Изобретение относитс к радиоэле тронике и может использоватьс в пр борах, работйющих на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Известен способ управлени амплитудно-частотной характеристикой (АЧХ), преобразователей ПАВ, по которому измен ют коэффициент отражени ПАВ путем изменени глубины па зов, образующих отражательную СТРУК ТУРУ I 1.3 Недостатком данного способа вл етс невозможность управлени АЧХ в процессе подачи ПАВ на отражатель преобразовател . . Наиболее близким к предлагаемому вл етс способ управлени АЧХ преобразователей ПАВ , по которому на пути распространени ПАВ формируют резонансную отражательную структуру из полупроводникового материала а также измен ют состо ние, носителей зар да в полупроводниковом мате риале 2. В указанном способе провод щие элементы резонансной структуры, образуют , воздейству пучком электронов на сплошной слой полупроводнико вой пленки. Недостатком способа вл етс мала эффективность управлени . АЧХ., Цель изобретени - повышение эффективности управлени АЧХ преобр зователей ПАВ за счет увеличени диапазона перестройки коэффициента отражени . Поставленна цель достигаетс тем, что согласно способу управлени АЧХ преобразователей ПАВ, по ко торому на пути распространени ПАВ формируют резонансную отражательную структуру из полу проводникового материала , а также измен ют состо ние носителей зар да в -полупроводниковом материале, регулируют периодическое изменение инкремента и скорости волны воздействием на эти элементы электромагнитным полем. Регулировку можно осуществл ть освещением структуры. Регулировку можно осуществл ть также электрическим напр жением, прикладываеким к элементам структуры . ; На чертеже показан один из вариантов устройства, реализующего предлагаемый способ. На пьезоэлектрической подложке i например, из ниобата лити расположены излучатель 2 ПАВ и отражательна структура 3 из тонких эквивалентных полос полупроводниковой пленки, например, сернистого кадми . Над отражательной структурой размещен источник 4 внешнего регули рующего воздействи . Возбуждаема на подложке 1 ПАВ подпадает на периодическую структуру 3 и проходит ее без отражени в ввиду малости массовой нагрузки плёнки и малой концентрации свободных . носителей в ней. Управл ющий источник 4 внешнего электромагнитного воздействи ( например осветительна лампа, лазер, светодиод) за счет фотоэффекта повышает концентрацию свободных носителей. Изменение концентрации свободных носителей приводит к изменению инкремента рас- . пространени ПАВ в области располржени полупроводниковой пленки. Поскольку скорость и затухание. ПАВ в покрытых пленкой местах отличаютс от скорости и затухани ПАВ на свободной поверхности, то на границе этих разнородных областей происходит отражение ПАВ. Если отраженные сигналы ПАВ совпадают по фазе, то коэффициент отражени резковозрастает . Пример.. Отражательна структура выполнена из пленки OdS , нанесенной на подложку из Ы MtjO 31-среза. Толщина пленки 1 мкм, изменение концентрации свободных носителей при подсветке от 10 до 10 см V подвижность носителей около 300 см В с. , коэффициент электромеханической св зи ПАВ 0,049. При этих величинах на частоте 30, мГд декремент ПАВ составл ет 7/см, а на частоте 100 мГц - 22/см. Коэффициент отражени при этом может измен тьс от О до величины пор дка 1. В качестве внешнего воздействи может быть использовано электрическое поле, подаваемое на отражательную структуру 3, замкнутую системой провод Ешх электродов, соединенных с источником управл надего электрического напр жени . При этом дрейф носителей зар да может ыть создан как вдоль отражател&ной структуры 3, так и поперек ее. При подаче управл ющего напр жени от источника в слоистой системе пленка-подложка можно реализовать режим усилени отражающейс от структуры 3 ПАВ посто нным или переменным дрейфом носителей зар да. При этом амплитуда отрс1Женного сигнала существенно; превышает амплитуду Ладающей ПАВ. Таким образом, з ффективный коэффициент отражени ПАВ от структуры 3 может измен тьс в пределах от О до величины, существенно превосход пэ|ей .1. При указанных параметрах коэффициент отражени ПАВ может достигать значений пор дка 10. Отражательную полупроводниковую ctpyKTypy можно создать путем инжекдии свободных носителей из металлических полосок, предварительно нанесенных на пьезоэлектрик. При этом состо ние свободных носителей.регулируют изменением напр женностиэлектрического пол , инжектирующего носителнг-в подложку. Как и в предыдущем случае , создава дрейф инжект руемых носителей, можно получить ус |ление ПАВ, проход щей через отражательную структуру, и управл ть коэф фициентом отражени . Отражательную структуру можно создать иэ полупроводниковых полос ,с нанесенными на них сверху метал|лическими з лектрода. Приложе|нием внешнего электрического пол , поперечного к поверхности .распространени ПАВ, измен ют приповерхностную концентрацию носителей в по проводниковой полосе. Например, дл полупроводника . И-типа поле, направленное к поверхности, вызывает уменьшение концентрации электронов вблили нее, а поле, направленное от поверхности , увеличивает, приповерхност ную концентрахц ю. Дл у силе ни эффекта пол вместо однородного полупроводника можно примен ть слокстук полугчроводниковую структуру из р Н переходов иди диодов Шоттки. Предлагаемый способ обеспечивает высокую эффективность управлени Г ;АЧХ преобразователей ПАВ эа счет зна чительного диапазона перестройки .коэффициента отражени . ,The invention relates to radio electronics and can be used in circuits operating on surface acoustic waves (SAW). The known method of controlling the amplitude-frequency characteristic (AFC) of SAW converters, by which the reflectance of the SAW is changed by changing the depth of the grooves forming the reflector TURU I 1.3. The disadvantage of this method is the impossibility of controlling the AFC during the process of applying SAW to the reflector of the converter. . The closest to the present invention is a method for controlling the AFCs of surfactant converters, in which the resonant reflective structure of a semiconductor material is formed along the propagation path of the surfactant and also changes the state of charge carriers in the semiconductor material 2. In this method, the conductive elements of the resonant structure, they are formed by an electron beam on a continuous layer of a semiconductor film. The disadvantage of this method is low control efficiency. AFC., The purpose of the invention is to increase the efficiency of the AFC control of surfactant converters by increasing the range of the reflection coefficient tuning. This goal is achieved by the fact that, according to the method of controlling the AFC of surfactant converters, along which they form a resonant reflective structure of the semiconductor material along the propagation path of the surfactant, they also change the state of charge carriers in the α-semiconductor material, regulate the periodic increment and wave velocity exposure to these elements of the electromagnetic field. Adjustment can be made by illuminating the structure. The adjustment can also be carried out by an electric voltage applied to the elements of the structure. ; The drawing shows one of the variants of the device that implements the proposed method. On the piezoelectric substrate i, for example, from niobate lithium, there are emitter 2 surfactants and a reflective structure 3 of thin equivalent strips of a semiconductor film, for example, cadmium sulfide. Above the reflective structure is placed the source 4 of an external regulating effect. Excited on the substrate 1 surfactant falls on the periodic structure 3 and passes it without reflection in view of the smallness of the mass load of the film and the low concentration of free. carriers in it. The control source 4 of an external electromagnetic effect (for example, a lighting lamp, a laser, an LED) increases the concentration of free carriers due to the photo effect. A change in the concentration of free carriers leads to a change in the increment of the ras. surfactant spaces in the expansion region of a semiconductor film. Since the speed and attenuation. The surfactant in the film-covered areas differs from the speed and attenuation of the surfactant on the free surface, then the surfactant is reflected at the boundary of these dissimilar areas. If the surfactant echoes coincide in phase, then the reflection coefficient increases sharply. Example .. The reflective structure is made of an OdS film deposited on a substrate of an MtjO 31 slice. The film thickness is 1 μm, the change in the concentration of free carriers with illumination from 10 to 10 cm V carrier mobility of about 300 cm V , electromechanical coupling coefficient of surfactant 0.049. With these values at a frequency of 30 mGd, the decrement of the surfactant is 7 / cm, and at a frequency of 100 mHz it is 22 / cm. In this case, the reflection coefficient can vary from 0 to a value of the order of 1. As an external effect, an electric field applied to the reflective structure 3, a system closed by a wire of Electrodes of electrodes connected to a source of controlled electrical voltage, can be used. In this case, carrier drift can be created both along the reflector & n structure 3, and across it. When a control voltage is supplied from a source in a film-substrate laminate system, it is possible to realize an enhancement mode reflected from the 3 surfactant structure by a constant or variable carrier drift. In this case, the amplitude of the corresponding signal is significant; exceeds the amplitude of the escaping surfactant. Thus, the effective reflection coefficient of the surfactant from structure 3 can vary from 0 to a value that is significantly superior to pe .1. With these parameters, the reflection coefficient of the surfactant can reach values of the order of 10. The ctpyKTypy reflective semiconductor can be created by injecting free carriers from metal strips previously deposited on the piezoelectric. In this case, the state of free carriers. Is adjusted by varying the voltage of the electric field injecting the carrier into the substrate. As in the previous case, by creating a drift of injected carriers, one can obtain the gain of the surfactant passing through the reflective structure and control the reflection coefficient. A reflective structure can be created using semiconductor strips with metallic electrodes deposited on top of them. By applying an external electric field transverse to the surface of surfactant propagation, the near-surface carrier concentration is changed in the conductor strip. For example, for semiconductor. An I-type field directed toward the surface causes a decrease in the concentration of electrons toward it, and a field directed away from the surface increases the subsurface concentration. For the strength of the field effect, instead of a homogeneous semiconductor, one can apply a slok-semi-semiconductor structure consisting of p H transitions and Schottky diodes. The proposed method provides high control efficiency G; AFC of SAW converters at the expense of a significant range of adjustment of the reflection coefficient. ,