SU1025308A1

SU1025308A1 - Лазер

Info

Publication number: SU1025308A1
Application number: SU3353168A
Authority: SU
Inventors: Александр Викторович Борткевич; Сергей Николаевич Карпухин; Валерий Михайлович Митькин; Александр Иванович Степанов
Original assignee: Предприятие П/Я Р-6681
Priority date: 1981-11-10
Filing date: 1981-11-10
Publication date: 1983-06-23

Abstract

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛАЗМЫ В СИСТЕМЕ ТИПА 0 -ПИНЧ, содержащеедиэлектрическую камеру, размещеннуюв соленоиде, подключенном через токоподводаа к импульсномуисточнику питания, и разомкнутый соленоид, отличающее ся тем, что, с целью расширения диапазонарабочих давлений, в него введен второй разомкнутый соленоид, при этом оба разомкнутых соленоида подключенык токоподводам,. изолированы и размещены в пространстве между соленоидом и камерой коаксиально друг другу, причем разомкнутый соленоид, прилегающий к камере, выполнен сеточным, с размером ячейки удовлетворяющимсоотношению D есЗ , с где J) и d соответственно, диаметри толщина стенки камеры. (Л

Description

Изобретение относится к технике получения и управления плазмой.

Известны устройства для получения плазмы в системе θ -пинч, содер жащие диэлектрическую разрядную камеру, помещенную в соленоид, под- 5 ключенный к. импульсному источнику питания [1].

При заданных начальных условиях (частоте и величине напряжения импульсного источника питания) ини- 10 циированный в области щели пробой газа переходит в замкнутый кольцевой разряд в узком диапазоне начальных давлений газа, что является недостатком известных устройств. 15

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является' устройство для получения плазмы в системе Θ -пинч, содержащее диэлек трическую разрядную камеру, размещенную в соленоиде, подключенном через основные токоподводы к испульс ному источнику питания й разомкнутый соленоид, размещенный вне одновиткового соленоида и подключенный посредством вспомогательных токоподводов к одновитковому соленоиду в области его щели C2J.

Известное устройство работает аналогично описанным выше, причем инициирование пробоя газа в нем происходит одновременно в областях щелей одновиткового и разомкнутого соленоидов.

Недостатком этого устройства также является узкий диапазон на- ’5 чальных давлений газа, при котором начальный аксиально несимметричный пробой перерастает в завершенный кольцевой разряд.

Цель изобретения - расширение 40 диапазона рабочих давлений газа.

Это достигается тем, что в устройстве для получения плазмы в системе типа 9-пинч введен второй разомкнутый соленоид, при этом оба 45 разомкнутых соленоида подключены к токоподводам, изолированы и размещены в пространстве между соленоидом и камерой коаксиально друг другу причем разомкнутый соленоид, прилегающий к камере, выполнен в виде сетки с размером ячейки Ζ , удовлетворяющим соотношению

D » С ?_? 01 где D и с?, соответственно, диаметр и толщина стенки камеры.

На чертеже дана схема устройства для получения плазмы в системе ти- ^;па θ-пинч.

Оно состоит из диэлектрической разрядной камеры 1, наполняемой рабочим газом, сеточного электрода 2 в виде разомкнутого соленоида, плотно обхватывающего разрядную камеру. 1, электрод 3 в виде разомкнутого сплошного соленоида, который наложен [через изолятор на электрод 2, и обхватывающего электроды 2 и 3 одновиткового соленоида 4, подключенного через.токоподводы 5 к импульсному источнику 6 питания, при этом электроды 2 и 3 соединены через токоподводы с разноименными полюсами источника 6 питания.

Предлагаемое устройство работает следующим.

При включении импульсного источника 6 питания на концах соленоида 4 появляется разность потенциалов и начинает протекать ток контура. Вблизи внутренней стенки диэлектрической камеры 1 появляется индук~ ционное азимутальное поле Εφ и квазистатическое поле Е _ст конденсатора, образованного дополнительными электродами 2 и 3, провалившееся через сеточный электрод 2 внутрь разрядной камеры 1.

В соответствии с условием суммарное поле +.Е_СТ максимально вблизи элементов сеточного электрода 2, причем области локальных возмущений поля, образованных элементами сеточного электрода 2, часто распределены по внутренней поверхности камеры 1 (так как Г»?) 'При величине суммарного поля, превышающего критическое для пробоя газа при заданных начальных условиях, в областях неоднородностей поля инициируются локальные разряды и возникают плазменные образования, которые, перемешиваясь между собой приводят к образованию однородного газового разряда.

Предлагаемое устройство позволяет ’ получать плазму с высокой степенью ионизации и хорошей повторяемостью параметров от разряда к разряду при давлениях нейтрального газа от 300 до 5-10~^мм рт.ст., что в , 100 раз превышает диапазон рабочих давлений газа в известной системе Q -пинча с одновитковым соленоидом.

Claims

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛАЗМЫ В СИСТЕМЕ ТИПА Θ -ПИНЧ, содержащее диэлектрическую камеру, раз мещенную в соленоиде, подключенном через токоподвода к импульсному источнику питания, и разомкнутый соленоид, отличающее ся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих давлений, в него введен второй разомкнутый соленоид, при “этом оба разомкнутых соленоида подключены к токоподводам, изолированы и размещены в пространстве между соленоидом и камерой коаксиально друг другу, причем разомкнутый соленоид, прилегающий к камере, выполнен сеточным, с размером ячейки ? удовлетворяющим соотношению р » г а, где D и d соответственно, диаметр и толщина стенки камеры.

□О

1025318