SU1122114A1

SU1122114A1 - Semiconductor transducer for ionizing radiation dosimeter

Info

Publication number: SU1122114A1
Application number: SU833635530A
Authority: SU
Inventors: Ф.И. Глезин; Г.М. Григорьева; Г.С. Далецкий; К.Н. Звягина; Р.С. Мильштейн; М.В. Попов; Ю.Я Харон
Original assignee: Московский Научно-Исследовательский Рентгено-Радиологический Институт; Всесоюзный Научно-Исследовательский Проектно-Конструкторский И Технологический Институт Источников Тока
Priority date: 1983-08-12
Filing date: 1983-08-12
Publication date: 1988-05-30

Description

гЗ.gz

Изобретение относитс к областиThis invention relates to the field of

дозиметрии ионизирующих излучений, а более конкретно, к полупроводниковым датчикам дозиметров..dosimetry of ionizing radiation, and more specifically, to semiconductor sensors of dosimeters ..

Известны полупроводниковые датчики дозиметров, содержащие полупроводник ковую пластину и сцинтилл тор, установленные в светонепроницаемом корпусе .Known semiconductor sensors of dosimeters containing a semiconductor forging plate and a scintillator installed in an opaque housing.

Недостатком таких датчиков вл етс сложность их калибровки, что св зано с необходимостью использовани источников излучени .в любых случа х контрол настройки одозиметра. The disadvantage of such sensors is the complexity of their calibration, which is associated with the need to use radiation sources. In any case of monitoring the adjustment of the odosimeter.

Наиболее близким техническим решением вл етс полупроводниковьй датчик дозиметра ионизирующего излучени , содержащий светонепроницаемый корпус, в котором установлены полупроводниковьм преобразователь и источник света.The closest technical solution is the semiconductor sensor of the ionizing radiation dosimeter, which contains a light-proof housing in which the semiconductor transducer and the light source are installed.

Работа известного устройства основана на свойстве по 1упроводниковых преобразователей излучени измен ть свою чувствительность к видимому свету пропорционально изменению чувствительности к ионизирующему излучению, что позвол ет путем поверки чувствительности полупроводникового преобразовател к видимому свету контролировать и регулировать чувствительность преобразовател к ионизирующему излучению .The operation of the known device is based on the property of 1conductor radiation converters to change its sensitivity to visible light in proportion to the change in sensitivity to ionizing radiation, which allows you to control and adjust the sensitivity of the converter to ionizing radiation by checking the sensitivity of the semiconductor converter to visible light.

Недостатком известного устройства вл ютс его достаточно низкие з-начительные габариты, что св зано с размещением источника света в корпусе датчика. Это требует использовани дополнительного пространства дл установки самого источника и рд формировани пути распространени света дл получени более или менее равномерного освещени полупроводникового преобразовател .A disadvantage of the known device is its rather low z-nuclei dimensions, which is associated with the placement of the light source in the sensor housing. This requires the use of additional space for the installation of the source itself and the formation of a path for the propagation of light to obtain more or less uniform illumination of the semiconductor converter.

Цель изобретени заключаетс в уменьшении габаритов датчика и обеспечении условий дл световой калибровки .The purpose of the invention is to reduce the size of the sensor and provide conditions for light calibration.

Поставленна цель достигаетс темThe goal is achieved by

что в датчике дозиметра ионизирующего излучени , содержащем светонепроницаемьй корпус, в котором установлены полупроводниковы преобразователь, и источник света, полупроводниковьй датчик выполнен в виде пластины с двусторонней чувствительностью, в корпусе дополнительно установлена светорассеивающа пластина, одной стороной состыкованна с полупроводниковой пластиной и снабженна со всех остальных сторон отражающим покрытием, причем светорассеивающа пластина оптически св зана с помощью волоконного световода с источником света, установленным вне корпуса датчика.that in the sensor of the ionizing radiation dosimeter, which contains an opaque body, in which a semiconductor transducer is installed, and a light source, the semiconductor sensor is made in the form of a plate with two-sided sensitivity, a light-diffusing plate is additionally installed in the body, docked with the semiconductor plate and provided on all other sides a reflective coating, the light scattering plate being optically coupled by means of a fiber light guide with a light source and placed outside the sensor housing.

На чертеже показан полупроводниковый датчик дозиметра ионизирующего излучени , он содержит светонепроницаемый корпус 1, в котором установлены полупроводниковый преобразователь 2 i выполненный в виде пластины с двусторонней чувствительностью, сцинтилл тор 3, расположенный перед рабочей поверхностью пластины полупроводникового преобразовател 2, и светорассеивающа пластина 4, состыкованна од- ной стороной с задней поверхностью пластины полупроводникового преобразовател 2. Светорассеивающа пластина Л оптически св зана с помощью волоконного световода 5 с источником света 6. Со всех сторон, кроме состыкованной стороны, светорассеивающа .пластина 4 снабжена отражающим покрытием 7. Источник света 6 установлен вне корпуса 1 датчика.The drawing shows a semiconductor sensor of an ionizing radiation dosimeter, it contains a light-tight housing 1, in which a semiconductor converter 2 i is made in the form of a plate with two-sided sensitivity, a scintillator 3 located in front of the working surface of the plate of the semiconductor converter 2, and a light scattering plate 4 joined by one - side with the back surface of the plate of the semiconductor converter 2. The light scattering plate L is optically coupled with The optical fiber 5 with the light source 6. On all sides, except the butted side, the light-diffusing plate 4 is provided with a reflective coating 7. The light source 6 is installed outside the sensor housing 1.

Светова поверка полупроводникового датчика осуществл етс следующим образом,Light verification of a semiconductor sensor is performed as follows.

В услови х отсутстви ионизирующего излучени включает источник света 6. От источника свет 6 по световоду 5 поступает в объем светорассеивающей пластины 4. Там он претерпевает многократные отражени от покрыти 7 и равномерно распредел етс по объему , выход из него только со стороны пластины 4, состыкованной с пластиной полупроводникового преобразовател 2, Измер сигнал детекторного преобразовател , можно судить о чувствительности датчика к ионизирующему излучению без использовани соответствующих радиационных источников.In the absence of ionizing radiation, it includes the light source 6. From the light source 6, the light guide 5 enters the volume of the light diffusing plate 4. There it undergoes multiple reflections from the coating 7 and is uniformly distributed throughout the volume, leaving it only on the side of the plate 4 joined with a semiconductor converter plate 2, Measuring the signal of the detector converter, it is possible to judge the sensitivity of the sensor to ionizing radiation without using appropriate radiation sources.

Кроме того, достоинством решени вл етс то, что свет поступает на полупроводниковую пластину равномерно , не требуетс формирование путей распространени света внутри корпуса Указанный фактор и установка источника света 6 вне корпуса 1 позвол ет уменьшить габариты датчика в 4-5 раз.In addition, the advantage of the solution is that the light enters the semiconductor wafer evenly, the formation of light propagation paths inside the housing is not required. This factor and the installation of the light source 6 outside the housing 1 reduces the size of the sensor by 4-5 times.

Таким образом, описанное техническое решение обеспечивает создание 3 малогабаритных полупроводниковых датчиков дозиметров ионизирующего 1122114 , излучени со средствами световой поверки.Thus, the described technical solution provides the creation of 3 compact semiconductor sensors of ionizing dosimeters 1122114, radiation with means of light verification.

Claims

SEMICONDUCTOR SENSOR OF THE IONIZING RADIATION DOSIMETER, comprising a lightproof housing in which a semiconductor converter is installed, and a light source, characterized in that, in order to reduce the dimensions of the sensor and provide conditions for light calibration, the semiconductor converter is made in the form of a plate with two-sided sensitivity, in the housing is additionally equipped with a diffuser plate, one side docked with a semiconductor plate and provided on all other sides and a reflective coating, the light scattering plate being optically coupled by means of a fiber light guide to a light source mounted outside the sensor housing.

. "SU 1122114