СОWITH
со со со Изобретение относитс к технике сверхвысоких частот и может быть использовано при построении интегральных схем. Известно скрещивание микрополосковой и щелевой линий, содержащее диэлектрическую подложку, на одной стороне которой нанесен токонесущий проводник, а на другой заземл ющее основание, в котором выполнена щель При этом токонесущий проводник и щел перекрещиваютс под пр мым углом 1 Недостатком известного скрещивани микрополосковой и щелевой линий вл етс отсутствие разв зки между лини ми. Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности вл етс скрещивание микрополосковой и щелевой линий, содержащее диэлектрическую подложку, на одной стороне к,оторой нанесен токонесущий проводник, а на другой - заземл ющее основание, в котором выполнена щель. При этом щель скрещиваетс с токонесущим проводником под малым углом 2. Недостатком известного скрещива .ни микрополосковой и щелевой линий вл етс мала величина разв зки между лини ми, вызванна тем, что из вестному скрещиванию микрополосковой и щелевой линий присущи свойства направленного ответвител . Цель изобретени - увеличение раз в зки между щелевой и микрополосковой лини ми. Поставленна цель достигаетс тем что в скрещивании микрополосковой и щелевой линий, содержащем диэлекг трическую подложку, на одной стороне которой нанесен токонесущий проводник , а на другой - заземл ющее основание , в котором выполнена щель щел в зоне перекрыти токонесущего проводника выполнена в форме полуволнойой петли, плечи которой параллельны и расположены симметрично относитель но продольной оси токонесущего проводника , при этом щирина W токонесу щего проводника, ширина 5 щели и рас сто ние d между плечами св заны соот ношением 5S d«W. На чертеже показано скрещивание микрополосковой и щелевой линий. Скрещивание микрополосковой и щелевой линий содержит диэлектрическую подложку I, на одной стороне которой нанесен.токонесущий проводник 2, а на другой - заземл ющее основание 3, в котором выполнена щель 4. Щель 4 в зоне перекрыти токонесущего проводника 2 выполнена в форме полуволновой петли 5, плечи 6 которой параллельны и расположены-симметрично относительно продольной оси токонесущего проводника 2. Ширина W токонесуидего проводйика 2, ширина S щели 4 и рассто ние d между плечами б св заны соотношением 5S d : W. Скрещивание микрополосковой и щелевой линий работает следующим образом . При подаче СВЧ сигнала на микрополосковую линию в щели 4 возбуждаютс две волны, распростран ющиес в обоих направлени х. Благодар наличию полуволиовой петли 5 эти волны сдвинуты по фазе на 180°и благодар симметрии плеч 6 относительно оси токонесущего проводника равны по амплитуде , в результате чего эти волны взаимно компенсируютс и передачи мощности из микрополосковой линии в щелевую не происходит. Так как скрещивание микрополосковой и щелевой линий взаимно, разв зка между ними имеет место и при подаче СВЧ сигнала на щелевую линию. Выполнение соотношени 5S 4 d W необходимо дл получени хорошей разв зки между микрополосковой и щелевой лини ми. При d 5S между плечами 6 полуволновой петли 5 имеетс заметна электромагнитна св зь, в результате чего ухудшаетс разв зка между микрополосковой и щелевой лини ми . При чрезмерном увеличении рассто ни d между плечами б и нарушении услови d «W разв зка между микрополосковой и щелевой лини ми ухудшаетс за счет некомпенсируемого возбуждени вершины полуволновой петли 5. Параллельность плеч 6 необходима дл обеспечени отсутстви их возбуждени СВЧ сигналом, поданным на микрополосковую линию. Предлагаемое скрещивание микрополосковой и щелевой линий обеспечивает разв зку между ними пор дка 17 дБ в 20% полосе частот, при сохранении свойственных прототипу компактности и технологичности.co Stock The invention relates to microwave technology and can be used in the construction of integrated circuits. The crossing of microstrip and slit lines is known, containing a dielectric substrate, on one side of which a current carrying conductor is deposited, and on the other grounding ground in which a gap is made. At the same time, the current carrying conductor and slits intersect at a right angle 1. The disadvantage of the known crossing of microstrip and slit lines is the absence of isolation between the lines. Closest to the proposed technical entity is the crossing of microstrip and slit lines containing a dielectric substrate, on one side of which a current-carrying conductor is applied, and on the other side there is a grounding base in which a slot is made. In this case, the slit intersects with the current-carrying conductor at a small angle 2. The disadvantage of the known crossing of the microstrip and slit lines is the small amount of junction between the lines, caused by the fact that the known crossing of the microstrip and slit lines is inherent in the properties of the directional coupler. The purpose of the invention is to increase the viscosity between the slit and microstrip lines. This goal is achieved by crossing the microstrip and slotted lines containing a dielectric substrate, on one side of which a current-carrying conductor is applied, and on the other side is a grounding base, in which a slit is made in the region of the overlapping current-carrying conductor in the form of a half-wave loop, shoulders which are parallel and arranged symmetrically with respect to the longitudinal axis of the current-carrying conductor, with the width W of the current-carrying conductor, the width of the slot 5 and the distance d between the arms are related to the ratio m 5S d «W. The drawing shows the crossing of microstrip and slit lines. The crossing of the microstrip and slit lines contains a dielectric substrate I, on one side of which a current-carrying conductor 2 is applied, and on the other - a grounding base 3, in which a slit 4 is made. The slit 4 in the zone of overlapping the current-carrying conductor 2 is made in the form of a half-wave loop 5, The arms 6 of which are parallel and symmetrically arranged with respect to the longitudinal axis of the current-carrying conductor 2. The width W of the current-carrying conductor 2, the width S of the slot 4 and the distance d between the arms b are connected by the 5S d: W ratio. slit lines is as follows. When the microwave signal is applied to the microstrip line in the slit 4, two waves are excited, propagating in both directions. Due to the presence of a half-wave loop 5, these waves are 180 ° out of phase and, due to the symmetry of the arms 6 relative to the axis of the current-carrying conductor, are equal in amplitude, as a result of which these waves cancel each other out and the power transmission from the microstrip line to the slit does not occur. Since the crossing of the microstrip and slit lines is mutual, the separation between them also takes place when the microwave signal is fed to the slit line. The implementation of the 5S 4 d W ratio is necessary to obtain a good separation between the microstrip and slit lines. With d 5S, between the arms 6 of the half-wave loop 5, there is a noticeable electromagnetic coupling, resulting in a deterioration of the junction between the microstrip and slit lines. When the distance d between the shoulders b is increased excessively and the condition d d is broken, the separation between the microstrip and slit lines deteriorates due to uncompensated excitation of the top of the half-wave loop 5. The parallelism of the shoulders 6 is necessary to ensure that they are not excited by the microwave signal applied to the microstrip line. The proposed crossing of microstrip and slit lines provides separation between them of the order of 17 dB in the 20% frequency band, while retaining the compactness and manufacturability typical of the prototype.