SU1095403A1 - Полупроводниковый ключ - Google Patents

Полупроводниковый ключ Download PDF

Info

Publication number
SU1095403A1
SU1095403A1 SU833537237A SU3537237A SU1095403A1 SU 1095403 A1 SU1095403 A1 SU 1095403A1 SU 833537237 A SU833537237 A SU 833537237A SU 3537237 A SU3537237 A SU 3537237A SU 1095403 A1 SU1095403 A1 SU 1095403A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
diode
anode
base
transformer
Prior art date
Application number
SU833537237A
Other languages
English (en)
Inventor
Леонид Анатольевич Потяков
Лев Аркадьевич Царевский
Original Assignee
Предприятие П/Я В-2655
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-2655 filed Critical Предприятие П/Я В-2655
Priority to SU833537237A priority Critical patent/SU1095403A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1095403A1 publication Critical patent/SU1095403A1/ru

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЛЮЧ, содержащий транзистор, например, п-р-п проводимости, переход база - эмиттер которого зашунтирован резистором, а коллектор подключен к первой выходной клемме, два трансформатора, п ть диодов , две входные клеммы и вторую выходную клемму, причем начала первичных обмоток трансформаторов подключены к общей шине, а концы - к соответствующим входным клеммам, начало вторичной обмотки первого трансформатора через пр мовключенный первый диод соединено с базой транзистора, а конец - с эмиттером транзистора, начало вторичной обмотки второго трансформатора соединено с анодом второ- . го диода, отличающийс  тем, что, с целью повьпиени  надежности и снижени  уровн  помех, введен конденсатор, первый вывод которого соединен с базой транзистора и концом вторичной обмотки второго трансформатора , при этом анод третьего диода подключен к эмиттеру транзистора, второй вьшод конденсатора соединен с второй выходной клеммой, катодами второго и третьего диодов и анодом четвертого диода, катод которого подключен к коллектору транзистора и катоду п того диода, анод которого соединен с анодом второго диода. :о :п |i О :/д

Description

Изобретение .относитс  к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано, в частности, в устройствах отображени  информации, вьшолненных на базе газоразр дных панелей переменного тока, Известен полупроводниковый ключ, содержащий транзистор и резисторtlЦ. Недостатком данного ключа  вл етс  повышенный расход энергии от источников питани , Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  полупроводниковый ключ, содержащий транзистор, например (-, р i-h проводимости, переход база эмиттер которого зашунтирован резистором , а коллектор подключен к перво выходной клеммеJ два трансформатора, п ть диодов, две входные клеммы и вторую выходную клемму, причем начала первичных обмоток трансформаторов подключены i общей шине, а концы к соответству;ощим входным клеммам, начало вторичной обмотки первого трансформатора через пр мовключенный первый диод соединено с базой транзистора , а конец - с эмиттером транзистора , начало вторичной обмотки второго трансформатора соединено с анодом второго диода С 2 . Недостатками известного ключа  вл ютс  низка  надежность из-за отсут стви  запирающего источника и высокий уровень помех, обусловленный наличием паразитньк колебаний на фронтах опорного напр жени  при переключении транзистора. Цель изобретени  - повышение надежности и снижение уровн  помех, Поставленна  цель достигаетс  тем что в полупроводниковый ключ, содержащий транзистор, например, h-p-n проводимости, переход база - эмиттер которого загаунтирован резистором, а коллектор подключен к первой выход ной клемме, два трансформатора, п ть диодов, две входные клеммы и вторую выходную клемм55 причем начала первичных обмоток трансформаторов подключены к общей шине, а концы - к со ответствующим входным клеммам, начало вторичной обмотки первого трансформатора через пр мовключенный первый диод соединено с базой транзисто ра, а конец - с эмиттером транзистора , начало вторичной обмотки второго трансформатора соединено с анодом вт рого диода, введен конденсатор, первый вывод которого соединен с базой транзистора и концом вторичной обмотки второго трансформатора, при этом анод третьего диода подключен к эмиттеру транзистора, второй вывод конденсатора соединен с второй выходной клеммой, катодами второго и третьего диодов и анодом четвертого диода, катод которого подключен к коллектору транзистора и катоду п того диода , анод которого соединен с анодом второго диода. На чертеже приведена схема предлагаемого полупроводникового ключа. Полупроводниковый ключ содержит транзистор 1 п- р-п проводимости с резистором 2, включенным между его базой и эмиттером, при этом коллектор транзистора 1 подключен к первой выходной клемме 3 ключа. Вторична  обмотка 4 первого трансформатора 5 через диод 6 подключена к цепи база эмиттер транзистора 1. Конец вторичной обмотки 7 второго трансформатора . 8 подключен к базе транзистора 1, а начало обмотки через диод 9, включенный в пр мом направлении, - к коллектору транзистора 1. Начала первичных обмоток 10 и 11 первого 5 и второго 8 трансформаторов подключены к общей шине 12, а концы этих обмоток - к внешней схеме управлени  (входные клеммы 13 и 14). К базе транзистора 1 подключен один конец конденсатора 15, второй конец которого подключен к второй выходной клемме 16, к которой подключены катоды диодов 17 и 18 и анод диода 19, причем анод диода 17 подключен к началу вторичной обмотки 7 .второго трансформатора 8, анод диода эмиттеру транзистора 1,а катод диода 19 - к его коллектору. Работа полупроводникового ключа происходит следукнцим образом. Дл  включени  ключа на входную клемму 13 от внешней схемы управлени  поступает управл ющий сигнал, под действием которого во вторичной обмотке 4 первого трансформатора 5 наводитс  импульс положительной пол рности , который через диод 6 прикладываетс  к переходу база - эмиттер транзистора 1, шунтируемого резистором 2. При этом транзистор 1 входит в режим глубокого насыщени  и создает провод щую цепь от выходной клеммы 3 к выходной клемме 16. Дл  выключени  полупроводникового ключа на входную клемму 14 от внешней схемы управлени  поступает управл ющий сигнал. Под действием этого сигнала во вторичной обмотке 7 второго трансформатора 8 наводитс  импульс положительной пол рности, который через диод 9, включенный в пр мом направлении, прикладываетс  к переходу коллектор - база транзистора 1. Под действием приложенного напр жени  происходит вывод неосновных носителей из области базы, накопленных за врем  действи  включающего импульса, что приводит к быстрому выключению транзистора 1 и переводу ключа в непровод щее состо ние . Одновременно с этим под действием выключающего импульса через диод 17 происходит зар д конденсатора 15 до величины напр жени , генерируемого во вторичной обмотке 7 второго трансформатора 8.
В момент времени, когда происходит последующее включение ключа, начинаетс  разр д конденсатора t5 через диод 19 и открывающийс  переход коллектор - база транзистора 1. При этом ток разр да конденсатора 15 направлен навстречу базовому току.
включающему транзистор 1, что влечет за собой изменение скорости включени  ключа. Диод 18 исключает разр д конденсатора 15 через переход база эмиттер транзистора 1.
Измен   величину конденсатора 15, удаетс  существенно вли ть на скорость переключени  и тем самым снизить или совсем устранить паразитные колебани  на фронтах опорного напр жени , возниканщие в моменты переключени  ключа.
Использование изобретеени  позвол ет повысить надежность полупроводникового ключа по сравнению с прототипом за счет исключени  сквозных токов и уменьшени  мощности, потребл емой по цепи управлени . Уменьшение амплитуды выбросов при переключении транзистора позвол ет снизить уровень помех, наводимых во внешнюю цепь, и тем самым повысить надежност работы аппаратуры, в которой данный ключ может быть использован (например , в составе генератора опорного напр жени  дл  питани  газоразр дньк панелей переменного тока).

Claims (1)

  1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЛЮЧ, содержащий транзистор, например, п-р-п проводимости, переход база - эмиттер которого зашунтирован резистором, а коллектор подключен к первой выходной клемме, два трансформатора, пять диодов, две входные клеммы и вторую выходную клемму, причем начала первичных обмоток трансформаторов подключены к общей шине, а концы - к соответствующим входным клеммам, начало вторичной обмотки первого трансформатора через прямовключенный первый диод соединено с базой транзистора, а конец - с эмиттером транзистора, начало вторичной обмотки второго трансформатора соединено с анодом второ- . го диода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и снижения уровня помех, введен конденсатор, первый вывод которого соединен с базой транзистора и концом вторичной обмотки второго трансформа тора, при этом анод третьего диода подключен к эмиттеру транзистора, второй вывод конденсатора соединен с второй выходной клеммой, катодами второго и третьего диодов и анодом четвертого диода, катод которого подключен к коллектору транзистора и катоду пятого диода, анод которого соединен с анодом второго диода.
SU833537237A 1983-01-07 1983-01-07 Полупроводниковый ключ SU1095403A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833537237A SU1095403A1 (ru) 1983-01-07 1983-01-07 Полупроводниковый ключ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833537237A SU1095403A1 (ru) 1983-01-07 1983-01-07 Полупроводниковый ключ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1095403A1 true SU1095403A1 (ru) 1984-05-30

Family

ID=21044476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833537237A SU1095403A1 (ru) 1983-01-07 1983-01-07 Полупроводниковый ключ

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1095403A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Патент US № 3821596, кл. Н 03 К 17/60, 1979. 2. Патент DE № 2260368, кл. G 09 G 9/32, 1972 (прототип). *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910015193A (ko) 전자 레인지용 스위칭 전원
KR950015945A (ko) 스위칭전원장치
JPS56145775A (en) Switching control type power source circuit
KR900702755A (ko) 유도성 부하 전력 제어회로
US4904889A (en) Circuit for driving electronic devices with a low supply voltage
KR900010499A (ko) 전원공급회로
US4236196A (en) Switching regulator
US6084760A (en) Device for driving self arc-extinguishing type power element
SU1095403A1 (ru) Полупроводниковый ключ
US3492503A (en) Switching circuitry for reducing the time required to turn off a saturated semiconductor device
US3030589A (en) Current supply apparatus
US3487335A (en) Fast switching low input voltage converter
JPS5622577A (en) Single clock conduction type converter for generating output dc voltage isolated in dc
RU2034400C1 (ru) Импульсный модулятор
SU694957A1 (ru) Стабилизированный источник питани
SU957368A1 (ru) Устройство дл управлени двухтактным транзисторным ключом
SU1188873A1 (ru) Способ управлени силовым транзисторным ключом
SU1539988A2 (ru) Бесконтактный путевой переключатель
SU949817A1 (ru) Транзисторный ключ
SU1626446A1 (ru) Выходной усилитель генератора строчной развертки
SU764060A1 (ru) Источник питани цепи накала мощных электровакуумных приборов
RU2013860C1 (ru) Магнитно-транзисторный ключ
SU589600A1 (ru) Импульсный стабилизатор посто нного напр жени
SU679965A1 (ru) Импульсный стабилизатор напр жени посто нного тока
SU660254A1 (ru) Ключ