SK1672012U1 - Device for treatment seeds of plants by low pressure plasma at atmospheric pressure - Google Patents
Device for treatment seeds of plants by low pressure plasma at atmospheric pressure Download PDFInfo
- Publication number
- SK1672012U1 SK1672012U1 SK167-2012U SK1672012U SK1672012U1 SK 1672012 U1 SK1672012 U1 SK 1672012U1 SK 1672012 U SK1672012 U SK 1672012U SK 1672012 U1 SK1672012 U1 SK 1672012U1
- Authority
- SK
- Slovakia
- Prior art keywords
- source
- plasma
- seeds
- block
- excitation
- Prior art date
Links
Landscapes
- Pretreatment Of Seeds And Plants (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
Technické riešenie sa týka zariadenia na úpravu rastlinných semien nízkoteplotnou plazmou pri atmosférickom tlaku, ktoré využíva elektricky budený dielektrický koplanámy povrchový bariérový výboj (DCSBD) na úpravu osiva.
Doterajší stav techniky
V súčasnej dobe sú známe zariadenia, ktoré pracujú na báze plazmy generovanej pri nízkych tlakoch alebo na báze koránového výboja, avšak ich nevýhoda spočíva v časovej náročnosti opracovania dosahujúcej až niekoľko minút, čo prakticky vylučuje ich využitie pri „in - line“ opracovaní veľkého množstva osív. Ďalším vážnym problémom je bezpečnosť práce takýchto zariadení v prašnom prostredí charakteristickom pre spracovanie osiva. Podobný problém nastáva i pri aplikácii zariadení na báze štandardných objemových bariérových výbojov.
Podstata technického riešenia
Podstatou technického riešenia je zariadenie na úpravu rastlinných semien, ktoré obsahuje blok na opracovanie semien, zahrňujúci zdroj nízkoteplotnej plazmy využívajúcej elektricky budený dielektrický koplanámy povrchový bariérový výboj pri atmosférickom tlaku a ďalej obsahuje zdroj vysokého napätia na napájanie a budenie zdroja. Zariadenie obsahuje blok na opracovanie semien, zahrňujúci zdroj nízkoteplotnej plazmy využívajúcej elektricky budený dielektrický koplanámy povrchový bariérový výboj pri atmosférickom tlaku a ďalej obsahuje blok na budenie zdroja a snímanie parametrov plazmy zahrňujúcej zdroj vysokého napätia na napájanie a budenie zdroja a sústavu na kontrolu teploty a vlhkosti prostredia v bloku a sústavu meracích zariadení na snímanie okamžitých parametrov výboja a kontrolu a vyhodnocovania výkonu plazmy. Zdroj nízkoteplotnej plazmy je uložený na vibračnom zariadení na vyvolanie otáčavého pohybu semien po povrchu výbojky zabezpečujúcej rovnomerný kontakt semien s vrstvou plazmy a automatické homogénne opracovanie semien. Zariadenie je ďalej opatrené dávkovacím zariadením na automatický prívod a dávkovanie nových semien a odvod semien opracovaných pomocou plazmy. Sústava meracích zariadení obsahuje aspoň jednu vysokonapäťovú sondu a/alebo prúdovú sondu a osciloskop. Sústava na kontrolu teploty a vlhkosti prostredia v bloku obsahuje aspoň jednu sondu umiestnenú v bloku. Zdroj vysokého napätia má budiace napätie v rozsahu 8 až 15 kV a frekvenciu budenia 6 až 100 kHz. Zariadenie poskytuje frekvenciu budenia zdroja v rozmedzí od 6 do 100 kHz a výkonovú hustotu v rozpätí 0,5 až 5 W/cm2 počas expozičnej doby 10 až 600 sekúnd. Frekvencia budenia zdroja je v rozmedzí 12 až 16 kHz. Vibračné zariadenie umožňuje rozkmitať zdroj s frekvenciou oscilácie 1 Hz až 5 kHz alebo s frekvenciou oscilácie 200 až 300 Hz. Zariadenie je opatrené priezorom umožňujúcim pozorovanie prechádzajúcich semien a je uspôsobené pre prácu v podmienkach plynného prostredia zahrňujúceho CO2, N2 alebo O2. Zariadenie obsahuje kryt opatrený prívodom a odvodom plynu a tlakovú fľašu s s pracovným plynom a reguláciou prívodu plynu.
Podstatou technického riešenia je zariadenie na úpravu rastlinných semien nízkoteplotnou plazmou pri atmosférickom tlaku, ktoré využíva elektricky budený dielektrický koplanámy povrchový bariérový výboj, alebo „Diffúse Coplanar Súriace Barrier Discharge“, skrátene „DCSBD“ na úpravu osiva. Testovaný zdroj neizotermickej plazmy na báze DCSBD spĺňa všetky požiadavky na aplikáciu v poľnohospodárstve a vyniká najmä krátkou dobou expozície rádovo v sekundách, bezpečnosťou plazmy pri dotyku s povrchom ľudského tela, robustnosti a prakticky neobmedzenou životnosťou i bezpečnosťou pri prevádzke v prašnom prostredí, čím efektívne odstraňuje nevýhody súčasného stavu techniky.
Semená rastlín sú často nositeľmi bakteriálnych a hubových patogénov. Počty mikroorganizmov prežijúcich na povrchu semien majú zásadný vplyv klíčivosť i vitalitu rastlín a sú príčinou mnohých závažných chorôb kultúrnych rastlín. Pôvodcovia chorôb môžu byť transmitovaní v priebehu rastu a vývoja do celej rastliny, napr. tzv. antraknózy, a spôsobiť tak významné ekonomické straty.
Na účely zamedzenia alebo zmiernenia týchto nežiaducich vplyvov na výťažnosť a zdravie rastlín bolo vytvorené zariadenie, v ktorom prichádza k plazmovej úprave pomocou DCSBD. Na preukázanie účinnosti zariadenia boli využité najmä vzorky kultúrnych plodín, ako sú napríklad osivá pšenice alebo kukurice a pod. Semená boli vystavené pôsobeniu nízkoteplotnej plazmy generovanej DCSBD budenej vo vzduchu, pričom frekvencia budenia sa môže pohybovať od 6 do 100 kHz, výkonová hustota je medzi 0,5 až 5,0 W/cm2 a expozičné doby od 10 do 600 s.
Konkrétne vhodné rozsahy závisia od druhu semena, ktoré je v plazme opracovávané. Vhodnými parametrami na opracovanie je frekvencia budenia 12 až 16 kHz a výkonová hustota 2 W/cm2, pričom optimálna expozičná doba závisí od veľkosti semena a pohybuje sa v intervale od 10 do 600 sekúnd podľa toho, či zariadenie používame na stimuláciu rastových parametrov alebo na likvidáciu epifytnej a fytopatogénnej mikroflóry alebo očakávame kombinovaný účinok.
Na vzorky semien sa s výhodou pôsobí pomocou vibračného zariadenia frekvenciou 1 Hz až 5 kHz vyvolávajúcou ich rozkmitávanie za účelom automatického homogénneho opracovania semien.
Výhodné je celý DCSBD zdroj plazmy spoločne so semenami uviesť do kmitavého pohybu za pomoci vibračného zariadenia s frekvenciou 200 až 300 Hz. Tento pohyb vyvoláva otáčavý pohyb semien po povrchu výbojky, zabezpečujúci rovnomerný kontakt semien s vrstvou plazmy a teda automatické homogénne opracovanie semien.
V prvom prevedení zariadenie pozostáva z bloku na opracovanie semien a zdroja vysokého napätia - ďalej ako „VN zdroj“.
Blok na opracovanie semien zahŕňa unikátny zdroj nízkoteplotnej plazmy typu DCSBD, ktorý je s výhodou umiestnený na vibračnom zariadení vyvolávajúcom kmitavý pohyb. Zariadenie ja ďalej s výhodou opatrené dávkovacím zariadením na automatický prívod a dávkovanie nových semien a odvod semien opracovaných pomocou plazmy. Zariadenie sa od ostatných zariadení líši tým, že nepotrebuje na generáciu plazmy vákuovú aparatúru, ale je schopné generovať plazmu vo vzduchu pri atmosférickom tlaku. Je bezpečné, schopné nepretržitej činnosti a potrebná dĺžka opracovania semien je výrazne kratšia než pri iných zariadeniach.
VN zdroj budiaceho napätia má s výhodou napätie v rozsahu 8 až 15 kV a frekvenciu budenia 12 až 16 kHz.
Zdroj nízkoteplotnej plazmy obsahuje elektródy umiestnené v dielektriku.
V ďalšom prevedení zariadenie pozostáva z:
1. bloku na opracovanie semien popísaného vyššie a
2. bloku na budenie DCSBD a kontrolu parametrov plazmy zahrňujúcej VN zdroj Prehľad obrázkov na výkresoch
Obr. 1 znázorňuje schému bloku na opracovanie semien s VN zdrojom
Obr. 2 znázorňuje detail zdroja nízkoteplotnej plazmy
Obr. 3 znázorňuje schému zariadenia obsahujúceho blok na opracovanie semien a blok napájania a snímania parametrov plazmy
Príklady uskutočnenia
Blok na budenie DCSBD a kontrolu parametrov plazmy zahŕňa VN zdroj, kde tento zdroj má výhodne budiace napätie v rozsahu 8 až 15 kV a frekvenciu budenia 12 až 16 kHz. Ďalej obsahuje sústavu na kontrolu a reguláciu teploty a vlhkosti pre úpravu semien v teplotné optimálnom prostredí, ktoré je s výhodou v rozsahu 40 až 60° C. a ďalej obsahuje sústavu meracích zariadení: vysokonapäťové sondy a prúdové sondy, ktoré umožňujú snímať okamžité parametre výboja (prúd, napätie) a kontrolovať a vyhodnocovať výkon plazmy. Hodnoty zo sond sú výhodne spracovávané pomocou osciloskopu.
Zariadenie je s výhodou opatrené tiež priezorom na možnosť pozorovania prechádzajúcich semien. Zariadenie tiež môže byť prispôsobené na prácu v podmienkach iného plynného prostredia než je vzduch, napríklad CO2, N2, O2. Na tento účel je možné použiť kryt opatrený prívodom a odvodom plynu, ako aj tlakovú fľašu s pracovným plynom a reguláciou prívodu plynu.
Vplyv plazmy na klíčivosť semien
Do pokusných nádob naplnených pôdou sa do riadkov vysadili semená jednotlivých druhov rastlín ošetrené plazmou (5 až 100 sekúnd), ako aj kontrolné semená neošetrená plazmou v počte 50 až 100 semien na nádobu (v závislosti od veľkosti semien) a to v 3 až 6 opakovaniach. Do pokusov boli zaradené nasledovné druhy jednoklíčnolistových rastlín: kukurica siata (Zea mays L. gv. KWS), pšenica ozimná (Triticum aestivum L. cv. EVA), jačmeň jarný (Hordeum vulgare L. cv. Prestige) a dvojklíčnolistových rastlín: hrach siaty ( Pisum sativum L. cv. Dunaj). Pokusné nádoby s vysadenými semenami boli uložené do kultivačnej miestnosti s konštantnými rastovými podmienkami (teplotou 26° C, RV = 60 %. Fotoperiódou 12/12 hodín svetlo/tma a intenzitou osvetlenia 110 gmokm^.s'1 a pravidelne zalievané vodou podľa potreby rovnakým objemom vody na pokusnú nádobu pri udržovaní vlhkosti pôdy 60% . Klíčivosť semien sa hodnotila po 7 dňoch. Dosiahnuté výsledky sú uvedené vtab. č.l. Ako vyplýva z dosiahnutých výsledkov, účinok plazmy za pomoci vyššie popísaného zariadenia mal pozitívny vplyv na klíčivosť semien, ktorá bola zvýšená v porovnaní s kontrolnou až do 29,2% (jačmeň) v rozsahu aplikačných dávok plazmy od 5 do 60 sekúnd. Preukázateľnejší stimulačný účinok plazmy sa prejavuje u semien s nižšou prirodzenou klíčivosťou.
Tab. č. 1: Klíčivosť semien (v % ) rastlín ošetrených plazmou v rozsahu 5 až 100 sekúnd stanovená v kontrolovaných podmienkach v pôdnom substráte
| Kukurica | Pšenica | Jačmeň | Hrach | |||||
| Varianty | % | %K | % | %K | % | %K | % | %K |
| kontrola | 92,0 | 100,0 | 70,0 | 100,0 | 48,0 | 100,0 | 87,0 | 100,0 |
| Plazma 5 sek. | — | — | — | 52,0 | 108,3 | — | — | |
| Plazma 10 sek. | 94,0 | 102,2 | 77,0 | 110,0 | 56,0 | 116,7 | — | |
| Plazma 15 sek. | — | — | — | — | — | |||
| Plazma 20 sek. | 95,0 | 103,3 | 82,0 | 117,1 | 62,0 | 129,2 | 87,0 | 100,0 |
| Plazma 30 sek. | 97,0 | 105,4 | 85,0 | 121,4 | 50,0 | 104,2 | ||
| Plazma 40 sek. | 97,0 | 105,4 | 78,0 | 111,4 | — | — | 90,0 | 103,4 |
| Plazma 60 sek. | 99,0 | 107,4 | 73,0 | 104,3 | — | — | 97,0 | 111,5 |
| Plazma 80 sek. | 95,0 | 103,3 | 60,0 | 85,7 | — | 83,0 | 95,4 | |
| Plazma 100 sek. | 89,0 | 96,7 | 28,0 | 40,0 | — | — |
% K = percento kontroly
Vysvetlivky:
DSCBD = elektricky budený dielektrický koplanámy povrchový bariérový výboj VN zdroj = zdroj vysokého napätia
Príklad 1
Zariadenie na obr. 1 pozostáva z bloku I na opracovanie semien a zo zdroja vysokého napätia 2 pre napájanie zdroja nízkoteplotnej plazmy typu DCSBD 11, ktoré obsahuje elektródy 111 umiestnené v dielektriku 112. Blok I pre opracovanie semien zahŕňa unikátny zdroj J_1 nízkoteplotnej plazmy typu DCSBD, ktorý je umiestnený na vibračnom zariadení 12, vyvolávajúcom kmitavý pohyb. Zariadenie ja ďalej opatrené dávkovacím zariadením 13 na automatický prívod a dávkovanie nových semien opracovaných pomocou nízkoteplotnej plazmy
14.
Príklad 2
Zariadenie pozostáva z bloku I na opracovanie semien podľa príkladu 1 a bloku 3 na budenie DCSBD a kontrolu parametrov plazmy.
Blok 3 na budenie DCSBD a kontrolu parametrov plazmy zahŕňa zdroj vysokého napätia 2 od firmy LifeTech s budiacim napätím v rozsahu 8 až 15 kV a frekvenciou budenia od 12 do 16 kHz. Blok 3 obsahuje sústavu 31 na kontrolu a reguláciu teploty a vlhkosti umožňujúcu prevádzať úpravu semien v teplotné optimálnom prostredí, pričom tieto údaje sú z bloku 1 získané pomocou kontrolnej sondy 311. Blok 3 rovnako obsahuje sústavu 32 meracích zariadení zahrňujúcu vysokonapäťové sondy 322 a prúdové sondy 321. ktoré umožňujú snímať prostredníctvom osciloskopu 323 okamžité parametre výboja (prúd, napätie) a kontrolovať a vyhodnocovať výkon plazmy 14.
Príklad 3
Zariadenie podľa príkladu 1 alebo 2 je opatrené tiež priezorom pre možnosť pozorovania prechádzajúcich semien. Zariadenie je prispôsobené na prácu v podmienkach plynného prostredia s obsahom CO2, N2 i O2. Na tento je použitý kryt opatrený prívodom a odvodom plynu ako aj tlakovou fľašou s pracovným plynom a reguláciou prívodu plynu.
Priemyselná využiteľnosť
Technické riešenie je priemyselne využiteľné najmä v poľnohospodárstve na zvýšenie klíčivosti semien rastlín a na získanie materiálu s výrazne zníženým množstvom patogénov na ich povrchu.
Claims (14)
1. Zariadenie na úpravu rastlinných semien vyznačujúce sa tým, že obsahuje blok (1) na opracovanie semien, zahrňujúci zdroj (11) nízkoteplotnej plazmy (14) využívajúcej elektricky budený dielektrický koplanámy povrchový bariérový výboj pri atmosférickom tlaku a ďalej obsahuje zdroj (2) vysokého napätia na napájanie a budenie zdroja (11).
2. Zariadenie na úpravu rastlinných semien vyznačujúce sa tým, že ďalej obsahuje blok (3) na budenie zdroja (11) a snímanie parametrov plazmy (14) zahrňujúcej zdroj (2) vysokého napätia na napájanie a budenie zdroja (11) a sústavu (31) na kontrolu teploty a vlhkosti prostredia v bloku (1) a sústavu (32) meracích zariadení na snímanie okamžitých parametrov výboja a kontrolu a vyhodnocovania výkonu nízkoteplotnej plazmy (14).
3. Zariadenie podľa nárokov 1 alebo 2 vyznačujúce sa tým, že zdroj (11) nízkoteplotnej plazmy (14) je uložený na vibračnom zariadení (12) na vyvolanie otáčavého pohybu semien po povrchu výbojky zabezpečujúcej rovnomerný kontakt semien s vrstvou plazmy a tým aj ich automatické homogénne spracovanie.
4. Zariadenie podľa nároku 1, 2 alebo 3 vyznačujúce sa tým, že je na vstupe opatrené dávkovacím zariadením (13) spoločne na automatický prívod a dávkovanie nových semien ako aj na odvod semien opracovaných pomocou nízkoteplotnej plazmy (14).
5. Zariadenie podľa nároku 2 vyznačujúce sa tým, že sústava (32) meracích zariadení obsahuje aspoň jednu vysokonapäťovú sondu (322) prepojenou s prúdovou sondou (321) a osciloskopom (323).
6. Zariadenie podľa nároku 2 vyznačujúce sa tým, že sústava (31) na kontrolu teploty a vlhkosti prostredia v bloku (1) obsahuje aspoň jednu sondu (311) na získavanie údaje týkajúcich sa teploty a vlhkosti a umiestnenú v bloku (1).
7. Zariadenie podľa ktoréhokoľvek z nárokov 1 až 5 vyznačujúce sa tým, že zdroj (2) vysokého napätia má budiace napätie v rozsahu 8 až 15 kV a frekvenciu budenia 6 až 100 kHz.
8. Zariadenie podľa ktoréhokoľvek z nárokov 1 až 6 vyznačujúce sa tým, že poskytuje frekvenciu budenia zdroja (11) v rozmedzí od 6 do 100 kHz a výkonovú hustotu v rozpätí
A
0,5 až 5 W/cm počas expozičnej doby 10 až 600 sekúnd.
9. Zariadenie podľa nárokov 7 alebo 8 vyznačujúce sa tým, že frekvencia budenia zdroja je v rozmedzí 12 až 16 kHz.
10. Zariadenie podľa nároku 3, vyznačujúce sa tým, že ďalej obsahuje vibračné zariadenie (12) na rozkmitanie zdroja (11) s frekvenciou oscilácie 1 Hz až 5 kHz.
11. Zariadenie podľa nárokov 8, 9 a 10, vyznačujúce sa tým, že obsahuje vibračné zariadenie (12) na rozkmitanie zdroja (11) s frekvenciou oscilácie 200 až 300 Hz.
12. Zariadenie podľa ktoréhokoľvek z nárokov 1 až 11 vyznačujúce sa tým, že je opatrené priezorom na pozorovanie semien.
13. Zariadenie podľa ktoréhokoľvek z nárokovlaž 12 vyznačujúce sa tým, že je uspôsobené pre prácu v podmienkach plynného prostredia zahrňujúceho CO2, N2 alebo O2.
14. Zariadenie podľa nároku 13 vyznačujúce sa tým, že ďalej obsahuje kryt opatrený prívodom a odvodom plynu a tlakovú fľašu s s pracovným plynom a reguláciou prívodu plynu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SK167-2012U SK6629Y1 (sk) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | Zariadenie na úpravu rastlinných semien nízkoteplotnou plazmou pri atmosférickom tlaku |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SK167-2012U SK6629Y1 (sk) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | Zariadenie na úpravu rastlinných semien nízkoteplotnou plazmou pri atmosférickom tlaku |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SK1672012U1 true SK1672012U1 (sk) | 2013-07-02 |
| SK6629Y1 SK6629Y1 (sk) | 2014-01-08 |
Family
ID=48748663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SK167-2012U SK6629Y1 (sk) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | Zariadenie na úpravu rastlinných semien nízkoteplotnou plazmou pri atmosférickom tlaku |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SK (1) | SK6629Y1 (sk) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL428468A1 (pl) * | 2018-12-31 | 2019-05-06 | Lubelska Polt | Sposób stymulacji roślin zdrewniałych |
| PL428467A1 (pl) * | 2018-12-31 | 2019-05-06 | Lubelska Polt | Sposób stymulacji roślin półzdrewniałych i zielnych |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109463062A (zh) * | 2017-09-07 | 2019-03-15 | 洛阳华清天木生物科技有限公司 | 一种利用常压室温等离子体处理农作物种子的方法 |
-
2012
- 2012-12-27 SK SK167-2012U patent/SK6629Y1/sk unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL428468A1 (pl) * | 2018-12-31 | 2019-05-06 | Lubelska Polt | Sposób stymulacji roślin zdrewniałych |
| PL428467A1 (pl) * | 2018-12-31 | 2019-05-06 | Lubelska Polt | Sposób stymulacji roślin półzdrewniałych i zielnych |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SK6629Y1 (sk) | 2014-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Gao et al. | Effect of dielectric barrier discharge cold plasma on pea seed growth | |
| Aladjadjiyan | Physical factors for plant growth stimulation improve food quality | |
| Naumova et al. | Stimulation of the germinability of seeds and germ growth under treatment with plasma-activated water | |
| RU2582499C1 (ru) | Способ предпосевной обработки семян | |
| SK1672012U1 (sk) | Device for treatment seeds of plants by low pressure plasma at atmospheric pressure | |
| Mondal et al. | Role of seed hardening in rice variety Swarna (MTU 7029) | |
| Lazukin et al. | Treatment of spring wheat seeds by ozone generated from humid air and dry oxygen. | |
| Lee et al. | Roles of oxides of nitrogen on quality enhancement of soybean sprout during hydroponic production using plasma discharged water recycling technology | |
| CN105993733B (zh) | 一种灭除农作物叶面害虫的高压物理电场电流装置 | |
| US20180160629A1 (en) | Ultrasonic treatment of seeds | |
| CN106508170A (zh) | 一种提高小麦幼芽抗旱性的种子处理装置及方法 | |
| Shah et al. | Influence of pre-sowing seed treatments on germination properties and seedling vigor of wheat | |
| Lahijanian et al. | Increasing germination speed of common bean (Phaseolus vulgaris) seeds by ultrasound treatments | |
| MD3411G2 (ro) | Generator de aeroioni negativi | |
| KR102310679B1 (ko) | 담수경 인삼 재배 시스템에서 이온화 기기를 활용한 잔류농약 제거 방법 | |
| RU2341924C2 (ru) | Устройство для обработки семян озоном | |
| Fan et al. | Nanosecond pulsed atmospheric-pressure plasma enhanced the germination of melon (Cucumis melo L.) seeds | |
| CZ25125U1 (cs) | Zařízení pro úpravu rostlinných semen nízkoteplotním plazmatem za atmosférického tlaku | |
| JP3723454B2 (ja) | 発芽方法及び装置 | |
| Nagy et al. | Effects of pulsed variable magnetic fields over plant seeds | |
| Rinaldelli | Effect of ultrasonic waves on seed germination of Capparis spinosa L. as related to exposure time, temperature, and gibberellic acid | |
| Hendrawan et al. | Plant acoustic frequency technology control system to increase vegetative growth in red-lettuce | |
| Sarinont et al. | Multigeneration effects of plasma irradiation to seeds of Arabidopsis Thaliana and Zinnia on their growth | |
| Sundahri et al. | Inducing The Viability of Deteriorated Jatropha Seeds Through Matriconditioning Technology and Pseudomonas Fluorescens as Biological Agent | |
| Sosnin et al. | Fungicidal effect of apokampic discharge plasma jet on wheat seeds infected with Alternaria sp. and Bipolaris sorokiniana Shoemaker |