SE458567B - Reaktionscell foer epitaxiell tillvaext av halvledarmaterial - Google Patents
Reaktionscell foer epitaxiell tillvaext av halvledarmaterialInfo
- Publication number
- SE458567B SE458567B SE8703182A SE8703182A SE458567B SE 458567 B SE458567 B SE 458567B SE 8703182 A SE8703182 A SE 8703182A SE 8703182 A SE8703182 A SE 8703182A SE 458567 B SE458567 B SE 458567B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- cell
- reaction cell
- susceptor
- diffuser
- cell according
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H01L21/205—
-
- H01L21/365—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Description
458 567 2 snitt, vilket är brutet nedströms susceptorn för komunikation med en yttre kammare, och är försedd med en diffusor uppströms substratet, för kontrollerad spridning av en till cellen ledd gasström.
Enligt en fördelaktig utföringsform av uppfinningen upp- visar cellen tak, botten och sidovâggar, vilkas gemensamma rektangulära tvärsnitt har ett höjd/breddförhállande av mellan 1:3 och 1:10.
Bottenväggen är lämpligen försedd med en urtagning, som sträcker sig i cellens längdriktning, från dess nedströmsände och till ett visst avstånd från diffusorn.
Kvarvarande ytor av bottenväggen löper längs sidoväggarna och bildar gejdytor, vilka möjliggör inskjutning av susceptorn till ett definierat läge invid den inre av urtagningens kanter.
Enligt ytterligare ett fördelaktigt utföringsexempel av uppfinningen utgörs diffusorn av en skiva med till arean nog- grant definierade öppningar.
Vidare divergerar lämpligen cellen, uppströms skivan, från inloppet och ut mot sidoväggarna.
Ett utföringsexempel av uppfinningen skall i det följande närmare förklaras med hänvisning till de bifogade ritningarna, på vilka Fig. 1 är en sidovy av en reaktorkamare med reaktionscell enligt uppfinningen, Fig. 2 är en perspektivvy av reaktionscellen i Fig. 1, och Fig. 3 och 4 visar en susceptor i en sido- resp. en planvy.
Den i Fig. 1 visade reaktorkammaren omfattar ett mellan tätande ändväggar 10, ll horisontellt monterat rör 12, av kvartsglas. Rörets infästningar i ândväggarna 10, ll är kylda medelst till- och avloppsledningar 13 resp. 14 för kylvatten.
Kvartsrörets 12 fria del omges av en spole 15, vars båda ändar är förbunden med en icke visad radiofrekvensgenerator, för alstring av virvelströmmar i ett i kamaren beläget, elektriskt ledande föremål för uppvärmning till en temperatur mellan 600 och 800°C. Kylningen av rörändarna förhindrar att värmeenergin leds vidare till tätningar 16 och övriga rörledningar. 458 567 3 En reaktionscell 17 vilar centralt inuti röret 12 och an- sluter med sin vänstra ände i Fig. 1 till ett gasinlopp 18, som uppvisar en kanal för en bärgas och anslutningar 19 för olika reaktionsgaser. Cellens 17 högra ände i Fig. 1 vilar på ett stöd 20. En susceptor 21 är inskjuten i cellen, via en längs- gående urtagning 22. Reaktorkammaren är försedd med ett avgas- utsläpp 23 nedströms cellen 17.
Av Fig. 2 framgår att reaktionscellen 17 har en öppen fyr- kantprofil med tak 24, botten 25 och sidoväggar 26. Urtagningen sträcker sig från cellens öppna nedströmsände 17' och till ett visst avstånd från en vid motsatt ände belägen diffusor 27.
Kvarvarande ytor av bottenväggen 25 löper längs sidoväggarna 26 och bildar gejdytor 25', vilka möjliggör inskjutning av suscep- torn 21 till ett definierat läge invid den inre av urtagningens kanter 22'.
Diffusorn 27 utgörs av en skiva med ett flertal öppningar 28. Dessa är noggrant definierade beträffande arean och kant- formen, för att ge en jämn spridning av den via inloppet 18 till cellen strömmande gasen. Uppströms diffusorn divergerar cellen från det cirkulära inloppet 18 och ut mot sidoväggarna 26.
Susceptorns 21 form framgår av Fig. 3 och 4. Den utgörs av en rektangulär, jämntjock grafitplatta, som är något bredare än urtagningens 22 bredd. Plattans làngsidor är frästa, för bild- ande av sneda långsidokanter 2l', vilka samverkar med gejd- ytorna 25', så att susceptorn är inskjutbar i urtagningen till ett definierat inre ândläge, vid vilket den bildar en något sned anslagsyta gentemot den genom reaktionscellen strömande gasen. En rundad framkant 21" på susceptorn överlappar den inre urtagningskanten 22' och förhindrar turbulent gsströmning vid denna del av cellen. Tryckutjämning relativt den cellen omgiv- ande reaktorkammaren sker vid susceptorns bakkant, via den återstående delen av urtagningen 22, vilket medför: a) enkel procedur för urpumpning till vakuum, b) ingen kontaminering av ínnercellen från omgivningen, och c) låg deponeringsgrad på yttre kammare, jämfört med konstruk- 458 567 tioner utan innercell.
Susceptorn 21 är vidare försedd med tvâ inre kanaler 29, av vilka den ena används för att mäta temperaturen i cell- en, via ett i kanalen lagrat termoelement. Den andra kanalen bildar lagring för en icke visad stång, som används för manöv- rering av susceptorn till och från sitt läge i reaktionscellen.
Reaktionscellen 17 är i sin helhet tillverkad av kvarts- Härvid lämpar sig det öppna fyrkanttvärsnittet för strängsprutning, vilket reducerar tillverkningskostnaderna jämfört med konventionella, manuellt blåsta reaktionsceller.
Ett höjd/breddförhàllande hos profilen av mellan 1:3 och 1:10, med en stor tvärsnittsarea i förhållande till gasflödet, har visat sig fördelaktigt, 30, glas. för att uppnå minsta möjliga turbulens.
På den ena änden av den eträngsprutade profilen monteras dif- fusorplattan 28 och det divergerande gasinloppet 18. Till sist skärs urtagningen 22 ut i cellens botten.
Genom den ovan beskrivna utformningen av reaktionscellen uppnås utomordentligt fördelaktiga strömningsförhållanden med effektiv användning av ursprungskemikalier, genom att: a) diffusorn eliminerar en central'jetstråle med upphov i tvär- snittsdiskontinuiteten vid gasinsläppet, b) diffusorn eliminerar virveltendenser vid insläppet, med därav följande stagnanta volymer som i sin tur ger minnes- effekter, och c) cellgeometrin ger laminärt flöde över substratets yta med därav följande homogenitet i tillväxten.
Detta sammantaget möjliggör framställning av halvledare med hög kvalitet.Dessutom möjliggör gejdytorna 25' en enkel laddning av cellen, vilket reducerar tídàtgången vid uppstart, samt en enkel anpassning av susceptorns lutningsvinkel för optimerad homogenitet i det epitaxiella skíktets längsled, genom enkel bearbetning av susceptorns kantsidor 21'. Vid kända anläggning- ar erhålles vinkeln genom komplicerade glasarbeten. Vidare kan utrustningen relativt enkelt modifieras för användning av ett roterande substrat, varvid den för rotationen nödvändiga rörel- sen kan överföras via den tidigare nämnda manövreringsstången. . 458 567 5 Uppfinningen är ej begränsad till det ovan beskrivna ut- föringsexemplet, utan flera varianter är tänkbara inom ramen för efterföljande patentkrav. Exempelvis behöver gasinloppet 18 inte vara parallellt med reaktionscellens 17 längdriktning, utan kan vara riktad vinkelrätt eller i sned vinkel mot denna.
Cellens fyrkanttvärsnitt kan vara annorlunda än visat.
Claims (6)
1. Reaktionscell för epitaxiell tillväxt av halvledar- material på ett av en susceptor (21)-buret substrat, vilken cell (17) är monterad i en rörformad reaktorkammare (10, 11, 12), som vid sin respektive ände är försedd_med in- resp. ut- lopp (13 resp. 14) för gaser samt organ (15) för upphettning av kammaren, k ä n n e t e c k n a d därav, att cellen (17) har ett väsentligen rektangulärt tvärsnitt, vilket är brutet ned- ströms susceptorn (21), för kommunikation med den yttre kamma- ren (12), och är försedd med en diffusor (27) uppströms sub- stratet, för kontrollerad spridning av en till cellen ledd gasström.
2. Reaktionscell enligt kravet 1, k ä n n e t e c k n a d därav, att cellen (17) bildar en öppen fyrkantprofil med tak (24), botten (25) och sidoväggar (26), vilkas gemensamma rek- tangulära tvärsnitt har ett nöja/brçaafarnallande av mellan 1:32 och 1:10. '
3. Reaktionscell enligt kravet 1 eller 2, k ä n n e - t e c k n a d därav, att bottenväggen (25) är försedd med en urtagning (22), som sträcker sig i cellens (17) längdriktning, frán dess nedströmsände (l7') och till ett visst avstånd från diffusorn (27).
4. Reaktionscell enligt kravet 2, k ä n n e t e c k n a d därav, att kvarvarande ytor av bottenväggen (25) löper'längs sidoväggarna (26) och bildar gejdytor (25'), vilka möjliggör inskjutning av susceptorn (21) till ett definierat läge invid den inre av urtagningens kanter (22').
5. Reaktionscell enligt något av föregående krav, k ä n - n e t e c k n a d därav, att diffusorn (27) utgörs av en skiva med till arean noggrant definierade öppningar (28).
6. Reaktionscell enligt kravet_5, k ä n n e t e c k n a d därav, att cellen (17), uppströms skivan (27), divergerar från ínloppet (18) och ut mot sidoväggarna (26).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE8703182A SE458567B (sv) | 1987-08-17 | 1987-08-17 | Reaktionscell foer epitaxiell tillvaext av halvledarmaterial |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE8703182A SE458567B (sv) | 1987-08-17 | 1987-08-17 | Reaktionscell foer epitaxiell tillvaext av halvledarmaterial |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE8703182D0 SE8703182D0 (sv) | 1987-08-17 |
SE8703182L SE8703182L (sv) | 1989-02-18 |
SE458567B true SE458567B (sv) | 1989-04-10 |
Family
ID=20369302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE8703182A SE458567B (sv) | 1987-08-17 | 1987-08-17 | Reaktionscell foer epitaxiell tillvaext av halvledarmaterial |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SE (1) | SE458567B (sv) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996023912A1 (en) * | 1995-01-31 | 1996-08-08 | Abb Research Ltd. | DEVICE FOR EPITAXIALLY GROWING SiC BY CVD |
-
1987
- 1987-08-17 SE SE8703182A patent/SE458567B/sv not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996023912A1 (en) * | 1995-01-31 | 1996-08-08 | Abb Research Ltd. | DEVICE FOR EPITAXIALLY GROWING SiC BY CVD |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE8703182L (sv) | 1989-02-18 |
SE8703182D0 (sv) | 1987-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2888253B2 (ja) | 化学気相成長法およびその実施のための装置 | |
US9777374B2 (en) | Chemical vapor deposition device | |
CN105331952B (zh) | 进气装置以及半导体加工设备 | |
TWI478771B (zh) | 多氣體同心注入噴頭 | |
EP3483919A1 (en) | Chemical vapor deposition flow inlet elements and methods | |
US9869021B2 (en) | Showerhead apparatus for a linear batch chemical vapor deposition system | |
US9123758B2 (en) | Gas injection apparatus and substrate process chamber incorporating same | |
US8986451B2 (en) | Linear batch chemical vapor deposition system | |
CN112941626B (zh) | 工艺腔室的进气组件、进气装置及半导体加工设备 | |
US20040244384A1 (en) | Heating medium circulating device and thermal, treatment equipment using the device | |
CN101896995A (zh) | 具有改善的气流分布的热反应器 | |
JP2011500961A (ja) | 化学気相成長反応器 | |
KR20110069851A (ko) | 기상증착을 위한 동심형 샤워헤드 | |
CN105981133B (zh) | 具有注入组件的上部圆顶 | |
JP2004520482A (ja) | 流体流を複数の部分流に分配するための流体分配ユニット及び、複数の流体のための流体分配装置 | |
JPS615515A (ja) | 化学気相成長装置 | |
US20200020556A1 (en) | Upper cone for epitaxy chamber | |
SE458567B (sv) | Reaktionscell foer epitaxiell tillvaext av halvledarmaterial | |
US12018372B2 (en) | Gas injector for epitaxy and CVD chamber | |
JP4899958B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JPH04233723A (ja) | 可変分配率ガス流反応室 | |
US3621812A (en) | Epitaxial deposition reactor | |
CN213144954U (zh) | 用于外延工艺的反应腔室及外延设备 | |
JPS5934231B2 (ja) | Cvd装置の吐出装置 | |
JP4704894B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 8703182-9 Effective date: 19940310 Format of ref document f/p: F |