SU1086466A1 - Резистивный материал - Google Patents

Резистивный материал Download PDF

Info

Publication number
SU1086466A1
SU1086466A1 SU802901413A SU2901413A SU1086466A1 SU 1086466 A1 SU1086466 A1 SU 1086466A1 SU 802901413 A SU802901413 A SU 802901413A SU 2901413 A SU2901413 A SU 2901413A SU 1086466 A1 SU1086466 A1 SU 1086466A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
resistive material
cesium
graphite
carbon
additive
Prior art date
Application number
SU802901413A
Other languages
English (en)
Inventor
Ираклий Григорьевич Гвердцители
Арнольд Галактионович Каландаришвили
Шота Шотаевич Шартава
Валерьян Павлович Зайцев
Original Assignee
Предприятие П/Я А-7797
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-7797 filed Critical Предприятие П/Я А-7797
Priority to SU802901413A priority Critical patent/SU1086466A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1086466A1 publication Critical patent/SU1086466A1/ru

Links

Landscapes

  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ,содержа1ций токопровод щую композицию на основе углеродсодержащей фазы с металлической добавкой, отличающий с   тем, что, с целью уменьшени  величины температурного коэффициента сопротивлени  резистивного материала , в качестве углеродсодержащей фазы с меташшческой добавкой использовано слоистое соединение пиролитического гра4н1та с цезием с концентрацией цези  в пнрдлитическом графите, соответствующей фазовому составу . (Л 00 Ю О 2-S TfStfSit

Description

1 ,10 Изобретение относитс  к радиоэлект ронике и может быть использовано дл  изготовлени  резисторов. Известен резистивный материал,провод щий слой которого выполнен на ocV нсве пиролитического углерода, полученног о разложением углеводородов при высокой температуре в вакууме или в среде инертного газа fl. Недостатком этого резистивного ма териала  вл етс  высокий температурный коэффициент сопротивлени . Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому  вл етс  резистивный материал, провод ща  KOMnoзици  которого состоит из полупроводникового вещества, полученного пирог лизом углеродсодержащего соединени , легированного элементами третьей п той групп периодической системы С23 Недостатком данного резистивного материала также  вл етс  высокий температурный коэффициент сопротивлени . Цель изобретени  - уменьшение неличины температурного коэффициента сопротивлени  резистивного материала, Поставленна  цель достигаетс  тем, что в разистизном материале, содержащем гокопровод щую композицию на оснозе углеродсодержащей фазы с металлической добавкой, в качестве углеродсодержащей фазы с металлической добавкойиспользовано слоистое соединение пиролитического графита с цезием с кош: е трацией цези  .в пиролитическом графите, соответствующей фазозоку составу , Пример, Изготовление слоистых соединений пиролитического графита со щелочными металлами заключаетс  во взаимодействии образца пирсграфита с парами щелочного металла при давлении 133,3 Па и температуре образца 300 С в предварительно вакуумированном объеме. При зтом происходит внедрение щелочного металла в пирографит, Контроль за качеством внедренного щелочного металла осуществл етс  по изменению линейного размера образца пирографита вдоль кристаллографической оси С, Величину электросопротивлени , а также ТКС получаемого при зтом резистивного материала можно регулировать изменением количества добавки цези . Например, отношение удельных электросопротивлений пирографита и. соединени  С§С5.при 50°С равно 260, 6 а температурный коэффициент сопротивлени  cooTBefственно равен -1 10 +1, 7 0 град На фиг. 1 представлена крива  зависимости температурного коэффициента сопротивлени  от удельного содержани  цези  в пиролитическом гддфите (при cs т лвмпературный коэффициент сопротивлени  образующегос  соединени  близок к нулю); на фиг. 2 - кривые зависимости удельного электросопротивлени  пиролитического графита и его соединений с цезием от температуры дл  различных удельных содержаний цези  в графите (крива  1 соответствует пирографиту, кривые 2, 3, 4 и 5 соответствуют резистивному материалу с содержанием цези  в соотноше-- НИИ, m mграфит . 0,32; 0,65; 0,98; . 1,07 соответственно. Как видно из фиг. 2, кривые 2 и 4, соответствующие удельным содержани м - У- - - цези  в.графите 0,32 и 0,98 практически не завис т от температуры в интервале 50-300°С. Применение резистивного материала на основе пиролитического графита с щелочными металлами в качестве провод щей композиции позвол ет создавать резисторы с оче:нь низким (близким к 0) значением температурного коэффициента сопротивлени . Физическое состо ние системы щелочной металл - графит - твердый раствор внедрени , а геометрическа  i форма может быть произвольной при сохранении предлагаемого услови .Агрессивность системы щелочной металл графит значительно меньше,чем жидкого щелочного металла, а в случае ie-; обхОДИМОСТИ полного исключени  KOH-t такта с атмосферой резистивный материал можно герметизировать. Предлагаемый резистивный материал может найти применение в тех же област х, где примен ютс  стандартные прецизионные резисторы. Что касаетс  предельной концентрап,ии щелочного металла, при которой величина ТКС отвечает заданной конечной величине, то изменение концентрации цези  в пирографите на 3% не приводит к изменению ТКС предлагаемого резистивного материала Применение разистивного материала на основе пиролитического графита с цезием в качестве провод щей композиции позвол ет создавать резисторы с высокой термостабильностью.
p.Ofi.cH.
0,20
0.15

Claims (1)

  1. РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ,* содержащий токопроводящую композицию на основе углеродсодержащей фазы с металлической добавкой, отличающий с я тем, что, с целью уменьшения величины температурного коэффициента сопротивления резистивного материала, в качестве углеродсодержащей фазы с металлической добавкой использовано слоистое соединение пиролитического графита с цезием с концентра-
    SU 0,4086466
SU802901413A 1980-03-26 1980-03-26 Резистивный материал SU1086466A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802901413A SU1086466A1 (ru) 1980-03-26 1980-03-26 Резистивный материал

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802901413A SU1086466A1 (ru) 1980-03-26 1980-03-26 Резистивный материал

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1086466A1 true SU1086466A1 (ru) 1984-04-15

Family

ID=20885990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU802901413A SU1086466A1 (ru) 1980-03-26 1980-03-26 Резистивный материал

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1086466A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2573594C1 (ru) * 2014-08-07 2016-01-20 Общество с ограниченной ответственностью "Инжиниринговая компания "Теплофон" Резистивный углеродный композиционный материал
RU2782515C1 (ru) * 2021-10-26 2022-10-28 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") Способ изготовления свч-поглотителей

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Мартюшов К.И., Зайцев Ю.&. Технологи производства резисторов. М., Высша школа, 1972, с. 141, 2. За вка FR № 2389984, кл. Н 01 С 7/06, опублик. 1979 (прототип), 9-1 ( *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2573594C1 (ru) * 2014-08-07 2016-01-20 Общество с ограниченной ответственностью "Инжиниринговая компания "Теплофон" Резистивный углеродный композиционный материал
RU2782515C1 (ru) * 2021-10-26 2022-10-28 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") Способ изготовления свч-поглотителей

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Gulbransen et al. The oxidation of silicon carbide at 1150 to 1400 C and at 9× 10− 3 to 5× 10− 1 torr oxygen pressure
Takeda et al. A conductance study of alkali metal ion-15-crown-5, 18-crown-6, and dibenzo-24-crown-8 complexes in propylene carbonate.
Otto et al. The adsorption of nitric oxide on iron oxides
Ayyoob et al. An XPS study of the adsorption of oxygen on silver and platinum surfaces covered with potassium or cesium
Sleight et al. Superconducting oxides of rhenium and molybdenum with tungsten bronze type structures
Sandler et al. The Desorption and Isotopic Exchange of Oxygen at a Silver Surface1
Schäfer Preparative solid state chemistry: The present position
Peplinski et al. Electrical properties of sodium copper sulfide (Na3Cu4S4), a mixed-valence one-dimensional metal
SU1086466A1 (ru) Резистивный материал
Bielański et al. Physico-chemical properties of alkali-and iron-doped nickel oxide
Herrmann et al. Electrical behaviour of powdered tin–antimony mixed oxide catalysts
Pantony et al. Studies in the corrosion of metals under melts—II: Relevant physico-chemical properties of molten vanadium pentoxide
Bach et al. Synthetic metals based on graphite/aluminium halides
Davis et al. A study of oxygen interaction with a LaB6 (100) single crystal surface
Kavan et al. XPS study of carbon in electrochemical reduction products of poly (tetrafluoroethylene)
EP0110387B1 (en) Humidity-sensitive element and process for producing the same
Shafer The formation of europium sulfide by the H2S Eu2O3 reaction at high temperatures
Blue et al. Preparation and electrical properties of mercury selenide
Michelson et al. Synthesis and properties of some new reduced niobate compounds
US4647404A (en) Process for preparing a metamorphosed metal oxide
ITO et al. Ion Exchange in Alkali Layers of Potassium β‐Ferrite ((1+ x) K2O· 11Fe2O3) Single Crystals
Wagner Dissociation of molecular O2 as the rate determining step during the initial stage of the oxidation of Ni at 250° C
SU1394242A1 (ru) Резистивный материал
GB1470942A (en) Manufacture of superconductors
Kokusen et al. Effects of loading niobium compounds on sensing factor and function of TiO2