SU1035544A1

SU1035544A1 - Device for measuring magnetic field strength

Info

Publication number: SU1035544A1
Application number: SU823391460A
Authority: SU
Inventors: Тофик Алиевич Исмаил-Заде; Рауф Иса Бала Оглы Ибрагимов
Original assignee: Южное Отделение Всесоюзного Научно-Исследовательского Института Геофизических Методов Разведки
Priority date: 1982-04-02
Filing date: 1982-04-02
Publication date: 1983-08-15

Abstract

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРБтЯ НАПРЯЖЕННОСТИ МАГНИТНОГО У/////////А / i 7777/7 ПОЛЯ, содержащее магниторезистор и регистрирующий прибор, о т пи чающеес тем, что, с цепью повышени чувствительности при измерени х в обпас- ти слабых и сильных магшпгных попей, оно снабжено управл ющим диодом и носпедоватеш но соединенными гшнией задержки и переключателем, подключенным неподвижным контактом к регистрирующему прибору, при этом диод в направлении подключен к подвижр| ному контакту переключател и к Ьаиому . выводу магниторезист ч а, другой вывоа которого св зан с общей щиной ., (Лс: СлЭ сд 1:л 5 г 77777A DEVICE FOR MEASURING THE TENSION OF MAGNETIC / ///////// А / i 7777/7 FIELD, containing a magnetoresistor and a recording device, which is indicated by the fact that, with the sensitivity circuit during measurements in the area of weak and strong masses, it is equipped with a control diode and connected with a delay head and a switch connected by a fixed contact to the recording device, while the diode in the direction is connected to the mobile | to the first contact of the switch and to the boom. the conclusion of a magnetoresistive device, the other one which is connected with the total length., (Ls: CLE sd 1: l 5 g 77777

Description

77777 Изобретение относитс к измеритель ной технике н предназначено дл измеperaiH напр сеииослчй MarmiTHoro пол , Наиболее бпиеким к предлагаемому вл етс устройство дл измерени наг& р женнооти MarmiTHoro поп , содержа. щее магшггорезисторы, включенные по мостовой скеме, в одну диагональ которой Бкшочен ре1:истр1фую11шй прибор, а в apjTyro источник питагш Cl 3 : Недостатком устройства вл етс трудность измерегси Нйпр женности в области СИШЛ1ЫХ и слабык мйЗ нитнык попей, обусловленна неп нейными эффектами и пониженной чувствительность мшниторезисторов в указаннык диапазо нак измерений, Цель изобретеш - повышение чувст вительности устройства, при измерени х в области слабык и сильных магнитных полей. Поставленна цепь достигаетс тем, что устройстБо, содержащее магнито резистор и регистрирующий прибор, at. погоштегсьно снабжено управл готопу 1ДИОЦОМ и последовательно соедин;енны-. мн гапшей задержки и перекшочателем, подключенным неподвижным KOHTBICTOM к регистрирующему прибору, при этом о.иоц в пр мом направлений подключен к подвихшому контакту переклю1атеп н к одному выводу магийторезистора, другой вывоп которого св зан с общей шиной На чертеже показана схема предпагае 35 77777 The invention relates to a measuring technique which is intended to measure the direct power of the Marmi THoro field. The device most commonly proposed is a device for measuring loads & MarmoTHoro's primrose pop, containing The common magnetohigh resistors included on the bridge, in one diagonal of which the device is re-installed: the device, and in apjTyro, the source of power supply source Cl 3: In the range of measurements, the purpose of the invention is to increase the sensitivity of the device when measuring in the region of weak and strong magnetic fields. The supplied circuit is achieved by having a device containing a magneto resistor and a recording device, at. It is equipped with a 1DIOTS control and is connected in series; A multi-delay delay and a jumper connected by a stationary KOHTBICTOM to the recording instrument, while the forward direction is connected to the switching contact of the magnetoresistor, the other connected to the common bus. The drawing shows the diagram of the 35

мого уотройст-ва.my utoyrost va.

Устройство состоит из магнитор экстора Ij котЬрый подключен к одному из выходов генератора 2 пр моугольных импульсов, через управл юитй диод 3, вклкгг енный в пр мом йаправneinn к генератору 2 пр моугольных кмпульсов, гдцаш задержи 4, подклю чеиной к другому вь1ходу генератора 2 пр моугольньи KMnyiTbcoB и через п& рекшочатеш 5 к осциллографу 6.The device consists of an extruder magnet Ij which is connected to one of the outputs of the generator 2 rectangular pulses, via a control diode 3 connected to the generator 2 rectangular pulses, delayed 4, connected to the other side of the generator 2 squares KMnyiTbcoB and via n & RecSer 5 to oscilloscope 6.

Устройства работает следующим образом , The devices works as follows

При прохождении iiMtiynbca пр мого тока от генератора 2 пр моугольных, кмпульсов через управлшощий диод 3 на пойпецнем накапливаетс зар д, ко торый рассасываетс после окончани действи импульса, Вешгчина накоплен; ного зар да и скорость его рассасыв ни завис т txr ко 9ффиииенто йнжекшш пиода 3 и времени нщайи инжектированных носителей. Экгг накопленный заWhen iiMtiynbca is passing a direct current from a generator of 2 rectangular, cm-pulses through a control diode 3, a charge accumulates on the load, which dissipates after the end of the pulse, the Veshgchin accumulates; The total charge and its resolution do not depend on the tx-to-9th effects of the pyzone 3 and on the time of injected carriers. Ecg accumulated for

рение сигнала в любое врем i т , за даваемое линией задержки, т.е, в момент времени з срабатывает кшоч 5, и осциллограф 6 4Йксирует сигнал. Врем задерхскис з выбираетс таким, измерение сигнала производилось на участке спада поспеинжекционной ЭДС во времени. Нулевой точкой измер емого сигнала может быть люба точкаThe signal is generated at any time i t, given by the delay line, i.e., at time z, trip 5 is triggered, and the oscilloscope 6 4X is signaling. The time of the subsurface is chosen such that the signal was measured in the decay region of the backpressure EMF over time. The zero point of the measured signal can be any point.

5 на кривой спада во времени поспеиржекцио1гаой ЭДСо При наличии магнитного пол , его росте или спаде измен етс . сопротивление магниторезистора 1 ( К ::( Н ) j возникает сигнал, который н&Q поередственно измер етс на осциллографе 6. Так как поспеинжекционна ЭДС U(-fe) экспоненциально завис т от сопротивлени Рд мазггпггорезйАгора 1, то незначительное изменение последнего вызывает сверхлинейный рост выходно-.5 on the decay curve in time, the rate of succession. In the presence of a magnetic field, its growth or decay changes. the resistance of the magnetoresistor 1 (K:: (H) j a signal appears that is n & Q is measured on an oscilloscope 6. Since the post-injection EMF U (-fe) depends exponentially on the resistance Rd of the Amphora 1, a slight change in the latter causes superlinear growth output

го сигнала, что дает возможность иэмерить малые эдачени напр женностиsignal, which makes it possible to measure small strengths

магнитного пол , его незначительные , изменени в области сильных магнитных 44 р д про вл етс во внешней цепи как послеинжекционна ,|, ЭДС, скорость спада которой определ етс рекомбн апией и утечкой носителей зар да через внешнюю цепь, В случае, если врем жизни неосковных носителей больше посто гшой вр&мени внешней цепи, скорость спада послеинжекционной ЭДС. определ етс следующим соотношением: U((b)expl-- raeU(O)- напр жение на аиопе в момент окончани импульса пр мого тока; Сд барьерна емкость диода; R - экышалентное сопротивление цепи, через которое происходит рассасывание зар да; t J врем задержки, задаваемое линией задержки. Значени сопротивлени магниторезистора 1 и обратного сопротивлени аиода 3 можно подобрать так, что скорость спада послеинжекционной ЭДС будет зависеть только от сопротивлени магниторезистора 1 ( RM)I тогда при фиксированном значении t ;поспеинжек ционна ЭДС будет сверхлинейно зависеть от сопротивле1т магниторезистора 1. Лини задержки 4 в предлагаемом устройстве позвол ет производить изме31О355444the magnetic field, its insignificant, changes in the region of strong magnetic fields of 44 series manifest themselves in the external circuit as a post-injection, |, emf whose decay rate is determined by recombination and leakage of charge carriers through the external circuit, carriers are more constant, & times of the external circuit, the decay rate of the post-injection emf. is determined by the following relationship: U ((b) expl-raeU (O) is the voltage across the aiop at the moment of termination of the direct current pulse; Dd is the barrier capacitance of the diode; R is the ecyshalent resistance of the circuit through which charge dissipation occurs the delay time specified by the delay line.The values of the resistance of the resistor 1 and the inverse resistance of ayod 3 can be chosen so that the decay rate of the post-injecting electromotive force will depend only on the resistance of the resistor 1 (RM) I then at a fixed value of t; linearly dependent on soprotivle1t magnetoresistor 1. The line delay 4 in the proposed device allows to produce izme31O355444

попей, где сопротивпише магнитореаио- тсюопротивпени .увеличивает чувстввгора стремитс к насыщению.тепьностъ устройства при иэмерени11ХDrink where resistors are magnetically resistive. Increases the sensation in the heat tends to saturate.

Таким образом, сверхтшейна з&-капр жерности слабых и сильных магнитвисимость выхоциого (жгнапа от маги -ных попей.Thus, the super shsi g & -capacity of the weak and strong magnetism of the vyhotsiogo (zhgnap from magicians drink.

Claims

A DEVICE FOR MEASURING MAGNETIC FIELD TENSION, containing a magnetoresistor and a recording device, characterized in that, with a sensitivity enhancement circuit when measuring in the field of weak and strong magnetic fields, it is equipped with a control cytoc and connected in series with a delay pin and a switch fixed to a fixed contact to the recording device, while the diode in the forward direction is connected to the movable contact of the switch and to one. the output of the magnetoresistor, the other output of which is connected to a common bus. ,

SU „„ 1035544>