SU1045391A1 - Current selector switch - Google Patents
Current selector switch Download PDFInfo
- Publication number
- SU1045391A1 SU1045391A1 SU823408979A SU3408979A SU1045391A1 SU 1045391 A1 SU1045391 A1 SU 1045391A1 SU 823408979 A SU823408979 A SU 823408979A SU 3408979 A SU3408979 A SU 3408979A SU 1045391 A1 SU1045391 A1 SU 1045391A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistors
- source
- collectors
- transistor
- current
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ТОКА, содер|жа1Ц1|й два бипол рных транзистора одного типа проводимости,. эмиттеры КОТО1Ж1Х соединены с первым источником посто нного тока, второй и третий источники посто нного тока, с которыми соединены коллекторы транSHCTOpOjj , два Источника управл ющих сигналов,с которыми соединены базы транзисторов, первый диод Шоттки, включенный между коллекторами транзисторов , и источник посто нного напр жени , о т л и ч а ю щ и и с тем, что, с целью повышений быстродействи , введены второй, третий и четвертый диоды Шоттки, причем второй диод Шоттки включен встречно-параллельно первому диоду Шоттки, а третий и четвертый диоды Шоттки включены в пр мом направле ,НИИ между шиной источника посто нного напр жени и коллекторами транзисторов . с (О (Л N 01 со ееCURRENT SWITCH, containing | two bipolar transistors of the same conductivity type ,. KOTO1ZH1X emitters are connected to the first DC source, the second and third DC sources to which transHCTOpOjj collectors are connected, two control signal sources to which the transistor bases are connected, the first Schottky diode connected between the collectors of transistors, and a constant voltage source so that, in order to increase the speed, the second, third and fourth Schottky diodes are introduced, the second Schottky diode being connected opposite to the first Schottky diode, and the third and fourth The Schottky diodes are connected in the forward direction, the scientific research institutes between the DC bus and the transistor collectors. with (O (L N 01 with her
Description
Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использоВанов логических элементах, коммутаторах р триггерах, формирующих и кодируквдих устройствах, аналого-цифровых преобразовател х.The invention relates to a pulse technique and can be used with logic elements, switches, triggers, forming and coding devices, and analog-to-digital converters.
Известен переключатель тока, построенный на бипол рных транзисторах с резисторами в коллекторных цеп х 1.A current switch is known, built on bipolar transistors with resistors in a collector circuit x 1.
Однако в этом устройстве динамические возможности транзисторов используютс неэффективно. . ,However, in this device, the dynamic capabilities of the transistors are used inefficiently. . ,
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому вл етс переключатель тока, содержащий два ;бипол рных транзистора одного типа проводимости, эмиттеры которых со;единены с первым источником посто нного тока, второй и третий источ ники посто нного тока, с которыми соединены коллекторы транзисторов, два источника управл ющих сигналов, с которыми соединены базы транзисторов , первый диодШоттки, включенный между коллекторами транзисторов , и источник посто нного напр жени . В этом устройстве обеспечиваетс быстрое формирование перепада напр жени на коллекторе включившегос транзистора 2 .The closest in technical essence to the present invention is a current switch comprising two bipolar transistors of one type of conductivity, the emitters of which are connected to the first direct current source, the second and third direct current sources to which the collectors of transistors are connected, two source control signals, which are connected to the base of the transistors, the first diode Schottky, connected between the collectors of transistors, and the source of constant voltage. This device ensures the rapid formation of a voltage drop across the collector of the activated transistor 2.
Однако перепад напр жени на коллекторе включенного транзистора формируетс замедленно, что снижает быстродействие переключател ток-а.However, the voltage drop across the collector of the switched on transistor is formed slowly, which reduces the speed of the current switch.
Дель изобретени - повышение быстродействи .The invention of the invention is an increase in speed.
. Поставленна цель достигаетс тем, что переключатель тока, содержащий два бипол рных транзистора одного типа проводимости; эмиттеры которых соединены с первым источником посто нного тока, второй и третий источники посто нного тока, с которыми соедине.ны коллекторы транзисторов , два источника управл югцих сигналов, с которыми соединены базы транзисторов, первый диод.Шоттки,. The goal is achieved by the fact that a current switch containing two bipolar transistors of the same conductivity type; the emitters of which are connected to the first source of direct current, the second and third sources of direct current, to which the collectors of transistors are connected, two sources of control signals with which the bases of transistors are connected, the first diode of Schottky,
. включенный между коллекторами транзисторов , и источник посто нного напр жени , введены второй, третий и четвертый диоды Шоттки, причем второй диод Шотткивключен встречно-параллельно .первому диоду Шоттки а третий и четвертый диоды Шоттки включены в пр мом направлении между шиной источника посто нного напр жени и коллекторами транзисторов, На чертеже представлена принципиальна электрическа схема устройства .. connected between the collectors of transistors, and a source of constant voltage, introduced the second, third and fourth Schottky diodes, the second Schottky diode switched on counter-parallel to the first Schottky diode and the third and fourth Schottky diodes included in the forward direction between the bus voltage source and collectors of transistors. The drawing shows a circuit diagram of the device.
Переключатель тока содержит транзисторы 1 и 2, эмиттеры которых соединены с первым источником 3 посто нного тока, источники 4 и 5 управл ющих сигналов, с которыми соединены базы транзисторов 1 и 2,The current switch contains transistors 1 and 2, the emitters of which are connected to the first DC source 3, sources 4 and 5 of the control signals to which the bases of transistors 1 and 2 are connected,
второй и третий источники 6 и 7 посто нного тока, с которыми соединен коллекторы транзисторов 1, 2 и четыре диода Шоттки 8-11.-Диод 8 включен между коллекторами транзисторов 1 и 2, ДиОд 9 включен встречно-параллельно диоду 8.,., а диоды 10 и 11 включены в пр мом направлении между шиной |12 источника посто нного напр жени и коллекторам транзисторов 1 и 2.Все источники напр жени и тока соединены с шиной 13 нулевого потенциала, а выходные сигналы переключател тока формируютс в узлах 14 и 15.the second and third sources 6 and 7 of direct current, to which collectors of transistors 1, 2 and four Schottky diodes 8-11 are connected. -Diode 8 is connected between collectors of transistors 1 and 2, diode 9 is connected anti-parallel to diode 8.,., and diodes 10 and 11 are connected in the forward direction between the bus | 12 voltage source and the collectors of transistors 1 and 2. All voltage and current sources are connected to the zero potential bus 13, and the output signals of the current switch are formed at nodes 14 and 15 .
Устройство работает следующим образом.The device works as follows.
Коллекторы транзисторов 1 и 2 через диоды Шоттки 10 и 11 соединены с шинйй 12 источника посто нного напр жени . Все источники напр жени и тока в устройстве соединены ;с шиной 13 нулевого потенциала. Выходные сигналы переключател тока формируютс в узлах 14 и 15. Между коллекторами транзисторов 1 и 2 параллельно и встречно вв.едены диоды Шоттки 8 и 9. Коллекторные цепи транзисторов 1 и 2 питают источники 6 и 7 посто нного тока.The collectors of transistors 1 and 2 are connected via a Schottky diode 10 and 11 to a DC 12 voltage source. All sources of voltage and current in the device are connected to the zero potential bus 13. The output signals of the current switch are formed in the nodes 14 and 15. Schottky diodes 8 and 9 are parallel and opposite in between the collectors of the transistors. The collector circuits of the transistors 1 and 2 feed the DC sources 6 and 7.
Пусть в исходном состо нии потенциал базы транзистора 1, фикси- руемый источником 4, заметно (на 0,4-0,7 В ) ниже, чем потенциал базы транзистора 2, фиксируемый источником 5. Поэтому транзистор 1 закрыт, а ток источника 3отбираетс из эмиттерной цепи транзистора 2Let in the initial state the potential of the base of the transistor 1, fixed by the source 4, is noticeably (0.4-0.7 V) lower than the base potential of the transistor 2, fixed by the source 5. Therefore, the transistor 1 is closed, and the current of the source 3 is taken from emitter circuit of transistor 2
8таком состо нии диод 11 смещен в пр мом направлении коллекторным то- |ком транзистора 1, диод 9 открыт током источника б, диоды 10 и 8 закрыты , коллекторный потенциал транзистора 1. близок к потенциалу шины 12. Дл обеспечени такого режима переключател необходимо, чтобы , сумма посто нных токов, генерируемых источниками б и 7, была меньше посто нного тока, генерируемого источником 3.In this state, diode 11 is biased in the forward direction by the collector current of transistor 1, diode 9 is open by the source of current b, diodes 10 and 8 are closed, the collector potential of transistor 1. is close to the potential of the bus 12. To provide such a switch mode, , the sum of the direct currents generated by sources b and 7 was less than the direct current generated by source 3.
Б динамике уровень сигнала, формируемого источником 4, повышаетс , а уровень сигнала, форг шруемого источником 5, снижаетс . В результате транзистор 2 закрываетс , и токи источника 3 переключаютс в эмиттерную цепь открывающегос транзистора 1. Коллекторный ток транзистора 2 резко спадает, а с ним уменьшает .с и ток проводимости диода 11, Ускоренное выключение диодов 11 иIn dynamics, the level of the signal generated by source 4 increases, and the level of the signal generated by source 5 decreases. As a result, transistor 2 is closed, and the currents of source 3 are switched into the emitter circuit of the opening transistor 1. The collector current of transistor 2 drops sharply, and with it decreases the conduction current of diode 11, the accelerated switching off of diodes 11 and
9обеспечиваетс источником 7 тока. Коллекторный ток отпирающегос транзистора 1 форсирует включение диода 10. Диод 8 включаетс под действием тока источника 7.9 is provided with a current source 7. The collector current of the enable transistor 1 forces the diode 10 to turn on. The diode 8 is turned on by the current of the source 7.
Очередное переключение тока, генерируемого источником 3, в эмиттерную цепь транзистора 2 достигаетс снижением потенциала базы транзистора 1 относительно потенциала базы транзистора 2. Резко возрастающий коллекторный ток транзистора 2 включает диоды 11 и 9. Ускоренному включению диода 9 способст|Вует и ток источника 6. В свою Ючередь, ток источника 6 обеспе .чивает быстрое выключение диодов 10 и 8.The next switching of the current generated by the source 3 into the emitter circuit of transistor 2 is achieved by reducing the potential of the base of transistor 1 relative to the potential of the base of transistor 2. The sharply increasing collector current of transistor 2 includes diodes 11 and 9. The acceleration of the diode 9 enables | its turn, the current source 6 provides a quick turn off of the diodes 10 and 8.
Таким образом., организаци электрических св зей в коллекторных цеп х транзисторов 1 и 2 обеспечивает форсированное выключение диода 10 {при выключении транзистора 1 и форсированное выключение диода 11 (при выключении транзистора 2), поэтому процессы выключени дцюдов 10 и 11 кратковременны. Тем самым обеспечиваетс быстрое формирование перепада напр жени на коллекторах выключенных транзисторов 1, 2 и соответственно повышаетс быстродействие переключател тока .Thus, the organization of electrical connections in the collector circuits of transistors 1 and 2 provides a forced turn off of diode 10 {when turning off transistor 1 and forced turning off diode 11 (when turning off transistor 2), therefore, the processes of turning off dyuses 10 and 11 are short-lived. This ensures the rapid formation of the voltage drop across the collectors of the off transistors 1, 2 and, accordingly, increases the speed of the current switch.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823408979A SU1045391A1 (en) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | Current selector switch |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823408979A SU1045391A1 (en) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | Current selector switch |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1045391A1 true SU1045391A1 (en) | 1983-09-30 |
Family
ID=21001701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU823408979A SU1045391A1 (en) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | Current selector switch |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1045391A1 (en) |
-
1982
- 1982-03-11 SU SU823408979A patent/SU1045391A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Патент US № 4249011, кл. 307-203. 2. Патент US 4210830, кл. 307-362. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
GB2195506A (en) | Cascode bimos driving circuit | |
US3217181A (en) | Logic switching circuit comprising a plurality of discrete inputs | |
US4109162A (en) | Multi-stage integrated injection logic circuit with current mirror | |
US4912335A (en) | Means for rapid charging and dynamic discharging of a capacitively charged electrical device | |
US3569742A (en) | Transistor switching circuit | |
US3553486A (en) | High noise immunity system for integrated circuits | |
SU1045391A1 (en) | Current selector switch | |
US3571616A (en) | Logic circuit | |
KR910013731A (en) | High Speed ECL / CML-TTL Translator Circuit for Use with TTL Gate Current Source Control and Drive and Clamp Circuits | |
US4137465A (en) | Multi-stage integrated injection logic circuit | |
EP0069853A2 (en) | A TTL logic gate | |
US4658253A (en) | Internally synchronous matrix structure for use in externally asynchronous programmable devices | |
DE3575059D1 (en) | AND GATE FOR ECL CIRCUITS. | |
US3795824A (en) | Transistor switching circuit | |
US3418492A (en) | Logic gates | |
SU1262719A1 (en) | Matching device | |
SU1336225A1 (en) | Transistor-to-transistor logic element | |
SU1378049A1 (en) | Majority element | |
US3226566A (en) | High speed common emitter switch | |
JP2734254B2 (en) | Level conversion circuit | |
SU473302A1 (en) | Low Voltage High Voltage Switch | |
SU1522360A1 (en) | Device for controlling thyristor power gate | |
US4827156A (en) | Non-overlapping switch drive in push-pull transistor circuit | |
US3733496A (en) | Variable modulo n scs type counter | |
SU902256A1 (en) | Matrix switching device |