Изобретение относитс к пре9бразо вательной технике и может быть испол зовано в стабилизированных преобразо вател х напр жени с широтно-импульс- ным регулированием. Известен инвертор, содержащий блок управлени с трансформаторным выходом, соединенный с управл ющим входом каждого транзистора двухтактного усилител мощности через последовательно соединенные базовые резистор и диод, шунтированные обрат но включенным диодом, причем коллект каждого силового транзистора св зан точкой соединени базового резистора и диода через последовательно соединенные вспомогательный диод и обмотку насыщающегос трансформатора Л Недостатком известного инвертора вл етс низкий КПД из-за значитель ных потерь мощности на базовых резисторах , вьГзванныхпротеканием по ним тока намагничивани насыщающегос трансформатора, вход щего в цепь нелинейной обратной св зи. Кроме того, врем перемагничивани трансформатора насыщени в разные полупериоды будет неодинаковым, что приводит к по влению дополнитель ной асимметрии в выходном напр жении , в результате чего возникает под магничивание магнитопровода силового трансформатора, ведущее к увеличению тока намагничивани в один из по лупериодов и перегрузке силовых транзисторов . Другим недостатком известного инвертора вл етс его мала надежность , так как в момент насыщени сер дечника насыщающегос трансформатора по обмоткам трансформатора блока -управлени протекает значительный по величине ток, привод щий к росту динамических потерь мощности. Наиболее близким по технической сущности к изобретению вл етс устройство , содержащее блок управлени с трансформаторным выходом, соединенным с управл ющим входом каждого из транзисторов двухтактного усилител мощности с трансформаторным выходом через последовательно соединенные базовые резистор и диод, зашунтироэанные обратно включенным диодом, причем коллектор /каждого транзистора через последовательно соединенные первый диод, одну из обмоток двухобмоточного насыщающего трансформатора и эторой диод подключен к точке соединени базовых резистора и диода , а точка соединени второго диода и обмотки насыщающегос трансформатора подсоединена к одному из выводов первого резистора 2 . Недостатком данного технического рещени вл етс низка надежность, обусловленна наличием бросков токов, протекающих по обмоткам трансформатора блока управлени . Цель изобретени - повышение надежности за счет уменьшени бросков токов, протекающих по обмоткам трансформатора блока управлени , Поставленна цель достигаетс тем, что в преобразователь посто нного напр жени , содержащий блок управлени с трансформаторным выходом, соединенным с управл ющим входом каждого из транзисторов двухтактного усилител мощности с трансформаторным выходом через последовательно соединенные базовые резистор и диод, зашунтированные обратно включенным диодом, причем коллектор каждого транзистора через последовательно соединенные первый диод, одну из обмоток двухобмоточного насыщающего трансформатора и второй диод подключен- к точке соединени базовых резистора и диода, а точка соединени второго диода и обмотки насыщающего трансформатора подсоединена к одному из выводов первого резистора, введена последовательна цепь, состо ща из вспомогательной вторичной обмотки трансформатора блока управлени , третьего диода и второго рези.стора, один из концов которой подключен к выводу вторичной обмотки трансформатора блока управлени , св занному с эмиттером транзистора и одной из обкладок введенного конденсатора,а другой конец цепи подсоединен к второму выводу первого резистора и второй обкладке конденсатора. На фиг. 1 приведена принципиальна схема преобразовател ; на фиг.2временные диаграммы, по сн ющие его работу, Преобразователь состоит из транзисторов 1 и 2, подсоединенных к выходному трансформатору 3, включенному в диагональ полумоста, образованного указанными транзисторами ,и конденсаторами и 5. Импульсы управлени транзисторами снимаютс со вторичных обмоток трансформатора 6, вход щего в оконченный каскад блока управлени и через последо вательно соединенные базовые резисторы 7 и 8 и базовые диоды 3 и 10 подаютс на управл ющие входы транзисторов усилител мощности. К коллектору каждого транзистора подключ ны первые диоды 11 и 12, которые совместно со вторыми диодами 13 и Ш, базовыми диодами 9 и 10 и одной из обмоток насыщающего трансформато ра 15 образуют цепи нелинейной обратной св зи. Первые резисторы 16 и 17 ограничивают ток перемагничивани насыщающего трансформатора 15, который выполнен на сердечнике с пр моугольной петлей гистерезиса и имеет две одинаковые обмотки W1 и W2, разноименными концами включенны между одноименными выводами базовых диодов и вторых диодов. Таким образом цепочка, состо ща из последова тельно соединенных базового диода, первого и второго диодов и обмотки насыщающего трансформатора, шунтиру ет коллекторно-базовый переход тран зистора . К одному из выводов вторичной об мотки трансформатора блока управлени подсоединена последовательна цепь, состо ща из вспомогательной вторичной обмотки 18 (19) трансформатора тока управлени , третьего ди ода 20 (21),второго резистора 22(23) зашунтированна конденсатором 2 (25). При этом базовые резистор и диод зашунтированы обратными диодами 26 (27). Импульсы управлени поступают в базовые цепи транзисторов 1 и 2 (форма импульсов базового тока транзисторов 1 и 2 показана на фиг. 2 а,б) . При использовании широтно-импульсного регулировани импуЛьсы управлени подаютс с некоторым регулируемым цепью обратн св зи фазовым сдвигом ср, (форма управл ющих импульсов показана пунктирной линией). 6 этом случае выходное напр жение будет иметь паузу на нуле, величина которой определ етс фазовым сдвигом (|.. Рассмотрим процесс переключени транзисторов 1 и 2. Предположим, что в момент времени t,, (фиг.2а) се дечник насыщающегос трансформатора 15 за счет процессов, происходив ших в предыдущем полупериоде, находитс в состо нии отрицательного 24 насыщени (-Bg), где Bg- индукци насыщени материала сердечника. В момент времени 1ф на вторичной обмотке трансформатора .6 по вл етс управл ющее напр жение с пол рностью , котора дл транзистора Г вл етс отпирающей. Транзистор 1 начинает отпиратьс и по истечении времени tm, которое определ етс частотными свойствами транзистора, переходит в состо ние насыщени . С момента t начинаетс перемагничивание сердечника насыщающегос трансформатока из состо ни -Bg в состо ние +Вд. Источником перемагничивающего напр жени вл етс конденсатор 25 , который в предыдущем полупериоде зар дилс током, протекающим через обмотку 19, диод 21 и резистор 23. Величина напр жени на конденсаторе определ етс количеством витков обмотки 19. На интервале перемагничивани индуктивное сопротивление обмотки насыщающего трансформатора дл всех гармоник входного тОка транзистора g)t велико и в цепи бЬпротивлени 17 и обмотки 19 протекает ток намагничивани сердечника, имеющий весьма малую величину. В это врем диод 1 заперт, цепь нелинейной Отрицательной обратной св зи оказываетс разомкнутой,ток базы транзистора 1 равен входному току I gx (.2а) и транзистор 1 поддерживаетс в режиме насыщени . При этом напр жение между эмит .тером и коллектором транзистора 1 равно Ugij „д(фиг.2в ). Транзистор 2 на интервале tjt2 заперт отрицательным напр жением обмотки управлени трансформатора 6 и напр жение на его коллекторе примерно равно напр жению источника питани (фиг.2г) . На этом интервале происходит также зар д конденсатора 21, вл ющегос как и конденсатор 25 источником перемагничивающего напр жени дл трансформатора 15. Параметры насыщени трансформатора выбраны так, что врем его перемагничивани из состо ни -Bg в состо ние +В5 несколько меньше длительности отпирающего импульса тока (фиг.2а) В момент времени t сердечник трансформатора 15 насыщаетс , индуктивное сопротивление его обмотки резко уменьшаетс , отпираютс диоды 12 J4 I и наминает действовать цепь нелинейной отрицательной обратной . 510 св зи. Величина тока, протекающего по обмотке насыщенного трансформатора , ограничиваетс j e3HcTopOM 23 (22 В результате действи цепи обратной св зи ток базы транзистора 1 уменьшаетс до величины 1§(фиг. 2а), а рабоча точка транзистора оказываетс на границе области насыщени . Нап р жение между эмиттером и коллектором при этом возрастает до величины ЭК (.Ze ). 8 интервале времени t2 благодар действию нелинейной отрицательной обратной св зи величина тока базы транзистора автоматически поддерживаетс такой, что Транзистор находитс на границе активной области и области насыщени . В таком режиме преобразователь на ходитс до момента времени tg, пока не произойдет смена пол рности управ л кщих напр жений на вторичных обмотках трансформатора 6. Так как а результате действи нелинейной отри цательиой обратной св зи транзистор к моменту t2 : находитс на границе области насыщени , то при по влении запирающего напр жени уменьшение его коллекторного тока начинаетс одновременно, с увеличением тока коллектора транзистора 2, на базе которого действует отпирающее напр жение . Следовательно, Q интервале i 2J 17 Фкг. 1 26 коммутации транзисторы 1 и 2 наход тс в активном режиме. После запиIрани транзистора 1 сердечник насыщающегос трансформатора 15 перемагничиваетс из состо ни +Bg в состо ние -Bg под действием напр жени , подаваемого на другую обмотку насыщающегос трансформатора. В дальнейшем процессы в преобразователе повтор ютс . В момент намагничивани к обмотке трансформатора 15 насыщени прикладываетс разность напр жени , действующего на конденсаторе 2k (25), и падени напр жени на переходе коллектор-эмиттер насыщенного транзистора, котора в реальных устройствах имеет величину около 3,5 В. В результате количество витков обмоток трансфор ., матора насыщени увеличиваетс и тем самым уменьшаетс ток намагничивани . Наличие введенной цепочки позвол ет устранить значительные по величине броски тока, протекающего по вторичной обмотке разделительного трансформатора блока управлени в момент насыщени сердечника трансформатора, результате этого существенно уменьшаютс динамические потери в трансфор маторе и транзисторах блока управле-. ни . r4orv4
фиг. 2