SU1025226A1 - Способ исследовани магнитных и электрических свойств кристалла по толщине - Google Patents
Способ исследовани магнитных и электрических свойств кристалла по толщине Download PDFInfo
- Publication number
- SU1025226A1 SU1025226A1 SU823381081A SU3381081A SU1025226A1 SU 1025226 A1 SU1025226 A1 SU 1025226A1 SU 823381081 A SU823381081 A SU 823381081A SU 3381081 A SU3381081 A SU 3381081A SU 1025226 A1 SU1025226 A1 SU 1025226A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- crystal
- mössbauer
- magnetic
- thickness
- quanta
- Prior art date
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ МАГНИТНЫХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛА ПО ТОЛЩИНЕ, заключающийс в направлении на кристалл, под брегговскими углами мессбауэровских у -квантов и. регистрации дифракционного излучени мессбауэровских атомов при внешнем воздействии на кристалл измен вшегос магнитного или электрического пол , о т личающийс тем, что, с целью расширени диапазона исследуекых слоев, изменение толщины исследуемого сло кристалла осуществл ют путем изменени знергии падающих мессбауэровских у-квантов. i которое , в свою очередь, осуществл ют посредством перемещени ис (Л точника относительно кристалла. О N5 СП ND ND о:
Description
Изобретение относитс к области физики взаимодействи излучени с веществом и может быть использовано дл исследовани магнитных и электрических свойств кристаллов с помощью резонансного гамма-излучени .
Традиционные методы физики маг нитных влений, такие как ферромагнитный .резонанс ОМР), дерный магнитный резонанс (ЯМР), заключающиес в измерении резонансной частоты поглощени атомов или дер позвол ют судить только о свойствах всего исследуемого образца . в целом. К недостаткам этих методо относитс то, что дл их реализации необходимо наличие образцов больших размеров.
Известен метод исследовани магнитных и электрических свойств кристаллов Cll/ ,заключающийс в регистрации дифрагированных от кристалла тепловых нейтронов. Этот метод позвол ет исследовать магнитную структуру кристаллов,.но его реализаци требует наличи кристалов больших размеров и дерного реактора, а полученна с его помощью информаци о магнитной структуре кристалла относитс ко всему объему кристалла.
Наиболее близким техническим решением к изобретению вл етс способ исследовани магнитных и электрических свойств кристалла по толщине, заключающийс в направлении на кристалл под брэгговскими углами мессбауэровских -j -квантов и регистрации дифракционного излучени мессбауэровских атомов при внешнем воздействии на кристалл измен ющегос магнитного или. электрического пол . В этом спсобе изменение направлени , например , магнитного пол на драх достгалось путем вращени посто нного магнита вокруг кристалла в его базисной ПЛС5СКОСТИ 2J. Однако полученна в этом случае зависимость относитс только к тонком поверхностному слою кристалла, так как энергетическа зависимость сечени взаимодействи мессбауэровского излучени с драми имеет острый резонансный характер, и, таким образом, в точном резонансе j--KBaты проникают в кристалл на небольшую глубину (в указанном случае излучение проникало на глубину 0,5 мкм. Дл отражений с меньшими брэгговскими углами работающий слой еще толще в силу геометрического фактора, например, дл рефлекса ( (Т) ) дл кристалла бората железа его толщина составл ет 0,1 мкм.
Таким образом, невозможно достоверно судить об изменении магнитны
и электрических свойств в достаточно толстых сло х кристалла без его разрушени .
Цель изобретени - расширение диапазона исследуемых слоев.
Поставленна цель достигаетс тем, что по предложенному способу исследовани магнитных и электрических свойств кристалла по толщине , заключающемус в направлении на кристалл под брэгговскими углами
0 мессбауэровских - квантов и регистрации дифракционного излучени мессбауэровских атомов при внешнем воздействии на кристалл, измен ющегос магнитного или электрического
5 пол , изменение толщины исследуемого сло кристалла осуществл ют путём изменени энергии подающих мессбауэровских .J-квантов, которое в свою очередь, осуществл ют посред0 ством перемещени источника относительно кристалла.
На фиг. 1 показана установка, котора включает в себ мессбауэровский источник Со 1, электроди5 намический вибратор 2, коллиматор 3, исследуемый кристалл 4, гониометр 5, полупроводниковый блок детектировани 6, спектрометрический прибор типа СЭС 2-03 7, амплитудный анализа0 тор импульсов 8, мессбауэровский спектрометр типа ЯГРС-4 9 и катушки Гельмгольца ,10.
Работа на установке проводитс следующим образом. Пучок jp-KBaHTOB от мессбауэровского источника Со 1,
5 закрепленного на штоке вибратора 2, через коллиматор 3 направл ют на исследуемый кристалл 4, установленный на гониометре 5 под брэгговским углом дл системы кристаллографи0 ческих плоскостей, параллельных поверхности кристалла. Дифрагировавшее на кристалле излучение регистрируют полупроводниковым блоком детектировани 6. Импульсы с предуси5 лител блока детектировани поступают на сйектрометрический прибор 7, затем сформированные и усиленные импульсы с выхода прибора подаютс .на вход амплитудного анализатора
0 импульсов 8, с выхода которого сигнал поступает на мессбауэровский спектрометр ЯГРС-4 9. Скорость движени вибратора задаетс мессбауэровским спектрометром. Поглощение и
5 излучение -у -квантов происходит через определенный дерный переход, дл чего спектрометр, работающий в режиме посто нных скоростей, задает определенную скорость движе0 ни штока вибратора. Получают зависимости интенсивности дифрагировавшего излучени от величины напр женности магнитноро пол , приложенного к исследуемому кристаллу, дл нескольких значений энергии у-квантов.
5 отличающихс между собой на величи ны пор дка Г ЧГ - естественна шир на мессбауэровской линии. Магнитное поле создаетс с помощью катуш Гельмголыда 10 вдоль линии пересе чени базисной плоскости кристалла с плоскостью рассе ни . На фиг. 2 приведены графики тре зависимостей интенсивности дифраги ровавшего мессбауэровского излучени от величины напр женности магнитного пол , приложенного к кристаллу FeBOg, полученных на.рефлрксе (ijji дл случаев, когда: энерги у-квантой Е-. совпадает С энергией дерного перехода Ер. В этом случае глубина i проникновени резонансного излучени кристалл i:0,l мкм; (fO,Qr -t ,3 мкм; ,3r t-a мкм. Из фиг. 2 видно, что намагничивание тонкого поверхностного сло крйсталла происходит не так, как намагничивание более ТОЛСТЕЛХ слое В частности, с помощью предлагаемого способа в базисной плоскости кристалла обнаружена наведенна одноосна магнитна анизотропи в поверхностном слое и показано отсутствие таковой в объеме кристалла . Суть способа не,изменитс , если вместо катушек Гельмгольца использовать обкладки конденсатора, и изучать электрические свойства кристалла , измер зависимости интенсивности дифрагировавшего излучени от величины напр женности электрического пол , приложенного к кристаллу. Предлагаемым способом можно получать зависимости интенсивности дифрагировавшего на кристалле, мессбауэровского излучени от величины любого внешнего воздействи , от которого зависит сечение рассе ни резонансных уквантов драми, и из сопоставлени нескольких таких зависимостей,полученных при различных энерги х излучени , судить о свойствах различных по толщине слоев кристалла. Предлагаемый способ позвол ет получать информацию о физических свойствах кристаллов, в частности о магнитных и электрических свойствах , селективно по глубине кристаллов , что дает возможность с помощью неразрушающего метода контрол следить за состо нием как поверхности кристалла, так и кристалла в целом. Наиболее эффективно предлагаемый способ может быть использован при выращивании новых кристаллов, в частности, дл оценки степени совершенства их.поверхностных слоев, что не доступно другим методам.
О5Ю15 „ 370 Иэ
Фиг2
Claims (1)
- СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ МАГНИТНЫХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛА ПО ТОЛЩИНЕ, заключающийся в направлении на кристалл, под брегговскими углами мессбауэровских γ -квантов и. регистрации дифракционного излучения мессбауэровских атомов при внешнем воздействии на кристалл изменявшегося магнитного или электрического поля, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона исследуемых слоев, изменение толщины исследуемого слоя кристалла осуществляют путем изменения энергии падающих мессбауэровских у-квантов, которое, в свою очередь, осуществляют посредством перемещения источника относительно кристалла.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823381081A SU1025226A1 (ru) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | Способ исследовани магнитных и электрических свойств кристалла по толщине |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823381081A SU1025226A1 (ru) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | Способ исследовани магнитных и электрических свойств кристалла по толщине |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1025226A1 true SU1025226A1 (ru) | 1983-12-30 |
Family
ID=20992140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU823381081A SU1025226A1 (ru) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | Способ исследовани магнитных и электрических свойств кристалла по толщине |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1025226A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2620771C1 (ru) * | 2016-02-16 | 2017-05-29 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Мёссбауэровский спектрометр с регистрацией конверсионных электронов при субгелиевых температурах |
-
1982
- 1982-01-14 SU SU823381081A patent/SU1025226A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Изюмов Ю.А. и Озеров Р.П. Магнитна нейтронографи . М., Наука, 1966. 2. Коваленко П.П., Лабушкин В.Г., Руденко В.В., Саркис н В.А. и Селезнев В.Н. Исследование дифракции мессбауэровского излучени на слабоферромагнитном монокристалле peBOj. Письма в ЖЭТФ, т.26, с.92,, 1977 (прототип ). * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2620771C1 (ru) * | 2016-02-16 | 2017-05-29 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Мёссбауэровский спектрометр с регистрацией конверсионных электронов при субгелиевых температурах |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4931730A (en) | Method and apparatus for non-destructive materials testing and magnetostructural materials investigations | |
Hughes et al. | Reflection of neutrons from magnetized mirrors | |
Kurshev et al. | Selection of dipolar interaction by the “2+ 1” pulse train ESE | |
Grünzweig et al. | Neutron decoherence imaging for visualizing bulk magnetic domain structures | |
Breazeale et al. | 2. Ultrasonic Wave Velocity and Attenuation Measurements | |
JPS62282290A (ja) | 核磁気共鳴検知装置とその技術 | |
El-Sekelly et al. | Shear wave velocity measurement in the centrifuge using bender elements | |
Goebbels | Materials characterization for process control and product confromity: introduction to methods for nondestructive characterization of materials microstructure and materials properties during production, operation, and inspection | |
US3083335A (en) | Magnetic resonance methods and apparatus | |
US3826972A (en) | Method and apparatus for detecting nuclear magnetic resonance | |
US4816761A (en) | Apparatus for measuring the hysteresis loop of hard magnetic films on large magnetic recording disk | |
SU1025226A1 (ru) | Способ исследовани магнитных и электрических свойств кристалла по толщине | |
RU2381559C2 (ru) | Устройство и способ исследования магнитных свойств объектов | |
US7365533B2 (en) | Magneto-optic remote sensor for angular rotation, linear displacements, and evaluation of surface deformations | |
CN107131981B (zh) | 一种用于研究应力和磁记忆效应关系的装置 | |
Kushida et al. | Electrically Induced Nuclear Resonance in Al 2 O 3 (Ruby) | |
US3213354A (en) | Nuclear precession well logging apparatus | |
Green et al. | A simple hysteresis loop plotter using the transverse Kerr effect | |
Jantz et al. | Spectrum and lineshape of bubble-lattice resonance | |
Argyle et al. | Magneto-optic studies of wall vibration | |
US7403592B1 (en) | Digital lock-in detection of site-specific magnetism in magnetic materials | |
SU923273A1 (ru) | Способ определени магнитной текстуры материалов | |
Wang et al. | Optically detected NMR in a diamond-anvil cell for geochemistry | |
SU1746270A1 (ru) | Способ определени концентрации радиационных дефектов в полупроводниках и изол торах | |
Jayaraman et al. | Non-intrusive non-destructive method to detect fissile material |