SU1137436A1 - Method of forming reference electrostatic picture on dielectric medium - Google Patents

Method of forming reference electrostatic picture on dielectric medium Download PDF

Info

Publication number
SU1137436A1
SU1137436A1 SU833600328A SU3600328A SU1137436A1 SU 1137436 A1 SU1137436 A1 SU 1137436A1 SU 833600328 A SU833600328 A SU 833600328A SU 3600328 A SU3600328 A SU 3600328A SU 1137436 A1 SU1137436 A1 SU 1137436A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
dielectric
metal
stencil
dielectric layer
metal stencil
Prior art date
Application number
SU833600328A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Людас Людо Лауринавичюс
Вадим Александрович Макарычев
Алоизас Сергеяус Таурайтис
Original Assignee
Предприятие П/Я Г-4602
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Г-4602 filed Critical Предприятие П/Я Г-4602
Priority to SU833600328A priority Critical patent/SU1137436A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1137436A1 publication Critical patent/SU1137436A1/en

Links

Landscapes

  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)

Abstract

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭТАЛОННОГО ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ НОСИТЕЛЕ, включающий осаждение на его поверхность электрических зар дов через металлический трафарет, о т л и ч а ющ и и с   тем, что, с целью повьппени  метрологической точности и скорости формировани  изображени , одновременно с зар дкой открытых участков носител  осуществл ют зар дку металлического трафарета с посто нной времени зар жени  в 2-3 раза большей посто нной времени зар жени  открытых участков диэлектрического носител . &9 Лаь 00 9)A METHOD OF FORMING A REFERENCE ELECTROSTATIC IMAGE ON A DIELECTRIC MEDIA, including the deposition of electrical charges on its surface through a metal stencil, and so that, in order to measure metrological accuracy and speed of drawing, the pattern is drawn and the pattern is formed and the image is drawn with a pattern of metrical accuracy and speed of drawing. portions of the carrier charge the metal stencil with a constant charge time, 2–3 times longer than the constant charge time of the open portions of the dielectric carrier. & 9 Lai 00 9)

Description

1 Изобретение относитс  к электрографии , в частности к формированию эталонного электростатического изображени  на нефоточувствительной поверхности дл  проверки про вл ющих составов (электрографических про вителей ), устройств и методов про влени . Известен способ формировани  эталонного электростатического изоб ражени  на диэлектрическом носителе вкпючакщий осаждение на его поверхность электрических зар дов череэ металлический трафарет ij . Недостатками известного способа  вл ютс  шзкие метрологическа  точность и скорость формировани  изображени  на диэлектрической поверхности . Цель изобретени  - повьшение мет рологической точности и скорости формировани  изображени  на диэлект рической поверхности, которое может быть использовано дл  проверки и ат тестации электрографических про вл юпщх составов, а также дл  провер ки функционировани  электрофотогра фических узлов и аппаратов. Поставленна  цель достигаетс  тем, что согласно способу формирова ни  электростатического изображени  на диэлектрическом носителе, одновременно с зар дкой открытых участков носител  осуществл ют зар  ку металлического трафарета с посто  нной времени зар жени  в 2-3 раза большей посто нной времени зар жени . открытых участков диэлектрическЬго носител . На чертеже представлена схема устройства дл  реализации способа. На схеме обозначены диэлектрический слой I на провод щей подложк генератор 2 ионов, например радиоактивный излучатель об -частиц, ме таллический трафарет 3, управл ювщй электрод 4, диэлектрическа  пленка 5 с провод щим покрытием. Способ осуществл етс  следующим образом. Скрытое электростатическое изобр  сение формируют на металлизированной лавсановой пленке 1, толщиной 20 мкм. Пров д щее покрытие пле ки заземл ют, а на ее поверхность накладывают металлический трафарет 3 из медной фольги толщиной 50 мкм в которой протравлены параллельные 62 штрихи с пространственной частотой от 1 до 8 мм , На рассто нии 20 Мм от диэлектрического сло  устанавливают металлический управл ющий электрод , представл ющий собой металлическую сетку, на которую подано напр жение , величина которого точно равна тому напр жению, до которого необходимо зар дить открытые участки диэлектрического сло . За сетчатым управл ющим электродом 4 располагают генератор ионов, выполненный в виде пластинки, с радиоактивным изотопом плутони -239, испускающим об лучи , которые ионизируют воздушный промежуток между управл ющим электродом 4 и диэлектрическим слоем 1. В электрическом поле, созданном в результате приложени  напр жени  между провод щей подложкой диэлектрического сло  1 и управл ющим электродом 4, система металлический трафарет - диэлектрический слой начинает зар жатьс . Ток в воздушном промежутке протекает до тех пор, пока напр женность пол  в каждой точке этого промежутка не станет равной нулю, т.е. до тех пор, пока металлический трафарет 3 и открытые участки диэлектрического сло  1 на зар д тс  до потенциала управл ющего электрода 4. . Если бы металлический электрод . был соединен сразу с управл ющим электродом 4 (если бы напр жение на металлическом электроде возрастало много быстрее, чем на диэлектрическом слое), то зар жение диэлектрического сло  в прорез х трафарета происходило бы очень медленно, особенно в узких прорез х. Св зано это с тем, что поле металлического трафарета, простирающеес  вплоть до управл ющего электрода 4,- преп тствует направленному движению зар женных частиц к узким прорез м металлического трафарета 3, под которым наход тс  зар жаемые участки диэлектрического сло  1. Как известно, поле электростатического изображени  высокой пространственной частоты существует лишь в непосредственной близости к поверхности , ПОЭТОМУ на узкие элементы изображени  осаждаютс  лишь ионы, генерируемые в непосредственной близости от поверхности зар женных участков диэлектрика, а количество их там очень мало.1 The invention relates to electrography, in particular, to the formation of a reference electrostatic image on a non-photosensitive surface for testing developing structures (electrographic manufacturers), devices and methods of development. A known method of forming a reference electrostatic image on a dielectric carrier involves the deposition of electrical charges on its surface through a metal stencil ij. The disadvantages of this method are the narrow metrological accuracy and speed of image formation on a dielectric surface. The purpose of the invention is to improve the metrological accuracy and speed of image formation on the dielectric surface, which can be used to check and test the electrographic displays of compositions, as well as to check the functioning of the electrophotographic units and devices. This goal is achieved by the fact that according to the method of forming an electrostatic image on a dielectric carrier, simultaneously with the charging of the open areas of the carrier, a metal stencil is charged with a constant charging time of 2–3 times longer constant charging time. open portions of the dielectric carrier. The drawing shows a diagram of the device for implementing the method. The diagram shows the dielectric layer I on a conductive substrate 2 ion generator, for example, a radioactive particle emitter, a metal stencil 3, a control electrode 4, a dielectric film 5 with a conductive coating. The method is carried out as follows. A hidden electrostatic image is formed on a metallized lavsan film 1, 20 microns thick. The conductor coating is grounded, and a metal stencil 3 of copper foil 50 µm thick is applied on its surface in which parallel 62 strokes are etched with a spatial frequency of 1 to 8 mm. A metal control is installed at a distance of 20 Mm from the dielectric layer. the electrode is a metal grid to which a voltage is applied, the magnitude of which is exactly equal to the voltage to which it is necessary to charge the open portions of the dielectric layer. Behind the grid control electrode 4 there is an ion generator, made in the form of a plate, with a radioactive isotope of plutonium-239, emitting rays that ionize the air gap between the control electrode 4 and the dielectric layer 1. In an electric field created by the application of voltage between the conductive substrate of the dielectric layer 1 and the control electrode 4, the metal stencil-dielectric layer system begins to charge. The current in the air gap flows until the field strength at each point of this gap becomes zero, i.e. until the metal stencil 3 and the open portions of the dielectric layer 1 are charged to the potential of the control electrode 4.. Had a metal electrode. was connected directly to the control electrode 4 (if the voltage on the metal electrode increased much faster than on the dielectric layer), then the dielectric layer in the slots of the stencil would be charged very slowly, especially in narrow slots. This is due to the fact that the field of the metal stencil, extending up to the control electrode 4, prevents the directional movement of the charged particles to the narrow slits of the metal stencil 3, under which there are charged portions of the dielectric layer 1. As is known, the field electrostatic image of high spatial frequency exists only in close proximity to the surface, therefore, only ions generated in the immediate vicinity of the surface dielectric areas, and their number there is very small.

33

Если же металлический трафарет изолирован (и от земли и от управл ющего электрода) и зар жаетс  в процессе зар жени  системы металличЬский трафарет - диэлектрический слой с той же скоростью, что и участки диэлектрического сло  в прорез х , то по мере приближени  напр жени  трафарета к напр жению упрайл ющего электрода поле металлического трафарета начннает сильнее экранировать зар жаемые участки диэлектрического сло  и рост зар да на .них замедл етс . Во избежание этого необходимо замедлить скорость роста потенциала металли- . ческого трафарета по сравнению со скоростью роста потенциала диэлектрического сло . Посто нна  времени нарастани  напр жени  зар жени  на открытых участках диэлектрического сло  должна быть по крайней мере в 2 раза больше, чем посто нна  времени зар жени  металлического трафарета, но превьнпение более чем в 3 раза нецелесообразно, так как общее замедление процесса уже не окупаетс  повышеиием контраста электростатического изображени  на узких лини х. В данном случае замедление скорости роста потенциала трафарета достигнуто.заIf the metal stencil is insulated (from both the ground and the control electrode) and the metal stencil — the dielectric layer is charged during system charging — the dielectric layer with the same velocity as the dielectric layer in the slits, then as the stencil voltage approaches the metal stencil field starts to shield the charging portions of the dielectric layer more strongly to the voltage of the targeting electrode, and the growth of charges on them slows down. In order to avoid this, it is necessary to slow down the rate of growth of the metal- stencil compared to the growth rate of the potential of the dielectric layer. The constant rise time of the charging voltage on the open portions of the dielectric layer should be at least 2 times longer than the constant charge time of the metal stencil, but more than 3 times more impractical because the overall slowdown does not pay off anymore. contrast of electrostatic imaging on narrow lines. In this case, a slowdown in the growth rate of the stencil potential has been achieved.

374364374364

счет того, что по его периметру была нанесена диэлектрическа  пленка 5 с внешним металлизированным покрытием , которое заземл ли V- Толщина , пленки 10 мкм, а площадь ее равн лась половине площади металлического трафарета .due to the fact that along its perimeter was applied a dielectric film 5 with an external metallized coating, which was grounded V-thickness of the film 10 μm, and its area was equal to half the area of the metal stencil.

Проверку пр моугольности формы зар дного рельефа производили сканирующим электрометром с диаметром считьшающего зонда 70 мкм. Ширина перехода от зар женного участка к незар женному не превышала 80 мкм т.е. определ лась апертурными свойствами измерительной зондовой системы , а не самим электростатическим из обр ажением.The rectangularity of the shape of the relief pattern was checked by a scanning electrometer with a mixing probe diameter of 70 µm. The width of the transition from the charged region to the uncharged region did not exceed 80 µm, i.e. determined by the aperture properties of the measuring probe system, and not by the electrostatic conversion itself.

Предложенный способ формировани  электростатического изображени  использован дл  метрологического контрол  качества электрографических про вителей. Применение данного iспособа позволило значительно повысить достоверность контрол  выпускаемых промытпенностью составов дл  электрографии, так как к методикам проверки гранул рности, цветности, температуры плавлени  и т.п. добавилась методика определени  вгикного в электрофотографии интегрального критери  - про вл ющей и разрешающей i способности про вител .The proposed method of forming an electrostatic image is used for metrological quality control of electrographic manufacturers. The use of this method has allowed a significant increase in the reliability of control of the compositions for electrography produced by the industrial type, since the methods for testing granularity, color, melting point, etc. a method was added for determining the integral criterion in electrophotography of the developer’s exhibiting and resolving power i.

Claims (1)

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭТАЛОННОГО ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ НОСИТЕЛЕ, включа- ющий осаждение на его поверхность электрических зарядов через металлический трафарет, отличающийся тем, что, с целью повышения метрологической точности и скорости формирования изображения, одновременно с зарядкой открытых участков носителя осуществляют зарядку металлического трафарета с постоянной времени заряжения в 2-3 раза большей постоянной времени заряжения открытых участков диэлектрического носителя.METHOD FOR FORMING A STANDARD ELECTROSTATIC IMAGE ON A DIELECTRIC MEDIA, including the deposition of electric charges on its surface through a metal stencil, characterized in that, in order to increase metrological accuracy and speed of image formation, the metal time is charged simultaneously with charging the exposed portions of the medium charging 2-3 times the constant charging time of open areas of the dielectric carrier. . . .'/у//// ///7/лгг jpnHHwAi,.—I. ш I·· . J. . . '/ y //// /// 7 / lgg jpnHHwAi, .— I. w I ··. J
SU833600328A 1983-06-03 1983-06-03 Method of forming reference electrostatic picture on dielectric medium SU1137436A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833600328A SU1137436A1 (en) 1983-06-03 1983-06-03 Method of forming reference electrostatic picture on dielectric medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833600328A SU1137436A1 (en) 1983-06-03 1983-06-03 Method of forming reference electrostatic picture on dielectric medium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1137436A1 true SU1137436A1 (en) 1985-01-30

Family

ID=21066657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833600328A SU1137436A1 (en) 1983-06-03 1983-06-03 Method of forming reference electrostatic picture on dielectric medium

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1137436A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Патент US № 3.900852, кл. G 03 G 15/16, 1975. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4308457A (en) Device for the detection of back-scattered electrons from a sample in an electron microscope
US4112299A (en) Corona device with segmented shield
GB1129164A (en) Method and apparatus for making electrographs
SU1137436A1 (en) Method of forming reference electrostatic picture on dielectric medium
Okubo et al. Creepage discharge propagation in air and SF/sub 6/gas influenced by surface charge on solid dielectrics
US3611414A (en) Electrographic oscillograph
US3711710A (en) Method of and means for controlling corona emission
US3598991A (en) Electrostatic charging device having a spark gap voltage regulator between a corona source and a voltage source
US7202675B2 (en) Device and method for measuring toner current
US4425035A (en) Image reproducing apparatus
Brodie et al. Measurement of charge transfer in electrographic processes
US3526767A (en) Image amplification in ionography by avalanche method
US3703399A (en) Method of liquid reversal development for electrography
US4227233A (en) Corona discharge device for electrographic apparatus
US4038545A (en) Electrostatic recording process and ionizing radiation image recording method employing the same
US3406062A (en) Method for liquid development of electrostatic images using conductive particles as floating electrodes
US3942080A (en) Method and apparatus for applying a uniform electrostatic charge to electrophotographic film
JPH0452467B2 (en)
US3967119A (en) Corona charging device
US4430410A (en) Method and apparatus for developing latent electrostatic images
JPH05312892A (en) Corona current measurement
CA1107951A (en) Electrophotographic process and apparatus for developing latent electrostatic charge images
US3625681A (en) Method of liquid developing a photoconductive plate
JP2000137368A (en) Device and method for electrifying photoreceptor
US4022527A (en) Ion modulator having independently controllable bias electrode