SU1072241A1 - Генератор синусоидальных колебаний - Google Patents

Abstract

ГЕНЕРАТОР СИНУСОИДАЛЬНЫХ КОЛЕБАНИЙг содержащий источник посто нного нсшр жени  и три транзистора одного типа структуры, причем коллектор первого транзистора соединен с базой второго транзистора и с параллельным колебательным контуром, вторс вывод которого соединен через соответствующие конденсаторы с общей шиной и с базой первого транзистора, между эмиттером второго.транзистора и эмиттерс м первого транзистора включён лервый резистивный делитель на- . пр жени , отвод которого соединен с базой третье1 о транзистора, при этом база первого транзистс а через резистор Соединена с эмиттером второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединён с общей шиной, а коллектор второго транзистора  вл етс  выходом генератора синусоидальных колебаний, о т л и ч а ющи и с  - тем, что, с целью повышени  стабильности частоты и амплитуды синусоидальных колебаний/ R него введен дополнительный транзйстйр того же типа структуры, коллектор и эмиттер которого соединены соответственно с эмиттером первого транзистора и с общей шиной, выход источника посто нного напр жени  соединен с вторым выводом колебательного контура , и между точкой их соединени  S и общей шиной введен второй резистив (Л ный делитель напр жени , при этсчл коллектор третьего транзистора и база дополнительного транзистора соединены соответственно с первым и /вторым отводами второго резистивного s делител  напр жени , которые через соответствук цие введенные конденсаторы соединены с общей щиной.

Description

. Изобретение относитс  к радиотехнике и может использоватьс  дл  генерировани  синусоидальных колебаний , например, в.радиоприемных устройствах. Известен генератор синусоидальных колебаний на транзисторах с подключенными к ним колебательным контуром и источниками питани  1J. Однако в спектре сигнала данного генератора синусоидальных колебаний велик уровень высших гармонических составл ющих, Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  генератор синусоидальных колебаний, содержащий источник посто нного напр жени  и три транзисто ра однбго типа структуры, причем коллектор первого транзистора соединей с базой второго транзистора и с параллельным колебательным контуром второй вывод которого соединен через соответствующие конденсаторы с общей шиной и с базой первого транзистора между эмиттером второго транзистора и эмиттером первого транзистора вклю чен первый резистивный делитель напр жени , отвод которого соединен с базой третьего транзистора, при этом база первого транзистора через резистор соединена с эмиттером второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединен с общей шиной, а коллектор второго транзистора  вл ет с  выходом генератора синусоидальных колебаний, при этом эмиттер первого транзистора соединен через соответствующий резистор 1C общей шиной, а коллектор третьего транзистора соединен с вторым выводом колебательного контура 2. Однако известный генератор синусоидальных колебаний не обеспечивает достаточной стабильности частоты и амплитуды синусоидальных колебаний вследствие того, что стабилизаци  амплитуды производитс  за счёт изменени  напр жени  питани  частотозадающего транзистора, коллекторна  емкость которого (Сц)в значительной степени и нелинейно зависит от напр жени , прикладываемого к промежутку коллектор-база () Крутизна этой зависимости  вл етс  наиболее высокой при малых значени х , что имеет место в известном генераторе синусоидальных колебаний. Поэтому с изменением температуры окружакщей среды или параметров транзистора от воздействи  других факторов схема стабилизации амплитуды вносит дополнительное изменение частоты колебаний. Коэффициент стабилизации амплитуды колебаний при этом равен коэффициенту усилени  третьего транзистора. Цель изобретени  - повышение стабильности частоты и амплитуды синусоидальных колебаний. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в генератор синусоидальных колебаний, содержащий источник по-; сто нного напр жени  и три транзистора одного типа структуры, причем коллектор первого транзистора соединен с базой второго транзистора и с параллельным колебательным контуром, второй вывод которого соединен через соответствующие конденсаторы с общей шиной и с базой первого транзистора , между эмиттером второго, транзистора и эмиттером первого транзистора включен первый резистивный делитель напр жени , отвод которого соединен с базой третьего транзистора , при этом база первого транзистора через резистор соединена с эмиттёром второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединен с об- щей шиной, а коллектор второго транзистора  вл етс  выходом генератора синусоидальных колебаний, введен, дополнительный транзистор того же типа структуры, коллектор и эмиттер которого соединены соответственно с эмиттером первого транзистора и с общей шиной, выход источника посто нного напр жени  соединен с вторым выводом колебательного контура, и между точкой их соединени  и общей шиной введен второй резистивный делитель напр жени , при атом коллектор третьего транзистора и базia дополнительного транзистора соединены соответственно с первым и вторым отводами второго резистивного делител  напр жени , которые через соответствующие введенные конденсаторы соединены с общей шиной. На чертеже представлена структурна  электрическа  схема генератора синусоидальных колебаний. Генератор синусоидальных колебаний содержит первый второй, третий и дополнительный транзисторы 1, 2, 3, 4, кондёнсатоЕ а 5-8, первый и второй рёзистивиые делители 9 и 10 напр жени , параллельный колебательный контгур 11, резистор 12, источник 13 посто нного напр жени . Генератор синусоидальных колебани  работает следующем образом. Резисторы резистивного делител  9 выбраны таким -образом, что при отсутствии колебаний третий транзистор 3 закрыт и не вли ет на услови  самовозбуждени  автогенератора с внутренней св зью, выполненного на транзисторах 1, 2 и 4. При отпирании третьего транзистора 3 увеличение амплитуды колебаний Автогенератора приводит к возрастанию тока третьего транзистора 3, что приводит

Claims (1)

1. ГЕНЕРАТОРСИНУСОИДАЛЬНЫХ КОЛЕБАНИЙ, содержащий источник постоянного напряжения и три транзистораодного типа структуры, причем коллектор первого транзистора соединен с базой второго транзистора и с параллельным колебательным контуром, второйвывод которого соединен через соответствующие конденсаторы с общей: шиной и с базойпервого транзистора, между эмиттером второго.транзистора и эмиттером первого транзистора включён первый резистивный делитель *На- ;

   пряжения, отвод которого соединен с базой третьего транзистора, при этом база первого транзистора через . резистор Соединена с эмиттером второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединён с общей шиной, а коллектор второго транзистора является выходом генератора синусоидальных колебаний, о т л и ч а ющи й с я* тем, что, с целью повыше;ния стабильности частоты и амплитуды синусоидальных колебаний, в. него введен дополнительный транзистор то^; го же типа структуры, коллектор и эмиттер которого соединены соответственно с эмиттером первого транзистора и с Общей шиной, выход источника постоянного напряжения соединен с вторым выводом колебательного контура, и между точкой их соединения и общей шиной введен второй резистивный дёлитель напряжения, при этом коллектор третьего транзистора и база дополнительного транзистора соединены соответственно с первым и вторым отводами второго резистивного делителя напряжения, которые через соответствующие введенные конденсаторы соединены с общей шиной» >