SE444999B

SE444999B - A coupling arrangement for the steering of a bistable relay

Info

Publication number: SE444999B
Application number: SE7810966A
Authority: SE
Inventors: H Sauer; W Steinbichler; H Ritter; S Antonitsch; H Fukuzono; H Nishimura; S Okamoto; Y Kameyama; Y Watari
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd; Sds Elektro Gmbh
Priority date: 1977-10-24
Filing date: 1978-10-20
Publication date: 1986-05-20
Also published as: SE7810966L

Abstract

Arrangement for controlling a bistable relay so that, in a reliable way, a bistable relay (R1S) can be restored to its non activated state when a magnetising tension (U) is terminated. The relay's (R1S) magnetising coil lies in series with a capacitance (C1), whereby the series coupling that exists between the coil and the capacitance is introduced to the magnetising tension (U) to bring the relay to a magnetised state, and in order to simultaneously load the capacitance (C1). The series coupling is short circuited on the absence of magnetising tension (U1) via a semi-conductor current instrument (T1) whose output circuit is coupled in parallel with the series coupling that exists between the coil and the capacitance. The semi-conductor current instrument's output circuit is coupled in parallel with a resistance element (D1) which lies in series with the magnetising coil and the capacitance. The arrangement works in such a way that, after the capacitance has been completely loaded and the magnetising tension is decoupled, a drop in tension intrudes on the resistance element which makes the semi-conductor current instrument dominant, whereby the series coupling short circuits and the relay decouples to its original demagnetised condition.<IMAGE>

Description

15 20 25 30 35 7810966-7 2 tidigare. En seriekopplad diod förhindrar vid frånvaron av magnetiseringsspänningen en långsam urladdning av kondensatorn. En âterställning av reläet utlöses först genom den positiva styrpulsen vid ingången av den andra transistorn. Då denna puls ej kan utvinnas från magneti- seringsspänningen när denna är frånkopplad uppstår här nödvändigheten av en extern signalkälla. 15 20 25 30 35 7810966-7 2 earlier. A series-connected diode prevents a slow discharge of the capacitor in the absence of the excitation voltage. A reset of the relay is first triggered by the positive control pulse at the input of the second transistor. Since this pulse cannot be recovered from the excitation voltage when it is switched off, the necessity of an external signal source arises here.

Genom tyska utläggningsskriften 2 624 913 är dessutom en kopplingsanordning känd för att styra bistabila reläer, varigenom dessa fungerar som monostabila reläer och vid bortfall av magnetiseringsspänningen automatiskt återgår till utgångsläget. Detta uppnås därigenom, att mellan magnetspolens och kondensatorns förbindningspunkt å ena sidan och halvledarströmställarens styrelektrod å andra sidan är inkopplad en av magnetiseringsspänningen matad utvärderingskrets som spärrar halvledarströmställaren vid förefinnandet av magnetiseringsspänningen och vid bortfall av magnetiseringsspänningen styr den till le- dande tillstånd. För att hindra en oavsiktlig urladdning av kondensatorn är även här en diod inkopplad i ström- banan. Ett seriemotstånd i samma strömbana tjänar såväl som kortslutningssäkring för halvledarströmställaren som för att vid lämplig dimensionering åstadkomma ett defini- erat spänningsfall, varigenom reläer med ekonomiskt fram- ställbar lågspänningslindning måste drivas med högre spänningar, exempelvis nätspänningen. Däremot leder ut- värderingskretsen som är nödvändig för att åstadkomma reläets monostabila funktion till ett relativt högt upp- bâd av konstruktionsdelar. Ändamålet med uppfinningen är att utforma en kopplings- anordning av inledningsvis nämnd typ på sådant sätt, att den vid bortfall av magnetiseringsspänningen önskade automatiska återställningen av det ßistabila reläet kan utföras med ett mindre uppbåd av konstruktionsdelar än vid kända anordningar. 10 15 20 25 30 35 7810966-7 Uppfinningen hänför sig till en kopplingsanordning för att styra ett bistabilt relä, som har en magnetiserings- spole för att omställa reläet mellan ett första och ett andra läge, varvid en kapacitans är anordnad som har tillräcklig lagringskapacitet för att magnetisera reläet och en krets, i vilken kapacitansen är seriekopplad med spolen för att åstadkomma hela strömflödet genom spolen från kapacitansen under laddning och för att spärra allt strömflöde genom spolen från kapacitansen när denna är laddad, och varvid ett motståndselement är seriekopplat med den seriekopplade kapacitansen och spolen.In addition, German Offenlegungsschrift 2,624,913 discloses a switching device for controlling bistable relays, whereby these function as monostable relays and in the event of a failure of the excitation voltage automatically return to the initial position. This is achieved in that between the connection point of the magnetic coil and the capacitor on the one hand and the control electrode of the semiconductor switch on the other hand is connected an evaluation circuit supplied by the excitation voltage which blocks the semiconductor switch when the excitation voltage is present and when the excitation voltage fails. To prevent an unintentional discharge of the capacitor, a diode is also connected to the current path here. A series resistor in the same current path serves both as short-circuit protection for the semiconductor switch and to achieve a defined voltage drop with suitable dimensioning, whereby relays with economically manufacturable low-voltage winding must be operated with higher voltages, for example the mains voltage. On the other hand, the evaluation circuit necessary to achieve the monostable function of the relay leads to a relatively high set of structural parts. The object of the invention is to design a switching device of the type mentioned in the introduction in such a way that the automatic reset of the stable relay desired in the event of a failure of the excitation voltage can be carried out with a smaller set of structural parts than in known devices. The invention relates to a switching device for controlling a bistable relay, which has a magnetizing coil for switching the relay between a first and a second position, a capacitance being provided which has sufficient storage capacity for magnetizing the relay and a circuit in which the capacitance is connected in series with the coil to provide the entire current flow through the coil from the capacitance during charging and to block all current flow through the coil from the capacitance when it is charged, and wherein a resistance element is connected in series with the series connected capacitance and the coil.

Det nya och väsentligen kännetecknande med föreliggande uppfinning är att en magnetiseringskälla är parallell- kopplad med seriekopplingen av lindning, kapacitans och motstândselement och en halvledarströmställare är anord- nad som har en styrelektrod ansluten på sådant sätt att den avkänner spänningsfallet över motståndselementet och har utgångar anslutna parallellt över seriekopplingen av spole och kapacitans, så att när spänningen från nämnda källa överskrider en första bestämd nivå, ström passerar genom motståndselementet och spolen för att omställa re- läet till sitt första läge och samtidigt ladda kapacitan- sen till en spänning som i huvudsak är lika med spännings- källans spänning, varigenom halvledarströmställaren blir icke ledande och när kapacitansen laddas och spänningen från källan över motståndselementet faller till en andra bestämd nivå, det minskade spänningsfallet över motstånds- elementet gör halvledarströmställaren ledande, varigenom kapacitansen kan urladdas genom spolen för att omställa reläet till dess andra läge.The new and essential feature of the present invention is that a magnetizing source is connected in parallel with the series connection of winding, capacitance and resistance elements and a semiconductor switch is provided which has a control electrode connected in such a way that it senses the voltage drop across the resistance element and has outputs connected in parallel over the series connection of coil and capacitance, so that when the voltage from said source exceeds a first determined level, current passes through the resistor element and the coil to switch the relay to its first position and at the same time charge the capacitance to a voltage which is substantially equal with the voltage of the voltage source, whereby the semiconductor switch becomes non-conductive and when the capacitance is charged and the voltage from the source across the resistor element drops to a second determined level, the reduced voltage drop across the resistor element makes the semiconductor switch conductive, whereby the capacitance can be discharged by s pole to switch the relay to its second position.

Genom dessa åtgärder åstadkommer man, att den vid den kända anordningen nödvändiga utvärderingskopplingen full- ständigt inbesparas och att man härigenom åstadkommer en anordning som kan uppbyggas särskilt enkelt och på ett utrymmessparande sätt. Som motstândselement kan man i det 10 15 20 25 30 35 7810966-7 4 enklaste fallet anordna ett ohmiskt motstånd, det är emellertid fördelaktigt att använda ett element med icke linjär karakteristika, exempelvis en i magnetise- ringsspänningens genomsläppningsriktning kopplad diod, då i.detta fall spänningspàkänningen på halvledarström- ställarens ingângskrets begränsas till exempelvis diodens tröskelspänning men kondensatorns laddningsström blir tillnärmelsevis opåverkad.These measures ensure that the evaluation coupling required for the known device is completely saved and that a device is thereby provided which can be constructed in a particularly simple manner and in a space-saving manner. As the resistance element, in the simplest case, an ohmic resistor can be arranged, however, it is advantageous to use an element with non-linear characteristics, for example a diode connected in the transmission direction of the excitation voltage, since in this In this case, the voltage voltage on the input circuit of the semiconductor switch is limited to, for example, the threshold voltage of the diode, but the charging current of the capacitor becomes virtually unaffected.

Lämpliga vidareutvecklingar av anordningen enligt upp- finningen definieras i underkraven.Suitable further developments of the device according to the invention are defined in the subclaims.

Föreliggande uppfinning skall närmare förklaras med hänvisning till bifogade ritningar som visar några ut- föringsexempel.The present invention will be explained in more detail with reference to the accompanying drawings which show some embodiments.

Fig. 1 visar en kopplingsanordning med en diod som mot- stândselement, vilken bas-emittersträckan hos en transis- tor är parallellkopplad.Fig. 1 shows a coupling device with a diode as resistance element, which base-emitter distance of a transistor is connected in parallel.

Fig. 2 visar en koppling med definierat spänningsfall.Fig. 2 shows a connection with a defined voltage drop.

Fig. 3 och 4 visar anordningar med fastlagda tillslag- och frånslagsspänningar för de använda reläerna.Figs. 3 and 4 show devices with fixed switch-on and switch-off voltages for the relays used.

Fig. 5 visar en modifikation av anordningen enligt fig. 3 respektive fig. 2.Fig. 5 shows a modification of the device according to Fig. 3 and Fig. 2, respectively.

Fig. 6 visar en diods D7 karakteristika.Fig. 6 shows the characteristics of a diode D7.

Fig. 7 är en modifikation av utföringsformen enligt fig. 2.Fig. 7 is a modification of the embodiment of Fig. 2.

Fig. 8 visar en ytterligare variant av kopplingen enligt fig. 7.Fig. 8 shows a further variant of the coupling according to Fig. 7.

Fig. 9 är ytterligare en variant av kopplingen enligt fig. 2. 10 15 20 25 30 35 5 7810966-7 Fig. 10 är ävenledes en ytterligare variant av fig. 2.Fig. 9 is a further variant of the coupling according to Fig. 2. Fig. 10 is also a further variant of Fig. 2.

Fig. 11 visar ävenledes en ytterligare variant av kopp- lingen enligt fig. 2 med referens även till fig. 5.Fig. 11 also shows a further variant of the coupling according to Fig. 2 with reference also to Fig. 5.

Fig. 12 är en vidareutveckling av utförandet enligt fig 11.Fig. 12 is a further development of the embodiment according to Fig. 11.

Fig. 13 och 14 åskådliggör grafiskt funktionen av kopp- lingen enligt fig. 12.Figs. 13 and 14 graphically illustrate the function of the coupling according to Fig. 12.

Fig. 15 visar en ytterligare modifikation av kopplingen enligt fig. 2.Fig. 15 shows a further modification of the coupling according to Fig. 2.

Fig. 16 visar en modifikation av kopplingen enligt fig.Fig. 16 shows a modification of the coupling according to fig.

Fig. 17 visar en variant av kopplingen enligt fig. 16.Fig. 17 shows a variant of the coupling according to Fig. 16.

Fig. 18 visar en koppling som är särskilt fördelaktig då den skall utföras som integrerad krets.Fig. 18 shows a connection which is particularly advantageous when it is to be designed as an integrated circuit.

Fig.FIG.

Fig. 20 visar en vidareutveckling av kopplingen enligt fig. 12.Fig. 20 shows a further development of the coupling according to Fig. 12.

Fig. 21 visar en ytterligare vidareutveckling av kopp- lingen enligt fig. 2. 19 är en modifikation av kopplingen enligt fig. 18.Fig. 21 shows a further development of the coupling according to Fig. 2. 19 is a modification of the coupling according to Fig. 18.

Fig. 22 visar en modifiering av kopplingen enligt fig. 21.Fig. 22 shows a modification of the coupling according to Fig. 21.

Fig. 23 och 24 visar vidareutvecklingar av kopplingen enligt fig. 3.Figs. 23 and 24 show further developments of the coupling according to Fig. 3.

Vid den i fig. 1 visade anordningen är ett ohmskt motstånd R1 parallellkopplat med magnetiseringsspänningens U anslut- ningar och med den ena av sina anslutningar förbunden med 10 15 20 7810966-7- 6 den som motståndselement tjänande dioden D1 som är kopplad i magnetiseringsspänningens U genomsläppnings- riktning. Som halvledarströmställare är en transistor T1 med sin baselektrod ansluten till förbindnings~ punkten mellan dioden D1 och det ohmska motståndet R1 och på utgàngssidan ansluten till de med varandra icke förbundna klämmorna av dioden D1 och det ohmska motståndet R1.In the device shown in Fig. 1, an ohmic resistor R1 is connected in parallel with the connections of the excitation voltage U and with one of its connections connected to the diode D1 serving as a resistance element which is connected to the transmission of the excitation voltage U - direction. As a semiconductor switch, a transistor T1 with its base electrode is connected to the connection point between the diode D1 and the ohmic resistor R1 and on the output side is connected to the interconnected terminals of the diode D1 and the ohmic resistor R1.

Magnetiseringsspänningen påtryckes genom slutning av strömställaren S, varvid reläet R1s magnetiseras genom kondensatorns C1 laddningsström. Transistorn T1 påverkas på ingångssidan i spärriktningen vid diodens D1 tröskelspänning och är följaktligen spärrad. Efter uppladdning av kondensatorn C1 flyter endast den för kondensatorns efterladdning nödvändiga strömmen samt en genom basmotstândet R1 betingad ström.The excitation voltage is applied by closing the switch S, whereby the relay R1s is magnetized by the charging current of the capacitor C1. The transistor T1 is actuated on the input side in the blocking direction at the threshold voltage of the diode D1 and is consequently blocked. After charging the capacitor C1, only the current required for the charging of the capacitor and a current conditioned by the base resistor R1 flows.

Om nu strömställaren S öppnas respektive magnetiserings- spänningen U frànkopplas spärras dioden 10 15 20 25 30 35 40 7 7810966-7 D1 och transistorns T1 emitterelektrod blir positiv gentemot dess baselektrod. Transistorn bliriüüígenmn genomstyrd, så att konden- satorn C1 kan urladdas genom reläets magnetiseringsspole R1s. Här- igenom återställes det bistabila reläet till sitt utgångsläge. Vid monostabil kopplingsfunktion av anordníngen uttar denna energi från magnetiseringsspänningskällan, bortsett från förlusterna i basmotståndet R1 och kondensatorn C1, endast för uppladdning av kondensatorn C1. Det ringa uppbådet av komponenterna möjliggör dessutom en ekonomisk och utrymmesbesparande konstruktion. Lämp- ligen placeras hela anordningen i det för reläet avsedda höljet.If the switch S is now opened and the excitation voltage U is switched off, the diode 10 15 20 25 30 35 40 7 7810966-7 D1 is blocked and the emitter electrode of the transistor T1 becomes positive with respect to its base electrode. The transistor is controlled, so that the capacitor C1 can be discharged through the excitation coil R1s of the relay. This restores the bistable relay to its initial position. In the case of a monostable switching function of the device, this energy is extracted from the excitation voltage source, apart from the losses in the base resistor R1 and the capacitor C1, only for charging the capacitor C1. The small supply of components also enables an economical and space-saving construction. Suitably the whole device is placed in the housing intended for the relay.

I stället för dioden D1 kan som motståndselement i princip även ett ohmiskt motstånd användas. Ett skydd mot en långsam ur- laddning av kondensatorn C1 erhålles emellertid genom dioden D1.Instead of the diode D1, an ohmic resistor can in principle also be used as the resistance element. However, a protection against a slow discharge of the capacitor C1 is obtained by the diode D1.

Genom dioden är även spänníngsfallet på transistorns T1 ingångs- krets under kondensatorns C1 uppladdning begränsad till dess trös- kelspänning och härigenom till ett oskadligt värde. För laddning av kondensatorn C1 minskas dessutom magnetiseringsspänningen U endast med diodens D1 tröskelspänning. Dioden DZ tjänar vid fel- aktig polaritet av magnetiseringsspänningen som skydd för tran- sistorn T1.Through the diode, the voltage drop on the input circuit of the transistor T1 during the charging of the capacitor C1 is also limited to its threshold voltage and thereby to a harmless value. In addition, for charging the capacitor C1, the excitation voltage U is reduced only by the threshold voltage of the diode D1. Diode DZ serves in the event of an incorrect polarity of the excitation voltage as protection for the transistor T1.

Vid den i fig. 2 visade anordningen är före dioden D1 ínk0pP- lad en zenerdiod ZD1 i magnetiseringsspänningens U genomsläppnings- riktning. Díoden D1 är överbryggad genom ett ohmiskt motstånd R2 och som halvledarströmställare är anordnad en víppkrets bestående av två transístorer T2, T3 av motsatt ledníngstyp. Kollektorelek- troden av den ena transistorn är förbunden med baselektroden av den andra transistorn. Genom zenerspänningen är vid detta utfö- ringsexempel ett bestämt värde fastställt för reläets spännings- fall. Spänningsfallet erhålles härvid som skillnad mellan magne- tiseringsspänningen U och Zonerspänningen UZD1. Inkopplas magne- tiseringsspänningen U över strömställaren S, flyter kondensatorns C1 laddníngsström genom zenerdioden ZD1, dioden D1 och magneti- seringsspolen Rls. Reläet magnetiseras härigenom och omställes.In the device shown in Fig. 2, a zener diode ZD1 in the transmission direction of the excitation voltage U is connected before the diode D1. The diode D1 is bridged by an ohmic resistor R2 and a semiconductor switch is arranged as a semiconductor switch consisting of two transistors T2, T3 of the opposite conduction type. The collector electrode of one transistor is connected to the base electrode of the other transistor. Due to the zener voltage, in this exemplary embodiment a specific value is determined for the voltage drop of the relay. The voltage drop is obtained as a difference between the excitation voltage U and the zone voltage UZD1. If the excitation voltage U is switched on via the switch S, the charging current of the capacitor C1 flows through the zener diode ZD1, the diode D1 and the excitation coil R1s. The relay is thereby magnetized and adjusted.

Uver dioderna ZD1 och D1 uppträder härvid åter spänningsfall vid deras tröskelspänningar. Härigenom spärras pnp-transistorn T2 som redan beskrivits i samband med anordníngen enligt fig. 1. I mot- svarighet till detta är även npn-transistorn T3 spärrad. Efter att kondensatorn C1 har uppladdats begränsas strömmen åter i hu- vudsak till efterladdningen av kondensatorn C1 och till en ström genom motståndet R1. Denna restström kan härvid hållas väsentligen 10 15 20 25 30 35 40 7810966-7 8 lägre än vid fig. 1, då basmotståndet R1 kan dimensionernas större till följd av den större gemensamma förstärkningen genom den av transístorerna T2, T3 bildade vippkretsen. Over motståndet R2 bildas på diodens D1 anod och katod samma potential, varigenom vippkretsens T2, T3 spärrning förblir säkerställd.Over the diodes ZD1 and D1, voltage drops again occur at their threshold voltages. As a result, the pnp transistor T2, which has already been described in connection with the device according to Fig. 1, is blocked. Correspondingly, the npn transistor T3 is also blocked. After the capacitor C1 has been charged, the current is again limited mainly to the post-charging of the capacitor C1 and to a current through the resistor R1. This residual current can in this case be kept substantially lower than in Fig. 1, since the base resistance R1 can be larger in dimensions due to the larger common gain through the flip-flop formed by the transistors T2, T3. Over the resistor R2 the same potential is formed on the anode and cathode of the diode D1, whereby the blocking of the flip-flop T2, T3 remains ensured.

Sjunker nu magnetiseringsspänningen U något, erhålles i hu- vudsak den på zenerdíodens ZD1 katod påtryckta potentialen, då zenerdioden ZD1 påverkas i spärriktningen. Först när magnetise- ringsspänningen har sjunkit så mycket, att spänningsfallet över zenerdioden ZD1 uppnår zenerspänníngen UZD1, blir denna ledande.If the excitation voltage U decreases slightly, the potential applied to the cathode of the zener diode ZD1 is mainly obtained, as the zener diode ZD1 is actuated in the blocking direction. Only when the excitation voltage has dropped so much that the voltage drop across the zener diode ZD1 reaches the zener voltage UZD1 does it become conductive.

Genom det nu över dioden D1 och motståndet R2 uppträdande spän- níngsfallet blir transistorn TZ ledande, dess basström kan nu flyta genom zenerdioden ZD1 och det ohmiska motståndet R1 och härigenom öppnas även den till transistorn T2 komplementära transistorn T3. Kondensatorn C1 urladdas genom magnetiseringsspo- len RTS, varigenom reläet återställes till sitt utgångsläge.Due to the voltage drop now occurring across the diode D1 and the resistor R2, the transistor TZ becomes conductive, its base current can now flow through the zener diode ZD1 and the ohmic resistor R1 and thereby the transistor T3 complementary to the transistor T2 is also opened. The capacitor C1 is discharged through the excitation coil RTS, whereby the relay is reset to its initial position.

Utom fördelen med en gemtemot kopplingen enligt fig. 1 mins- kad förlustström erhåller man vid kopplingen enligt fig. 2 genom ett definierat spänningsfall, att man kan tillåta variationer i magnetiseríngsspänningen U från dess maximala värde till spän- ningsfallet utan att en oavsiktlig återställning av reläet in- träffar.In addition to the advantage of a reduced loss current with respect to the coupling according to Fig. 1, the coupling according to Fig. 2 is obtained by a defined voltage drop, that variations in the excitation voltage U can be allowed from its maximum value to the voltage drop without an unintentional reset of the relay. occurs.

Som fig. 3 visar kan man uppnå ett definierat spänningsfall även därigenom, att en av två ohmiska motstånd RS, R4 bestående spänningsdelare är parallellkopplad med magnetiseringsspänningens U anslutningar. Det ena av spänningsdelarens motstånd R3 är för- bundet med den till magnetiseríngsspänningen U anslutna diodens D1 anod. Halvledarströmställaren är med sin styrelektrod ansluten till spänningsdelarens R3, R4 mittuttag och på utgångssidan anslu- ten till de från det ena delningsmotståndet vända anslutningarna av motståndselementet och av det andra delningsmotståndet R4. Re- läets spänningsfall är i detta fall bestämt genom förhållandet av motstånden RS, R4. Strömställaren som är en av komplementära transistorer T2, T3 uppbyggd vippkrets, där kollektorelektroden hos den ena víppkretstransitorn är förbunden med basen av den andra vippkretstransítorn och där emitterelektroden hos den ena transistorn T2 är ansluten till diodens D1 katod och den andra transistorns T3 emitterelektrod är ansluten till kopplingsanord- ningens gemensamma grundpunkt, blir ledande efter den på redan beskrivet sätt utförda uppladdningen av kondensatorn Cl när mag- 10 15 20 ZS 30 35 40 7810966-7 netíseríngsspänningen U har sjunkit till värdet för det önskade spänningsfallet. För en definierad fastställning av kopplingspunk- ten och för att förhindra vippkretsens oavsiktliga genomkopplíng vid uppträdande av spänningstoppar, är före vippkretstransistorn inkopplad en ytterligare npn-transítor T4 på sådant sätt, att dess kollektorelektrod är förbunden med transistorns TS bas, dess bas är förbunden med spänningsdelarens R3, R4 mittuttag och dess emitter är förbunden med kopplingsanordníngens gemensamma grund- punkt.As Fig. 3 shows, a defined voltage drop can also be achieved in that a voltage divider consisting of two ohmic resistors RS, R4 is connected in parallel with the connections of the excitation voltage U. One of the resistors R3 of the voltage divider is connected to the anode of the diode D1 connected to the excitation voltage U. The semiconductor switch is connected with its control electrode to the center socket of the voltage divider R3, R4 and connected on the output side to the connections of the resistance element and of the other dividing resistor R4 facing away from one dividing resistor. The voltage drop of the relay is in this case determined by the ratio of the resistors RS, R4. The switch which is a flip-flop constructed of complementary transistors T2, T3, where the collector electrode of one flip-flop transistor is connected to the base of the other flip-flop transistor and where the emitter electrode of one transistor T2 is connected to the cathode of the diode D1 and the transistor of the other the common basic point of the switching device, becomes conductive after the charging of the capacitor C1 already performed in the manner already described when the magnetizing voltage U has dropped to the value of the desired voltage drop. For a defined determination of the switching point and to prevent unintentional switching of the flip-flop circuit when voltage peaks occur, a further npn transistor T4 is connected before the flip-flop transistor in such a way that its collector electrode is connected to the base of the transistor TS, its base R3, R4 center socket and its emitter are connected to the common base of the coupling device.

För att även erhålla en definierad tillslagsspänning åstad- kommer man, att före den som motståndselement tjänande dioden D1 är inkopplad en ytterligare av komplementära transistorer T5, T6 uppbyggd vippkrets och att baselektroden hos den första transís- torn T6 är ansluten till en referensspänning på sådant sätt, att vippkretsen blir ledande först när magnetiseringsspänningen U överskrider referensspänningens värde. Referensspänníngen anger härvid den önskade tíllsalgsspänningen. Så snart magnetíserings- spänningen U överskrider referensspänningen, blir vippkretsen TS, T6 ledande. Kondensatorns C1 laddningsström kan nu passera genom díoden D1 och magnetspolen Rls, så att reläet slår till. Under- skrider magnetiseringsspänningen U referensspänningen spärrar vippkretsen TS, T6. För att åstadkomma referensspänningen är mel- lan den första transistorns T6 bas och kopplingsanordníngens ge- mensamma grundpotential inkopplad en seriekoppling bestående av ett ohmískt motstånd R7 och en i magnetiseringsspänningens spärr- riktning polariserad zenerdiod ZDZ.In order to also obtain a defined switch-on voltage, it is provided that before the diode D1 serving as a resistance element a further flip-flop circuit constructed by complementary transistors T5, T6 is connected and that the base electrode of the first transistor T6 is connected to a reference voltage in such a way. , that the flip-flop becomes conductive only when the excitation voltage U exceeds the value of the reference voltage. The reference voltage indicates the desired supply voltage. As soon as the excitation voltage U exceeds the reference voltage, the flip-flop circuit TS, T6 becomes conductive. The charging current of the capacitor C1 can now pass through the diode D1 and the magnetic coil R1s, so that the relay switches on. If the excitation voltage U falls below the reference voltage, the flip-flop circuit TS, T6 is blocked. To provide the reference voltage, a series connection consisting of an ohmic resistor R7 and a zener diode ZDZ polarized in the blocking direction of the excitation voltage is connected between the base of the first transistor T6 and the common basic potential of the switching device.

För att åstadkomma, att transístorernas T5, T6 reströmmar hålls låga och man undviker en oavsíktig omkoppling av vippkret- sen, är transistorernas TS, T6 basemíttersträckor överbryggade med ohmiska motstånd RS, R6. Kondensatorn CZ mellan transistorns T6 bas och emitter är anordnad för att vid inkoppling av magne- tiseringsspänníngen U förhindra en för tidig genomkoppling av vippkretsen T5, T6.In order to ensure that the residual currents of the transistors T5, T6 are kept low and an unintentional switching of the flip-flops is avoided, the base-meter distances of the transistors TS, T6 are bridged with ohmic resistors RS, R6. The capacitor CZ between the base and emitter of the transistor T6 is arranged to prevent a premature connection of the flip-flop circuit T5, T6 when the magnetizing voltage U is switched on.

Då kopplingsanordníngen även skall kunna drivas med växel- spänning är en likriktare D2 inkopplad. Vid likspänningsdríft tjänar den som polriktningsskydd. Dessutom är även en kondensator C4 anordnad i halvledarströmställarens T4, TS, T2 ingångskrets, vars kapacitans är vald på sådant sätt, att den resulterande ur- laddningskonstanten är större än varaktigheten för de genom lik-_ riktningen betingade spänningsinbrotten. 10 15 20 25 30 35 40 7810966-7 w Vid utföringsexemplet enligt fig. 4 är före dioden D1 in- kopplad en ytterligare halvledarströmställare som är av komple- mentär ledningstyp till halvledarströmställarens som är inkopplad parallellt med seriekopplingen bestående av magnetiseringslind- ningen R1s och kondensatorn Cl. Dessutom är mellan magnetiserings- spänningens U anslutningar inkopplad en spänningsdelare, på vars ena uttag halvledarströmställarens styrelektroder är anslutna för deras växelvisa styrning. Potentialen vid spänningsdelarens uttag är härvid vald på sådant sätt, att vid pâtryckt magnetiserings~ spänning U den ytterligare halvledarströmställaren leder, så att kondensatorns C1 laddningsström flyter genom dioden Dl och magnet- spolen Rls och den första halvledarströmställaren spärrar. Vid frånvaron av magnetiseringsspänning U spärras den ytterligare halv- ledarströmställaren och den första blir ledande, varvid konden- satorn urladdas på det beskrivna sättet.Since the switching device must also be able to be operated with alternating voltage, a rectifier D2 is connected. In direct voltage operation, it serves as pole direction protection. In addition, a capacitor C4 is also provided in the input circuit of the semiconductor switches T4, TS, T2, the capacitance of which is selected in such a way that the resulting discharge constant is greater than the duration of the rectified voltage interruptions. In the embodiment according to Fig. 4, before the diode D1, an additional semiconductor switch which is of complementary wire type is connected to the semiconductor switch which is connected in parallel with the series connection consisting of the excitation winding R1s and the capacitor. Cl. In addition, a voltage divider is connected between the connections of the excitation voltage U, on one of the sockets of which the control electrodes of the semiconductor switch are connected for their alternating control. The potential at the terminal of the voltage divider is selected in such a way that when the excitation voltage U is applied, the additional semiconductor switch conducts, so that the charging current of the capacitor C1 flows through the diode D1 and the magnetic coil R1s and the first semiconductor switch block. In the absence of excitation voltage U, the additional semiconductor switch is blocked and the first becomes conductive, whereby the capacitor is discharged in the manner described.

Enligt fig. 4 är som första halvledarströmställare anordnad en npn-transístor T8 och som andra halvledarströmställare en pnp- transistor T9. Transistorn T8 är på kollektorsidan förbunden med diodens Dl katod och på emittersidan med kopplingsanordningens gemensamma grundpotential. Transistorn T9 är med sin kollektor- elektrod förbunden med diodens D1 anod och med sin emitter med en anslutning för magnetíseringsspänningen U. Spänningsdelaren består av ett ohmískt motstånd R10 samt ett ytterligare mellan uttaget och den gemensamma grundpotentialen inkopplade motståndet. Båda transistorerna T8, T9 är på bassidan förbundna med spänningsdela- rens uttag, varvid mellan spänningsdelarens uttag och transisto- rernas T8, T9 baselektroder är ohmiska motstånd R8, R9 inkopp- lade.According to Fig. 4, an npn transistor T8 is arranged as the first semiconductor switch and a pnp transistor T9 is arranged as the second semiconductor switch. The transistor T8 is connected on the collector side to the cathode of the diode D1 and on the emitter side to the common basic potential of the switching device. The transistor T9 is connected with its collector electrode to the anode of the diode D1 and to its emitter with a connection for the excitation voltage U. The voltage divider consists of an ohmic resistor R10 and a further resistor connected between the terminal and the common basic potential. Both transistors T8, T9 are connected on the base side to the socket of the voltage divider, ohmic resistors R8, R9 being connected between the sockets of the voltage divider and the base electrodes of the transistors T8, T9.

Det i fig. 4 icke visade ytterligare motståndet i spännings- delaren bildas av utgångskretsen hos en av magnetiseringsspän- ningen U matad Schmitt-trigger T7, T10. Till ingången av denna Schmítt-trigger påtryckes en från magnetiseringsspänningen U här- ledd referensspänning på sådant sätt, att Schmitt-tríggerns om- kopplingspunkter bestämmer reläets tillslags- resp. frånslags- spänningar.The additional resistor in the voltage divider (not shown) shown in Fig. 4 is formed by the output circuit of a Schmitt trigger T7, T10 supplied by the excitation voltage U. A reference voltage derived from the excitation voltage U is applied to the input of this Schmitt trigger in such a way that the switching points of the Schmitt trigger determine the switch-on or switch-off voltages.

För att transistorns T8 emitterpotential vid ledande tran- sistor T10 skall entydigt ligga över dess kollektorpotential och härigenom transistorn T8 spärrar säkert är tvâ dioder D4, DS inkopplade i genomsläppníngsriktningen mellan denna transistors emitterelektrod och grundpotentíalen. En diod D3 i transístorns 10 15 20 25 30 35 40 11 7810966-7 T8 kollektoranslutning förhindrar en oavsiktlig smygande uppladd- ning av kondensatorn Cl över motstånden Rl0, R8.In order for the emitter potential of the transistor T8 at conductive transistor T10 to be unambiguously above its collector potential and thereby the transistor T8 safely shuts off, two diodes D4, DS are connected in the transmission direction between the emitter electrode of this transistor and the basic potential. A diode D3 in the collector connection of the transistor 10 15 78 25 25 35 40 11 7810966-7 T8 prevents an unintentional sneaky charging of the capacitor C1 across the resistors R10, R8.

Vid långsamt stigande magnetiseringsspänning U genomstyres först transistorn T7, så att transistorn Tl0 skall spärra. Det gemensamma spänningsdelaruttaget har positivare potential än transistorns T8 emitter, så att denna transistor blir ledande och T9 spärras. Härigenom har men säkerställt, att kondensatorn Cl har urladdats.At slowly rising excitation voltage U, the transistor T7 is first conducted through, so that the transistor T10 must be cut off. The common voltage divider socket has a positive potential than the emitter of the transistor T8, so that this transistor becomes conductive and T9 is blocked. This has, however, ensured that the capacitor C1 has been discharged.

Om till följd av ökande magnetiseringsspänning U summan av transistorns T7 basemitterspänning och av spänningsfallet över motståndet R14 överskrider zenerspänningen UZD3 på transistorns T7 bas, spärras transistorn T7 och transistorn Tl0 blir ledande.If, as a result of increasing excitation voltage U, the sum of the base emitter voltage of the transistor T7 and of the voltage drop across the resistor R14 exceeds the zener voltage UZD3 on the base of the transistor T7, the transistor T7 is blocked and the transistor T10 becomes conductive.

Vid denna första omkopplingspunkt av Schmitt-triggern erhåller det gemensamma spänningsdelaruttaget mera negativ potential än transistorernas T8, T9 emitterelektroder, varigenom T9 blir le- dande och T8 spärras. Nu flyter kondensatorns Cl laddningsström och reläet magnetiseras.At this first switching point of the Schmitt trigger, the common voltage divider terminal acquires more negative potential than the emitter electrodes of the transistors T8, T9, whereby T9 becomes conductive and T8 is blocked. Now the charging current of the capacitor C1 flows and the relay is magnetized.

Vid sjunkande magnetiseringsspänning U uppnås Schmitt-trig- gerns andra omkopplingspunkt när summan av spänningsfallen över transistorns T7 bas-emittersträcka och över motståndet R7 över- skrider zenerspänningen UZD3. Transistorn T7 blir åter ledande och transístorn TIO spärras. Detta medför, att transistorn T9 spärras och transistorn T8 blir ledande, varigenom kondensatorn Cl urladdas och reläet återställes.When the excitation voltage U drops, the second switching point of the Schmitt trigger is reached when the sum of the voltage drops across the base-emitter distance of the transistor T7 and across the resistor R7 exceeds the zener voltage UZD3. Transistor T7 becomes conductive again and transistor T10 is blocked. This causes the transistor T9 to be turned off and the transistor T8 to become conductive, whereby the capacitor C1 is discharged and the relay is reset.

Kondensatorn CS vid kopplingsanordningens ingång åstadkom- mer en klanderfri omkoppling av Schmitt-triggern även vid sådana magnetiseringsspänningar U, vilkas flanker har stor branthet. För övrigt är genom valet av zenerspänningen UZDS triggerns omkopp- lingspunkter och härigenom tillslag och fránslagsspänningen för reläct exakt bestämda även vid varierande magnetiseringsspänning.The capacitor CS at the input of the switching device provides a faultless switching of the Schmitt trigger even at such excitation voltages U, the flanks of which have a large slope. Incidentally, through the selection of the zener voltage, the switching points of the UZDS trigger and thereby the switch-on and switch-off voltage for relays are precisely determined even at varying excitation voltages.

De skiljer sig endast genom den vid Schmitt-trigger vanliga hys- teresspänningen.They differ only by the usual hysteresis voltage at the Schmitt trigger.

Pig. 5 visar en modífikation av anordningen enligt fig. 3 respektive fig. 2, varvid i stället för zenerdioden ZDl användes en parallellkoppling av ett motstånd Rll och en diod D6. Detta är ett ekonomiskt alternativ särskilt vid en kretskonstruktion med diskreta komponenter. Den på transistorns T6 bas pàtryckta referensspänningen erhålles härvid av seriekopplingen av motstån- det R5, zenerdioden ZD2 och dioden D7. Diodens D7 karakteristika visas i fig. 6. Så snart magnetiseringsspänningen U överskrider referensspänningen, blir vippkretsen TS, T6 ledande och reläet 10 15 20 25 30 35 40 1810966-7 12 Rls attraherar.Pig. Fig. 5 shows a modification of the device according to Fig. 3 and Fig. 2, respectively, in which instead of the zener diode ZD1 a parallel connection of a resistor R1 and a diode D6 is used. This is an economical alternative especially in a circuit design with discrete components. The reference voltage printed on the base of the transistor T6 is obtained by the series connection of the resistor R5, the zener diode ZD2 and the diode D7. The characteristics of the diode D7 are shown in Fig. 6. As soon as the excitation voltage U exceeds the reference voltage, the flip-flop circuit TS, T6 becomes conductive and the relay 10 15 20 25 30 35 40 1810966-7 12 Rls attracts.

Vid utföringsexemplet enligt fig. 7 är motståndet Rl och zenerdioden ZD1 i fig. 2 ersatta med en vippkrets T5, T6 med en basspänningsdelare R13, R14. Víppkretsen blir härvid ledande när det genom magnetiseringsspänningen U betingade spänningsfallet överskrider bas-emitterdiodens tröskelspänning hos den första transistorn Tö. Reläet Rls magnetiseras härvid och kondensatorn Cl uppladdas. Enligt fig. 8 är samtidigt den ytterligare transis- torn T10 ledande och dioden D5 är spärrad.In the exemplary embodiment according to Fig. 7, the resistor R1 and the zener diode ZD1 in Fig. 2 are replaced by a flip-flop circuit T5, T6 with a base voltage divider R13, R14. The flip-flop becomes conductive when the voltage drop due to the excitation voltage U exceeds the threshold voltage of the base-emitter diode of the first transistor Tö. The relay R1 is thereby magnetized and the capacitor C1 is charged. According to Fig. 8, at the same time the further transistor T10 is conducting and the diode D5 is blocked.

Avbryts magnetiseringsspänningen U, spärrar transistorn Tl0 och dioden DS leder, så att från kondensatorn Cl genom motståndet R2 flyter en ringa urladdníngsström, som förorsakar ett tillräck- ligt spänningsfall för att genomstyra vippkretsen TZ, T3. Nu kan kondensatorn C1 urladdas över vippkretsen T2, T3 och Rls ställes tillbaka till utgångsläget.If the excitation voltage U is interrupted, the transistor T10 is blocked and the diode DS leads, so that a small discharge current flows from the capacitor C1 through the resistor R2, which causes a sufficient voltage drop to pass through the flip-flop circuit TZ, T3. Now the capacitor C1 can be discharged over the flip-flop circuit T2, T3 and Rls is reset to the initial position.

De av transistorerna TZ, T3 respektive TS, T6 uppbyggda vippkretsarna SCR1, SCR2 är identiska och kan ersättas genom öv- riga styrbara halvledare, exempelvis tyrístorer.The flip-flops SCR1, SCR2, which are made up of transistors TZ, T3 and TS, T6, are identical and can be replaced by other controllable semiconductors, such as thyristors.

Under det att vid den i fig. 2 visade anordningen i beroende av zenerdíodens ZD1 spärrskiktkapacitet kan korta spänningsinbrott eller variationer av magnetiseringsspänningen U utlösa en urladd- ning av kondensatorn Cl respektive återställníng av reläet Rls, förhindras detta vid kopplingen enligt fig. 9 genom transistorn T4 som är inkopplad före vippkretsen TZ, T3. För detta ändamål är transistorns T4 bas över seriekopplingen av ett motstånd R16 och en zenerdiod ZD3 med sin katod ansluten till magnetiserings- spänningskällans pluspol. Diodens ZD3 zenerspänning bestämmer här- vid spänningsvärdet, till vilket magnetiseringsspänningen U kan sjunka utan att en oavsiktlig urladdning av kondensatorn Cl och härigenom en återställning av reläet Rls åstadkommes.While in the device shown in Fig. 2, depending on the blocking layer capacity of the zener diode ZD1, short voltage breaks or variations of the excitation voltage U can trigger a discharge of the capacitor C1 and resetting of the relay R1, this is prevented by the transistor T1 by the transistor T4. which is connected before the flip-flop circuit TZ, T3. For this purpose, the base of the transistor T4 over the series connection of a resistor R16 and a zener diode ZD3 with its cathode is connected to the positive pole of the excitation voltage source. The zener voltage of the diode ZD3 hereby determines the voltage value, to which the excitation voltage U can drop without an unintentional discharge of the capacitor C1 and thereby a reset of the relay R1s is effected.

Vid den i fig. 10 visade kopplingsanordningen är gentemot den i fig. 2 visade även ett ohmiskt motstånd R17 inkopplat mellan transistorns T2 bas och transistorns T3 kollektor. Man uppnår härígenom, att varken någon för hög strömbelastning eller över- huvudtaget någon kortslutning kan uppträda över vippkretsen T2, T3 när spänningsökningen över denna víppkrets är för brant. Lika väl kan i stället för motståndet R17 även ett ohmiskt motstånd in- fogas mellan transistorns T2 kollektor och transistorns TS bas.In the case of the coupling device shown in Fig. 10, an ohmic resistor R17 is also connected to the base of the transistor T2 and the collector of the transistor T3 shown in Fig. 2. It is hereby achieved that neither too high a current load nor at all a short circuit can occur across the flip-flop circuit T2, T3 when the voltage increase across this flip-flop is too steep. Equally, instead of the resistor R17, an ohmic resistor can also be inserted between the collector of the transistor T2 and the base of the transistor TS.

Fig. 11 visar ett utföringsexempel, vid vilket som enligt fig. 5 i stället för zenerdioden ZD1 (fig. 2) användes en paral- 10 15 20 25 30 35 40 13 7810966-7 lellkoppling av ett motstånd R11 och en i magnetiseringsspänningen genomsläppningsriktning polaríserad diod D6. Vid frånkoppling av magnetiseringsspänningen U sker styrningen av den av transisto- rerna T2, T3 bestående vippkretsen genom spänníngsfallet över denna parallellkoppling D6, R11. Härvid urladdas kondensatorn C1 och reläet Rls återställes till sitt utgångsläge.Fig. 11 shows an embodiment in which, according to Fig. 5, instead of the zener diode ZD1 (Fig. 2), a parallel connection of a resistor R11 and a transmission direction polarized in the excitation voltage is used. diode D6. When the excitation voltage U is switched off, the flip-flop circuit consisting of the transistors T2, T3 is controlled by the voltage drop across this parallel connection D6, R11. In this case, the capacitor C1 is discharged and the relay R1s is reset to its initial position.

Vid en vidareutveckling av utföringsformen enligt fig. 11 är enligt fig. 12 inkopplad en ytterligare vippkrets bestående av transístorerna T5, T6. Denna víppkrets motsvarar i sin funk- tion vippkretsen enligt fig. 3 men skiljer sig från denna i sin konstruktion därigenom, att referensspänningen erhålles genom zenerdioden ZD4 som är inkopplad mellan den första transistorns T6 bas och den andra transistorns TS emitter.In a further development of the embodiment according to Fig. 11, according to Fig. 12, an additional flip-flop circuit consisting of the transistors T5, T6 is connected. This flip-flop circuit corresponds in its function to the flip-flop circuit according to Fig. 3, but differs from it in its construction in that the reference voltage is obtained by the zener diode ZD4 which is connected between the base of the first transistor T6 and the emitter of the second transistor TS.

Pig. 13 och 14 förklarar funktionen av kopplingen enligt fig. 12, varvid fig. 13 visar zenerdiodens ZD4 karakteristika och fig. 14 visar kopplingsanordningens funktion vid ökande och fallande magnetiseringsspänning U. Om magnetiseringsspänningen U ökar långsamt enligt fig. 14(a) börjar strömmen flyta först vid uppnâendet av zenerspänningen Uz. Först vid detta ögonblick blir enligt fig. 14(b] spänningen verksam för den av relä R1s och kondensator C1 bestående seriekopplingen. Kondensatorn uppladdas och reläet slår till. Vid minskning av magnetiseringsspänningen U enligt fig. 14(c) förblir zenerdioden ZD4 genomkopplad fram till uppnåendet av restspänningen Uo. Efter underskridandet av denna restspänning spärrar vippkretsen som innehåller zener- dioden ZD4 och transistorerna T5, T6, så att på vippkretsens ut- gång uppstår spänningsförloppet enligt fíg. 14(d). I detta ögon- blick börjar kondensatorn C1 att urladdas över vippkretsen T2, T3 och reläet återställes till sitt utgångsläge.Pig. Figs. 13 and 14 explain the operation of the coupling according to Fig. 12, Fig. 13 showing the characteristics of the zener diode ZD4 and Fig. 14 showing the operation of the coupling device with increasing and decreasing excitation voltage U. If the excitation voltage U increases slowly according to Fig. 14 (a), the current begins to flow first upon attainment of the zener voltage Uz. Only at this moment, according to Fig. 14 (b], does the voltage become effective for the series connection consisting of relay R1s and capacitor C1. The capacitor is charged and the relay switches on. After the subtraction of this residual voltage, the flip-flop circuit containing the zener diode ZD4 and the transistors T5, T6 are blocked, so that at the output of the flip-flop the voltage profile according to Fig. 14 (d) occurs. At this moment the capacitor C1 starts to is discharged over the flip-flop circuit T2, T3 and the relay is reset to its initial position.

Pig. 15 visar en modifikation av kopplingen enligt fig. 2 bestående däri, att i transistorns T3 emitterkrets är inkopplad en ytterligare pnp-transistor T11, vars baselektrod över en i magnetiseringsspänningens U spärriktning polaríserad diod D10 är förbunden med magnetiseringsspänningens pluspol. Genom denna ytterligare åtgärd åstadkommer man, att den av transistorerna T2, T3 bestående halvledarströmställaren förblir spärrad på ett till- förlitligt sätt även vid uppträdande av högre magnetiserings- spänningar.Pig. Fig. 15 shows a modification of the connection according to Fig. 2, consisting in that in the emitter circuit of the transistor T3 an additional pnp transistor T11 is connected, the base electrode of which a diode D10 polarized in the blocking direction of the excitation voltage U is connected to the positive pole of the excitation voltage. By this further measure it is ensured that the semiconductor switch consisting of the transistors T2, T3 remains locked in a reliable manner even when higher excitation voltages occur.

Vid en modífikation av kopplingsanordningen enligt fig. l är enligt fig. 16 anordnad en npn-transistor T' som halvledarström- 10 15 20 ZS 30 35 40 7810966-7 14 ställare, som med sin emitter är ansluten till diodens D1 anod och med sin bas är ansluten till katoden av samma diod. Före dioden D1 är dessutom inkopplad en zenerdiod ZD1 i magnetiseringsspän- ningens genomsläppningsriktning samt kollektor-emittersträckan för en kopplingstransistor T12, till vars bas en referensspänning är påtryckt. I föreliggande fall åstadkommas referensspänningen ' genom en seriekoppling bestående av ett motstånd R18 och en yt- terligare zenerdíod ZD5. Reläets R1s spänningsfall bestämmes ge- nom denna referensspänning.In a modification of the switching device according to Fig. 1, according to Fig. 16, an npn transistor T 'is arranged as a semiconductor current switch, which with its emitter is connected to the anode of the diode D1 and with its base is connected to the cathode of the same diode. In addition, before the diode D1, a zener diode ZD1 is connected in the transmission direction of the excitation voltage and the collector-emitter distance of a switching transistor T12, to the base of which a reference voltage is applied. In the present case, the reference voltage is provided by a series connection consisting of a resistor R18 and an additional zener diode ZD5. The voltage drop of the relay R1 is determined by this reference voltage.

Som en modifikation av anordningen enligt fig. 16 användes vid kopplingen enligt fig. 17 en tyristor SCR2 och SCR1 i stället för npn-transístorerna T1' och T12.As a modification of the device according to Fig. 16, in the connection according to Fig. 17 a thyristor SCR2 and SCR1 is used instead of the npn transistors T1 'and T12.

Vid utföringsexemplet enligt fig. 18 är på liknande sätt som vid anordningen enligt fig. 4 för styrning av halvledarström- ställaren T8 anordnad en Schmitt-trigger med transistorerna T7, T10. För att säkerställa dess funktion även vid frànkopplad mag- netiseringsspänning U är vid kopplingen enligt fig. 4 anordnad en lagringskondensator CS som sedan övertar strömförsörjningen.In the exemplary embodiment according to Fig. 18, in a manner similar to the device according to Fig. 4 for controlling the semiconductor switch T8, a Schmitt trigger is arranged with the transistors T7, T10. In order to ensure its function even when the excitation voltage U is switched off, a storage capacitor CS is arranged at the connection according to Fig. 4, which then takes over the power supply.

Vid kopplingen enligt fig. 18 tillförs däremot strömmen för att driva Schmitt-triggern vid frânkopplad magnetiseringsspänning från kondensatorn C1 över en diod D11. Anordningen enligt fig. 18 är särskilt fördelaktig då kopplingen skall utföras som integre- rad krets dâ i detta fall inbesparas den enligt fig. 4 anordnade lagringskondensatorn CS.In the connection according to Fig. 18, on the other hand, the current is supplied to drive the Schmitt trigger when the excitation voltage is disconnected from the capacitor C1 via a diode D11. The device according to Fig. 18 is particularly advantageous when the connection is to be designed as an integrated circuit, in which case the storage capacitor CS arranged according to Fig. 4 is saved.

En annan möjlighet att åstadkomma den för Schmitt-triggern T7, T10 nödvändiga energin vid frånkopplad magnetiseringsspän- ning består enligt fig. 19 däri, att parallellt med seriekopp~ lingen bestående av kondensatorn C1 och relälindningen R1s är inkopplad en pnp-transístor T15, vars baselektrod över i spärr- riktningen polariserade dioder D11 är ansluten till magnetise- ringsspänningens U pluspol. Sålänge magnetiseringsspänningen finnes är díoderna D11 och följaktligen även transistorn T15 spärrade.According to Fig. 19, another possibility of obtaining the energy necessary for the Schmitt trigger T7, T10 when the excitation voltage is switched off is that a pnp transistor T15, the base electrode of which is connected in parallel with the series connection consisting of the capacitor C1 and the relay winding R1s, is connected. polarized diodes D11 over in the blocking direction are connected to the U plus pole of the excitation voltage. As long as the excitation voltage is present, the diodes D11 and consequently also the transistor T15 are blocked.

Vid frânkopplad magnetiseringsspänning blir däremot transistorn 15 ledande, så att denna transistor med sin basström över dioder- na 11 försörjer Schmitt-tríggern T7, T10, som styr transistor- . strömställaren T8. Denna kortsluter sedan den av kondensatorn C1 och relälindningen R1s bestående seriekopplingen.When the excitation voltage is switched off, on the other hand, the transistor 15 becomes conductive, so that this transistor with its base current across the diodes 11 supplies the Schmitt trigger T7, T10, which controls the transistor. switch T8. This then short-circuits the series connection consisting of the capacitor C1 and the relay winding R1.

En vidareutveckling av kopplingsanordningen enligt fig. 12 visas i fig. 20. På samma sätt som vid fig. 12 åstadkommer här den mellan den första transistorns T6 bas och den andra tran- 10 15 20 25 30 35 40 15 7810966-7 sistorns T5 emitter inkopplade zenerdioden ZD4, att vippkretsen först vid överskridande av zenerspänningen blir ledande.A further development of the switching device according to Fig. 12 is shown in Fig. 20. In the same way as in Fig. 12, here it emits the emitter of the base of the first transistor T6 and the emitter of the second transistor T5. connected the zener diode ZD4, that the flip-flop only becomes conductive when the zener voltage is exceeded.

I stället för varje zenerdiod är det även möjligt att använ- da en parallellkoppling av två diodgrenar där i den ena grenen ett flertal dioder är med samma polaritet inkopplade efter varandra, medan i den andra grenen ligger en enda diod antiparallellt. Er- sätter man exempelvis i fig. 20 zenerdioderna ZD1 och/eller ZD4 genom en sådan parallelldiodkoppling, inställer sig spänningsfal- let hos reläet efter antalet med samma polaritet efter varandra anordnade dioder i den ena diodgrenen.Instead of each zener diode, it is also possible to use a parallel connection of two diode branches where in one branch a plurality of diodes with the same polarity are connected one after the other, while in the other branch a single diode is antiparallel. If, for example, in Fig. 20, the zener diodes ZD1 and / or ZD4 are replaced by such a parallel diode connection, the voltage drop of the relay adjusts to the number of diodes arranged one after the other with the same polarity in one diode branch.

En vidareutveckling av kopplingen enligt fig. 2 visas i fig. 21, där i stället för zenerdioden ZD1 en diod D6 är inkopp- lad i magnetiseríngsspänningens U genomsläppningsriktning. En direktkopplad vippkrets bestående av två transistorer T13, T14 är inkopplad mellan magnetiseringsspänningens anslutningar, varvid dioden D6 ligger mellan transistorernas T13, T14 emitterelektro- der. Reläets Rïs spänningsfall bestämmes genom spänningsdelaren R19, RZO till vars uttag transistorns T13 bas är ansluten. Så- länge den önskade magnetiseríngsspänningen U är påtryckt är transistorn T13 ledande och transistorn T14 är spärrad. Varia- tioner i magnetiseringsspänningen blir overksamma sålänge det över motståndet R20 uppträdande spänningsfallet håller transis- torn T13 ledande. Underskrides däremot vid sjunkande magnetise- ringsspänning den för transistorns T13 emitter-bassträcka nöd- vändiga minimispänningen, spärrar denna transistor och transis- torn T14 blir ledande. Genom denna åtgärd uppnår man vid en be- stämd storlek av spänníngsfallet en slagartad genomkoppling av vippsteget T2, TS, varigenom en kondensator C1 urladdas och re- läet Rls återställes. Gentemot anordningen enligt fig. 1 uppnås således ett definierat spänningsfall.A further development of the connection according to Fig. 2 is shown in Fig. 21, where instead of the zener diode ZD1 a diode D6 is connected in the transmission direction of the excitation voltage U. A directly connected flip-flop circuit consisting of two transistors T13, T14 is connected between the connections of the excitation voltage, the diode D6 being located between the emitter electrodes of the transistors T13, T14. The voltage drop of the relay R1 is determined by the voltage divider R19, RZO to whose terminal the base of the transistor T13 is connected. As long as the desired excitation voltage U is applied, transistor T13 is conductive and transistor T14 is off. Variations in the excitation voltage become inactive as long as the voltage drop occurring across the resistor R20 keeps the transistor T13 conductive. If, on the other hand, when the excitation voltage decreases, the minimum voltage required for the emitter-base voltage of the transistor T13 is exceeded, this transistor blocks and the transistor T14 becomes conductive. By this measure, at a certain magnitude of the voltage drop, a beat-through connection of the tilting stage T2, TS is obtained, whereby a capacitor C1 is discharged and the relay R1s is reset. With respect to the device according to Fig. 1, a defined voltage drop is thus achieved.

Kopplingen enligt fig. 21 kan enligt fig. 22 även ändras på sådant sätt, att i stället för transistorn T14 i fig. 21 en diod D7 inkopplas mellan transistorernas T3, T13 kollektorelektroder. Även vid kopplingen enligt fig. 22 är reläets Rïs spänningsfall givet genom spänningsdelningsförhållandet mellan motstånden R19, R20.The connection according to Fig. 21 can also be changed according to Fig. 22 in such a way that instead of the transistor T14 in Fig. 21 a diode D7 is connected between the collector electrodes of the transistors T3, T13. Also in the connection according to Fig. 22, the voltage drop of the relay R1 is given by the voltage division ratio between the resistors R19, R20.

Pig. 23 och 24 visar vídareutvecklingar av kopplingsanord- ningen enligt fig. 3. Så är i fig. 23 före dioden D1 inkopplad en ytterligare diod D6 i magnetiseringsspänningens U genomsläpp- ningsriktning samt i halvledarströmställarens TZ, T3 ingångs- 10 15 20 7810966-7 16 krets är infogad en ytterligare diod D9, vars katod är förbunden med halvledarströmställarens styrelektrod. Dessutom är före tran- sistorns T4 bas inkopplad en ytterligare diod D8 i magnetiserings- spänningens genomsläppningsriktning och dess kollektor är över ett ohmískt motstånd R23 ansluten till förbindelsepunkten mellan kondensatorn C1 och halvledarströmställaren T2, T3. Man uppnår genom dessa åtgärder att halvledarströmställaren vid högre magne- tíseringsspänningar U inte omställes oavsiktlígt samt transisto- rernas T2, T3 strömbelastning minskas.Pig. 23 and 24 show further developments of the switching device according to Fig. 3. Thus, in Fig. 23, before the diode D1, an additional diode D6 is connected in the transmission direction of the excitation voltage U and in the input circuit of the semiconductor switch TZ, T3. is inserted an additional diode D9, the cathode of which is connected to the control electrode of the semiconductor switch. In addition, before the base of the transistor T4, an additional diode D8 is connected in the transmission direction of the excitation voltage and its collector is connected via an ohmic resistor R23 to the connection point between the capacitor C1 and the semiconductor switch T2, T3. These measures ensure that the semiconductor switch at higher excitation voltages U is not inadvertently switched over and the current load of the transistors T2, T3 is reduced.

Vid de två kopplingarna enligt fig. 23 och fig. 24 är två med + betecknade ingångar anordnade, av vilka den övre i figuren som är direkt förbunden med halvledarströmställarens T2, T3 in- gång är avsedd för lägre spänningar, medan den nedre i figuren till följd av mellankopplingen av den ytterligare vippkretsen TS, T6 är avsedd för högre magnetiseringsspänníngar.At the two connections according to Fig. 23 and Fig. 24, two inputs denoted by + are provided, of which the upper one in the figure which is directly connected to the input of the semiconductor switch T2, T3 is intended for lower voltages, while the lower one in Figs. due to the intermediate connection of the additional flip-flop circuit TS, T6 is intended for higher excitation voltages.

Kopplingsanordningen enligt fíg. 24 skiljer sig från anord- ningen enligt fig. 23 därigenom, att i stället för den ytterligare vippkretsen TS, T6 är anordnad en genom en fälteffekttransistor FET styrd tyristor SCR3. Kopplingen enligt fig. 23 fungerar i hu- vudsak på samma sätt som kopplingen enligt fig. 23.The coupling device according to fig. 24 differs from the device according to Fig. 23 in that instead of the further flip-flop circuit TS, T6 a thyristor SCR3 controlled by a field effect transistor FET is arranged. The coupling according to Fig. 23 functions in essentially the same way as the coupling according to Fig. 23.

Claims

10 15 20 25 30 7810966-7 PATENT REQUIREMENTS

A switching device for controlling a bistable relay having a magnetizing coil for switching the relay between a first and a second position, a capacitance being provided having sufficient storage capacity to magnetize the relay and a circuit in which the capacitance is connected in series with the coil for to provide the entire current flow through the coil from the capacitor during charging and to block all current flow through the coil from the capacitor when it is charged and wherein a resistance element is connected in series with the series-connected capacitance and the coil, characterized in that a magnetizing voltage source ( U) is connected in parallel with the series connection of winding (Rls), capacitance (C1) and resistance element (D1) and a semiconductor switch (T1) is arranged which has a control electrode connected in such a way that it senses the voltage drop across the resistance element and has outputs connected in parallel across the series connection of coil (Rls) and capacitance (C1), so that when the voltage from said source exceeds a first determined level, current passes through the resistance element (D1) and the coil (Rls) to switch the relay to its first position and at the same time charge the capacitance to a voltage which is substantially equal to the voltage of the voltage source, whereby semiconductor current the switch becomes non-conductive and when the capacitance is charged and the voltage from the source across the resistor element drops to a second determined level, the reduced voltage drop across the resistor element makes the semiconductor switch conductive, whereby the capacitance can be discharged through the coil to switch the relay to its second position.

Coupling device according to Claim 1, characterized in that an ohmic resistor (R1) is connected in parallel with the terminals of the excitation voltage (U) and is connected to one of its terminals (8 7810966 -7 'with the resistor element and that the semiconductor switch with its control electrode is connected to the connection point between the resistor element and the ohmic resistor (R1) and on the output side is connected to the interconnected connections of the resistor element and the ohmic resistor (R1).

Coupling device according to Claim 2, characterized in that a diode (D1) connected in the transmission direction of the excitation voltage (U) is used as the resistance element and a pnp transistor (T1) is used as the semiconductor switch and that the transistor (T1) with its emitter electrode is connected to the cathode of the diode (D1) (Fig. 1).

Coupling device according to Claim 1, characterized in that a zener diode (SD1) in the transmission direction of the excitation voltage (U) is connected in front of the resistance element, that an ohmic resistor (R1) is connected in parallel with the connections of the excitation voltage (U) and with one of its connections is connected to the anode of the zener diode (ZD1) and on the output side is connected to the connections of the resistor element and of the ohmic resistor (R1) not connected to the zener diode (ZD1) and that the value of the zener voltage is determined by the difference between the excitation voltage and the desired voltage drop of the relay.

Coupling device according to Claim 4, characterized in that a diode (D1) bridged by an ohmic resistor (R2) is connected as a resistance element in the direction of transmission of the excitation voltage (U) and one of two transistors (T2, T3) is used as the semiconductor switch. ) of the opposite conductor type switching circuit in such a way that the base electrode of one transistor (pnp) (T2) is connected to the connection point between the zener diode (ZD1) and the diode (D1) and to the collector electrode of the other transistor (T3) and the collector electrode one transistor (T2) is connected to the base electrode of the second transistor (T3) and that one transistor (T2) with its emitter electrode is connected to the cathode of the diode (D1) and the other transistor (T3). ) is connected on the emitter side to the connection point between the resistor connected in parallel with the connections of the excitation voltage (U) and the series connection consisting of the exciter gas coil (R1s) and capacitor (C1) (fig. 2).

Coupling device according to claim 1, characterized in that a voltage divider consisting of two ohmic resistors (R3, R4) is connected in parallel with the connections of the excitation voltage (U), that one of the resistors in the voltage divider (R3) is connected to the terminal of the resistor element connected to the excitation voltage and that the semiconductor switch with its control electrode is connected to the center terminal of the voltage divider (R3, R4) and is connected on the output side to the terminals of the resistor element and of the other facing away from one voltage divider resistor (R3) the voltage divider resistor (Fig. 3).

Coupling device according to Claim 6, characterized in that a diode (D1) connected in the transmission direction of the excitation voltage (U) is used as the resistance element and a flip-flop circuit constructed of complementary transistors (T2, T3) is used as the semiconductor switch. one flip-flop transistor (pnp) (T2) is connected to the base electrode of the other flip-flop transistor (npn) (T3) and that the emitter electrode of one transistor (T2) is connected to the cathode of the diode (D1) and the emitter electrode of the second transistor is connected to the common base voltage in the switching device (fig. 3).

Coupling device according to Claim 7, characterized in that a further transistor (npn) (T4) is connected before the flip-flop transistor (T3) 10 15 20 25 30 35 20 7810966-7 in such a way that its collector electrode is connected to the center terminal of the voltage divider (R3, R4) and its emitter electrode are connected to the common basic voltage of the switching device (Fig. 3).

Coupling device according to one of the preceding claims, characterized in that a further flip-flop structure constructed by complementary transistors (T5, T6) is connected before the resistor element and that a reference voltage is connected to the base electrode of the first flip-flop transistor (T6). way, that the flip-flop becomes conductive only when the excitation voltage exceeds the value of the reference voltage.

Coupling device according to claim 9, characterized in that the collector electrode of the first flip-flop transistor (pnp) (T6) is connected to the collector electrode of the second flip-flop transistor (npn) (T5) and the pre-collector electrode of the second flip-flop transistor (T5) is collector the base electrode of the first flip-flop transistor (T6), that the base-emitter lines of the two transistors (T5, T6) are bridged with an ohmic resistor each (RS, R6) and that between the emitter electrode connected to one terminal of the excitation voltage of the first transistor (T6) and its base electrode a capacitor (C2) is connected (Fig. 3).

Coupling device according to Claim 9 or 10, characterized in that in order to provide the reference voltage between the base electrode of the first transistor (T6) and the common fundamental potential of the coupling device, a series connection is connected consisting of an ohmic resistor (R7) and one in a voltage. polarization direction polarized zener diode (ZD2) (Fig. 3).

12. A coupling device according to claim 1, characterized in that the resistor element contains a further connected semiconductor switch, that this semiconductor switch is of complementary line type in relation to the parallel connection consisting of the excitation winding in series. (Rls) and the capacitor (C1) arranged the first semiconductor switch, that a voltage divider is connected between the terminals of the excitation voltage and that the control electrodes of the semiconductor switches are to be able to be controlled alternately, connected to a socket on the voltage divider.

Coupling device according to Claim 12, characterized in that a diode (D1) polarized in the transmission direction of the excitation voltage is used as the resistance element, an npn transistor (T8) is used as the first semiconductor switch and a pnp transistor is used as the second semiconductor switch. T9), that the npn transistor (T8) on the collector side is connected to the cathode of the diode (D1) and on the emitter side to the common basic potential of the connection, that the pnp transistor (T9) with its collector electrode is connected to the anode of the diode (D1) and with its emitter electrode to a connection for the excitation voltage (U), that an ohmic resistor (R10) is arranged as the voltage divider and a further resistor connected between the terminal and the common basic potential and that the two transistors (T8, T9) on the base side are connected to voltage divider socket.

Coupling device according to Claim 13, characterized in that ohmic resistors (R8, R9) are connected between the sockets of the voltage divider and the base electrodes of the transistors (T8, T9).

Coupling device according to Claim 13 or 14, characterized in that instead of the additional resistor in the voltage divider, the output circuit of one of the excitation voltages (U) supplied by the Schmitt trigger is connected. (T7, T10), that a reference voltage derived from the excitation voltage (U) is connected to the input of the Schmitt trigger and that the switching points of the Schmitt trigger determine the switch-on and switch-off voltage of the relay.

Coupling device according to one of the preceding claims, characterized in that the excitation voltage (U) is applied across a rectifier (D2) and a capacitor (C4) is connected in the input circuit of the semiconductor switch and that the capacitor (C4) capacitance is selected in such a way that the resulting discharge time constant is greater than the duration of the voltage interruptions caused by the selected type of rectification.

17. Coupling device according to one of Claims 1 to 8, characterized in that a thyristor is connected in front of the resistor element, to which a reference voltage is connected in such a way that the thyristor becomes live when the excitation voltage exceeds the value of the reference voltage.

Coupling device according to Claim 9, characterized in that the collector electrode of the first flip-flop transistor (pnp) (T6) is connected to the base electrode of the second flip-flop transistor (npn) (T5) and the collector electrode of the second flip-flop transistor (T5) is connected to the first electrode. the base electrode of the flip-flop transistor (T6), that the base-emitter current of both transistors (T5, T6) is bridged with an ohmic resistance each (R5, R6), that the base-emitter current of the second flip-flop transistor (T5) is bridged by a parallel connection of an ohmic resistor (R11) and a diode (D6) polarized in the direction of the supply voltage (U) and that an additional ohmic resistor (R12) is connected between the emitter electrode of the second flip-flop transistor (T5) and the base potential (Fig. 5). 10 15 20 25 30 35 23 7810966-7

Coupling device according to Claim 9, 17 or 18, characterized in that the reference voltage is produced by a series connection consisting of a zener diode (ZD2) polarized in the blocking direction of the excitation voltage and a diode (D7) with negative differential resistance and that the flip-flop circuit (T5, T6) and the thyristor connected before the resistance element become energized when the excitation voltage (U) exceeds the reference voltage (Fig. 5).

Coupling device according to Claim 5, characterized in that instead of the zener diode (ZD1) connected in front of the resistance element in the transmission direction of the excitation voltage (U), an additional complementary transistor (T5, T6) is arranged. flip-flop circuit and that the center terminal of a voltage divider (R13, R14) connected in parallel with the terminals of the excitation voltage (U) is connected to the base electrode of the first flip-flop transistor (T6) (Fig. 7).

Coupling device according to Claim 20, characterized in that the collector electrode of the first flip-flop transistor (pnp) (T6) is connected to the base electrode of the second flip-flop transistor (npn) (T5) and the collector electrode of the second flip-flop transistor (TS) is connected to the collector electrode the base electrode of the first flip-flop transistor (T6) (Fig. 7).

Coupling device according to Claim 20 or 21, characterized in that the voltage divider resistor (R14) connected between the base electrode of the first flip-flop transistor (T6) and the base potential is divided into two resistors (R141, R142), that the connection point between the resistors (R14) R142) is connected to the base electrode of a pnp transistor (T10) which on the emitter side is connected to one connection of the excitation voltage (U) and on the collector side is connected via an ohmic resistor (R15). with the basic potential of the switching device and that the collector electrode of the transistor (T10) is connected to the cathode of a diode (D5) which on the anode side is connected to the emitter electrode of the other flip-flop transistor (T5) (Fig. 8).

Coupling device according to Claim 5, characterized in that a further transistor (npn) (T4) is connected in such a way that before the flip-flop transistor (T3) its collector electrode is connected to the base electrode of the flip-flop transistor (T3), its emitter electrode is connected to the common basic potential of the switching device and its base electrode is connected via an ohmic resistor (R16) to the anode of a zener diode (ZD3) which is connected on the cathode side to the positive terminal of the excitation voltage (U) (Fig. 9).

Coupling device according to claim 5, characterized in that the collector electrode of the second transistor in the flip-flop circuit (T2, T3) is connected to an ohmic resistor (R17) (Fig. 10). hence that between the base electrode of one

Coupling device according to Claim 5, characterized in that the zener diode (ZD1) is connected to a diode (D6) which is magnetized in front of the resistor element in the transmission direction of the voltage (U) and is bridged by an ohmic resistor (R11) ( Fig. 11).

26. The coupling device according to claim 19, characterized in that the base electrode of the first transistor (T6) and the emitter electrode of the second transistor (T5) is a zener diode thereof which, in order to provide the reference voltage (ZD4), is connected in the blocking direction (U) of the excitation voltage (U). Fig. 12).

Coupling device according to claim 5, characterized in that an additional transistor (T11) is connected with its collector-emitter current in the emitter circuit of the transistor (T3) in the semiconductor switch and that the base electrode of the additional transistor (T11) across a diode (D10) polarized in the blocking direction of the excitation voltage (U) is connected to the positive pole of the excitation voltage (Fig. 15).

Coupling device according to claim 27, characterized in that the further transistor (T11) is a pnp transistor which on the emitter side is connected to the transistor (T3) in the semiconductor switch and on the collector side with the basic potential of the switching device.

Coupling device according to Claim 2, characterized in that a diode (D1) connected in the transmission direction of the excitation voltage (U) is used as the resistance element and an npn transistor (T1 ') is used as the semiconductor switch and that the transistor (T1') with its emitter electrode is connected to the anode of the diode (D1) (Fig. 16).

Coupling device according to Claim 29, characterized in that before the diode (D1) a zener diode (ZD1) is connected in the transmission direction of the excitation voltage (U) and the collector-emitter distance of a switching transistor (npn), that an ohmic resistor (R1) is connected between the collector electrode of the switching transistor (T12) which is connected to the cathode of the zener diode (ZD1) and the basic potential of the switching device and that a reference voltage is connected to the base electrode of the switching transistor (T12) (Fig. 16).

Coupling device according to Claim 30, characterized in that in order to generate the reference voltage, an ohmic resistor (R18) is connected in series with a zener diode (zns).

32. Coupling device according to one of Claims 29 to 31, characterized in that instead of the one described as 10 15 20 25 30 35> 35 Switching device according to claim 5, 7810966- * 7 semiconductor switches serving the npn transistor (T1 ') and / or the switching transistor (T12), each using a thyristor (SCR1, SCR2) (Fig. 27).

Coupling device according to Claim 9 or 10, characterized in that instead of the zener diode (ZD1) and / or as a reference voltage source, two diode-connected diode branches are used, that in one branch a number of diodes corresponding to the desired reference voltage are connected in series on such means that the anode of a diode is connected to the cathode of the next diode and in the second branch a single diode is arranged, whose anode is connected to the cathode of the diode located at one end of the first-mentioned branch and whose cathode is connected to the anode of the diode located at the other end of the first-mentioned branch.

Coupling device according to Claim 5, characterized in that instead of the zener diode (ZD1) a diode (D6) is connected in the transmission direction of the excitation voltage, that a directly connected flip-flop (T13)

35. T14) is connected between the terminals of the excitation voltage (U) in such a way that the diode (D6) lies between the emitter electrodes of the two transistors (T13, T14) and that the voltage drop of the relay (R1s) is determined by a transistor (13) ) arranged base voltage divider (R19, R20) (fig. 21). characterized in that instead of the zener diode (ZD1) a diode (D6) is connected in the transmission direction of the excitation voltage, that a transistor (T13) with a base voltage divider (R19, R20) is connected between the connections of the excitation voltage in such a way that the emitter electrode of the transistor is connected to the anode of the diode '(D6) and its collector side is connected via an ohmic resistor (R21) to the basic potential of the switching device and that 10 15 20 25 30 2? 7810966-7 'an additional diode (D7) is connected with its cathode to the collector electrode of the transistor (T13) and with its anode is connected to the collector electrode of the transistor (T3) in the semiconductor switch (Fig. 22).

Coupling device according to one of Claims 1 to 11, characterized in that a diode (D6) is connected in front of the resistor element in the direction of transmission of the excitation voltage (U) (Fig. 23).

Coupling device according to one of Claims 1 to 11 or 36, characterized in that a diode (D9) is connected in the input circuit of the semiconductor switch in such a way that its cathode is connected to the control electrode of the semiconductor switch (Fig. 23).

Coupling device according to Claims 8, 36 or 37, characterized in that the collector electrode of the further transistor (T4) is connected across an ohmic resistor (R23) to the connection point between the capacitor (C1) and the semiconductor switch and in the base connection to the further the transistor (T4) is connected to a diode (D8) in the transmission direction of the excitation voltage (U) (Fig. 23).

Coupling device according to Claims 9, 10 or 36 - 38, in that instead of the further flip-flop circuit (T5, T6) a thyristor (SCR3) controlled by a field effect transistor (EET) is arranged (Fig. 24). k ä n n e t e c k n a d