SU1073884A1 - Band-pass surface-acoustic-wave filter - Google Patents

Band-pass surface-acoustic-wave filter Download PDF

Info

Publication number
SU1073884A1
SU1073884A1 SU823472585A SU3472585A SU1073884A1 SU 1073884 A1 SU1073884 A1 SU 1073884A1 SU 823472585 A SU823472585 A SU 823472585A SU 3472585 A SU3472585 A SU 3472585A SU 1073884 A1 SU1073884 A1 SU 1073884A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
electrodes
idt
apodized
additional
level
Prior art date
Application number
SU823472585A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Александр Васильевич Груздев
Владимир Ильич Речицкий
Владимир Сергеевич Усов
Original Assignee
Предприятие П/Я А-7438
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-7438 filed Critical Предприятие П/Я А-7438
Priority to SU823472585A priority Critical patent/SU1073884A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1073884A1 publication Critical patent/SU1073884A1/en

Links

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

ПОЛОСОВОЙ ФИЛЬТР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, содержащий пьезоподложку с размещенными на ее рабочей поверхности двум  эквидистантными встречноштыревыми преобразовател ми (ВШП) один из которых выполнен неаподиэованным , а другой - аподизованны по апертуре по закону четной функ ции типа sinX , усеченной симметр но по любым нул м, о т л и ч а ющ и и тем, что, с целью умен шени  уровн  боковых лепестков амплитудно-частотной характеристи ки, в аподизованный ВШП введены два дополнительных электрода, .по каждой стороны, подсоедиобщим шинам противофазно нию к соответствующим крайродам ВШП, при этом верекрыти  ц- каждого иэ льных электродов с соотим крайним электродом ВШП з соотношени  N K.il 4t-o алгебраическа  (с учетом знака функции аподизации) величина перекрыти  п-ой от центра ВШ полуволновой пары электродов; число полуволновых пар электродов по одну сторону от центра Binn (без учета дополнительного электрода); уровень максимального бокового лепестка амплитудно-частотной характеристики аподизованного ВШП (без дополнительных электродов ) .BAND FILTER ON SURFACE ACOUSTIC WAVES, containing a piezo-substrate with two equidistant opposite transducers located on its working surface (IDT), one of which is made unopodied, and the other is apodized according to the aperture according to the even-nummy of the sinX pattern of a cell pattern. This is due to the fact that, in order to reduce the level of side lobes of the amplitude-frequency characteristic, two additional electrodes are inserted into the apodized IDT, on each side, connecting These are counterphased to the corresponding extremes of the IDP, while overlapping the ts of each of the electrodes corresponds to the end of the IDP of the half-wave pair of electrodes from the ratio of K.il 4t-o algebraic (taking into account the sign of the apodization function) ; the number of half-wave pairs of electrodes on one side of the center of Binn (excluding the auxiliary electrode); the level of the maximum side lobe of the amplitude-frequency characteristic of the apodized IDT (without additional electrodes).

Description

Изобретение относится к акустоэлектронике и может быть использовано в различных акустоэлектронных устройствах, в частности при создании полосовых фильтров на поверхностных акустических волнах (ПАВ).The invention relates to acoustoelectronics and can be used in various acoustoelectronic devices, in particular when creating bandpass filters on surface acoustic waves (SAWs).

Известен.полосовой фильтр на ПАВ, содержащий пьезоподложку с размещенными на ее рабочей поверхности двумя встречно-штыревыми преобразователями (ВШП), один из которых выполнен неаподизованным, а другой - аподизованным по апертуре Г1Л.A well-known SAW bandpass filter containing a piezo substrate with two interdigital transducers (IDTs) located on its working surface, one of which is made unapodized and the other apodized on the G1L aperture.

Недостатком этого фильтра является низкое подавление сигнала вне полосы пропускания.The disadvantage of this filter is low signal suppression out of bandwidth.

Наиболее близким к предлагаемому по техническому решению является полосовой фильтр на ПАВ, содержащий пьезоподложку с размещенными на ее рабочей поверхности двумя эквидистантными встречно-штыревыми преобразователями (В'ПП) , один из которых выполнен неаподизованным, а другой - аподизованным по апертуре по закону четной функции типа sincx, усеченной симметрично по любым нулям [2].Closest to the proposed technical solution is a SAW bandpass filter containing a piezo substrate with two equidistant interdigital transducers (V'PP) placed on its working surface, one of which is made unapodized and the other apodized according to the law of an even function of the type sincx truncated symmetrically at any zeros [2].

Недостатком известного фильтра является относительно высокий уровень боковых лепестков амплитудно-частотной характеристики (АЧХ).A disadvantage of the known filter is the relatively high level of the side lobes of the amplitude-frequency characteristic (AFC).

Цель изобретения - уменьшение уровня боковых лепестков амплитудно-частотной характеристики.The purpose of the invention is to reduce the level of the side lobes of the amplitude-frequency characteristics.

Поставленная цель достигается тем,что в полосовом фильтре на ПАВ, содержащем пьезоподложку с размещенными на ее рабочей поверхности двумя эквидистантными встречно-штыревыми преобразователями ВШП, один из которых выполнен неаподиэованным, а другой - аподизованным по апертуре по закону четной функции типа sincx, усеченной симметрично по любым нулям, в аподизованный ВШП введены два дополнительных электрода, по одному а каждой стороны, подсоединенных к общим шинам противофазно по отношению к соответствующим крайним электродам ВШП, при этом величина перекрытия W N+1 каждого из дополнительных . электродов с соответствующим крайним электродом ВШП выбрана из соотношенияThis goal is achieved by the fact that in a bandpass filter on a surfactant containing a piezo substrate with two equidistant interdigital IDT transducers placed on its working surface, one of which is non-apodized and the other is apodized according to the law of an even function of the sincx type, truncated symmetrically by at any zeros, two additional electrodes are introduced into the apodized IDT, one on each side connected to the common buses out of phase with respect to the corresponding extreme IDT electrodes, while the overlap value W N + 1 of each of the additional. electrodes with the corresponding extreme electrode IDT selected from the ratio

где Wn- алгебраическая (с учетом знака функции аподизации) величина перекрытия η-ой от центра ВШП полуволновой пары электродов;where W n is the algebraic (taking into account the sign of the apodization function) value of the overlap η-th from the center of the IDT half-wave pair of electrodes;

N - число полуволновых пар электродов по одну сторону от центра ВШП (без учета дополнительного электрода);N is the number of half-wave pairs of electrodes on one side of the center of the IDT (excluding the additional electrode);

- уровень максимального бо10 нового лепестка амплитудно-частотной характеристики аподизованного ВШП (без дополнительных электродов ) .- the level of the maximum more than 10 new lobe of the amplitude-frequency characteristic of the apodized IDT (without additional electrodes).

На чертеже изображен предлагаемый полосовой фильтр на поверхностных акустических волнах.The drawing shows the proposed band-pass filter on surface acoustic waves.

. Полосовой фильтр на ПАВ содержит пьезоподложку 1, эквидистантный 2Q аподизованный по апертуре по закону четкой функции типа sincx, усеченной симметрично по любым путям, входной полосозадающий встречноштыревой преобразователь 2 и экви25 дистантный неаподизованный встречно-штыревой преобразователь 3. Преобразователь 2 снабжен двумя дополнительными электродами 4 и 5, по одному с каждой стороны,подсоединенными к общим шинам б и 7 протиэи вофазно по отношению к соответствующим крайним электродам 8 и 9 преобразователя .. The SAW bandpass filter contains piezo substrate 1, equidistant 2Q apodized according to the law of a clear function of the sincx type, truncated symmetrically along any paths, the input strip-picking interdigital transducer 2 and the equi-distant non-modalized interdigital interdigital transducer 3. The transducer 2 is equipped with two and two additional electrodes , one on each side, connected to the common buses b and 7 of the circuit in phase with respect to the corresponding extreme electrodes 8 and 9 of the converter.

В предлагаемой конструкции полосового фильтра на ПАВ введено двух 35 (NfD-ых активных полуволновых пар, образованных дополнительными электродами 4 и 5 и крайними электродами 8 и 9 аподизованного преобразователя 2, приводит к уменьшению 40 на (20-25 дБ) уровня ближайших к основному боковых лепестков АЧХ фильтра, не внося изменений в ее уровень на частотах, соответствующих нулям АЧХ, при этом уровень 45 дальних боковых лепестков определяется амплитудно-частотной характеристикой неаподизованного преобразователя-3 ..In the proposed design of a SAW bandpass filter, two 35 (NfD-active half-wave pairs formed by additional electrodes 4 and 5 and extreme electrodes 8 and 9 of the apodized transducer 2 are introduced), which leads to a decrease of 40 by (20-25 dB) the levels closest to the main side the filter’s frequency response, without making changes to its level at frequencies corresponding to the frequency response zeros, while the level of 45 far side lobes is determined by the amplitude-frequency characteristic of the unapodized converter-3 ..

Предлагаемая конструкция полосового фильтра на ПАВ позволяет уменьшить уровень боковых лепестков (до 55-65 дБ) при сохранении величины максимального и минимального перекрытий электродов в аподизованном преобразователе фильтра, т.е. без изменения простейшей традиционной топологии фильтров на ПАВ и точностных требований по ее реализации..The proposed design of a SAW bandpass filter allows to reduce the level of side lobes (up to 55-65 dB) while maintaining the maximum and minimum electrode overlaps in the apodized filter converter, i.e. without changing the simplest traditional filter topology for surfactants and the accuracy requirements for its implementation ..

ВНИИПИ Заказ 377/53VNIIIPI Order 377/53

Тираж 862 ПодписноеCirculation 862 Subscription

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул.Проектная, 4Branch of the PPP Patent, Uzhgorod, Project 4,

Claims (1)

ПОЛОСОВОЙ ФИЛЬТР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, содержащий пьезоподложку с размещенными на ее4рабочей поверхности двумя эквидистантными встречноштыревыми преобразователями (ВИП), один из которых выполнен неаподизованным, а другой - аподизованным по апертуре по закону четной функции типа sink , усеченной симметрично по любым нулям, о т л и ч а го- вд и й счя тем, что, с целью уменьшения уровня боковых лепестков амплитудно-частотной характеристики, в аподизованный ВШП введены два дополнительных 'электрода, по одному с каждой стороны, подсоединенных к общим шинам противофазно по отношению к соответствующим крайним электродам ВШП, при этом величина перекрытия WN+1 каждого из дополнительных электродов с соответствующим крайним электродом ВШП выбрана из соотношения lWN+ll = Lm . .BAND FILTER ON SURFACE ACOUSTIC WAVES, containing a piezo-substrate with two equidistant interdigital transducers (VIPs) located on its 4 working surface, one of which is made unapodized, and the other apodized according to the law of an even function of sink type, truncated symmetrically to any symmetric truncated symmetrically m and n and h go- tm and d with h I that, in order to reduce the level of sidelobe amplitude-frequency characteristics, two additional 'electrode introduced into apodizovanny IDT, one on each side, Connecting to the common buses antiphase with respect to the corresponding extreme IDT electrodes, wherein the overlapping value W N + 1 of each of the additional electrodes to the corresponding extreme IDT electrode is selected from the relation l W N + ll = L m . . где - алгебраическая (с учетом знака функции аподизации) ’ величина перекрытия п-ой от центра ВШП полуволновой пары электродов; ©where is the algebraic (taking into account the sign of the apodization function) ’amount of overlap of the nth half-wave pair of electrodes from the center of the IDT; © N - число полуволновых пар электродов по одну сторону от центра ВШП (без учета дополнительного электрода);N is the number of half-wave pairs of electrodes on one side of the center of the IDT (excluding the additional electrode); - уровень максимального бокового лепестка амплитудно-частотной характеристики аподизованного ВШП (без дополнительных электродов) .- the level of the maximum side lobe of the amplitude-frequency characteristic of the apodized IDT (without additional electrodes). SU 107388SU 107388
SU823472585A 1982-07-15 1982-07-15 Band-pass surface-acoustic-wave filter SU1073884A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823472585A SU1073884A1 (en) 1982-07-15 1982-07-15 Band-pass surface-acoustic-wave filter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823472585A SU1073884A1 (en) 1982-07-15 1982-07-15 Band-pass surface-acoustic-wave filter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1073884A1 true SU1073884A1 (en) 1984-02-15

Family

ID=21023091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU823472585A SU1073884A1 (en) 1982-07-15 1982-07-15 Band-pass surface-acoustic-wave filter

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1073884A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. ТИИЭР, 1971, Т.59, 3, с.62-80. 2. ТИИЭР, 1979, т.67, 1, с.147-166 (прототип). *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5694096A (en) Surface acoustic wave filter
KR100210120B1 (en) Surface acoustic wave filter
KR100488251B1 (en) Surface acoustic wave filter with enhanced edge steepness
US7532090B2 (en) Acoustic wave filter device and duplexer
CN100386965C (en) SAW filter
JPH0661783A (en) Surface acoustic wave filter
US4931755A (en) Surface-acoustic-wave device with a capacitance coupled between input and output
US5130681A (en) Saw filter and mobile telephone using same
KR100634637B1 (en) Reactance filter with surface wave resonators
JP2002217681A (en) Transversal surface acoustic wave filter
EP0782256B1 (en) Surface acoustic wave resonator filter apparatus
SU1073884A1 (en) Band-pass surface-acoustic-wave filter
GB1413916A (en) Acoustic surface-wave devices
JPS6037641B2 (en) surface acoustic wave oscillator
US4472653A (en) Electrode pattern for surface acoustic wave device
KR19980019102A (en) Surface acoustic wave resonator filter
US4451805A (en) Surface acoustic wave filter
US4258342A (en) Elastic surface wave device
SU1015488A1 (en) Filter on surface acoustic waves
KR20010085707A (en) Edge reflection type surface acoustic wave filter
SU997231A1 (en) Monolithic piezoelectric filter
RU2308799C1 (en) Saw filter
SU708496A1 (en) Surface acoustic wave filter
US5808524A (en) Surface wave filter with a specified transducer impulse train that reduces diffraction
SU729817A1 (en) Filter based on acoustic surface waves