SU1084667A1 - Вихретоковый способ контрол толщины диэлектрических покрытий на немагнитном основании - Google Patents

Abstract

ВИХРЕТОКОВЫЙ СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ НА НЕМАГНИТНОМ ОСНОВАНИИ, заключающийс  в том, что вихретоковый пре .образователь размещают над контрол руемым изделием, включают его в колебательный контур, ударно возбуждают контур и измер ют .параметр переход-, ного процесса, отличающийс   тем, что, с целью повышени  точности контрол , преобразователь предварительно размещают поочередно над образцами с различной электропроводностью , регулируют частоту затухающих колебаний до получени  минимальной разницы результатов измерени  декремента колебаний, а в качестве параметра переходного процесса используют дек{)емент колебаний. СХ ) 4i О) Ф

Description

Изобретение относитс  к нераэруш щему контролю и может быть использовано дл  измерени  толщины диэлек трических покрытий (зазоров) на эле тропровод щем немагнитном основании Известны способы вихретокового двухпараметрового контрол , заключающиес  в том, что в контролируемо изделии возбуждают вихревые токи, и мер ют реакцию на них вихретокового преобразовател  (ВТП), определ ют изменение реакции при изменении кон ролируемого параметра и подавл ют ее изменение при изменении мешающег параметра С 1. Однако отношение полезный сигнал/помеха при этом недостаточно, что ограничивает чувствительность КОНТРОЛЯуказанным способом. Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  вихретоковый способ контрол  толиины диэлектрических покрытий на немагнитном основании, за- . ключающийс  в том, что вихретоковый преобразователь размещают над контролируемым изделием, включают его в колебательный контур, ударно возбуж дают контур и измер ют парметр переходного процесса - среднее значение амплитуды свободно затухающих колебаний и по нему определ ют конт ролируемый параметр C2J. Недостатком способа  вл етс  понижение точности при изменении элек тропроводности контролируемых изделий . Цель изобретени  - повышение точности контрол . Поставленна  цель достигаетс  тем, что в вихретоковом способе конт рол  толщины диэлектрических покрытий на немагнитном основании, заключающемус  в том, что вихретоковый преобразователь размещают над контролируемым изделием, включают его в колебательный контур, ударно возбуждают контур и измер ют параметр переходного процесса, преобразователь предварительно размещают поочередно над образцами с различной элек тропроводностью, регулируют частоту затухающих колебаний до получени  гданимальной разницы результатов измерени  декремента колебаний, а в ка честве параметра переходного процесса используют декремент колебаний. На фиг. 1 и 2 изображены годографы вихретокового преобразовател , по  сн ющие предлагаемой способ. Годографы контролируемого парамет , ра - толщины покрыти  h (фиг.1) представл ют собой пучо линий, близких к пр мым и исход щих из точки с коор динатами (.0:1. Годографы мешающего параметра - обобщенного параметра 1Ь близки к дугам окружностей, исход щих из же точки, при этом /3 (j 1 диаметр ВТП; электропроводность основани ; магнитна  посто нна ; выносимое сопротивление; частота колебаний; емкость колебательного контура; . . индуктив.ность колебательного KOHtypa. Отстройку от-измененийэлектропроводности основани  (иг.2| обеспечивают перемещениемрабочей точки по гСдографу обобщенного параметра , а именно изменением частоты затухающих колебаний выбирают на годографе /5 рабочую точку А, лежа-, щую ниже точки касани  К годографа ;/i касательной ОК, проведенной из начала координат. При незначительном изменении электропроводности основани  участок ВС годографа, по которому перемещаетс  рабоча  точка, можно считать пр мым с наклоном, завис щим от рассто ни  АК. Еслк из-за изменени  электропроводности основани  рабоча  точка перемещаетс  из точки А в точку В, то имеем отклонение.вв от пр мой ОА посто нного отношени  -ц-г пропорционального декременту колебаний R/2l, т.е. дополнительное увеличение сопротивлени . С другой стороны, из-за увеличени  индуктивности имеет уменьшение частоты, а следовательно и сопротивлени . Действительно, если при изменении частоты пренебречь перемещением рабочей точки по годографу , fi , ТО вносимое активное сопро- . тивление пр мой пропорционально частоте, поскольку по оси обсцисс отложена. величина -(-. Тогда 4( ди)Х-о,5Д1 ((значок S перед соответствующей величиной означает ее относительное приращение при изменении электропроводности контролируемагх изделий). Выбором положени  точки А можно добитьс  взаимной компенсации этих приращений. Использу  в качестве измер емого параметра декремент колебаний R/2L вместо среднего значени  напр жени  на контуре, легко видеть, что при этом повьниаетс  точность контрол , поскольку измер етс  величина декремента колебаний, а не результат интегрировани  затухающих колебаний, при котором происходит сглаживание переходного процесса, результат которого в меньшей мер зависит от декремента, а следовательно, и от толщины контролируемого диэлектри

Claims (1)

1. ВИХРЕТОКОВЫЙ СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ

   НА НЕМАГНИТНОМ ОСНОВАНИИ, заключающийся в том, что вихретоковый преобразователь размещают над контролируемым изделием, включают его в колебательный контур, ударно возбуждают контур и измеряют параметр переход-, ного процесса, отличающийс я тем, что, с целью повышения точности контроля, преобразователь предварительно размещают поочередно над образцами с различной электропроводностью, регулируют частоту затухающих колебаний до получения минимальной разницы результатов измерения декремента колебаний, а в качестве параметра переходного процесса используют декремент колебаний. _о

   Λ м