу переменного резистора, коллектор усилительного транзистора с блока моделирования тока базы соединен с базой усилительного транзистора блока моделирования изменения коэффициента усиления по току, эмиттер которого соединен с коллектором усилительного транзистора блока моделирования коллекторного тока.

SU ,„.1137492 >

1 1137492 2