SU1105854A1 - Способ фотографировани на галлоидносеребр нном носителе - Google Patents

Abstract

СПОСОБ ФОТОГРАФИРОВАНИЯ НА ГАЛЛОИДНОСЕРЕБРЯНОМ НОСИТЕЛЕ,включающий его экспонирование и усиление скрытого изображени  воздействием на него импульсного электрического пол  длительностью не более 3., отличающийс  тем, что, с целью повышени  качества съемки быстропротекающих процессов с случайной величиной .-экспозиции путем приведени  в соответствие с последней уровн  усилени  скрытого изображени , измер ют величину экспозиции, приобретенную носителем от объекта фотографировани  в процессе экспонировани , после чего воздействуют импульсным электрическим полем с амплитудой, величина которой обратно пропорциональна величине экспозиции и равна

Description

Изобретение относитс  к области фотографии и может быть использовано дл  регист;рации оптической Информации при фотографировании, в том числе дл  фоторегистрации быстропротека ющих процессов,, в услови х заранее неизвестной очень малой  ркости или освещенности объекта. Известен способ фотографировани  на галлоидносеребр ном носителе, включающий его экспонирование и усиление скрытого изображени  воздействием на него импульсного электрического пол  длительностью не более 3-10 с 1 , Недостатком известного способа  вл етс  низкое качество съемки. Целью изобретени   вл етс  повыше ние качества съемки быстропротекающих процессов со случайной величиной экс позиции путем приведени  в соответст вие с последней уровн  усилени  скры того изображени . Дл  достижени  поставленной- цели согласно способу фотографировани  на галлоидносеребр ном носителе, включа ющему его экспонирование и усиление скрытого изображени  воздействием на него импульсного электрического пол  длительностью не более , измер ют величину экспозиции, приобретенную носителем от объекта фотографировани  в процессе экспопировани , после чего воздействуют импульсным электрическим полем с амплитудой величина которой обратно пропорциональна величине экспозиции и равна (1-6) 40 В/см. Изобретение использует две особен ности  влени  усилени  изображени  электрическим полем: 1)зависимость коэффициента усиле ни  от величины напр женности приложенного к фотоматериалу электрическо го пол  (фиг.1): I ,5 Ю В/см- Ц , В/с ( Г| ,9-10В/см; ,510 В/см; t - врем  задержки между световЕ 1м и электрическим импульсом, 5г,(5р - отношение чувствительности в поле и без иего у 2)способность фотоматериала запоминать действие света на некоторо врем , в течение которого производит с  управление усилением изображени . На фчг.1 представлен фотоэкспонометриче - .киГ1 i-рафик дл  фотопленки PM-1i на фиг.2 - структурна  схема системы дл  регистрации быстропротекаю1дих процессов при заранее неизвестной ЭКСПОЗИЦИИ; на фиг.З - характеристические кривые (D- плотность почернени , Н - экспозици ), где Vбеэ действи  пол , Vf - при ,5х хЮ В/см; VII - при ,2-10 В/см. Наибольшей информативностью обладают участки негатива, дл  которых экспозици  соответствует максимальному значению контраста уг cJB/cS () На фиг.4 изображена дл  указанных трех характеристических кривых зависимость контраста -у от экспозиции Н, котора  показывает, что при условии плавной регулировки напр женности электрического пол  возможно получение оптимально экспонировакчого негатива при экспозици х в 300 раз меньших порога чувствительности фотоматериала типа РФ. На фиг.5 - представлена стандартна  схема преобразовани  амплитуды импульса в длительность-, где Т триггер-; ПУ - пороговое устройство, ГЛИН - генератор линейных импульсов напр жени . На фиг.6 представлена функциональна  схема угла управлени  формирующими устройствами j где С . - емкость камеры; С-,,- эквивалентна  емкость генератора Аркадьева-Маркса (ГАМ). Предлагаемый способ осуществл етс  следующим образом. Во врем  ожидани  интересующего событи  пол  отключено.При протекании процесса, которьш необходимо зарегистрировать на фотоматериале, производ т фотоэкспонометрирование светового потока, падающего на фотоматериал , одновременно происходит экспонирование фотоматериала. Затем данные о величине экспозиции поступают на управл ющий блок, в основу которого заложен график, приведенный, например , дл  фотопленки РМ-1 (фиг.1). По этому графику в зависимости от величины светового потока определ ют выходное напр жение генератора импульсного напр жени  (ГИН). Эти данные поступают на генератор импульсного напр жени , который вьфабатывает импульс соответствующей амплитуды .- Импульсы напр жени  прикладывают к фотоматериалу, что приводит к получению негативов с заданной оптимальной плотностью почернени . При зкспо 11 нировании в результате фотоэффекта свободный электрон, образовавшийс  в микрокристалле (МК) галогенида сереб ра, за врем  10 с захватываетс  мел кой (глубина потенциальной  мы) ловушкой , так как концентраци  глубоких ловушек меньше концентрации мелких на несколько пор дков. Если в это врем  к Ж приложить электрическое поле (ЭП), то по вл етс  возможность тунелировани  электрона из ловушки в зону проводимости, а затем число свободных электронов растет за счет лавинного размножени . При больших временах растет веро тность захвата свободного электрона в глубокую ловушку, откуда поле напр женностью (1-6) Ю В/см не может его вырвать, и электрон тер ет способность к лавинному размножению в ЭП. Увеличение напр женности пол  вы ше 6 -10 В/см не дает положительного эффекта, так как увеличиваетс  веро тность пробо  (лавина может развить с  не в МК, а в матричном веществе), а тунелирование в зону проводимости электронов с примесных уровней, расположенных в запрещенной зоне AgHal, увеличивает вуаль , При уменьшении напр женности пол  ниже некото пор дка 1 рого порогового значени  Ю в/см (завис щего от типа эмульсии ) даже свободные электроны тер ют способность к лавинному размножению. По этой же причине бессмысленно прикладывать к эмульсии импульс ЭП, дли тельность которого превышает 300 не. За такое врем  МК успевает частично пол ризоватьс , и внутреннее поле в МК падает ниже, порога лавинного размножени  при любой величине внешнего пол . Данный способ регистрации опробован в лабораторных услови х на отечественных пленках РМ-1, Т-22, И-3, РФ. На фиг.2 прин ты следующие обозна чени : ФЭУ - фотоэлектронный умножитель; П - повторитель; АЗУ-аналоговое запоминающее уст ройство j УЛЗ-управл ема  лини  задержкиj ФУ-формирующее устройство; Р-разр дное устройство; ГАМ-генератор Аркадьева-Маркса, ИП-источник питани i БУ-блок управлени , ШП - шаговый привод, К - камера с фотопленкой. Пример. Световой импульс от регистрируемого объекта попадает на олузрачное зеркало 1 и раздел етс  ил ва пучка, один из которых nodne отажател  2 воспринимает фотоприемник (ФЭУ-97, диапазон рабочих напр жений макс 5 В, 0,05В). Второй световой пучок после прохождени  через зеркало 1 и объектив фотокамеры попадает на фотопленку 3. Фотопленка расположена между электродами 5 и А, причем электрод 5 вьшолнен прозрачным: стекло, покрытое слоем SnOx толщиной 20 мкм, коэффициент пропускани  90%, или лавсанова  пленка с напыленным слоем CU+AI, коэффициент пропускани  70%, электрическое сопротивление в обоих случа х менее 1 Ом см. Фотопленка расположена в жидком диэлектрике 6, обычно используют этиловый спирт или глицерин. Фотоматериал - фотопленка типа РФ, обычно используема  дл  фоторегистрации коротких, менее , сигналов с экрана осциллографа. Дл  повышени  чувствительности используют импульс напр жени  амплитудой до 50 кВ,,обеспечивающей в фотоэмульсии напр женность электрического пол  до . Принцип работы схемы (по фиг.5 таков. Импульс с ФЗУ, амплитуда которого пропорциональна экспозиции, повтор етс  повторителем (операционный усилитель серии К544УД2) и поступает на формирующее устройство (ФУ). Узел управлени  формирующими устройствами представл ет линию задержки (УЛЗ), построенную по принципу преобразовани  амплитуды импульса в длительность. Принцип работы этой схемы основан на сравнении неизвестного напр жени  с напр жением, измен ющимс  по линейному закону. В момент, когда напр жение с ГЛИН превьшгает Uy на величину порога, пороговое устройство (ПУ) вырабатывает импульс, длительность которого пропорциональна U . В I схеме запоминающее устройство необходимо , так как длительность светового импульса составл ет , а врем  задержки ;.олжно плавно мен тьс  от О до . Принцип работы схемы заключаетс  в следующем.

По сигналу с ФУ в момент прихода светового импульса на ФЗУ срабатывает разр дное устройство (РУ). В начальный момент зар жена источником питани  (ИП) до максимального напр жени  (U-SO кВ). При приходе импульса с ФУ срабатывает ключ К, и емкость начинает разр жатьс  через сопротивление R . Через врем  4j пропорциональное амплитуде напр жени  с ФЗУ УЛЗ вьфабатьшает импульс, который поступает на ФУ и замыкает ключ

1105854

.j,, в результате чего на фотокамеру , поступает импульс напр жени  с ГАМ. Амплитуда этого импульса оказываетс  тем меньшей, чем больше врем 

т.е. чем больше экспозадержки зици .

В качестве ключей в РУ можно использовать разр дники ВИР-7, .ИРТ-3, РТ-39, имеющие врем  срабатывани  (1-3), и рабочее напр жение 10100 кВ.

Ж-фсЭОт

АЗУ

Л/r.f

Claims (1)

1. СПОСОБ ФОТОГРАФИРОВАНИЯ НА ГАЛЛОИДНОСЕРЕБРЯНОМ НОСИТЕЛЕ,включающий его экспонирование и усиление скрытого изображения воздействием на него импульсного электрического поля длительностью не более 3.1 О*⁷с, отличающийся тем, что, с целью повышения качества съемки быстропротекающих процессов с случайной величиной экспозиции путем приведения в соответствие с последней уровня усиления скрытого изображения, измеряют величину экспозиции, приобретенную носителем от объекта фотографирования в процессе экспонирования, после чего воздействуют импульсным электрическим полем с амплитудой, величина которой обратно пропорциональна величине экспозиции и равна (1-6) * > 1U ⁶ В/см.