SU1108352A1

SU1108352A1 - Способ формировани решетки цилиндрических магнитных доменов

Info

Publication number: SU1108352A1
Application number: SU833547839A
Authority: SU
Inventors: Владимир Николаевич Линев; Владимир Вячеславович Лисовский; Владимир Александрович Муравский; Иван Иванович Полонейчик; Евгений Яковлевич Фурса
Original assignee: Белорусский государственный университет им.В.И.Ленина
Priority date: 1983-02-04
Filing date: 1983-02-04
Publication date: 1984-08-15

Abstract

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ РЕШЕТКИ ЦИШНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ, включающий воздействие на образец магнитным полем, параллельным его плоскости, максимальное значение которого превышает поле одноосной анизотропии образца, отличающийс тем, что, с целью повышени производительности способа, на образец воздействзтот градиентным, радиально-симметричным посто нным магнитным полем, при этом одновременно перемещают образец в его плоскости и компенсируют составл ющие пол ,перпендикул рные этой плоскости. (Л 00 ,гЗ

Description

1

Изобретение относитс к измерительной технике и технической физике , а именно, к средствам измерени и контрол физических параметров тонких магнитных пленок - носителей цилиндрических магнитных доменов

(ЦМД).

Известен способ формировани решетки 1ЖЦ, включаютций воздействие на доменную структуру исследуемого образца полем смещени , направленным параллельно оси легкого намагничивани (перпендикул рно плоскости пленки), и импульсным полем, приложенным в том же направлении, величина которого превышает поле коллапса полосовых доменов { 1 .

Недостатком известного способа вл етс сильна неоднородность формируемой решетки и возможность образовани жестких ЦМЦ в неимплантированных образцах. При изменении типа образца необходима регулировка амплитуды и длительности импульса.

Известен способ формировани решетки ЦМД, включающий воздействие на образец с доменной структурой импульсным магнитным полем, параллельным плоскости образца (перпендикул рно оси легкого намагничивани пленки), величина которого превышает поле одноосной анизотр 9пии образца, и вращение о.бразца 23 I

Недостатком данного способа вл

етс сложность его реализации в системе неразрушающего технологического контрол магнитных пленок стандартных размеров (диаметром до 100 мм и более), поскольку величина рабочего зазора магнитной системы (электромагнита), а следовательно , габариты, вес и знергопотребление пр мо св заны с размерами исследуемого образца и с требовани ми высокой однородности магнитного пол в зоне взаимодействи с образцом. Отсюда - большое энергопотребление, громоздкость аппаратуры, сложность автоматизации в процессе измерений в линии технологического контрол .

Кроме того, в данном способе решетка ЦМД формируетс только при определенных ориентаци х пол в плоскости пленки в св зи с про влением магнитной анизотропии в плоскости пленки, поэтому требуетс либо предварительна ориентаци

083522

образца в зазоре электромагнита с привлечением других средств контрол , либо проведение многократной операции с включением и выключением 5 пол , с посто нным контролем состо ни решетки дл разных углов ориентации образца в магнитном поле, т.е. в каждом образце нужно заново определ ть нужную ориента10 цию пол , что также существенно снижает производительность способа. Цель изобретени - повьшение производительности способа.

Поставленна цель достигаетс 15 тем, что согласно способу формировани решетки ЦВД, включающему воздействие на образец магнитным полем , параллельным его плоскости, максимальное значение которого

20 превьш1ает лоле одноосной анизотропии образца, в нем на образец воздействуют градиентным,радиально-симметричным посто нным магнитным полем, при этом одновременно

25 перемещают образец в его плоскости и компенсируют составл ющие пол , перпендикул рные зтой плоскости.

На чертеже представлено устройство дл формировани решетки ЦМД в магнитных пленках, реализующее предлагаемый способ.

Устройство дл формировани решетки ЦМД содержит исследуемый образец 1, закрепленный в кассете 2 с возможностью перемещени в зазоре 3 по направл ющим 4, посто нные магниты 5 и 6, обращенные одноименными полюсами в сторону зазора 3 и закрепленные на основании 7,снабженном механизмом 8 регулировки величины зазора 3.

Способ формировани решетки ЦМД в исследуемом образце 1 осуществл етс следующим образом.

С помощью магнитной системы, состо щей из двух плоских, включенных встречно посто нных магнитов 5 и 6 в зоне взаимодействи с образцом плоскости симметрии магнитной системы , лежащей в центре зазора 3, образованного одноименными полюсами магнитов 5 и 6, создают посто нное градиентное магнитное поле. Величина этого пол измен етс по радиусу, 55 а его максимальное значение превышает поле одноосной анизотропии исследуемых образцов магнитных пленок, что сравнительно легко обеспечиваетс дл известных составов магнитных пленок с помощью двух посто нных магнитов на основе SmCo (диаметром 55 мм и толщиной 15 мм) в рабочем зазоре 1-3 мм. Величина зазора устанавливаетс с помощью механизма 8 исход из требуемой величины магнитного пол , степени его неоднородности и толщины исследуемого образца. На практике достаточно незначительного превышени максимального значени пол над полем анизотропии образца (до 10%). .

Встречное, симметричное относительно зоны взаимодействи с образцом , включение двух идентичных по своим параметрам посто нных магнитов обеспечивает также компенсацию во всей зоне взаимодействи составл ющих магнитного пол в направлении , параллельном оси легкого намагничивани пленки, т.е. перпендикул рном плоскости образца 1, что вл етс необходимым условием генерации ЦМД. Смещение зоны взаимодействи от центра к одному из полюсов (вверх-вниз на чертеже) ведет к по влению составл ющей магнитного пол , параллельной оси легкого намагничивани магнитной пленки, что может быть использовано дл обеспечени устойчивой работы устройства формировани решетки ЦЦЦ в магнитных пленках, имеющи

наклон оси легкого намагничивани относительно плоскости пленки.

Исследуемый образец 1 перемещают через.зону взаимодействи по направл ющим 4. При перемещении величина магнитного пол на поверхности образца в направлении перемещени возрастает от нул до значени , превьппающего поле одноосной анизотропии , а затем спадает до нул . За это вр-ем в результате взаимодействи с внешним магнитным полем образец 1 намагничиваетс до насыще ни в направлении, перпендикул р ,ном оси легкого намагничивани , . затем при сбросе пол на выходе из :зоны взаимодействи происходит генераци ЦМД по всей зоне взаимодейств

Таким образом, в отличие от известного способа существенно упрощен процесс формировани решетки ЦМД, поскольку воздействие градиентньм полем осуществить легче, чем однофазным, и процесс формировани 1ЩЦ осуществл етс за врем перемещени образца через зону взаимодействи . Кроме того, в предложенном способе отсутствует необходимость вращени образца и контрол его состо ни , поскольку, как показала экспериментальна проверка на эпитаксиальных ферритгранатовых структурах,формирование решетки ЦМД осуществл етс без сбоев

Claims

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ РЕШЕТКИ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ, включающий воздействие на образец магнитным полем, параллельным его плоскости, максимальное значение которого превышает поле одноосной анизотропии образца, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, на образец воздействуют градиентным, радиально-симметричным постоянным магнитным полем, при этом одновременно перемещают образец в его плоскости и компенсируют составляющие поля,перпендикулярные этой плоскости.

Q t