SU1045182A1 - Устройство дл измерени ширины линии поглощени ферромагнитного материала - Google Patents

Abstract

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ШИРИНЫ ЛИНИИ ПОГЛОЩЕНИЯ ФЕРРОМАГНИТНОГО МАТЕРИАЛА, содержащее линию задержки , расположенную во внешнем посто нном магнитном поле, состо щую из входного и выходного микрополосковых преобразователей, нанесенных на диэлектрическую подложку, отличающеес  тем, что, с целью повышени  точности измерени  ширины линии поглощени , лини  задержки снабжена двум  дополнительными выходными микрополосковыми преобразовател ми, расположенными на диэлектрической подложке между входным и выходным микрополосковыми i преобразовател ми, причем рассто ни  между соседними выходными микро (Л полосковыми преобразовател ми не равны. li (г t , т--. . . ,, I I « I -«., I I / ЯЗг4| I fffjo, I f I / I XH g /lWfl 1 I 8 -2 -V N

Description

Изобретение относитс  к измерительной технике сверхвысоких частот (СВЧ), а точнее к устройствам дл  исследовани  свойств ферромагнитных материалов, и может быть использовано дл  исследовани  физических свойств тонких ферритовых пленок.

Известно устройство дл  измерени  ширины линии- поглощени  СВЧ мощности (2ЛНК), соответствующей возбуждению в ферромагнитном материале колебаний вектора намагниченности с волновым- числом К 2), где Л - длина волны колебаний, завис ща  от величины посто нного пол  подмагничинани  и частоты СВЧ сигнала, содержащее посто нный магнит, волновод или резонатор, в котором расположен исследуемый материал. Значение поглощени  определ етс  по различию в уровн х СВЧ мощности, зарегистрированной , до ферромагнитного материала и после, а также по измерению интенсивности отклика спинового эха при определенном рассто нии между сигнальным и опорным импульсами TlJ

Недостатком данного устройства  вл етс  низка  точность измерени  ширины линий поглощени  тонких слоев ферромагнитного материала.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности  вл етс  устройство дл  измерени  ширины линии поглощени  ферромагнитного материала, выполненное в виде линии задержкиf помещенной во внешнее посто нное магнитное поле и содеражащей входной и выходной микрополосковые преобразователи, нане-сенны-е на диэлектрическую подложку, отдел ющую исследуемый ферромагнитный материал от заземл ющей пластины 2. . , ,

Недостатком известного устройства  вл етс  низка  точность измерени  ширины линии поглощени  ферромагнитного материала, так как оно не позвол ет учесть вли ние внешнего посто нного магнитного пол  и частоты СВЧ сигна-ла на услови  возбуждени , затухани , и отражени  магнитостатических волн.

Цель изобретени  - повышение точности измерени  ширины линии поглощени  ферромагнитного материала.

Указанна  цель достигаетс  тем, что в устройстве дл  измерени  ширины линии поглощени  ферромагнитного материала, содержащем линию задержки , расположенную во внешнем посто нном магнитном поле, состо щую из входного и выходного микрополосковых преобразователей, нанесенных на диэлектрическую подложку, лини  задержки снабжена двум  дополнительными выходными микрополосковьгми преобразовател 1ми , расположенными на диэлектрической подложке между входным

и выходным микрополосковыми преобразовател ми , причем рассто ни  между соседними вЕлходными микрополосковыми преобразовател ми не равны.

На чертеже изображена схема устройства дл  измерени  ширины линии поглощени  ферромагнитного материала

На схеме условно обозначены падающа  PnoAf отраженна  Рдгр прошедша  РПР мощности магнитостатической .

отбираема  отвоны и мощность дом.

Устройство выполнено в виде линии задержки, помещенной во внешнее посто нное магнитное поле, создаваемое магнитами 1, содержащей входной 2 и выходной 3 микрополосковые преобразователи , нанесенные на диэлектрическую подложку 4, отдел ющую исследуемый ферромагнитный материал 5 от заземл ющей пластины б i4, снабженной двум  дополнительными выходными микрополосковыми преобразовател ми 7 и 8, расположенными на диэлектрической подложке 4 между входным 2 и выходным 3 микрополосковыми преобразовател ми.

Устройство работает следующимобразом , ,- .

Через.входной микрополосковый преобразователь 2 в исследуемый ферромагнитный материал 5 подаетс  СВЧ импульс с частотой заполнени , соответствующей диапазону возбуждени  магнитостатических волн при заданном значении вектора внешнего посто нного магнитного пол . Часть, мощности импульса, котора  не должна превышать допустимую дл  линейного режима возбуждени , преобразуетс-  в магнитостатическую волну и раздел етс  в ферромагнитном материале 5 на пр мую Р,р и обратную Пр ма  магнитостатическа  волна, испытав затухание и задержку на длине 1, достигает дополнительного микрополоскового преобразовател  7 с мощностью РПДД и раздел етс  на Porpi соответствующую мощности, отраженной от преобразовател  7, Р(р., , соответствующую мощности, прошедаей за преобразователь 7, и соответствующую мощности, отбираемой преобразователем 7. Магнитостатическа  волна, сортветствующа  Pnp-i снова  испытывает задержку и затухание на длине Ij. Падающа  на дополнительный микрополосковый преобразователь 8 мощность Рг, Раздел етс  на Ротрг РПР2 и отд2° Аналогичным образом распредел етс  мощность на выходном преобразователе 3.

Потери в ферромагнитном материале 5, позвол ющие определить значение ширины линии поглощени , св заны только с затуханием и задержкой пр мой магнитостатической волны между микрополоскоБыми преобразовател ми и могут характеризоватьс  коэффициентом передачи среды , который св зан с падающей и прошедшей мощностью следующим образом

/Р

Р

р;.

где i 2, 3, 4, и может быть найден из формулы полученной с учетом всех мощностейи длин между микрополосковыми преобразовател ми

,2 )

К„„ (р1  /р. - .13

от5, огб РОТ5,)

.

Указанна  формула позвол ет найти К(-р лишь в случае 1 j) т.е. рассто ни  между соответствующими микрополосковыми преобразовател ми 7 и 8, 8 и 3 должны быть не равны.

Изобретение позвол ет в б раз повысить точность измерени  ширины линии поглощени  тонких пле10 нок ферромагнитного материала .

Claims (1)

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ШИРИНЫ ЛИНИИ ПОГЛОЩЕНИЯ ФЕРРОМАГНИТНОГО МАТЕРИАЛА, содержащее линию задержки, расположенную во внешнем постоянном магнитном поле, состоящую из входного и выходного микрополосковых преобразователей, нанесенных на диэлектрическую подложку, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения ширины линии поглощения, линия задержки снабжена двумя дополнительными выходными микрополосковыми преобразователями, расположенными на диэлектрической подложке между входным и выходным микрополосковыми преобразователями, причем расстояния между соседними выходными микрополосковыми преобразователями не равны.