SU1025306A1 - Квантовый дискриминатор - Google Patents

Квантовый дискриминатор Download PDF

Info

Publication number
SU1025306A1
SU1025306A1 SU813240857A SU3240857A SU1025306A1 SU 1025306 A1 SU1025306 A1 SU 1025306A1 SU 813240857 A SU813240857 A SU 813240857A SU 3240857 A SU3240857 A SU 3240857A SU 1025306 A1 SU1025306 A1 SU 1025306A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
resonator
photodetector
cell
discriminator
order
Prior art date
Application number
SU813240857A
Other languages
English (en)
Inventor
В.Н. Алфеев
Т.В. Большакова
Е.Ю. Пашенков
Е.П. Кокин
Ю.В. Сурин
М.Г. Вишин
В.Н. Ионов
Original Assignee
Организация П/Я В-8466
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Организация П/Я В-8466 filed Critical Организация П/Я В-8466
Priority to SU813240857A priority Critical patent/SU1025306A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1025306A1 publication Critical patent/SU1025306A1/ru

Links

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

КВАНТОВЫЙ ДИСКРИЩНАТОР на парах рубиди , включающий источник излучени ,  чейку-фильтр и  чейку поглощени , расположенную в резонаторе , термостат и фотодетектор, отличающийс  тем, что, с целью повышени  стабильности частоты при одновременном уменьшении габаритов , фотодетектор выполнен селективным на основе многослойного широкозонного полупроводника с электродами, ;причем один из электродов выполнен в виде решетки с шириной элемента, по крайней мере, на пор док меньшей; рабочей длины волны-резонатора и электрически соединен с внутренней стенкой резонатора со стороны выхода ;излучени ..

Description

Изобретение относитс  к квантовой радиофизике и может быть использовано в квантовых стандартах частоты и времени., ,
Известен дискриминатор на парах рубиди , содержа;щий источник оптической накачки,  чейку-фильтр сверхтонной . составл ющей спектра дл  создани  неравновесного состо ни  атомов. За
. чейкой-фильтром располагаетс   чейка поглощени , наход ща с  в СВЧ-резонаторе , в котором создаютс  услови  дл  взаимодействи  пол  резонатора и атомов, наход щихс  в неравновесном
состо нии .Лалее расположено устройство , регистрирующее изменение условий поглощени  в  чейке поглощени  фотодетектор . Така  констрзгкци  обладает тем недостатком, что стабильность частоты и вместе с ним параметр ,,
чества дискриминатора существенно зависит от условий накачки-температуры :лампы,  чейки-фильтра,  чейки поглощени , фотоприемника, а также имеет
Р большие габариты и массу. Уменьшение
00 габаритов приводит к существенному
СП снижению параметра качества дискрими 9 натора, особенно при совмещении  чейки-фильтра и  чейки поглощени .
з: Наиболее близким к предлагаемому йвл етс  квантовый дискриминатор на парах рубиди , включающий источник излучени ,  чейку-фильтр и  чейку по . глощендм, расположённзпо в резонаторе, ;термостат и фотодетектор. ;
Устройство содержит источник на парах ,, термостатированный хфи температзфе Т ,  чейку-фильтр с парами Rb gj, термостатированнзто при температуре Тг,  чейку поглощени  с. парами Rbg7 , термостатированную при температуре Т- и помещенную в СВ -резонатор. Недостатком известной конструкции  вл етс  невысока  стабильность часто ты, обусловленна  засветкой Фоторетек тора droHoBbiM излучением атомов Rb| и буферных газов, которое может соста л ть до 99,99% интенсивности светового излучени  лампы накачки и фильтруемого  чейкой-фильтррм. Это также преп тствует дальнейшей микроминиатюризации дискриминатора, снижает параметр качества и спектральные характеристики стандарта в целом. Целью изобретени   вл етс  повьтение стабильности частоты при-, одновре , менном уменьшении габаритов устройств Это достигаетс  тем, что в квантовом дискриминаторе на парах рубиди  содержащем источник излучени ,  чейку фильтр и  чейку поглощени , расположенную в резонаторе, термостат и Фото детектор, фотодетектор выполнен селек тивным на основе многослойного широко зонного полупроводника,с электродами, причем один из электродов выполнен в виде решетки с шириной элемента, по крайней мере, на пор док меньшей рабочей длины волны резонатора и электрически соединен с внутренней стенкой резонатора со стороны выхода оптического излучени . Ячейка-Фильтр может быть совмещена с  чейкой поглощени  и содержать смесь изотопов Rbjg и Rbj7« С целью расширени  зксплуатационного температурного диапазо на температура дискриминатора в целом или отдельных его элементов может быть повышена до 80-135 С. Фотодетектор выбран с максимумом фоточувствительности при рабочей температуре  чейки поглощени  на длине волны 780795 им и полушириной спектральной характеристики не более 40 нм. На Фиг. 1 показана конструкци  квантового дискриминатора; на фиг.2 спектральна  характеристика системы оптической индикации дискриминатора; на фиг. 3 - примеры конкретного выпол нени  фотодиода в резонаторе. Дискриминатор содержит лампу оптической накачки Т, за ней располагаетс   чейка-фильтр сверхтонкой составл ющей спектра 2,  чейка поглощени  3 фотодетектор 4, термостат 5 и резона тор 6, на стенке, которого расположен селективный фотодетектор. Ячейкафильтр и  чейка поглощени  помещены в магнитное поле дл  получени  сверхтонкой структурыспектра ив термостат , стабилизирующий температуру частей дискриминатора, Спектральна  характеристика системы оптической индикации дискриминатора включает линию перехода 5 S ,j 5 Pf/25 7 О ). линию перехода 52 S /2 y 3/}fS (А 780,0 нм) , линию фоновой засветки Хобычно Аг, Rb.j-Rb) 9, спектральн5то характеристику селективного фотодиода 10 Д- длину волны излучени , нм; S/S, относительную чувствительность фотодетектора; J/1 - ширину спектральной характеристики. На задней стенке резонатора помещен фотодетектор 4, который может быть, в частности, фотодиодом на основе твердого раствора в системе HaAs-AlAs и отделён от резонатора диэлектриком 11. Нижний электрод Фотодиода 12 имеет вывод к регистрирующей системе и включаетс  в нее в Фотодиодном или фоторезистивном режиме. Сам фотодиод сформирован, например, на подложке из HaAs п-типа проводимости 13, на которой расположен 1-й слой твердого раствора п-тйпа. проводимости 14 состава Па , на котором - второй слой твердого состава р-типа проводимости 15, причем х-у дл  формировани  спектральной характеристики заданной формы. Дл  эффективного разделени  генерированных светом носителей металлургическа  граница (р-п)-перехода должна отсто ть от границы гетероперехода не более, чем на диффузионную длину неосновных носителей зар да. Дл  формировани  узкой спектральной характеристики толщина верхнего сло  должна быть не меньше характеристической глубины проникновени  излучени  с длиной волны, соответствующей максимуму фоточувствительности минус А, в материал верхнего сло . Верхний, электрод фотодиода 16 выполнен в виде решетки с шириной элемента не менее , чем на пор док, меньший рабочей волны резонатора, электрически соединен с ним и выполн ет функцию его задней стенки. Ячейка поглощени  может быть совмещена с . чейкой-Фильтром и заполнена смесью изотопов Rb с и Rbj-,. Работа квантового дискриминатора основана на двойном радиооптическом резонансном поглощении света с плино волньгЛо, 794, 7 нм (5 -г. 5 Р// ) 780,0 нм (./. 52,. ) 0 переходов с т 0, слабо завис гаих от магнитного пол . Дл  получени  неравновесного состо ни  атомов НЬ«используетс  накачка от лампы с пара ми Rb|7 (иногда их смесь с Rbjj-), .фильтр с парами Rbj. Состав слоев ; твердого раствора CaAlAs (х и у) выбираетс  с таким расчетом, чтобы .. свет с длиной волны Л - j- ностью поглощалс  в верхнем слое на рассто нии, большем диффузионной дли ны электронов от р-п-перехода ( /, длина волны максимальной чувствитель ности 780 нм Л а 795 нм), а свет с длиной волны А Л + -- проходил через (р-п)-переход и поглощалс  на рассто нии, большем диффузионной дли ны дырок от перехода. Таким образом вклад в фототок будут вносить носите генерированные светом с длиной волны . i А . Как показаДо - Т ли исследовани , наиболее эффективна ( фильтраци  происходит при нм Использование селективного фотоде тектора на основе широкозонного полу проводника позвол ет существенно повысить стабильность частоты, парамет качества дискриминатора и уменьшить габариты устройства за счет введени  фотодетектора непосредственно в резонатор и совмещени   чейки-фильтра и  чейки поглощени . Термостатирование фотодетектора в данном случае необходимо дл  стабилизации его спектральной характеристики, температурный уход которой из-за малой ее ширины существенно вли ет на параметры дис- . криминатора. Использование дл  Лотодетектора широкозонного полупроводникового материала, например OaAlAs, ; .позвол ет расширить его температурный диапазон до 120-150 Г, повысить температуру элементов дискриминатора или Bcejo устройства в целом на 10-80 С выше общеприн той (до ) и примен ть один термостат на  чейку поглощени  и фотоприемник, или на  чейку-фильтр ,  чейку поглощени  и фотоприемник , или на весь дискриминатор .в целом или на дискриминатор и кварцевый генератор, подстраиваемый по квантовому д скриминатору. I ., Использование дл  оптической инди-. кации приемника с узкой спектральной характеристикой позвол ет повысить эффективность индикации поглощени  полезной составл ющей светового потока от источника излучени  без з еньшени  чувствительности, повысить стабильность частоты, .параметр качества дискриминатора за счет увеличени  отношени  сигнал-шум, уменьшить рабочий объем дискриминатора, увеличить рабочую ,температуру элементов дискриминат тора.
fpual

Claims (1)

  1. КВАНТОВЫЙ ДИСКРИМИНАТОР на парах рубидия, включающий источник излучения, ячейку-фильтр и ячейку поглощения, расположенную в резонатор ре, термостат и фотодетектор, о тличающийся тем, что, с целью повышения стабильности частоты при одновременном уменьшении габаритов, фотодетектор выполнен селективным на основе многослойного широкозон· ного полупроводника с электродами, причем один из электродов выполнен в виде решетки с шириной элемента, по крайней мере, на порядок меньшей; рабочей длины волны резонатора и электрически соединен с внутренней стенкой резонатора со стороны выхода излучения. о Λ . «е (Л с:
SU813240857A 1981-02-03 1981-02-03 Квантовый дискриминатор SU1025306A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813240857A SU1025306A1 (ru) 1981-02-03 1981-02-03 Квантовый дискриминатор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813240857A SU1025306A1 (ru) 1981-02-03 1981-02-03 Квантовый дискриминатор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1025306A1 true SU1025306A1 (ru) 1990-08-15

Family

ID=20940464

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU813240857A SU1025306A1 (ru) 1981-02-03 1981-02-03 Квантовый дискриминатор

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1025306A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2479122C2 (ru) * 2011-07-19 2013-04-10 Открытое акционерное общество "Российский институт радионавигации и времени" Квантовый дискриминатор на газовой ячейке
RU2738464C1 (ru) * 2020-06-16 2020-12-14 Общество с ограниченной ответственностью «Атомикс» (ООО «Атомикс») Квантовый дискриминатор частоты

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Пихтелёв А.И. и др. Стандарты частоты и времени на основе квантовых генераторов и дискриминаторов. М.: Сов.радио, 1978, с. 100. Патент US N 3243721, кл. 331-3, опублик. 1966. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2479122C2 (ru) * 2011-07-19 2013-04-10 Открытое акционерное общество "Российский институт радионавигации и времени" Квантовый дискриминатор на газовой ячейке
RU2738464C1 (ru) * 2020-06-16 2020-12-14 Общество с ограниченной ответственностью «Атомикс» (ООО «Атомикс») Квантовый дискриминатор частоты

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Dean et al. Donor bound-exciton excited states in zinc selenide
Kikuchi et al. Simple formula giving spectrum-narrowing ratio of semiconductor-laser output obtained by optical feedback
CN103943714B (zh) 基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器
Van Hoek et al. Artefact and distortion sources in time correlated single photon counting
Samelson et al. Laser phenomena in europium chelates. I. Spectroscopic properties of europium benzoylacetonate
Marling et al. An ultrahigh‐Q isotropically sensitive optical filter employing atomic resonance transitions
US20080237633A1 (en) Radiation Detector
CA2107062A1 (en) Methods for wavelength determination of monochromatic light beams
SU1025306A1 (ru) Квантовый дискриминатор
Balkanski et al. Internal photoeffect and exciton diffusion in cadmium and zinc sulfides
Takahei et al. Photoluminescence‐excitation analysis of Er‐doped GaAs grown by metalorganic vapor phase deposition
Horlick et al. Dye laser intra-cavity enhanced absorption measured using a photodiode array direct reading spectrometer
EP0069000A1 (fr) Scintillateur pour la réalisation de détecteurs très rapides de photons de grande énergie et à la réalisation de tomographes
JPH0482277A (ja) 半導体受光素子
Tanaka et al. Microwave optical double resonance of NO2 with a tunable cw dye laser
CN113917829B (zh) 一种铯束原子钟用光收集器及铯束原子钟
JP2860028B2 (ja) 紫外線検知装置及びその製造方法
Jain et al. Diffusion length determination in n+-p+-p+ structure based silicon solar cells from the intensity dependence of the short-circuit current for illumination from the p+ side
EP0308335A2 (en) InGaAs/InP type PIN photodiodes
Bohandy et al. Conventional and dye laser optical spectra of zinc porphin in anthracene
US5311369A (en) Method for suppressing solar background in a receiver of laser light
Norton et al. Far‐infrared detection using photoconductivity of negative donor ion states in silicon
Fiorito et al. Multispectral Hg1− xCdxTe photovoltaic detectors∗
Uchida et al. Studies on the K Absorption Band in the Colored Rock Salt Crystal
US5136168A (en) Atomic resonance filter detector employing inert buffer gas