SU1069029A1 - Автоэлектронный эмиттер с локализованной эмиссией - Google Patents
Автоэлектронный эмиттер с локализованной эмиссией Download PDFInfo
- Publication number
- SU1069029A1 SU1069029A1 SU823456516A SU3456516A SU1069029A1 SU 1069029 A1 SU1069029 A1 SU 1069029A1 SU 823456516 A SU823456516 A SU 823456516A SU 3456516 A SU3456516 A SU 3456516A SU 1069029 A1 SU1069029 A1 SU 1069029A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- emitter
- emission
- localized emission
- electronic
- tip
- Prior art date
Links
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
АВТОЭЛЕКТРОННЫЙ ЭМИТТЕР С ЛОКАЛИЗОВАННОЙ ЭМИССИЕЙ, выполненный в виде острл из тугоплавкого металла с присадкой элемента, образующего на поверхности пленку с низкой работой вы.хода, отличающийс тем, что, с целью увеличени срока службы эмиттера и его электронной светимости, в качестве присадки острие содержит по крайней мере один из элементов, вз тых пз группы литий, натрий , калий, цезий в количестве 0,05-0,1 вес /0.
Description
Oi со
о
rsD
СО
Изобретение относитс к автоэмиссионпой электротехнике и может быть иснользовано 11)11 конструировании источников электронов дл электронных приборов и, в частности , дл электронно-зондовых нриборов.
JLiH увеличени разре1наюш,ей способности электронно-зондовых приборов необходимы источники электронов с небольшим угловыми размерами, т.е. автоэмиттеры с локализацией автоэмиссии на небольшой об;1асти остри .
Такую локализацию можно получить, напыл на автоэмиттер пленку активного вещества. Пленка циркони на вольфра.ме позвол ет локализовать э.миссию в угле 0,05-0,1 стерадиан 1, гафни - до 0,010 ,02 стерадиан 2.
Недостатками такой конструкции вл ютс необходимость н дополнительном внешне.м источнике Напыл емого элемента и .малый срок службы, так как в результате ионной бомбардировки поверхности эмиттера происходит распыление нленки активного компонента .
Наиболее близким к изобретению техничеокн .м решением вл етс автоэмиттер с лока .шзованной эмиссией, выполненный в виде остри из тугоплавкого материала с присадкой элемента, образуюшего на поверхности пленку с низкой работой выхода 3.
В этом техническом решении дл создани локализации уже не нужен дополнительный Е5ненп1ий источник Напылени . Однако , выполненные в соответствии с этим решеiH-iCM катоды обладают недостаточным сроком с.тужбы и электронной свети .мости.
Целью изобретени вл етс увеличение срока службы автоэмиттера и увеличение его светимости.
Ностав.1енна цель достигаетс тем, что азтоэ,1ектронный эмиттер с локализованной эмиссией, вьнюлПенной в виде остри из тугоплавкого металла с присадкой элемента, образуюнито на поверхности пленку с низкой работой выхода, в качестве присадки острие содержит но крайней мере один из элементов, вз тых из группы литий, натрий, ка.лпй, цезий в количестве 0,05-0,1 вес%.
З ффект .локализации э.миссионного тока достигаетс сочетание.м процесса термического акти1и1ровани эмиттируюшей поверхности остри эмиссионпо-активной присадкой , растворенной в его объеме и доставленной на его поверхность за счет диффузии с процессо.м термополевой нерестройки, при кото)()й происходит рельефное выделение наиболее илотноунакованных граней. В резу.льтате на новерхности остри образуютс микровыстуиь:, состо щие из скоплеш-1 атомов э.миссионно-активной присадки , копцептрируюшихс , главным образом, 1 местах наибольшего градиента электрического пол . На микровыступах происходит локальное усиление электрического пол , а также за счет хемисорбционного взаимодействи электроположительного к подложке адсорбата избирательное снижение работы выхода. Суммарный эффект изменени Е и У дл центральной грани позвол ет реализовать большую степень локализации эмиссионного тока.
Эффект избирательного изменени работы выхода центральной грани остри зависит от величины дипольного момента двойного сло , который в свою очередь зависит от радиуса атома адсорбата Гц, и плотности упаковки рассматриваемой грани подложки /hkl. Чем больше Гд, и чем больше phkE , тем больше будет значение Р. Среди электроположительных элементов наибольшее значение г имеют щелочные металлы Li, Na, К, Cs. К плотноупакованным гран м 0 W, имеющим тенденцию выдел тьс от «термополевой перестройки, относ тс грани (110), (100), (112). В соответствии с этим разрабатывалась система вольфрам + щелочные металлы (с ориентацией на одну из указанных граней).
Основна трудность - создание сплава тугоплавкого металла с щелочным - заключаетс в большей разнице их температур давлени и испарени . Однако при получении монокритасталла W методом электронной зонной плавки данные металлы могут быть растворены в вольфрамовой матрице с общей концентрацией около 0,1%.
Нижн граница содержани элементов (0,05 вес.%) определ ет минимальный срок службы в 100 ч. При меньшем содержании элементов он становитс .менее 100 ч., что не соответствует услови м работы автоэмиттера в микроскопе.
Сплав может быть получен зонной плавкой электронным лучом за два прохода скоростью 2-4 мм/мин вдоль кристаллографической оси 001. Образцы поперечным сечением 0,3x0,3 мм вырезаютс вдоль этой оси электроискровым способом.
Травление остри производ т в 1,5 N растворе NaOH при напр жении 5 В и токе 20мА.
Автоэмиттер монтировалс в автоэлектронном микроскопе и откачивалс до давлени , соответствующего рабоче.му вакууму в электронно-зондовых приборах.
Прогрев автоэмиттера дл активации при 1460 К в течение 3 мин в присутствии 5 пол 0,2 В/А приводит к миграции атомов из матрицы на поверхность остри и образованною устойчивого скоплени на грайи (001). При нрогреве свыше 1600 К начина ,1069029
j4
етс рост образований р дом с гран миционарном режиме за 100 ч работы при
типа (110), что не удовлетвор ет услови мэлектронной светимости пучка, равной 4х
локализации эмиссии.10 а/см - Sr ток эмиссии изменилс меИспытани автокатода в рабочем вакууменее чем на 1%, что свидетельствует о по10 Па на срок службы показали, что в ста-вышении срока службы эмиттера.
Claims (1)
- АВТОЭЛЕКТРОННЫЙ ЭМИТТЕР С ЛОКАЛИЗОВАННОЙ ЭМИССИЕЙ, выполненный в виде острия из тугоплавкого металла с присадкой элемента, образующего на поверхности пленку с низкой работой выхода, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы эмиттера и его электронной светимости, в качестве присадки острие содержит по крайней мере один из элементов, взятых из группы литий, натрий, калий, цезий в количестве 0,05-0.1 вес и/0.О СО О ю СО
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823456516A SU1069029A1 (ru) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | Автоэлектронный эмиттер с локализованной эмиссией |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823456516A SU1069029A1 (ru) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | Автоэлектронный эмиттер с локализованной эмиссией |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1069029A1 true SU1069029A1 (ru) | 1984-01-23 |
Family
ID=21017821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU823456516A SU1069029A1 (ru) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | Автоэлектронный эмиттер с локализованной эмиссией |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1069029A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8388400B2 (en) | 2008-12-02 | 2013-03-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of fabricating electron-emitting device and method of manufacturing image display apparatus |
-
1982
- 1982-06-18 SU SU823456516A patent/SU1069029A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Фурсей Г. Н., Шакирова С. А. Электронно-лучевые и фотоэлектрические приборы, вып. 1, 1969, с. 99. 2.Изв. АН СССР. «Физика, 1969, т. 33, № 3, с. 536. 3.Авторское свидетельство СССР № 293514, кл. Н 01 J 1/30, 1968 (прототип). * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8388400B2 (en) | 2008-12-02 | 2013-03-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of fabricating electron-emitting device and method of manufacturing image display apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7804073B2 (en) | Liquid metal ion gun | |
US5595933A (en) | Method for manufacturing a cathode | |
US5836796A (en) | Field effect electron source, associated display device and the method of production thereof | |
DE3563577D1 (en) | Semiconductor device for producing an electron beam | |
GB2087139A (en) | Alloys for liquid metal ion sources | |
Mair et al. | Gallium‐field‐ion emission from liquid point anodes | |
US4670685A (en) | Liquid metal ion source and alloy for ion emission of multiple ionic species | |
SU1069029A1 (ru) | Автоэлектронный эмиттер с локализованной эмиссией | |
US3486058A (en) | Sputter resistive cold cathode for low pressure gas discharge device | |
Lewis et al. | Influence of the cathode surface on arc velocity | |
KR100315123B1 (ko) | 전자빔 장치용 음극 물질 | |
KR20000028717A (ko) | 전자빔 장치의 음극 물질 및 그 제조방법 | |
GB2150745A (en) | Liquid metal ion source | |
SU828261A1 (ru) | Способ изготовлени острийного автоэмиттераС лОКАлизОВАННОй эМиССиЕй | |
Wilson | Surface ionization of indium and aluminum on iridium | |
JP2712539B2 (ja) | 電子ビーム蒸着源 | |
US4459323A (en) | Process for producing an impregnated cathode with an integrated grid, cathode obtained by this process and electron tube equipped with such a cathode | |
JPH0360140B2 (ru) | ||
SU654018A1 (ru) | Холодный катод | |
JPS63221546A (ja) | 液体金属電子源 | |
Burns | Cesium Partial Pressure Over a Cs3Sb Photocathode | |
RU29805U1 (ru) | Катодный узел ионного источника | |
Raju et al. | Manifestations of sustained secondary electron emission from tin oxide films | |
Utlaut et al. | Liquid metal ion source and alloy for ion emission of multiple ionic species | |
Bodi | A flow synthesis of gallium phosphide and some properties of gallium phosphide powder layers |