SU1068879A1 - Positive photoresist - Google Patents
Positive photoresist Download PDFInfo
- Publication number
- SU1068879A1 SU1068879A1 SU813339351A SU3339351A SU1068879A1 SU 1068879 A1 SU1068879 A1 SU 1068879A1 SU 813339351 A SU813339351 A SU 813339351A SU 3339351 A SU3339351 A SU 3339351A SU 1068879 A1 SU1068879 A1 SU 1068879A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- phenol
- formaldehyde resin
- xylene
- film
- formula
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
Abstract
ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ, включающий светочувствительный компонент, пленкообразующий компонент - резольную анилино-фенолформальдегидную смолу и растворитель - метилцеллозольвацетат ,о тличающийс тем, что,с целью повышени разрешающей способности,снижение микронеровности и уменьшени Дефектности получаемых. фоторезистивных пленок,он в качестве светочувствительного компонента содержит 1,2-нафтохи21ондиазид-POSITIVE PHOTORESIST, including a photosensitive component, film-forming component - an aniline-phenol-formaldehyde resin resolvent and methyl cellosolve acetate acetate solvent, in order to increase the resolution, reduce the asperity and reduce the defectiveness of the resulting. photoresistive films, it contains 1,2-naphthochi21one diazide- as a photosensitive component
Description
Изобретение относитс к электрон ной технике, в частности к позитивным фоторезистам, примен емым в про водстве изделий микроэлектроники,и 1может использоватьс при изготовлен хромированных и железоокисных фото|иаблонов . Известен позитивный фоторезист, включающий светочувствительный компонент 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэир общей формулы 1 Ht-SOg-O он ) где Rfl - остаток 1,2-нафтохинондиазида-О Rj - Н или -ОН; -алкил, -арил, -алкокси, -арилокси, -амино или гете роциклическа группаf пленкообразующий компонент - феноло формальдегидные смолы новолачного или резольного типа и органический растворитель 11. Недостатком такого фоторезиста вл етс невозможность получени вы сокой разрешающей способности (1,01 ,5 мкм) без дополнительной обработ ки подложки промоторами адгезии. Наиболее близким к предложенному вл етс позитивный -фоторезист,вклю чающий светочувствительный компонен 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфир йодированного 4,4 -диоксидифенилпропана , пленкообразующий компонент - смесь новолачной фенолформальдегидной смолы мол. массы 60Q 800 (марка ), новолачной фено формальдег дной смолы мол. массы 1500-2000 (марка СФ-0112) и оезоль ной анилино-фенолформальдегидной смолы мол. массы 400-600 (марка СФ-340), и органический растворител смесь метилцеллозольвацетата, диметилформамида и метилэтилкетонаL21 Недостатками известного фоторезис та вл ютс повышенные дефектность и микронеровность, а также недостаточна разрешающа способность полу фоторезистивных пленок. Разрешающа способность фоторезистивных пленок на основе известной композици; при толщине пленки 0,85 мкм составл ет 2,5-3 мкм, дефектность фоторезистивной плепки 1ЛКОЙ Ж1-Л толщины составл ет 10 л(4, м; микронеровность 170 JOO л. Цель изобретени - повышение разрешающей способности, снижение микронеровности и уменьшение дефектности получаемых фоторезистивных пленок, Поставленна цель достигаетс тем, что позитивный фоторезист, включающий светочувствительный компонент , пленкообразующий компонент резольную анилино-фенолформальдегидйую смолу и растворитель - метилцеллп ольвацетат , в качестве светочувствительного компонента содержит 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфозфир ксиленоло-фенолформальдегидной смолы общей ФОРМУЛЫ Т CHg-tyf-CHg-СНз СНз мол . масса 1400-2150, п 2-5, где при Y-нафтохинондиазидна групП- - ч. J ли при Х НХД-группа строени , при этом массова дол НХДгрупп в соединении формулы I находитс в интервале 30-45 мас.%, в качестве пленкообразующего компонента фоторезист дополнительно содержит ксиленоло-фенолформальдегидную смолу структурной формулы TI м.м. 900-1100, в зкость 50%-ного спиртового раствора 120-170 мПа- С и дополнительно содержит сорбиновую, или лауриновую, или абиетиновую кислоту при следующем соотношении компонентов, мас.%: 1, :2-Нафтохинондиазид- (21 -5-сульфо . эфир ксиленоло-фенолформальдегидной смолы формулы Т 6,70-11,2 Ксиленоло-фенолоформальдегидна смола формуЛ1:1 II 14,77-16,60 Резольна анилино-фенолформальдегидна смола1,00-3,04 Сорбинова , или лауринова ,.или абиетинова кислота 0,03-0,20 МетилцеллозольвацетатОстальное 1,2-НафтохиНондиазид-(2)-5-сульфо эфир ксиленоло-фенолформальде гидной смолы получают путем конденсации 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфохлорида с ксиленоло-фенолформальдегидной смолой среднемассовой мол. массы 900-1100 и имеющей в зкость 50%-ного спиртового раствора при в пределах 120-170 мПа-С. Реакцию провод т в растворе водного диоксана при 25-40с в присутствии бикарбоната кали . Содержание нафтохинондиазидных групп (НХД-груп в полученном продукте колеблетс -в пределах 30-45 мас.%. Получаемый продукт хорошо растворим в метилцел лозольвацетате при комнатной температуре и на холоде. Дл лучшей сов местимости компонентов фоторезиста в качестве пленкообразующего компонента используют ту же ксиленоло-фе нолформальдегидную смолу, что и дл получени светочувствительного продукта . Анилино-фенолформальдегидна смо ла резольного типа повышает гидрофобность фоторезистивной пленки и е адгезию к подложке. Добавление карб новых кислот - сорбиновой, или лаур новой, или абиетиновой уменьшает ко личество непро вленных включений и улучшает край про вл емого рисунка. Использование в качестве растворител метилцеллозольвацетата обеспечивает равномерность фоторезистив ной пленки по толщине - снижает ее микронеровность, что позвол ет использовать фоторезист при проекцион :ЮМ методе экспонировани . Предлагаемый фоторезист может бы использован на полупроводниковых tSiOg, Gej и металлических (.Си, А1, окислы Ке) подложках. Предпочтитель но использовать предложенный фоторезист- дл производства хромированных и окисножелезных фотошаблонов. Пример 1. Получение 1,2-нафтохинондиазид- (2)-5-сульфоэфира ксиленоло-фенолформальдегидной смолы В четырехгорлую колбу загружают 300 мл диоксана и 34 г ксиленолоформальдегидной смолы, имеющей в зкость 50%-ного спиртового раствора в интервале 120-170 мПа-С. К полученному раствору приливают 300 мл очищенного диоксанового раствора 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфохлорида с концентрацией 10 г в 100 мл раствора. При интенсивном перемешивании в реакционную массу в течение 5-10 мин приливают 10%-ный водный раствор бикарбоната кали в количегстве 170-200 мл так, чтобы рН реакционной массы находилась в интервале 7,5-8,0. По окончании загрузки реакционную массу выдерживают в течение 2 ч при 40С, при этом значение рН среды должно быть не ниже 7,0. После выдержки реакционную массу охлаждают до 15 С и при медленном перемешивании приливают к подкисленной смеси, содержащей 1,5 л Дистиллированной воды, 500 г льда и 10 мл концентрированной сол ной кислоты. При -этом выдел етс желтый аморфный осадок, который после 2 ч отстаивани отфильтровывают , промывают, дистиллированной водой до отсутстви ионов хлора в промывных водах и сушат в вакуумшкафу при температуре не выше 30°С над прокаленным хлористым кальцием. Получают 52 г светочувствительного эфира со Следующими характеристиками: массова дол влати 1%, массова дол остаточного сульфохлорида 0,3-i; массова дол НХД-групп (степень замещени ) 42%. Примеры 2-11. Композицию фоторезиста получают следующим образом , В колбу при перемешивании загружают последовательно метилцеллозольвацетат , одну из карбоновых кислот, 1,2-нафтохинондиазид- (2}-5-сульфоэфир ксиленоло-фенолформальдегидной СМОЛЫ, полученный по примеру 1, и перемешивают при комнатной температуре до полного растворени . К полученному раствору при работающей мешалке порци ми добавл ют резольную анилино-фенолформальдегидную смолу (марка СФ-340 Л) и ксиленоло-фенолформальдегидную смолу (марка СФ-051, в зкость 50%-ного спиртового раствора 120-170 мПа-С). Полученный раствор фильтруют через бумажный фильтр. Количественный состав композиций 2-11 приведен в табл. 1. Композицию перед использованием дополнительно фильтруют через фильтр типа миллипор с диаметром пор 0,5 мкм, а затем с диаметром пор 0,2 мкм и нанос т на подложку. В качестве подложки используют окисленные кремниевые пластины или стекло с напыленным хромом, Фоторезистивную пленку формируют методом центрифугировани при скорости вращени центрифуги 2500 3000 об/мин, причем фоторезист нанос т на подложку из шприца, имеющего предфильтр и фильтр тонкой очистки с диаметром пор 0,2 мкм. Подложку с нанесенным фоторезистомThe invention relates to electronic engineering, in particular, to positive photoresists used in the manufacture of microelectronic products, and can be used in chromium and iron oxide photographs. A positive photoresist is known, including the photosensitive component of 1,2-naphthoquinone diazide- (2) -5-sulfoair with the general formula 1 Ht-SOg-O (it) where Rfl is the residue of 1,2-naphthoquinon diazide-O Rj - H or -OH; -alkyl, -aryl, -alkoxy, -aryloxy, -amino or heterocyclic groupf film-forming component — phenol formaldehyde resins of novolac or resole type and organic solvent 11. The disadvantage of such a photoresist is the impossibility of obtaining high resolution (1.01, 5 µm) without additional processing of the substrate by adhesion promoters. The closest to the proposed is a positive photoresist that includes the photosensitive component 1,2-naphthoquinone-diazide- (2) -5-sulfoester iodized 4,4-dioxydiphenylpropane, the film-forming component is a mixture of novolac phenol-formaldehyde resin mol. mass 60Q 800 (brand), Novolac pheno formaldehyde resin mol. masses 1500-2000 (grade SF-0112) and anesol aniline-phenol-formaldehyde resin mol. mass 400-600 (grade SF-340), and an organic solvent mixture of methyl cellosolve acetate, dimethylformamide and methyl ethyl ketone. L21 The disadvantages of the known photoresis are increased defects and microscopic roughness, as well as insufficient resolution of the floor of photoresistive films. Resolution of photoresist films based on a known composition; with a film thickness of 0.85 µm, it is 2.5-3 µm, the defect of the photoresistive film 1LKOH1-L is 10 liters (4, m; irregularity 170 JOOL. The purpose of the invention is to increase the resolution, reduce the irregularity and decrease the defectiveness photoresistive films, the goal is achieved by the fact that a positive photoresist, including a photosensitive component, a film-forming component, an anilino-phenol-formaldehyde resin resol and a methylcellulose olvacetate solvent, as a photosensitive mponenta contains 1,2-naphthoquinone diazide- (2) -5-sulfo-ether xylene-phenol-formaldehyde resin of the total formula T CHg-tyf-CHg-CH3 CH3 mol. mass 1400-2150, p 2-5, where with Y-naphthoquinone diazide group Pp- including J, at X, the NHD group of the structure, wherein the mass fraction of NHD groups in the compound of formula I is in the range of 30-45 wt.%, the photoresist additionally contains a xylenol-phenol-formaldehyde resin of the structural formula TI as the film-forming component. 900-1100, the viscosity of a 50% alcohol solution is 120-170 mPa-C and additionally contains sorbic, or lauric, or abietic acid in the following ratio of components, wt.%: 1,: 2-Naphthoquinon-diazide- (21 -5- xylenol-phenol-formaldehyde resin sulphate of formula T 6.70-11.2 Xylenol-phenol-formaldehyde resin of formula L1: 1 II 14.77-16.60 Resol aniline-phenol-formaldehyde resin1,00-3.04 Sorbinova, or lauric, .or abietine Acid 0.03-0.20 Methyl cellosolvol acetate Others 1,2-Naphthochi Nondiazide- (2) -5-sulfo ether of xylene-phenol-formaldehyde resin They are obtained by condensation of 1,2-naphthoquinonediazide- (2) -5-sulfonyl chloride with a xylene-phenol-formaldehyde resin with a mass average molecular weight of 900-1100 and having a viscosity of 50% alcohol solution at 120-170 mPa-С. t in a solution of aqueous dioxane at 25–40 ° C in the presence of potassium bicarbonate. The content of naphthoquinone diazide groups (the NHD group in the resulting product varies from 30 to 45% by weight. The resulting product is well soluble in methylcellulose acetate at room temperature and in the cold. For the best compatibility of the photoresist components, the same xylenol-phenol-formaldehyde resin is used as the film-forming component as for the production of the photosensitive product. Aniline-phenol-formaldehyde resin of the resole type increases the hydrophobicity of the photoresistive film and its adhesion to the substrate. Adding carb new acids — sorbic, or laur, or abietic — reduces the number of unbleached inclusions and improves the edge of the pattern shown. The use of methylcellulose acetate as a solvent ensures the uniformity of the photoresistive film in thickness — it reduces its microscopic irregularity, which makes it possible to use a photoresist in the projection: NW exposure method. The proposed photoresist could be used on tSiOg, Gej semiconductor and metal (.Ci, A1, Ke oxides) substrates. It is preferable to use the proposed photoresist for the production of chrome-plated and oxide-iron photomasks. Example 1. Preparation of 1,2-naphthoquinone-diazide- (2) -5-sulfoester xylene-phenol-formaldehyde resin A four-necked flask is charged with 300 ml of dioxane and 34 g of xylene-formaldehyde resin having a viscosity of a 50% alcoholic solution in the range of 120-170 mPa- WITH. To the resulting solution is poured 300 ml of purified dioxane solution of 1,2-naphthoquinone diazide- (2) -5-sulfochloride with a concentration of 10 g in 100 ml of solution. With vigorous stirring, a 10% aqueous solution of potassium bicarbonate in a quantity of 170–200 ml is poured into the reaction mass for 5–10 min so that the pH of the reaction mass is in the range of 7.5–8.0. At the end of the loading, the reaction mass is maintained for 2 hours at 40 ° C, while the pH value of the medium should not be lower than 7.0. After aging, the reaction mass is cooled to 15 ° C and, with slow stirring, poured into an acidified mixture containing 1.5 liters of distilled water, 500 g of ice and 10 ml of concentrated hydrochloric acid. In this case, a yellow amorphous precipitate is precipitated, which after 2 hours of settling is filtered off, washed with distilled water to the absence of chlorine ions in the washing waters, and dried in a vacuum cabinet at a temperature not exceeding 30 ° C over calcined calcium chloride. 52 g of photosensitive ether are obtained with the following characteristics: mass fraction of 1%, mass fraction of residual sulfochloride 0.3-i; mass fraction of NCD groups (degree of substitution) is 42%. Examples 2-11. The photoresist composition is prepared as follows. Methyl cellosolve acetate, one of carboxylic acids, 1,2-naphthoquinone-diazide- (2} -5-sulfonofor xylenol-phenol-formaldehyde RESIN, prepared according to example 1, is sequentially charged to the flask with stirring and stirred at room temperature until completely dissolved. To the solution obtained, while working with the stirrer, we add the rezol aniline-phenol-formaldehyde resin (grade SF-340 L) and the xylenol-phenol formaldehyde resin (grade SF-051, viscosity of a 50% alcoholic solution 120-1 70 mPa-C) .The resulting solution is filtered through a filter paper. The quantitative composition of compositions 2-11 is shown in Table 1. Before use, the composition is additionally filtered through a millipore filter with a pore diameter of 0.5 μm, and then with a pore diameter of 0.2 The substrate is oxidized silicon wafers or glass coated with chromium. A photoresistive film is formed by centrifuging at a rotation speed of 2500 3000 rpm, and the photoresist is deposited on a substrate with a syringe filter and fine filter with a pore diameter of 0.2 .mu.m. Substrate with applied photoresist
сушат при комнатной температуре в ламинарном потоке очищенного воздуха в течение 1ч, затем - в термошкафу при С в течение 30 мин, после чего ее выдерживают не менее 16 ч в атмосфере азота,dried at room temperature in a laminar flow of purified air for 1 hour, then in a heating cabinet at C for 30 minutes, after which it is kept for at least 16 hours under nitrogen atmosphere,
Полученную фоторезистивную пленку экспонируют через шаблон контактным или проекционньм способом и про вл пот .The resulting photoresistive film is exposed through the template by the contact or projection method and exhibits sweat.
в качестве про вител используют дл пленки, нанесенной на .окисел кремни О, 7-0,8%-ныйвоДный раствор гидроокиси кали , дл пленки, нанесенной на хромированное стекло - ра .створ,содержащий NaH.PO 3,9 г tJajPOi,- I2II20 39,4 г, 58,6 г NagSiOj-pHjO в 1 Л воды.as a film for a film deposited on silicon oxide O, a 7–0.8% dilution solution of potassium hydroxide, for a film deposited on a chromed glass, a solution containing NaH.PO 3.9 g of tJajPOi, - I2II20 39.4 g, 58.6 g NagSiOj-pHjO in 1 L of water.
После про влени пробельные элементы подложки трав т в соответствующем травителе.В качестве ,травител используют дл окисла кремни буферный травитель, содержащий 10 в.ч. фтористого аммони , 20 в.ч. воды и 3 в.ч. фтористоводородной кислоты; дл хромовой подложки - раствор 150 г цери сернокислого и 50 мг серной кислоты в 800 МП воды.After the development, the space elements of the substrate are etched in the corresponding etchant. As a etchant, a buffer etch containing 10 bp is used for silicon oxide. ammonium fluoride, 20 v.ch. water and 3 incl. hydrofluoric acid; for a chromium substrate, a solution of 150 g of cerium sulfate and 50 mg of sulfuric acid in 800 MP of water.
После проведени , стадии травлени замер ют размер воспроизводимых элементов на подложке (разрешающа способность)..After completion, the etching steps measure the size of the reproducible elements on the substrate (resolution).
Свойства фрторезистивных пленок по примерам 2-11 представлены в табл. ,2,The properties of the photoresist films of examples 2-11 are presented in table. , 2,
Как следует из -табл. 2, предлагаемый фоторезист позвол ет получить методом центрифугировани блест щую фоторезистивную пленку (микронеровность не более 100 А), обеспечивающую высокие защитные свойства. Количество дефектов в фоторезистивной пленке толщиной ,0 мкм на кремниевой подложке составл ет 2-5 проколов/см, в пленке на подложке из хромированного стекла 0,02-0,1 проколов/см, Равномерна по толщине фоторезистивна пленка позвол ет использовать предлагаемый фоторезист в проекционной печати и получать разрешение элементов размером 0,8-1,5 мкм.As follows from the table. 2, the proposed photoresist makes it possible to obtain by the method of centrifugation a brilliant photoresistive film (micro irregularity not exceeding 100 A), which provides high protective properties. The number of defects in a photoresistive film with a thickness of 0 microns on a silicon substrate is 2-5 punctures / cm, in a film on a chrome-plated glass substrate 0.02-0.1 punctures / cm. The photoresistive film, uniform in thickness, allows using the proposed photoresist in projection printing and obtain a resolution of elements with a size of 0.8-1.5 microns.
Таблица 1Table 1
1 ,-Нафтохинойдиазид-б2)-5-сульдоэфчр1, -Naptohinoidiazid-B2) -5-suldoefchr
иодированного 4,4-диoкcиди .фeнилпpoпaнa, мас.%,iodized 4,4-dioxidine. phenylpropane, wt.%,
ксиленоло-фенолформальдегидной смолы, мае ,%,Xylenol-phenol-formaldehyde resin, May,%
Массова дол НХД-групп в сульфоэфире, %Mass fraction of NCD groups in sulfoether,%
Среднемолекул рна масса сульфоэфираWeight average sulfoester
Новолачна фенолформальдегидна смола, мас.%,Novolac phenol-formaldehyde resin, wt.%,
марки СФ-010marks SF-010
марки СФ-0112 marks SF-0112
Резольна анилино фенолформалоьдегидна смола марки СФ-340АResolna aniline phenol formaldehyde resin grade SF-340A
мас.%wt.%
В з.кость 50%-ного раствораIn z.kost 50% solution
в ацетоне, мПа«Сin acetone, mPa "С
Ксиленбло-фенолформальдегидна смола марки СФ-051, мас.%Xylene-phenol-formaldehyde resin grade SF-051, wt.%
В зкость 50%-ного спиртового раствора смолы при 20+0,Sc, мПа GThe viscosity of a 50% alcohol solution of the resin at 20 + 0, Sc, mPa G
Среднемолекул рна масса смоMedium molecular weight
Сорвинова кислота, мас.% Лауринова кислота мас.% Абиетинова кислота, мас.% Метилцеллоз6ль1вацетат, мас.% Метилэтилкетон, мас.%Sorcinic acid, wt.% Lauric acid, wt.% Abietic acid, wt.% Methylcelloz6l1vatsetat, wt.% Methyl ethyl ketone, wt.%
Дйметилформамид, мас.%Dimethylformamide, wt.%
8,28.2
7,3 11,2 11,27.3 11.2 11.2
41,030,0 30,036,641,030,0 30,036,6
НХД-Груп-НХД-Груп-НХД-груп-НХДпапапа группаNHD-Group-NHD-Group-NHD-group-NCDPapapa group
ННННNNNN
15731419 1419151215731419 14191512
33333333
2,9 . 1,51,51,52.9. 1,51,51,5
1515151515151515
14,77 15,27 15,215,214.77 15.27 15.215.2
150 150
150 150
150 1000 1000 1000150 1000 1000 1000
ОДOD
,0,1 0.1
0,03 75,00.03 75.0
75,0 75,075.0 75.0
1,2-Кафтохинондиа)ид-( 2)-5-супьфоэфир1,2-Kaftohinopenia) id- (2) -5-sufoether
иодированного 4,4-диоксидифенилпропана , мас.%iodized 4,4-dioxydiphenylpropane, wt.%
кснленоло-фенолформальдегидиой смолы,мае.%t Массова дол над-групп в сульфоэфире, %Xnlenol-phenol-formaldehyde resin, wt.% t Mass fraction of the above-groups in the sulfoether,%
.Среднемолекул рна масса сульфоэФираMedium molecular weight sulfoephira
Новолачна фенолформальдегидна смола, мас.%; марки СФ-010Novolac phenol-formaldehyde resin, wt.%; marks SF-010
марки СФ-0112marks SF-0112
Реэольна аннлино-фе.нолформальдегидна смола марки . СФ-340А, мас.%Reaeolnlinno-fe.noloformaldegidna pitch of brand. SF-340A, wt.%
В зкость 50%-ного раствора в ацетон, мПа.-СViscosity of 50% solution in acetone, mPa.-С
Ксилвноло-Феиолформальдегидна смола марки СФ-051, Mac.tKsilvnolo-Feiol formaldehyde resin grade SF-051, Mac.t
В зкость 50%-ного спиртового раствора смолы при 20+0,, мПаСThe viscosity of the 50% alcohol solution of the resin at 20 + 0 ,, MPaS
Срепнемолекул рна масса смоStronger molecular weight sm
Сорбинова кислота, мас.% Лауринова кислота, мас.% Авиетинова кислота, мас,% Метилцеллоэольрацетат, мае. Метилэтилкетон, мае. Диметилформамил, мас.%Sorbic acid, wt.% Lauric acid, wt.% Avietic acid, wt.% Methylcelloeolracetate, May. Methyl ethyl ketone, May. Dimethylformamil, wt.%
Продолжение тавл. 1Continued tavl. one
7,17.1
7,27.2
7,2 6,7 6,7 7,17.2 6.7 6.7 7.1
1591 1582 1591 1582
1582 1400 2150 1591 3 3 32531582 1400 2150 1591 3 3 3253
1,6 2,9 2,9 3,04 1,7 1,6 15 15 15 15 15 151.6 2.9 2.9 3.04 1.7 1.6 15 15 15 15 15 15
16,1 14,7 14,7 15,2 16,4 16,216.1 14.7 14.7 15.2 16.4 16.2
150д150150d150
150 ISO , 150 150 150 ISO, 150 150
1000 1000 1000 1000 1000 10001000 1000 1000 1000 1000 1000
0,03 0,2 0,20.03 0.2 0.2
0,20.2
0,2 - - 0,1 75,0 75,0 75,0 75,00.2 - - 0.1 75.0 75.0 75.0 75.0
75,0 75,0 НХД-группа 42,3 41,7 41,7 45,0 45,0 42,3 И И Н . Н н Н- нхд-груп-нхд-груп- над- над- гад- надпа па группа группа группа группа75.0 75.0 NHD-group 42.3 41.7 41.7 45.0 45.0 42.3 AND N. Nn N-Nkhd-group-Nkhd-group-nadgadgadnadapa group group group group
Толщина пленки, мкмFilm thickness, micron
Разрешающа способность (минимально воспроизводимый размер элементов, получаемый при проекционной печати ), мкм .Resolution (minimum reproducible size of elements obtained by projection printing), microns.
Дефектность, прокол/смDefect, puncture / cm
на хромированном стекле on chrome glass
на окисленном кремнии on oxidized silicon
еe
Микронеровность пленки, А Microroughness of the film, And
ПоказателиIndicators
Толищна пленки, мкм Разрешак да способность (минимально воспроизводикый размер элементов,получаемый при проекционной печати ), мкм 0,8 0,8 Дефектность, прокол/см на хромированном стекле 0,03 на окисленном кремнии 3,0 3,0 Микронеровность пленки, А ЮО 100 Film thickness, µm Resolution and capacity (minimum reproducible size of elements obtained by projection printing), µm 0.8 0.8 0.8 Defect, puncture / cm on chrome-plated glass 0.03 on oxidized silicon 3.0 3.0 Microroughness of film, A SO 100
0,8 0,7 0,8 0,80.8 0.7 0.8 0.8
1,01,50,80,81,01,50,80,8
6,06oil0,060,066.06oil0.060.06
2,05,05,02,02.05.05.05.02
100100100100100100100100
JS:Js:
Продолжение табл. 2Continued table. 2
I 7 8 I 9 I 101 11 I 12I 7 8 I 9 I 101 11 I 12
1,0 1,0 1,0 1,01,0 1,0 0,9 1,0 1,5 1,0 1,0 1,0 0,02 0,08 0,10 0,10 3,0 2,0 2,0 100 100 100 100 1001.0 1.0 1.0 1.01.0 1.0 0.9 1.0 1.5 1.0 1.0 1.0 0.02 0.08 0.08 0.10 0.10 3.0 2.0 2.0 100 100 100 100 100
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU813339351A SU1068879A1 (en) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | Positive photoresist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU813339351A SU1068879A1 (en) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | Positive photoresist |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1068879A1 true SU1068879A1 (en) | 1984-01-23 |
Family
ID=20977260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU813339351A SU1068879A1 (en) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | Positive photoresist |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1068879A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1046956A4 (en) * | 1998-11-09 | 2002-02-13 | Clariant Finance Bvi Ltd | Radiation-sensitive resin composition |
-
1981
- 1981-09-28 SU SU813339351A patent/SU1068879A1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. Патент US № 3666475, кл. G 03.С 1/52, 1972. 2. Фоторезист позитивный ФП-РН-7-2 ТУ 6-14-14-98-77. Технические услови . В-О СоюзаниЛпром. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1046956A4 (en) * | 1998-11-09 | 2002-02-13 | Clariant Finance Bvi Ltd | Radiation-sensitive resin composition |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4424270A (en) | Light-sensitive mixture comprising a naphthoquinonediazidesulfonic acid ester and process for preparing said ester | |
| US4529682A (en) | Positive photoresist composition with cresol-formaldehyde novolak resins | |
| US4837121A (en) | Thermally stable light-sensitive compositions with o-quinone diazide and phenolic resin | |
| US4587196A (en) | Positive photoresist with cresol-formaldehyde novolak resin and photosensitive naphthoquinone diazide | |
| JP3968177B2 (en) | Fine resist pattern forming method | |
| EP0126266B1 (en) | Low striation positive resist composition | |
| EP0800664B1 (en) | Metal ion reduction in novolak resin using an ion exchange resin in a polar solvent and photoresists compositions therefrom | |
| US4036644A (en) | Photoresist process and photosensitive O-quinone diazide article with aliphatic carboxylic acid as adhesion promotor | |
| EP0863925A1 (en) | Metal ion reduction in photoresist compositions by chelating ion exchange resin | |
| SU1068879A1 (en) | Positive photoresist | |
| US10976659B2 (en) | Photoresists comprising novolak resin blends | |
| JP2584316B2 (en) | Positive photoresist composition | |
| KR20100046363A (en) | Photoresist composition | |
| JPH0562735B2 (en) | ||
| US4797345A (en) | Light-sensitive 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonic acid monoesters of cycloalkyl substituted phenol and their use in light-sensitive mixtures | |
| US5322757A (en) | Positive photoresists comprising a novolak resin made from 2,3-dimethyl phenol,2,3,5-trimethylphenol and aldehyde with no meta-cresol present | |
| EP0852341B1 (en) | Method for the pattern-processing of photosensitive resin composition | |
| US6773858B2 (en) | Positive photoresist composition | |
| US4970287A (en) | Thermally stable phenolic resin compositions with ortho, ortho methylene linkage | |
| KR20060073482A (en) | Process for the preparation of a photoresist solution | |
| JPH0527430A (en) | Positive photoresist composition | |
| KR910010259B1 (en) | Photosensitive resin composition | |
| SU781745A1 (en) | Positive photoresist | |
| JPS60158461A (en) | Developing solution | |
| US5024921A (en) | Thermally stable light-sensitive compositions with o-quinone diazide and phenolic resin used in a method of forming a positive photoresist image |