SU1069029A1 - Автоэлектронный эмиттер с локализованной эмиссией - Google Patents

Автоэлектронный эмиттер с локализованной эмиссией Download PDF

Info

Publication number
SU1069029A1
SU1069029A1 SU823456516A SU3456516A SU1069029A1 SU 1069029 A1 SU1069029 A1 SU 1069029A1 SU 823456516 A SU823456516 A SU 823456516A SU 3456516 A SU3456516 A SU 3456516A SU 1069029 A1 SU1069029 A1 SU 1069029A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
emitter
emission
localized emission
electronic
tip
Prior art date
Application number
SU823456516A
Other languages
English (en)
Inventor
Валерий Андреевич Кузнецов
Борис Никитович Васичев
Юрий Леонидович Рыбаков
Original Assignee
Московский Институт Инженеров Гражданской Авиации
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Институт Инженеров Гражданской Авиации filed Critical Московский Институт Инженеров Гражданской Авиации
Priority to SU823456516A priority Critical patent/SU1069029A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1069029A1 publication Critical patent/SU1069029A1/ru

Links

Landscapes

  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

АВТОЭЛЕКТРОННЫЙ ЭМИТТЕР С ЛОКАЛИЗОВАННОЙ ЭМИССИЕЙ, выполненный в виде острл  из тугоплавкого металла с присадкой элемента, образующего на поверхности пленку с низкой работой вы.хода, отличающийс  тем, что, с целью увеличени  срока службы эмиттера и его электронной светимости, в качестве присадки острие содержит по крайней мере один из элементов, вз тых пз группы литий, натрий , калий, цезий в количестве 0,05-0,1 вес /0.

Description

Oi со
о
rsD
СО
Изобретение относитс  к автоэмиссионпой электротехнике и может быть иснользовано 11)11 конструировании источников электронов дл  электронных приборов и, в частности , дл  электронно-зондовых нриборов.
JLiH увеличени  разре1наюш,ей способности электронно-зондовых приборов необходимы источники электронов с небольшим угловыми размерами, т.е. автоэмиттеры с локализацией автоэмиссии на небольшой об;1асти остри .
Такую локализацию можно получить, напыл   на автоэмиттер пленку активного вещества. Пленка циркони  на вольфра.ме позвол ет локализовать э.миссию в угле 0,05-0,1 стерадиан 1, гафни  - до 0,010 ,02 стерадиан 2.
Недостатками такой конструкции  вл ютс  необходимость н дополнительном внешне.м источнике Напыл емого элемента и .малый срок службы, так как в результате ионной бомбардировки поверхности эмиттера происходит распыление нленки активного компонента .
Наиболее близким к изобретению техничеокн .м решением  вл етс  автоэмиттер с лока .шзованной эмиссией, выполненный в виде остри  из тугоплавкого материала с присадкой элемента, образуюшего на поверхности пленку с низкой работой выхода 3.
В этом техническом решении дл  создани  локализации уже не нужен дополнительный Е5ненп1ий источник Напылени . Однако , выполненные в соответствии с этим решеiH-iCM катоды обладают недостаточным сроком с.тужбы и электронной свети .мости.
Целью изобретени   вл етс  увеличение срока службы автоэмиттера и увеличение его светимости.
Ностав.1енна  цель достигаетс  тем, что азтоэ,1ектронный эмиттер с локализованной эмиссией, вьнюлПенной в виде остри  из тугоплавкого металла с присадкой элемента, образуюнито на поверхности пленку с низкой работой выхода, в качестве присадки острие содержит но крайней мере один из элементов, вз тых из группы литий, натрий, ка.лпй, цезий в количестве 0,05-0,1 вес%.
З ффект .локализации э.миссионного тока достигаетс  сочетание.м процесса термического акти1и1ровани  эмиттируюшей поверхности остри  эмиссионпо-активной присадкой , растворенной в его объеме и доставленной на его поверхность за счет диффузии с процессо.м термополевой нерестройки, при кото)()й происходит рельефное выделение наиболее илотноунакованных граней. В резу.льтате на новерхности остри  образуютс  микровыстуиь:, состо щие из скоплеш-1  атомов э.миссионно-активной присадки , копцептрируюшихс , главным образом, 1 местах наибольшего градиента электрического пол . На микровыступах происходит локальное усиление электрического пол , а также за счет хемисорбционного взаимодействи  электроположительного к подложке адсорбата избирательное снижение работы выхода. Суммарный эффект изменени  Е и У дл  центральной грани позвол ет реализовать большую степень локализации эмиссионного тока.
Эффект избирательного изменени  работы выхода центральной грани остри  зависит от величины дипольного момента двойного сло , который в свою очередь зависит от радиуса атома адсорбата Гц, и плотности упаковки рассматриваемой грани подложки /hkl. Чем больше Гд, и чем больше phkE , тем больше будет значение Р. Среди электроположительных элементов наибольшее значение г имеют щелочные металлы Li, Na, К, Cs. К плотноупакованным гран м 0 W, имеющим тенденцию выдел тьс  от «термополевой перестройки, относ тс  грани (110), (100), (112). В соответствии с этим разрабатывалась система вольфрам + щелочные металлы (с ориентацией на одну из указанных граней).
Основна  трудность - создание сплава тугоплавкого металла с щелочным - заключаетс  в большей разнице их температур давлени  и испарени . Однако при получении монокритасталла W методом электронной зонной плавки данные металлы могут быть растворены в вольфрамовой матрице с общей концентрацией около 0,1%.
Нижн   граница содержани  элементов (0,05 вес.%) определ ет минимальный срок службы в 100 ч. При меньшем содержании элементов он становитс  .менее 100 ч., что не соответствует услови м работы автоэмиттера в микроскопе.
Сплав может быть получен зонной плавкой электронным лучом за два прохода скоростью 2-4 мм/мин вдоль кристаллографической оси 001. Образцы поперечным сечением 0,3x0,3 мм вырезаютс  вдоль этой оси электроискровым способом.
Травление остри  производ т в 1,5 N растворе NaOH при напр жении 5 В и токе 20мА.
Автоэмиттер монтировалс  в автоэлектронном микроскопе и откачивалс  до давлени  , соответствующего рабоче.му вакууму в электронно-зондовых приборах.
Прогрев автоэмиттера дл  активации при 1460 К в течение 3 мин в присутствии 5 пол  0,2 В/А приводит к миграции атомов из матрицы на поверхность остри  и образованною устойчивого скоплени  на грайи (001). При нрогреве свыше 1600 К начина ,1069029
j4
етс  рост образований р дом с гран миционарном режиме за 100 ч работы при
типа (110), что не удовлетвор ет услови мэлектронной светимости пучка, равной 4х
локализации эмиссии.10 а/см - Sr ток эмиссии изменилс  меИспытани  автокатода в рабочем вакууменее чем на 1%, что свидетельствует о по10 Па на срок службы показали, что в ста-вышении срока службы эмиттера.

Claims (1)

  1. АВТОЭЛЕКТРОННЫЙ ЭМИТТЕР С ЛОКАЛИЗОВАННОЙ ЭМИССИЕЙ, выполненный в виде острия из тугоплавкого металла с присадкой элемента, образующего на поверхности пленку с низкой работой выхода, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы эмиттера и его электронной светимости, в качестве присадки острие содержит по крайней мере один из элементов, взятых из группы литий, натрий, калий, цезий в количестве 0,05-0.1 вес и/0.
    О СО О ю СО
SU823456516A 1982-06-18 1982-06-18 Автоэлектронный эмиттер с локализованной эмиссией SU1069029A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823456516A SU1069029A1 (ru) 1982-06-18 1982-06-18 Автоэлектронный эмиттер с локализованной эмиссией

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823456516A SU1069029A1 (ru) 1982-06-18 1982-06-18 Автоэлектронный эмиттер с локализованной эмиссией

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1069029A1 true SU1069029A1 (ru) 1984-01-23

Family

ID=21017821

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU823456516A SU1069029A1 (ru) 1982-06-18 1982-06-18 Автоэлектронный эмиттер с локализованной эмиссией

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1069029A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8388400B2 (en) 2008-12-02 2013-03-05 Canon Kabushiki Kaisha Method of fabricating electron-emitting device and method of manufacturing image display apparatus

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Фурсей Г. Н., Шакирова С. А. Электронно-лучевые и фотоэлектрические приборы, вып. 1, 1969, с. 99. 2.Изв. АН СССР. «Физика, 1969, т. 33, № 3, с. 536. 3.Авторское свидетельство СССР № 293514, кл. Н 01 J 1/30, 1968 (прототип). *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8388400B2 (en) 2008-12-02 2013-03-05 Canon Kabushiki Kaisha Method of fabricating electron-emitting device and method of manufacturing image display apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7804073B2 (en) Liquid metal ion gun
US5595933A (en) Method for manufacturing a cathode
US5836796A (en) Field effect electron source, associated display device and the method of production thereof
DE3563577D1 (en) Semiconductor device for producing an electron beam
GB2087139A (en) Alloys for liquid metal ion sources
Mair et al. Gallium‐field‐ion emission from liquid point anodes
US4670685A (en) Liquid metal ion source and alloy for ion emission of multiple ionic species
SU1069029A1 (ru) Автоэлектронный эмиттер с локализованной эмиссией
US3486058A (en) Sputter resistive cold cathode for low pressure gas discharge device
Lewis et al. Influence of the cathode surface on arc velocity
KR100315123B1 (ko) 전자빔 장치용 음극 물질
KR20000028717A (ko) 전자빔 장치의 음극 물질 및 그 제조방법
GB2150745A (en) Liquid metal ion source
SU828261A1 (ru) Способ изготовлени острийного автоэмиттераС лОКАлизОВАННОй эМиССиЕй
Wilson Surface ionization of indium and aluminum on iridium
JP2712539B2 (ja) 電子ビーム蒸着源
US4459323A (en) Process for producing an impregnated cathode with an integrated grid, cathode obtained by this process and electron tube equipped with such a cathode
JPH0360140B2 (ru)
SU654018A1 (ru) Холодный катод
JPS63221546A (ja) 液体金属電子源
Burns Cesium Partial Pressure Over a Cs3Sb Photocathode
RU29805U1 (ru) Катодный узел ионного источника
Raju et al. Manifestations of sustained secondary electron emission from tin oxide films
Utlaut et al. Liquid metal ion source and alloy for ion emission of multiple ionic species
Bodi A flow synthesis of gallium phosphide and some properties of gallium phosphide powder layers