Изобретение относитс к радиоэл тронике и может использоватьс в ус ройствах обработки сигналов на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Известна лини задержки (ЛЗ ) на ПАВ, содержаща пьезоэлектрический звукопровод и расположенные на его поверхности излучающий и приемный встречно-штыревые преобразователи f Недостатками этой линии задержки вл ютс значительные искажени сиг нала при дисперсионной обработке и малый динамическийдиапазон. Наиболее близкой к изобретению вл етс ЛЗ на ПАВ, содержаща пьез электрический звукопровод, на повер ности которого расположены излучающий и приемный преобразователи и размещенна между ними пленочна структура. В этой ЛЗ пленочна структура выполнена однослойной:из материала, обладающего дисперсией скорости распространени ПАЕ С2. Недостатком известной ЛЗ вл етс небольшой динамический диапазон. Целью изобретени вл етс расши рение динамического диапазон-а. Эта цель достигаетс тем, что в ЛЗ на ПАВ, содержащей пьезоэлектрический звукопровод, на поверхности которого расположены Излучающий и приемный преобразователи и размещённа между ними пленочна структу ра, пленочна структура выполнена из сло диэлектрика и расположенного поверх него сло проводника, при этом толщина сло диэлектрика Ьд и толщина сло проводника h р выбраны из услови е. „. . О, О - t, 0,2S gA ч н Ъ ,1Л, . и е диэлектрические про ницаемости сло диэлектрика и материа ла звукопровода соответственно; скорость ПАВ; нижн и верхн частоты соответственно полосы пропус кани ЛЗ; длина ПАВ. На чертеже показана конструкци предложенной ЛЗ.. Устройство содержит пьезоэлектри ческий звукопровод 1, излучающий пр образователь 2, приемный преобразователь 3, пленочную структуру, сост шую из сло диэлектрика 4 и сло проводника 5, Радиочастотный сигнал, поступающ на излучающий преобразователь 2, трансформируетс в ПАВ, котора рас простран етс по поверхности звукопровода 1 и иа приемном преобразова теле 3 трансформируетс в радиочастотный сигнал. При этом слоиста структура 4 и 5, выполненна на.звукрпройоде между преобразовател ми, создает дисперсию дл распростран ющихс ПАВ, котора преп тствует развитию нелинейнь1Х эффектов. В такой системе возникающие гармоники ПАВ сначала нарастают по амплитуде, а потом убывают до нул , возвраща при этом энергию волне основной частоты. Этот процесс периодически повтор етс . Чем больше дисперси ,.тем короче участок звукопровода, на котором нарастает амплитуда гармоник, и тем меньше максимальна амплитуда гармоник . Таким образом,, рост амплитуды гармоник ограничен, а следовательно, ограничены нелинейные искажени сигнала и его затухание,св занное с перекачкой энергии, вверх по спектру. Выбор толщины диэлектрика в соответствии с указанным выше условием обеспечивает максимальную дисперсию, в полосе ЛЗ. Дл узкополосных линий задержки толщину сло диэлектрика целесообразно определ ть по формуле 1 .. 87ГБ, L П. - - / ГГ где К -.коэффициент электромеханической св зи; центральна частота ЛЗ/ врем задержки} целое положительное число, причем п выбирают таким, чтобы выполн лось условие gnfo 0,05 ,25 Выбор толщины диэлектрика по этой формуле позвол ет, кроме максимальной дисперсии, обеспечить 1минимальный уровень второй гармоники на приемном преобразователе, т.е. минимальный уровень нелинейных искажений. Толщина сло проводника должна обеспечивать достаточную его .проводимость и может быть весьма малой. При использовании алюмини достаточен слой толщиной 0,01 мкм. Верхний предел толщины сло проводника определ етс ограничением на суммарную толщину двухслойной структуры. Дисперси в предложенной ЛЗ невелика , врем задержки весьма слабо зависит от частоты. Так, например, дл ЛЗ на звукопроводе из ниобата лити , имеющей полосу пропускани 50%, изменение времени задержки превышает 0,15%. В большинстве случаев такой зазисикостью времени задержки от частоты можно пренебречь. Дл узкополрсных ЛЗ наличие такой дисперсии вообще несущественно. 3 . 105009 ЛЗ, выполненна на звукопроводе из ниобата лити У - среза, рассчитанна на частоту 86 мГц и врем задержки 10 мин и содержаща двухслойную пленочную структуру из сло диэлектрика (MgF2) толщиной О,О9 мкм5 и сло проводника (AS) толщиной , 0,04 мкм, имеет динамический диапазон более чем на 12 дБ, больший по 6. 4 сравнению с аналогичной ЛЗ без такой пленочной структуры, По сравнению с известными предложенна ЛЗ на ПАВ позвол ет производить обработку радиочастотных сигналов в значительно-более широком диапазонё их амплитуд, обеспечива при этом малые искажени обрабатываемых сигналов.The invention relates to radio electronics and can be used in devices for processing surface acoustic wave (SAW) signals. The known delay line (LZ) on the SAW, which contains a piezoelectric acoustic duct and radiating and receiving interdigital transducers located on its surface, f. The disadvantages of this delay line are significant signal distortions during dispersion processing and a small dynamic range. Closest to the invention is an LZ on a surfactant containing a piez electric duct, on the surface of which are radiating and receiving transducers and a film structure placed between them. In this LZ, the film structure is made of a single layer: from a material having a dispersion of the propagation velocity of PAE C2. A disadvantage of the known LZ is a small dynamic range. The aim of the invention is to expand the dynamic range-a. This goal is achieved by the fact that in LZ on a surfactant containing a piezoelectric acoustic duct, on the surface of which there are Emitting and receiving transducers and a film structure placed between them, the film structure is made of a dielectric layer and a conductor layer located on top of it, bd and the thickness of the conductor layer h p selected from the condition e. „. . O, O - t, 0,2S gA h n b, 1L,. and e are the dielectric permeabilities of the dielectric layer and the sound duct material, respectively; surfactant speed; the lower and upper frequencies, respectively, of the band skip can LZ; surfactant length The drawing shows the construction of the proposed LZ .. The device comprises a piezoelectric duct 1, an emitting device 2, a receiving transducer 3, a film structure consisting of a dielectric layer 4 and a layer of conductor 5. The RF signal transmitted to the emitting converter 2 is transformed into a surfactant which propagates along the surface of the conduit 1 and the receiving transducer 3 is transformed into an RF signal. In this case, the layered structure 4 and 5, made on the sound of the transducer between the transducers, creates a dispersion for propagating surfactants, which prevents the development of nonlinear effects. In such a system, the emerging surfactant harmonics first increase in amplitude, and then decrease to zero, thus returning the energy to the fundamental frequency wave. This process is periodically repeated. The greater the dispersion, the shorter the section of the sound duct on which the amplitude of the harmonics grows, and the smaller the maximum amplitude of the harmonics. Thus, the growth of the harmonic amplitude is limited, and, therefore, the nonlinear distortion of the signal and its attenuation associated with energy transfer up to the limit are limited. The choice of dielectric thickness in accordance with the above condition ensures maximum dispersion in the LZ band. For narrow-band delay lines, the thickness of the dielectric layer is advisable to be determined by the formula 1 .. 87 GB, L P. - - / GG where K is the coefficient of electromechanical communication; center frequency ЛЗ / delay time} is a positive integer, and n is chosen such that gnfo condition is 0.05, 25 The choice of dielectric thickness using this formula allows, in addition to maximum dispersion, to provide 1 min. second harmonic level on the receiving transducer, t. e. minimum level of non-linear distortion. The thickness of the conductor layer must provide sufficient conductivity and may be very small. When aluminum is used, a layer with a thickness of 0.01 µm is sufficient. The upper limit of the thickness of the conductor layer is determined by the limit on the total thickness of the two-layer structure. Dispersion in the proposed LZ is small, the delay time is very weakly dependent on frequency. So, for example, for LZ on a suction line made of lithium niobate, having a bandwidth of 50%, the change in the delay time exceeds 0.15%. In most cases, such intrusive delay time versus frequency can be neglected. For narrow-field LZ, the presence of such a dispersion is generally insignificant. 3 105009 LZ, made on the Y-cut lithium niobate duct, calculated for a frequency of 86 MHz and a delay time of 10 min and containing a two-layer film structure of a dielectric layer (MgF2) with a thickness of 0, O9 μm5 and a layer of conductor (AS) with a thickness of 0.04 micron, has a dynamic range of more than 12 dB, greater than 6. 4 compared to a similar LZ without such a film structure. Compared with the known, the proposed LZ on a surfactant allows the processing of radio frequency signals to a much wider range of amplitudes, providing this ma s distortion processed signal.