SE501883C2 - Bildavkänningsdetektor - Google Patents
BildavkänningsdetektorInfo
- Publication number
- SE501883C2 SE501883C2 SE8402565A SE8402565A SE501883C2 SE 501883 C2 SE501883 C2 SE 501883C2 SE 8402565 A SE8402565 A SE 8402565A SE 8402565 A SE8402565 A SE 8402565A SE 501883 C2 SE501883 C2 SE 501883C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- radiation
- charge
- semiconductor device
- wavelength
- zero
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 9
- 230000005258 radioactive decay Effects 0.000 claims description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 101000608653 Homo sapiens UbiA prenyltransferase domain-containing protein 1 Proteins 0.000 abstract description 4
- 201000004224 Schnyder corneal dystrophy Diseases 0.000 abstract description 4
- 102100039547 UbiA prenyltransferase domain-containing protein 1 Human genes 0.000 abstract description 4
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 208000032544 Cicatrix Diseases 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 231100000241 scar Toxicity 0.000 description 1
- 230000037387 scars Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Description
501 333 obehindrat tillåta snabb överföring av signalladdningspaket. 501 333 unhindered allow fast transmission of signal charge packets.
Den laddning som alstras av denna.bakgrundsbestrålning är känd såsom "fet nolla" (fat zero) och utgöres typiskt av 10-50% av laddningskapaciteten för anordningen.The charge generated by this background irradiation is known as "fat zero" and typically consists of 10-50% of the charging capacity of the device.
En liknande effekt uppstår i en laddningskopplad anordning med dold kanal (BCCD). Kristallgitterfelen som förorsakar laddningsinfångning i förekommande bulkkisel är mindre rik- ligt förekommande i detta fall, varvid endast 2-10% av topp- laddningskapaciteten (känd såsom "smal nolla" (slim zero)) kräves såsom en bakgrundsnivå för att obehindrat tillåta överföring av signalladdningspaketen. Det har befunnits nödvändigt att använda bakgrundsbestrålning för att åstad- komma "fet nolla" i en SCCD.A similar effect occurs in a charge-coupled device with hidden channel (BCCD). Crystal lattice defects that cause charge capture in existing bulk silicon is less occurring in this case, with only 2-10% of the charging capacity (known as "slim zero") required as a background level to allow unhindered transmission of the signal charge packets. It has been found necessary to use background irradiation to get "fat zero" in an SCCD.
Beteckningen "god nolla" (primed zero) användes här för att beteckna "fet nolla" där CCD utgöres av en SCCD och "smal nolla" där CCD utgöres av en BCCD. nu; flerral olika ljuskällor har riaigare föreelagire för arr bestråla en SCCD-bildanordning. Ett exempel på en ljuskälla är en ljusemitterande diod. Sökanden har beaktat de tidigare förslagen till ljuskällor i CCD-anordningar och funnit dem otillfredsställande. Ett problem är att de är skrymmande och opålitliga och ett annat problem är att de är relativt dyr- bara. Ett ändamål med föreliggande uppfinning är att åstad- komma en snabb CCD-bildavkännare som är liten, tillförlitlig och relativt billig.The term "primed zero" was used here for to denote "bold zero" where the CCD is an SCCD and "narrow zero" where the CCD is a BCCD. now; Several different light sources have a richer pre-arrangement for scars irradiate an SCCD imaging device. An example of a light source is a light emitting diode. The applicant has taken them into account in the past proposed light sources in CCD devices and found them unsatisfactory. One problem is that they are bulky and unreliable and another problem is that they are relatively expensive. only. An object of the present invention is to provide come a fast CCD image sensor that is small, reliable and relatively inexpensive.
Enligt uppfinningen föreligger en detektoranordning för detektering av närvaron i ett betraktningsfält för en givare av elektromagnetisk strålning med karakteristisk våglängd och 501 883 _ omfattande en laddningsöverförande halvledaranordning, som är känslig för nämnda strålning och kan åstadkomma en användbar uteffekt, varvid anordningen kan omfatta ett smalbandigt optiskt passfilter som kraftigt dämpar alla våglängder utom de inom det smala bandet omfattande nämnda karakteristiska våglängd, av en strålningskälla med radioaktiv sönderfalls- mekanism och med en våglängd för vilken laddningsöverförings- anordningen är känslig, varvid källan är belägen på sådant sätt att strålning från källan faller på laddningsöverförings- anordningen och förspänner densamma till åtminstone "god nolla", hur låg den intensitet som infaller på laddnings- överföringsanordningen av bakgrundsstrålning, filtrerad genom nämnda filter, än är.According to the invention there is a detector device for detection of the presence in a field of view of a donor of electromagnetic radiation with characteristic wavelength and 501 883 _ comprising a charge transfer semiconductor device, which is sensitive to said radiation and can provide a useful output power, wherein the device may comprise a narrowband optical pass filter that greatly attenuates all wavelengths except those within the narrow band comprising said characteristic wavelength, of a radiation source with radioactive decay mechanism and with a wavelength for which the charge transfer the device is sensitive, the source being located on such way that radiation from the source falls on the charge transfer the device and biases it to at least "good zero ", what was the intensity of the charge on the charge the background radiation transmission device, filtered through said filter, than is.
Sökanden har insett att om bestrålningsnivån hos en bakgrunds- bestrålningsutrustning innefattad i en bildanordning är utfor- mad för en mörk bakgrund utanför bildanordningen (t.ex. natt- betingelser med himmel som bakgrund) kommer då när systemet användes mot ljusa yttre bakgrunder (exempelvis ljus himmel eller solbelyst mark) den totala bakgrundsintensiteten att vara suman av den inneboende bakgrundsnivån som åstadkommas av den förutinställda ljuskällan och den utanförliggande bak- grundsnivån som träffar CCD-bildkännaren att vara högre än nämnda kritiska nivå, varigenom svarstiden för CCD kan vara marginellt långsammare under dessa omständigheter.The applicant has realized that if the radiation level of a background irradiation equipment included in an imaging device is designed for a dark background outside the imaging device (eg night conditions with sky as background) then comes when the system was used against light external backgrounds (eg bright sky or sunlit ground) the total background intensity that be the sum of the inherent background level achieved of the preset light source and the external backlight the basic level that hits the CCD image sensor to be higher than said critical level, whereby the response time of CCD can be marginally slower under these circumstances.
Icke desto mindre kan den möjliga nackdelen med att ha en ljuskälla med fast intensitet sannolikt uppvägas under vissa tillämpningar genom ren pålitlighet, låga kostnader och litet format samt lätthet att tillverka till vilken som helst form som kräves och som är associerade med radioaktiva ljuskällor.Nevertheless, the possible disadvantage of having one light source with fixed intensity is likely to be offset under some applications through pure reliability, low cost and small format and ease of manufacture into any shape required and associated with radioactive light sources.
Claims (5)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8224004A GB2247102B (en) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | Image sensing |
CA000435313A CA1331403C (en) | 1982-08-20 | 1983-08-25 | Imaging apparatus with a semiconductor charge transfer device |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE8402565D0 SE8402565D0 (en) | 1984-05-14 |
SE8402565L SE8402565L (en) | 1992-06-20 |
SE501883C2 true SE501883C2 (en) | 1995-06-12 |
Family
ID=25670135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE8402565A SE501883C2 (en) | 1982-08-20 | 1984-05-14 | Bildavkänningsdetektor |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
CA (1) | CA1331403C (en) |
DE (1) | DE3347822C1 (en) |
FR (1) | FR2687846B1 (en) |
GB (1) | GB2247102B (en) |
SE (1) | SE501883C2 (en) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3925657A (en) * | 1974-06-21 | 1975-12-09 | Rca Corp | Introduction of bias charge into a charge coupled image sensor |
DE3164025D1 (en) * | 1980-01-25 | 1984-07-19 | Tokyo Shibaura Electric Co | Charge transfer apparatus |
-
1982
- 1982-08-20 GB GB8224004A patent/GB2247102B/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-08-19 DE DE3347822A patent/DE3347822C1/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-08-25 CA CA000435313A patent/CA1331403C/en not_active Expired - Fee Related
-
1984
- 1984-04-16 FR FR848406208A patent/FR2687846B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-05-14 SE SE8402565A patent/SE501883C2/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE8402565L (en) | 1992-06-20 |
GB2247102A (en) | 1992-02-19 |
FR2687846A1 (en) | 1993-08-27 |
SE8402565D0 (en) | 1984-05-14 |
FR2687846B1 (en) | 1994-07-01 |
DE3347822C1 (en) | 1992-08-27 |
CA1331403C (en) | 1994-08-09 |
GB2247102B (en) | 1992-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ATE172343T1 (en) | APPARATUS, SYSTEM AND METHODS FOR TAKING IMAGES | |
CN104697644A (en) | Infrared detector and detection method thereof, and electronic apparatus | |
NO20005366L (en) | Device for counting and / or sorting coins | |
KR920020233A (en) | Magneto-optical device and magnetic field measuring device | |
US5134274A (en) | Two-sided solid-state imaging device | |
KR870002668A (en) | Solid-state image sensor | |
US4338627A (en) | LED/CCD Multiplexer and infrared image converter | |
Riza et al. | 177 dB linear dynamic range pixels of interest DSLR CAOS camera | |
ATE411699T1 (en) | DEVICES, SYSTEMS AND METHODS FOR CAPTURING IMAGES | |
US8017903B2 (en) | Observation apparatus | |
US11056528B2 (en) | Image sensor with phase-sensitive pixels | |
SE501883C2 (en) | Bildavkänningsdetektor | |
US20060049337A1 (en) | Optoelectronic sensor | |
RU2082952C1 (en) | Device to calibrate optical radiometric instrument with use of light source | |
US10063797B2 (en) | Extended high dynamic range direct injection circuit for imaging applications | |
US6243242B1 (en) | Photographic lightning trigger devices | |
Kim et al. | Low light level imaging with buried channel charge-coupled devices | |
JP4619640B2 (en) | Signal detection method and apparatus | |
SE0100382D0 (en) | X-ray detector | |
RU2113011C1 (en) | Information reader | |
RU2343504C2 (en) | Method of registration of x-ray radiation and device for its realisation | |
RU32347U1 (en) | Camera based on a photodetector CCD | |
SE470198B (en) | Imaging apparatus and means for making available an image created by electromagnetic radiation using a semiconductor for charge transfer | |
Wardley | An Improved Ultra-violet Sensitive Vidicon | |
JPS5631159A (en) | Picture processor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |