SU1035410A1 - Устройство дл определени толщины волокнистых материалов - Google Patents

Устройство дл определени толщины волокнистых материалов Download PDF

Info

Publication number
SU1035410A1
SU1035410A1 SU823419291A SU3419291A SU1035410A1 SU 1035410 A1 SU1035410 A1 SU 1035410A1 SU 823419291 A SU823419291 A SU 823419291A SU 3419291 A SU3419291 A SU 3419291A SU 1035410 A1 SU1035410 A1 SU 1035410A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
resistor
collector
emitter
base
Prior art date
Application number
SU823419291A
Other languages
English (en)
Inventor
Мухсинжон Мухитдинов
Original Assignee
Ферганский политехнический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ферганский политехнический институт filed Critical Ферганский политехнический институт
Priority to SU823419291A priority Critical patent/SU1035410A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1035410A1 publication Critical patent/SU1035410A1/ru

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ВОЛОКНИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащее источник питани , первый транзистор с двум  резисторами, коллектор которого через первый резистор подключен к выходу источника питани , эмиттер соединен с общим проводом непосредственно, а база через второй резистор, второй транзистор с двум  резисторами, коллектор которого мерез Первый резистор, а эмиттер через второй резистор соединены с выходом источника питани , а база подключена к коллектору первого транзистора, светодиод, включенный между эмиттером второго транзистора и общим проводом, и фоторезистор , выключенный между базой первого и коллектором второго транзисторов , от ли ч а ю щ е е с   тем, что, с целью повышени  чувствительности и расширени  диапазона измерени , оно снабжено третьим транзистором с двум  резисторами, коллектор которого через первый резистор, а эмИттер через второй резистор соединены с выходом источника питани , а базе соединена с коллектором второго транзистора и дополнительным светодиодом, включенным между эмиттером третьего транзистора и общим проводом. оо 01

Description

I Изббо тение относитс  к измерительной технике и может быть исполь зовано дл  измерени  толщины волок чистых материалов. Известно устройство дл  контрол  толщины волокнистых материалов, содержащее источник света, фотоприемник и блок обработки измерительного сигнала Г 1 1« Недостатки известного устройства невысока  надежность и низка  чувствительность . Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  устройство дл  определени  толщины вoлoкнV1cтыx материалов, содержащее источник питани , первый транзистор с двум  резисторами, коллектор которого через первый резистор подключен к выходу источника питани , эмиттер соединен с общим проводом непосредственно,а база - через второй резистор, второй транзистор с двум  резисторами, коллектор которого через первый резистор, а эмиттер через второй ре зистор соединен с выходом источника питани , а база подключена к кол лектору первого транзистора, светодиод , включенный между эмиттером вт рого транзистора и общим проводом, и фоторезистор, включенный между бааой первого и коллектором второго транзисторов 2 Недостатками устройства  вл ютс  невысока  чувствительность и неширокий диапазон измерени , Цель изобретени  - повышение чув ствительности и расширение диапазона измерени . Поставленна  цель достигаетс  тем, что устройство дл  определени  толщины волокнистых материалов, содержащее источник питани , первый транзистор с двум  резисторами, коллектор которого через первый резистор подключен к выходу источника питани , эмиттер соединен с общим проводом непосредственно, а база через второй резистор, второй транзистор с двум  резисторами, коллектор которого через первый резистор, а эмиттер через второй резистор сое динены с выходом источника питани , а база подключена к коллектору переого транзистора, светодиод, включенный между эмиттером второго тран зистора и общим проводом, и фоторезистор , включенный между базой первого и коллектором второго транзис 10J ТОРОВ, снабжено третьим транзистором с Двум  резисторами, коллектор которого через первый резистор, а эмиттер через второй резистор соединены с выходом источника питани , а база соединена с коллектором второго транзистора и дополнительным светодиодом , включенным.между эмиттером третьего транзистора и общим проводом. На чертеже приведена электрическа  схема предлагаемого устройства. Устройство содержита первый транзистор 1 с двум  резисторами 1.1 и 1.2, второй транзистор 2 с двум  резисторами 2.1 и 2,2, третий транзистор 3 с. двум  резисторами 3.1 и 3.2. светодиод i, включенный между эмиттером транзистора 2 и общим проводом , дополнительный светодиод S, включенный между эмиттером транзистора 3 и общим проводом, фоторезистор 6 и источник 7 питани . Устройство работает следующим образом . При подключении устройства к источнику 7 питани  первый транзистор 1 закрыт из-за большого темнового сопротивлени  фоторезистора 6 обратной св зи. Второй транзистор 2 открыт. Через светодиод k протекает ток, вызывающий свечение светодиода , Под действием потока излучени  светодиода k проводимость фоторезистора 6 начинает увеличиватьс . Koi- да сопротивление фоторезистора 6 достигает определенной величины, соответствующей порогу отпирани  первого транзистора 1, транзистор 1 отпираетс , и вследствие этого второй транзистор 2 запираетс . Светодиод гаснет. Теперь сопротивление .фоторезистора 6 спадает. Когда величина проводимости фоторезистора 6 достигает соответствующей величины напр жени  запирани  транзистора 1, транзистор 1 запираетс , и вследстие этого отпираетс  второй транзистор 2 . Светодиод снова начинает излучать, и цикл повтор етс . Уровень темновой проводимости фоторезистора 6 смещаетс  в зависимости от интенсивности потока излучени , поступающего на фоторезистор 6 от дополнительного светодиода 5 через контролируемый объект. При изменении толщины материала измен етс  интенсивность прошедшего потока и, следовательно, измен етс  часj ,4
тота колебаний на выходе устройства.1 чески св зан с первым светодибдом ,
Небольшие .изменени  значени  темно-срыва генерации не происходит. Вывой проводимости фоторезистора при-бором определенной величины тока
.вод т к значительным изменени м ча-светодиода 5 обеспечиваетс  необстоты повторени  импульсов, генери-j ходимый диапазон измерени ,
руемых генератором, что обеспечива-Изобретение позвол ет повнгемть
ет высокую чувствительность устрой-чувствительность и расширить диапаства . Так как фоторезистор 6 опти-зон измерений.

Claims (1)

  1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ВОЛОКНИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащее источник питания, первый транзистор с двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор подключен к выходу источника питания, эмиттер соединен с общим проводом непосредственно, а база - через второй резистор, второй транзистор с двумя резисторами, коллектор которого через Первый резистор, а эмиттер через второй резистор соединены с выходом источника питания, а база подключена к коллектору первого транзистора, светодиод, включенный между эмиттером второго транзистора и общим проводом, и фоторезистор, включенный между базой первого и коллектором второго транзисторов, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности и расширения диапазона измерения, оно снабжено третьим транзистором с двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор, а ' эмиттер через второй резистор соединены с выходом источника питания, а базе соединена с коллектором второго транзистора и дополнительным светодиодом, включенным между эмиттером третьего транзистора и общим проводом.
    d., 1035410
SU823419291A 1982-04-06 1982-04-06 Устройство дл определени толщины волокнистых материалов SU1035410A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823419291A SU1035410A1 (ru) 1982-04-06 1982-04-06 Устройство дл определени толщины волокнистых материалов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823419291A SU1035410A1 (ru) 1982-04-06 1982-04-06 Устройство дл определени толщины волокнистых материалов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1035410A1 true SU1035410A1 (ru) 1983-08-15

Family

ID=21005325

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU823419291A SU1035410A1 (ru) 1982-04-06 1982-04-06 Устройство дл определени толщины волокнистых материалов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1035410A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Патент GB № 1337020, кл. G 1 М, 1973. 2, Мухитдинов М. и др. Оптоэлектронный измеритель толщины. В кн.: Материалы республиканской научно-технической конференции молодых ученых, Ташкент, 1976, т. П, с. 61-63 (прототип). *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1600101A (en) Probe for detecting the presence of liquids
US3814935A (en) Photo-optical transducer
SU1035410A1 (ru) Устройство дл определени толщины волокнистых материалов
US4643568A (en) Method and apparatus for measuring the illuminating power of incident light
US3334309A (en) Light-to-frequency converter circuit
KR890015029A (ko) 회로차단기 테스트장치
US3924253A (en) Indicating system using pulsed optical techniques
CA1065976A (en) Alternating current liquid level indicator
US3610938A (en) Apparatus for monitoring operational parameters of high-voltage valves
US3523739A (en) Light meter for high powered repetitive light flashes
SU1525869A1 (ru) Термочувствительный мультивибратор
SU630733A1 (ru) Оптоэлектронный мультивибратор
SU478343A1 (ru) Фотоэлектрический преобразователь
FR2363829A1 (fr) Dispositif de commande d'apport d'energie
KR920017167A (ko) 선속측정 고광 차단회로
SU406131A1 (ru) УСТРОЙСТВО дл ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ
SU1732283A1 (ru) Измерительное устройство
JPS5640764A (en) Measuring unit of lightning current
JPS57108702A (en) Displacement meter
SU1375946A1 (ru) Устройство дл измерени параметров вращающихс объектов
SU377694A1 (ru) УСТРОЙСТВО дл ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ
SU1021957A1 (ru) Устройство дл измерени интенсивности световых потоков
JPH07280848A (ja) 光センサ
SU754214A1 (ru) Устройство для регистрации уровня освещенности 1
JPH0219703Y2 (ru)