SU1128203A1 - Устройство дл испытани силовых транзисторов - Google Patents

Abstract

1.УЬТРОЙСТВО ДОЯ ИСПЫТАНИЯ СИЛОВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, содержащее источник питани  и схемную  чейку, выполненную в виде накопительного реактора, диода и клемм дл  подключени  транзистора, в которой перва  клемма дл  подключени  транзистора соединена с первым выводом накопительного реактора и катодом диода, анод которого соединен с отрицатель о/е 4f J3 17 /tC.-;,. 111 ным полюсом источника питайи , а втора  клемма дл .подключени  транзистора соединена с положительным i полюсом источника питани , о т л. ичающеес  тем, что, с целью снижени  потребл емой мощности, оно снабжено N  чейками, из которьпс (N-fc) идентичны первой, а в  нейках перва  клемма дл  подключени  транзистора соединена с анодом дирда , катод которого соединен с положительным полюсом источника питани , втора  клемма дЯ  подключени  транзистора соединена с отрицательным полюсом источника питани , источник питани  снабжен дополнительным выводом от средней точки, с которым (Л соединены вторые выводы накопительные реакторов N  чеек, при этом N равно числу испытываемых транзисторов, а К 1.

Description

2. Устройство по п. 1, отличающеес  тем, что, с целью повьшени  точности задани  режима испытаний, последовательно с диодом  чейки включены соединенные параллельно дополнительные диод и накопительный реактор, причем дополни1128203

тельный диод подключен по отношению к полюсам источника питани  идентично диоду - чейки.

3. Устройство по пп. 1 и 2, отличающеес  тем, что . при испытании транзисторов одинаковым током К N /2 .

Изобретение относитс  к силовой электронике и может быть использовано дл  нагрузочных испытаний сИ ловых транзисторов в режиме насы-, щени  - одном из основных режимов и , работы. ,.

Известно устройство дл  нагрузочных испытаний силовых транзисторов в режиме насыщени , содержащее два источника испытательного Тока, один источник испытательного напр жени  и одинаковые схемные  чейки, соединенные между.собой последовательно образующие четьфе контура из диодов и испытьюаемых транзисторор l .

К недостаткам такого .устройства можно отнести то, что одновременно должны испытыватьс  не менее 12-16 транзисторов, транзисторы и диоды, вход щие в каждый контур, должны по биратьс  по йр мому падению напр жени , на всех транзисторах может быть задан один: режим испытаний.

Наиболее близким техническим решением к изобретению  вл етс  устройство, содержащее источник питани  посто нным напр жением, нагрузочное -сопротивление и схемную  чейку.из соединенных в общей точке накопительного реактора, диода и испытываемого транзистора, перва  клемма дл  подключени  транзистора соединена с первым выводом накопительного реактора и катодом диода, анод которого соединен с отрицатель ньтм полюсом источника питани  z .

Такое устройство имеет чрезмерньй расход электроэнергии и значительную массу и габариты, так как источник питани  и нагрузочное сопротивление должны соответствовать суммарной мощности испытываемых тразистаров .

Цель изобретени  - уменьшение потребл емой мощности. .

Поставленна  цель достигаетс  тем, что устройство дл  испытани  силовых транзисторов, содержащее источник питани  и схемную  чейку, выполненную в виде накопительного реактора, диода и клемм дл  подключени  транзистора , в которой перва  клемма дл  подключени  транзистора соединена с первым накопительного реактора и катодом диода, анод которого соединен с отрицательным полюсом источника питани , а втора  клемма дл  подключени  транзистора соединена с положительным полюсом ис-точиика питани  ..снабжено N  чейками, из которых (N-K) идентичны первой, а в К  чейках перва  клемма дл  подключени  транзистора соединена с анодом диода, катод которого соединен с положитель Hbgi полюсом источника питани , втора  клемма дл  подключени  транзистора соединена с отрицательным полюсом источника питани , источник питани  снабжен дополнительным выводом от средней точки с которьм соединены вторые выводы накопительных реакторов N  чеек, при этом N равно числу испытываемых транзисторов, а К 1.

Кроме Toroi с целью повьппенй  точности задани  режима испытаний, поседовательно с диодом  чейки включены соединенные параллельно дополнительные диод и накопительный реактор , причем дополнительньй диод подключен по отношению к полюсам источника питани  идентично диоду  чейки.

Кроме того, при испытании транзисторов одинаковым током К N/2.

На фиг. t показана принципиальна  схема устройства; на фиг. 2 - принципиальна  схема устройства: с дополнительными диодами и реакторами; на фиг. 3 - эпюры токов и напр жений на испытываемых транзисторах, эшоры токов накопительных реакторов и эпюры тока, потребл емого от источника питани .

Устройство дл  испытани  силовых транзисторов (фиг. 1) содержит источник 1 питани  и четыре  чейки, кажда   чейка содержит накопительный реактор 2-5, диод 6-9 и клеммы дл  подключени  транзистора, в двух  чей-t5 ках перва  клемма 10, 11 дл  подключени  транзистора соединена с первым выводом накопительного реактора и катодом диода, анод которого соединен с отрицательным полюсом источника 1 20 питани ,, а втора  клемма 12, 13 дл  подключени  транзистора,,- с положительным полюсом источника 1 питани  В двух других  чейках перва  клемма дл  подключени  транзистора -14, 15 соединена с анодом диода, катод которогосоединен с Положительным полюсом источника 1 питани , а втора  клемма 16, 17 дл  подключени  . транзистора - с отрицательным полюсом источника 1 питани , источник 1 питани  снабжен дополнительньм выводом 18 от средней точки, с кото рым соединены вторые выводы накопительных реакторов  чеек. На фиг. 2, кроме того, последова тельно с диодами 6-9 включены соеди ненные попарно параллельно дополнительные диоды 19-22 и реакторы 23-26. Работа устройства приведена на примере первой  чейки. В момент i отпираетс  транзистор и через него накопительньй реактор ,2 начинает постепенно нарастать испытателънь1й. ток tj (фиг. За). В момент 12 транзистор запираетс ток Ц обрьгааетс , а накопительного реактора 2 (ток сброса) на нает убывать, протекай в том же нап равлении по цепи: диод 6 - накопите ный реактор 2 и вьшод 18. При эхом на интервале i2 через диод 6 к транзистору прикладываетс  испыта тельное н апр жение 0) источника 1 питани  (фиг., 3 б). В момент tj , когда убывающий ток о становитс  равным нулю, снова отп

раетс  транзистор, ток начинает нарастать и цикл работы повтор етс  с периодом Т t:j-ti.

В описанном режиме ток транзистора 1/ в момент отпирани  равен нулю, а следовательно, и потери при включении можно прин ть равными нулю.

Если требуетс  испытывать транзисторы с учетом как коммутационных потерь привыключении, так и потерь при включении, то транзистор отпирают в моменты ,iv Ц и т.д. (фиг. 3 в), когда убывающий ток 1 -накопительного реактора 2 не достиг нулевого значени . В последнем режиме при отпирании транзистор может испытывать значительное дополнительное воздействие за счет обратного тока диода 6, например при испытании, мощных высоковольт ных транзисторов, когда в качестве диода 6 не может быть использован диод Шоттки или быстродействующий диод, имеющие относительно небольшой выброс обратного тока. Дл  ограничени  такого воздействи  .последовательно в цепь диода 6 включены соединенные попарно параллельно дополнительые диод 9 и реактор 23 (фиг. 2). На интервале t, - t 2 устройство работает так, как описано. В момент ia транзистор запираетс  и ток сброса начинает протекать по соединенным последовательно диодам 6 и 19, а в реакторе 23 по вл етс  постепенно нарастающий ток i , который, достига  величины Q , приводит к выключению диода 19. Запирающа  способность диода 19 восстанавливаетс  и в Момент ia , когда транзистор вновь включаетс , обратный ток диода 6 протекает через реактор 23 и ограничен. Устройство позвол ет проводить не пытани  при как больших, так и мёньших напр жени х источника питани . Первое обеспечиваемс , если обмотка реактора 2 имеет отпайку, к которой подключен диод 6, второе - если к отпайке обмоткй подключен силовой электрод испытываемого транзистора Остальные  чейки работают так:-же, как и перва   чейка. Переключение  чеек производитс  поочередно с интервалом времени T/N. При этом токи сброса накопительных реакторов 2 и А ( i, и i,, ) первой группы  чеек (фиг. 3 д) в значительной Mejpe комПенс руют потребл емые транзисторами других  чеек испытательные токи. Ток

/ источника 1 питани  равен разности мгновенных значений токов сброса и испытательных токов. Источник 1 питани  может быть выполнен в виде выпр мител  с емкостным фильтром, емкость которого пропускает переменную составл ющую тока (, .Мощность, потребл ема  от источника 1 питани , мала по сравнению с мощностью испытываемых транзистч ров и в основном определ етс  мощностью активных потерь в полупроводниковых и реактивных элементах устройства. Это определ ет малый расход электроэнергии и малые массу и габариты. Это особенно важно при одновременном испытании на , надежность большого числа приборов.

В устройстве одновременно может использоватьс  любое число транзисторов . Дл  каждого транзистора режим испытаний может быть задан.независимо от режимов испытаний других транзисторов.

.6

.

ho

V

б

(б

Claims (3)

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИСПЫТАНИЯ СИЛОВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, содержащее источник питания и схемную ячейку, выполненную в виде накопительного реактора, диода и клемм для подключения транзистора, в которой первая клемма для подключения транзистора соединена с первым выводом накопительного реактора и катодом диода, анод которого соединен с отрицательным полюсом источника питания, а вторая клемма для.подключения транзистора соединена с положительным ι полюсом источника питания, о тл.ичающееся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности, оно снабжено N ячейками, из которых (N-Ю идентичны первой, а в К ячейках первая клемма для подключения транзистора соединена с анодом диода, катод которого соединен с положительным полюсом источника питания, вторая клемма для подключения транзистора соединена с отрицательным полюсом источника питания, источник · питания снабжен дополнительным выводом от средней точки, с которым соединены вторые выводы накопительных реакторов М ячеек, при этом N равно числу испытываемых транзисторов, а К > 1.

SLL<._11282Qa

2, Устройство поп. .1, отличающееся тем, что, с целью повышения точности задания режима испытаний, последовательно с диодом ячейки включены соединенные параллельно дополнительные диод и накопительный реактор, причем дополни тельный диод подключен по отношению к полюсам источника питания идентично диоду ячейки,

3. Устройство по пп. 1 и 2, отличающееся тем, что при испытании транзисторов одинаковым током К = N /2 .