SU1137407A1 - Проходной детекторный СВЧ преобразователь мощности - Google Patents
Проходной детекторный СВЧ преобразователь мощности Download PDFInfo
- Publication number
- SU1137407A1 SU1137407A1 SU813373319A SU3373319A SU1137407A1 SU 1137407 A1 SU1137407 A1 SU 1137407A1 SU 813373319 A SU813373319 A SU 813373319A SU 3373319 A SU3373319 A SU 3373319A SU 1137407 A1 SU1137407 A1 SU 1137407A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- detector
- layer
- low
- metal layer
- resistance semiconductor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
1. ПРОХОДНОЙ ДЕТЕКТОРНЫЙ ВЧ-ПРБ0БРАЗОВАТЕЛЬ МШЩОСТИ, содержащий отрезок волновода, детекторг; ный диод, размещенньй в нерезонанс- ном отверстии св зи, выполненном в виде щели в замещающем часть стенки отрезка волновода дисковом держателе, установленном с возможностью осевого поворота, блокирующий конденсатор и низкочастотньй вывод, о т л Ичающийс тем, что, с целью уменьшени неравномерности частотной характеристики и сохранени посто нства формы этой характеристики в широ ких пределах регулировки выходного сигнала, детекторный диод и блокирующий конденсатор вьтолнен в виде ; единой монолитной структуры, состо щей из низкоомной полупроводниковой подложки, покрытой сводной стороны слоем эпитаксиального высокоомного полупроводника, на из участков которого нанесен первый слой металла, образующий с слоем зпитаксимального высокоомного полупроводника выпр мл ющий контакт, и вторым слоем метал:ла , образующим с низкоомной полупроводниковой подложкой омический контатк , а с другой стороны - слоем диэлектрика , образующим с нанесенным на него третьим слоем металла и низкоомной полупроводниковой подложкой блокирующий конденсатор,причем третий :слдЙ металла имеет гальванический контакт с одной из внутренних поверхностей щели, первый слой металла имеет контакт с противоположной внутренней поверхностью щели, а второй слой (Л металла имеет гальванический контакт . : низкочастотным выводом. с 2.СВЧ-преобразователь мощности по П.1, отличающийс тем, что, с Щ1ью увеличени величины вьтр мленного тока, введен дополнительный детекторный диод, соединенсо на с детекторным диодом по двухполупериодной схеме. 3.СВЧ-преобразователь мощности 4i по П.1, отличающийс ,, что с с целью увеличени величины выпр мленного тока и напр жени , вве- даны три дополнительных детекторных диода, соединенных,с детекторным диодом по мостовой схеме
Description
Изобр тение относитс к технике измерений на СВЧ и может быть исполь зовано дл контрол уровн передаваемой по волноводному тракту СВЧ-мощности ., Известен детекторньй СВЧ - преобразователь мощности содержащий отрезо волновода, детекторный диод, установ ленньм в нерезонансном отверстии св зи, поглотитель дл подавани нежелательных излучений,ia также блокирующий конденсатор IJ. Недостатком известного детекторного СВЧ-преобразовател мощности в л етс неравномерность его частотной характеристики. Наиболее близким техническим решением к предлагаемому вл етс проходной детекторньй СВЧ-преобразователь мощности, содержащий отрезок волновода, детекторный диод, размещенньй в нерезонансном отверстии св зи, выполненном в виде щели в замещающем часть стенки отрезка волновода дисковом держателе, установленном с возможностью осевого поворота блокирующий конденсатор и низкочастотньм вьшодШ . ,Однако известный проходной детекторньй СВЧ-преобразователь мощности не обеспечивает равномерность частотной характеристики и сохранение посто нства формы этой характеристики в широких пределах регулировки выходного сигнала,;va также имеет низкую величину выпр мленного тока и напр жени . Цель изобретени - уменьшение неравномерности часто-тной характеристики и сохранение посто нства формы этой характеристики в широких пределах регулировки выходного сигнала, также увеличение величины выпр мленнбго напр жени и тока. Указанна цель достигаетс тем, что в проходном детекторном СВЧ-преобразователе мощности, содержащем отрезок волновода, детекторньй диод размещенный в нерезонансном отвер-: стии св зи, выполненном в виде щели в замещающем часть стенки отрезка волновода дисковом держателе, установленном с возможностью осевого поворота, блокирующий конденсатор .и низкочастотньй вьтод, детекторньй диод и блокирующий конденсатор вьшол нены в виде единой монолитной струк ры, состо щей из низкоомной полупро водниковой подложки, покрытой с одной стороны слоем эпитаксиального высокоомного полупроводника, на -один из участков которого нанесен первьй слой металла, образукнций с слоем эпитаксиамального высокоомного полупроводника выпр мл ющий контакт, и вторым слоем металла , образующим с низкоомной полупроводниковой подложкой омический контакт, а с другой стороны - слоем диэлектрика, образующим с нанесенным на него третьим слоем металла и низкоомной полупроводниковой подложкой блокирующий конденсатор, причем третий слой металла имеет гальванически контакт с одной из внутренних поверхностей щели, первьй слой металла имеет контакт с противоположной внутренней поверхностью щели, а второй слой металла имеет гальванический контакт и с низкочастотным выводом, при этом в него введен дополнительньй детекторный диод, соединенный с детекторным диодом по двухполупериодной .схеме. Кроме того, в него введены три дополнительных детекторных диода, соединенных с детекторным диодом по мостовой схеме. I На фиг.1 приведена конструкци проходного детекторного СВЧ-преобразовател J на фиг.2 - конструкци единой монолитной структуры на фиг.З - схема соединени дополнительного детекторного диода, соединенного с первым по двухполупериодной схеме/ на фиг.4 - мостова схема соединени детекторных диодов. Проходной детекторньй СВЧ-преобразователь мощности содержит отрезок 1 волновода; часть стенки которого замещена дисковым держателем 2, установленном с возможностью осевого поворота. В, нерезонансном отверстии св зи в виде щели 3 установлена едина монолитна структура 4, состо ща из низкоомной. полупроводниковой подложки 5, покрытой с-одной стороны слоем 6 эпитаксиального высокоомного полупроводника , на один из участков которого ненесен первьй слой 7 мегалла, образующий с слоем 6 эпитаксиального высокоомного полупроводника выпр мл ющий контакт, и вторым слоем 8 металла, образующим с низкоомной полупроволнико31 вой подложкой 5 омический контакт , а с другой стороны - с слоем диэлектрика 9, образук цим с нанесенным на него третьим слоем 10 металла и низкоомнбй полупроводниковой подложкой 5 блокирутсйций гальванический контакт с одной из внутренних , поверхностей щели 3. Первый слой 7 металла имеет контакт с проти воположной внутренней поверхностью щели 3, а второй-слой 8 металла имеет гальванический контакт с низкочастотным выводом 11, также дополнительный детекторньй диод 12 (фиг.З три дополнительных детекторных диода 13-15 (фиг.4) и детекторньй диод 16. В схемах с одним и трем дополнительными детекторными диодами блокировка СВЧ-сигнала на выходе преобразовател осуществл ете индуктивностью выводов выходного (продетектированного ) сигнала, диаметркоторых выбран менее 0,1 мм, а диэлектрический слой, образующий в схеме с одним соновным детекторным диодом блокирующий конденсатор, отсутствует . Проходной детекторный СВЧ-преобразователь мощности работает следующим образом. 074 Когда щела 3 расположена перпендикул рно токам (угол Cf 0), св зь внутреннего объема отрезка 1 волновода с детекторным диодом максимальна и соответственно максимальна чувствительность проходного детекторного СВЧ-преобразовател мощности . При повороте дискового держател на угол ( в пределах до 90 вследствие изменени степени св зи , определ емой величиной проекции тока на направление, перпендикул рное щели 3, чувствительность измен етс от максим ма теоретически до нул . Предлагаемьй проходной детекторный СВЧ-преобразователь мощности обеспечивает уменьшение неравномерности частотной характеристики и сохранение посто нства формы .этой характеристики в широких пределах регулировки выходного сигнала. Соединение детекторного диода с дополнительным детекторным диодом по двухполупериодной схеме позвол ет увеличить величину вьтр мленного тока. Соединение детекторного диода с трем дополнительными детекторными диодами по мостовой схеме, позвол ет увеличить величину вьтр мленного тока и напр жени .
игЛ
Claims (3)
1. ПРОХОДНОЙ ДЕТЕКТОРНЫЙ СВЧ-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МОЩНОСТИ, содержащий отрезок волновода, детектора ный диод, размещенный в нерезонансном отверстии связи, выполненном в виде щели в замещающем часть стенки отрезка волновода дисковом держателе, установленном с возможностью осевого поворота, блокирующий конденсатор и низкочастотный вывод, о т л и- 4 чающийся тем, что, с целью уменьшения неравномерности частотной характеристики и сохранения постоянства формы этой характеристики в широ.ких пределах регулировки выходного сигнала, детекторный диод и блокирующий конденсатор выполнен в виде ; едйной монолитной структуры, состоящей из низкоомной полупроводниковой подложки, покрытой сводной стороны слоем эпитаксиального высокоомного полупроводника, на оХин из участков которого нанесен первый слой металла, образующий с слоем эпитаксимального высокоомного полупроводника выпрямляющий контакт, и вторым слоем металла, образующим с низкоомной полупроводниковой подложкой омический контатк, а с другой стороны - слоем диэлектрика, образующим с нанесенным на него третьим слоем металла и низкоомной полупроводниковой подложкой блокирующий конденсатор,причем третий : слой металла имеет гальванический кон-.
такт с одной из внутренних поверхностей щели, первый слой металла имеет контакт с противоположной внутрен- § ней поверхностью,! щели, а второй слой металла имеет гальванический контакт !д. с низкочастотным выводом.
2. СВЧ-преобразователь мощности по ίι.1, отличающийся тем, что, с цпью увеличения величины выпрямленного тока, введен дополнительный детекторный диод, соединенный с детекторным диодом по двух•полупериодной схеме.
3. СВЧ-преобразователь мощности поп.1, отличающийс я’тем,. что с с целью увеличения величины выпрямленного тока и напряжения, ввех дены три дополнительных детекторных диода, соединенных с детекторным дио-, дом по мостовой схеме
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU813373319A SU1137407A1 (ru) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | Проходной детекторный СВЧ преобразователь мощности |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU813373319A SU1137407A1 (ru) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | Проходной детекторный СВЧ преобразователь мощности |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1137407A1 true SU1137407A1 (ru) | 1985-01-30 |
Family
ID=20989288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU813373319A SU1137407A1 (ru) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | Проходной детекторный СВЧ преобразователь мощности |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1137407A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU201364U1 (ru) * | 2019-04-29 | 2020-12-11 | СтеалтхКасе Ой | СВЧ-преобразователь изолирующего стеклопакета |
-
1981
- 1981-12-18 SU SU813373319A patent/SU1137407A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Патент DD № 101234, : кл. 21 , опублик. 1974. 2. Бондаренко И.К. и др. Автоматиз-аци измерений параметров СВЧ-траК тов. М., Советское радио, 1969, с. 90-92 (прототип). * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU201364U1 (ru) * | 2019-04-29 | 2020-12-11 | СтеалтхКасе Ой | СВЧ-преобразователь изолирующего стеклопакета |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5334306A (en) | Metallized paths on diamond surfaces | |
US4320364A (en) | Capacitor arrangement | |
US4989930A (en) | Optoelectronics package | |
CN110073231B (zh) | Gsr传感器元件 | |
US4605934A (en) | Broad band spiral antenna with tapered arm width modulation | |
US5069069A (en) | Moisture-sensitive element for moisture sensors | |
US4516027A (en) | Infrared detector | |
JPH0582765B2 (ru) | ||
EP0737363B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device for microwave | |
SU1137407A1 (ru) | Проходной детекторный СВЧ преобразователь мощности | |
Burrus | Backward diodes for low-level millimeter-wave detection | |
US3585533A (en) | Microwave microcircuit element with resistive high grequency energy absorber | |
CN107579127A (zh) | 一种紫外探测器及其制作方法 | |
US3444460A (en) | Electrodeless radio frequency conductivity probe and circuits therefor | |
US5670917A (en) | AC coupled termination | |
US3551706A (en) | Hall effect device configurations for extended frequency range | |
US4272731A (en) | Thin film resistor microwave noise generator | |
CA1177581A (en) | Ultra-high frequency oscillator with dielectric resonator of the compact hybrid circuit type | |
US5900631A (en) | Highly sensitive photoconductive infrared detector | |
GB707008A (en) | Electric un-symmetrically conductive systems, particularly dry-plate rectifiers | |
FR2492595A1 (fr) | Montage de detecteur de micro-ondes | |
US4143384A (en) | Low parasitic capacitance diode | |
EP0245048B1 (en) | Finline millimeter wave detector | |
JPH07153978A (ja) | ダイオード装置 | |
Okean | Microwave amplifiers employing integrated tunnel-diode devices |