SE421094B - VOLTAGE LIMIT CONNECTOR - Google Patents
VOLTAGE LIMIT CONNECTORInfo
- Publication number
- SE421094B SE421094B SE7713151A SE7713151A SE421094B SE 421094 B SE421094 B SE 421094B SE 7713151 A SE7713151 A SE 7713151A SE 7713151 A SE7713151 A SE 7713151A SE 421094 B SE421094 B SE 421094B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- semiconductor device
- diodes
- voltage
- connection
- transistor
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
- H02H9/041—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage using a short-circuiting device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/30—Modifications for providing a predetermined threshold before switching
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
i77131s1p-4å å2 Genom den franska pateutskriften 157588h är_en kopplingsnnurduing för spänningsbegränsning tidigare känd, vilken tjänar som skydd för-en, till två ledare kopplad, last. Medelst ett i den ena leda- ren anordnat motstånd övervakas belastningsströmmen och då denna överskrides så att högspänningen som alstras mellan de båda ledarna kortslutes via begränsningsomkopplaren. Gränsspänningens storlek bestämmes av en zenerdiod. Nackdelen med denna kopplingsanordning är att det_i den ena ledaren är nödvändigt att anordna ett mot- stånd, vilket medför en ofördelaktig höjning av det_totala led- ningsmotståndet vilket för kända telefon- eller signalledare inom telefontekniken böra vara så lågt som möjligt. i77131s1p-4å å2 By the French pate print 157588h, a connection voltage for voltage limitation is previously known, which serves as protection for a load connected to two conductors. By means of a resistor arranged in one conductor, the load current is monitored and when this is exceeded so that the high voltage generated between the two conductors is short-circuited via the limiting switch. The magnitude of the limit voltage is determined by a zener diode. The disadvantage of this coupling device is that in one conductor it is necessary to arrange a resistor, which entails an unfavorable increase in the total conductor resistance, which for known telephone or signal conductors in the telephone technology should be as low as possible.
Vidare har så kallade varistorer använts som överspänningsavledare.Furthermore, so-called varistors have been used as surge arresters.
Dessa består av en halvledarkropp med två elektroder, mellan vilka motståndet är oberoende av strömriktningen och beroende av den på- lagda spänningen. Varistorerna har dock den olägenheten, att de också vid små påläggande spänningar bildar en icke försumbar shunt till ledningen resp. kopplingen, som skall skyddas.These consist of a semiconductor body with two electrodes, between which the resistance is independent of the current direction and dependent on the applied voltage. The varistors, however, have the disadvantage that even at small applying voltages they form a non-negligible shunt to the line resp. the coupling, which must be protected.
För avledning av störspänningar har också dioder och för högre spänningar seriekopplingar av dioder och/eller Zener-dioder före- slagits. Dessa är dock, när det beror på ringa platsbehov, blott användbara för avledning av ringa störningseffekter. Därutöver kommer Zener-dioder till korta, i synnerhet hos monolitisk inte- gratlon betydande exemplnrläckningar.For diverting voltages, diodes and for higher voltages series connections of diodes and / or Zener diodes have also been proposed. However, when due to low space requirements, these are only useful for diverting small disturbance effects. In addition, Zener diodes come to short, especially in monolithic integration significant sample leaks.
Föreliggande uppfinning har till uppgift att undanröja de kända olägenheterna hos teknikens ståndpunkt. I synnerhet skall en kopp- lingsanordning för spänningsbegränsning av det inledningsvis nämnda slaget framläggas, som effektivt begränsar ett fingerbart spänningsvärde i storleksordningen av 3 volt utan stora exemplar- läckníngar och'som är i läget, trots ringa platsbehov i ledande tillstånd att avleda strömmar i storleksordningen av 1 ampere utan märkbar spänningsstegring.The present invention has for its object to obviate the known disadvantages of the prior art. In particular, a coupling device for voltage limiting of the kind mentioned in the introduction must be provided, which effectively limits a fingerable voltage value in the order of 3 volts without large copy leaks and which is in position, despite small space requirements in conducting states to divert currents of the order of of 1 ampere without noticeable voltage rise.
Uppgiften löses därigenom att mellan anslutningarna är anordnat en halvledaranordning försedd med en styrbar sträcka, vilken halv- ledaranordníng via sin styrelektrød är styrbar till ledande till- stånd då en spänning överstigande diodernas och halvledarens 7713151-4 sammanlagda framspänningsfall uppträder, via en seriekoppling av ett flertal dioder, vilkas ena ände är ansluten till styr- elektroden och vilkas andra ände är ansluten till en av anslut- ningarna, att till en förgrening, anordnad vid de dioder som i ledande tillstånd styr halvleduranordningen då summan av fram- spänningsfallen över dioderna och halvledaranordningens styr- elektrod överskrides, är anslutet en ytterligare svrickoppling, bestående av åtminstone en diod och ett motstånd, vilkas andra ände är ansluten till den andra anslutningen, och vars dioder är riktade åt samma håll som de dioder, vilka i ledande tillstånd styr halvledaranordningen och att dioderna är så valda att deras sammanlagda framspänningsfall är mindre än summan av framspännings- fallen för den i halvledaranordningen anordnade styrsträckan och de till förgreningen kopplade dioderna. Halvledaranordningen dimen- sioneras lämpligen så att den i aktiverat tillstånd kan leda er- forderlig arbetsström och seriekopplingen av ett flertal dioder för utstyrning av halvledaranordningen har fördelen att dessa kräver mycket litet arbetsström och deras antal bestämmer värdet av gränsspänningen. Då störspänningstoppar uppträder förhållandevis sällan kan halvledaranordningen tillsammans med dioderna utformas på en och samma halvledarchip i bipolar kiselteknik såsom inte- grerade kretsar. Därvid är det av särskild fördel att de utan stora in- bördes störningarkanauordnasi.stort antalpåen endahalvledarchip.The problem is solved by arranging between the connections a semiconductor device provided with a controllable distance, which semiconductor device is controllable via its control electrode to a conducting state when a voltage exceeding the total forward voltage drop of the diodes and semiconductors occurs via a series series diodes, one end of which is connected to the control electrode and the other end of which is connected to one of the connections, to a branch arranged at the diodes which in the conducting state control the semiconductor device when the sum of the voltage drops across the diodes and the semiconductor device controls electrode is exceeded, is connected an additional splice connection, consisting of at least one diode and a resistor, the other end of which is connected to the second connection, and whose diodes are directed in the same direction as the diodes which in the conducting state control the semiconductor device and that the diodes are so selected that their total forward voltage drop is min greater than the sum of the bias voltage drops for the control distance arranged in the semiconductor device and the diodes connected to the branch. The semiconductor device is suitably dimensioned so that in the activated state it can conduct the required working current and the series connection of a plurality of diodes for supplying the semiconductor device has the advantage that these require very little working current and their number determines the value of the limit voltage. As interference voltage peaks occur relatively infrequently, the semiconductor device together with the diodes can be designed on one and the same semiconductor chip in bipolar silicon technology such as integrated circuits. In this case, it is of particular advantage that those without large mutual disturbances can be arranged in large numbers on a single semiconductor chip.
Har kopplingsanordningen för spänningsbegränsningen större avled- ningsström att förbruka, så är halvledaranordningen med fördel utformad som Darlington-transistor.If the switching device for the voltage limitation has a larger lead current to consume, the semiconductor device is advantageously designed as a Darlington transistor.
Med extremt små styreffekter klarar sig vidareutvecklingen av halvledaranordningen enligt patentkravet 4.With extremely small control effects, the further development of the semiconductor device according to claim 4 is successful.
När det beror på en mycket skarp knick för spänningsbegränsningen, skall kopplingsanordningen för spänningsbegränsningen alltså till helt nära begränsningsinsatsen vara extremt högohmig, då är det fördelaktigt att utforma anordningen enligt patentkravet 5.When it is due to a very sharp bend for the voltage limitation, the coupling device for the voltage limitation must therefore be extremely high-impedance to the very close limiting insert, then it is advantageous to design the device according to claim 5.
Med blott ringa merkostnad låter sig kopplingsanordningen enligt uppfinningen, hos vilken halvledaranordningen uteslutande består av en enda_transistor, utformas som symmetrisk spänningsbegränsare, såsom det föreslås i patentkravet 6. 7713151-4 Vid användning av kopplingsanordningen enligt uppfinningen till överspänningsskyddet i svagströms- och telefonanläggningar, i synnerhet till skyddet för elektroniska kopplingskontakter, är det av fördel, att på grund av konstruktionens_enkelhet och det ringa platsbehovet kan kopplingsanordningen integreras gemensamt med kopplingskontakter.With only a small additional cost, the switching device according to the invention, in which the semiconductor device consists exclusively of a single transistor, can be designed as a symmetrical voltage limiter, as proposed in claim 6. 7713151-4 When using the switching device according to the invention for overvoltage protection in low voltage and telephone circuits to the protection of electronic coupling contacts, it is advantageous that due to the simplicity of the construction and the small space requirement, the coupling device can be integrated jointly with coupling contacts.
Uppfinningen belyses nu närmare med ledning av nedanstående figurer.The invention will now be further elucidated with reference to the figures below.
Figur 1 visar principiell konstruktion för kopplingsanordningen enligt föreliggande uppfinning, Figur 2 visar kopplingsanordningen enligt föreliggande uppfinning med en transistor som halvledaranordning, l _ Figur 3 visar Darlington-transistorkoppling som halvledaranordning, Figur U visar transistoraggregat som nalvledaranordning, och Figur 5 visar symmetrisk kopplingsanordning för spänningsbo- gränsning enligt föreliggande uppfinning.Figure 1 shows a basic construction of the switching device according to the present invention, Figure 2 shows the switching device according to the present invention with a transistor as a semiconductor device, Figure 3 shows a Darlington transistor connection as a semiconductor device, Figure U shows a transistor assembly as a semiconductor device, and Figure 5 shows a symmetrical voltage switching device. boundary according to the present invention.
Figur 1 visar det principiella kopplingsschemat för kopplings- anordningen för spänningsbegränsningen enligt uppfinningen. Denna kopplingsanordning har två anslutningar I och 2, mellan vilka en halvledaranordnings 3 styrbara sträcka ligger. Ualvledaranordningeu 3 styras över sin styrelektrod Ä av en eller, som framställes 1 'figur 1, av en seriekoppling av flera dioder 5. Därvid är den ena änden av seriekopplingen förbunden med styrelektroden 4 och den andra änden av seriekopplingen med de båda anslutningarna, i före- liggande fall anslutningen 1 på så sätt, att ovanför diodernas summaslusspänning och halvledaranordningens styrsträcka styres halvledaranordníngen i ledande tillstånd. Halvledaranordningens Astyrsträcka ligger i föreliggande fall mellan anslutningarna Å och 2.Figure 1 shows the basic circuit diagram of the voltage limiting coupling device according to the invention. This coupling device has two connections I and 2, between which the controllable distance of a semiconductor device 3 lies. The conductor device 3 is controlled over its control electrode Ä by one or, as shown 1 'in Figure 1, by a series connection of several diodes 5. Thereby one end of the series connection is connected to the control electrode 4 and the other end of the series connection with the two connections, in advance in the case of the connection 1 in such a way that above the summing voltage of the diodes and the control distance of the semiconductor device, the semiconductor device is controlled in the conducting state. The control distance of the semiconductor device is in the present case between the connections Å and 2.
I enklaste fall består halvledaranordningen 3 av en Lransistor, såsom visas i figur 2. I figur 2 bildar transistorns kollektor- finjektorsträcka halvledaranordningens styrbara sträcka, och bas- elektroden bildar styrelektroden. Diodernas seriekoppling är i föreliggande fall avgrenad vid förgreningen 8, vilket man i det_ följande närmare går in på. Under en diods eller en transistors slusspänning förstår man spänningen vid dioden resp. vid tran- sistorns bas-injektorsträcka, hos vilken dioden resp. transistorn är ledande. Det är fallet hos kisel-halvledare vid en Spänning av 7713151-4 U! ca 0,5 volt vid PN-övergången. Diodernas summaslusspänning och halvledaranordningens styrsträckor är i föreliggande fall summan av de enskilda diodernas slusspänning ökat med bas~ínjektor- sträckans slusspänning hos transistorn 31.In the simplest case, the semiconductor device 3 consists of a transistor, as shown in Fig. 2. In Fig. 2, the collector-injector distance of the transistor forms the controllable distance of the semiconductor device, and the base electrode forms the control electrode. The series connection of the diodes is in the present case branched off at the branch 8, which will be discussed in more detail below. During the diode voltage of a diode or a transistor, one understands the voltage at the diode resp. at the base-injector distance of the transistor, at which the diode resp. the transistor is conductive. This is the case with silicon semiconductors at a voltage of 7713151-4 U! about 0.5 volts at the PN junction. The total lock voltage of the diodes and the control distances of the semiconductor device are in the present case the sum of the lock voltage of the individual diodes increased by the lock voltage of the base injector distance of the transistor 31.
I figur 3 visas en i och för sig känd Darlington-koppling, be- stående av transistorernas 32 och 33 seriekoppling i injektorfölje- f) koppling, som kan träda in i stället för transistorn 31 i figur _ och är i läget att leda bort en väsentligt högre störningseffekr. l figur 2 visas vidare, att vid en förgrening 8 hos de halv- ledaranordningen, i detta fall transistorn 31, ledande styrande dioderna 51 och S2 är ansluten en ytterligare seriekoppling av minst en diod 7 och ett motslánd 6, vars andra ände är ansluten LLJ1 den andra anslutningen 2. Diudvrna i denna seriekoppling har polerna i samma riktning som de fransístorn 31 ledande styrande dioderna 51 och 52 och diodens 7 diodtal är så valt, att deras summaslusspänning är lägre än summan av styrsträckans slusspänning hos transistorn 31 och den ända till förgreningen 8 anordnade dioden 52. Med hjälp av seriekopplingen av dioderna 51 och 52 och transistorns 31_bas-injektorsträcka är väsentligen begräns- ningsspänningen bestämd. Den ytterligare seriekopplingen av dioden 7 med motståndet 5 åstadkommer i diodernas startström- område en shunt för transistorn 31, så att för spänningar under tröskelspänningen blir transistorn 31 med säkerhet spärrad. Genom denna ytterligare seriekoppling blir därmed övergångsknicken av spärrat tillstånd hos transistorn 31 i ledande tillstånd skärpt, så att en skarpare begränsningsinsats av kopplingsanordningen uppnås.Figure 3 shows a per se known Darlington coupling, consisting of the series connection of the transistors 32 and 33 in injector sequence (f), which can replace the transistor 31 in Figure _ and is in the position of conducting a significantly higher interference effectr. Figure 2 further shows that at a branch 8 of the semiconductor device, in this case the transistor 31, conducting control diodes 51 and S2 are connected a further series connection of at least one diode 7 and a counter-sheath 6, the other end of which is connected LLJ1 the second connection 2. The diodes in this series connection have the poles in the same direction as the conducting diodes 51 and 52 of the transistor 31 and the diode number of the diode 7 is selected so that their sum lock voltage is lower than the sum of the control current gate voltage of the transistor 31 and all the way to the branch Diode 52. By means of the series connection of the diodes 51 and 52 and the injector distance of the transistor 31, the limiting voltage is substantially determined. The further series connection of the diode 7 with the resistor 5 provides a shunt for the transistor 31 in the starting current range of the diodes, so that for voltages below the threshold voltage the transistor 31 is safely blocked. Through this further series connection, the transition bend of the blocked state of the transistor 31 in the conducting state is thus sharpened, so that a sharper limiting effort of the switching device is achieved.
En enligt figur 1 och 2 uppbyggd kopplingsanordning begränsar en gentemot anslutningen 2 positiv spänning. Skall positiva och nega- tiva spänningar begränsas så är det ändamålsenligt att anordna kopplingsanordningen enligt föreliggande uppfinning som anti- parallellkoppling av två kopplingsanordningar enligt figur 2.A coupling device constructed according to Figures 1 and 2 limits a voltage positive towards the connection 2. If positive and negative voltages are to be limited, it is expedient to arrange the coupling device according to the present invention as an anti-parallel connection of two coupling devices according to Figure 2.
Detta är lätt att uppnå genom monolitisk integration av kopplíngs- anordningen, varvid en hög symmetri för begränsningsinsatsen upp- nås för positiva och negativa överspänningar. Naturligtvis kan man genom val av dioderna i seriekopplingen också uppnå en osymme- trisk begränsning. 7713151-4 Genom i och för sig känd teknologisk modifikation är det möj- ligt att framställa transistorer med hög strömförstärknings- faktor också vid invers drift. Därigenom är också med en enda transistor en kopplingsanordning för symmetrisk begränsning av överspänningar realiserbar. Såsom figur 5 visar, är härför de båda seriekopplingarna 51, 52 och 6, 7 dubbelt anordnade.This is easy to achieve by monolithic integration of the coupling device, whereby a high symmetry of the limiting insert is achieved for positive and negative overvoltages. Of course, by selecting the diodes in the series connection, an asymmetric limitation can also be achieved. 7713151-4 Through per se known technological modification, it is possible to produce transistors with a high current gain factor even in inverse operation. As a result, a switching device for symmetrical limitation of overvoltages can also be realized with a single transistor. As Figure 5 shows, the two series connections 51, 52 and 6, 7 are double-arranged for this purpose.
Den med förgreningen 81 fdrsedda ena seriekopplingen 53, jü är kopplad med omvänd polkoppling parallellt med transistorns 31 basinjektorsträcka. Den andra seriekopplingen, bestående av motståndet 61 och den respektive dioden 71, är likaså kopplad i omvänd polkoppling mellan Förgreningen 81 och den ena anslut- ,ning~n 1. Under omvänd polknppllng förstås härmed, att díodvrnu uppvisar en motsatt polkoppling, såsom dioderna 51; 52 och 7 i figur 2 resp. figur 5. Överskrider den positiva spänningen vid anslutningen 1 gentemot spänningen vid anslutningen 2 det föregivna tröskelvärdet, så blir dioderna 51, 25 och 7 ledande och eftersom diodens 7 summa- slusspänning ligger lägre än diodens 52 summaslusspänning och transistorns 31 bas-injektorsträcka blir transistorn ledande styrd. Härtill är det visserligen erforderligt att vid motståndet 6, som ligger i storleksordningen mellan 10 och 100 genom den redan genom dioden 7 flytande flödesströmmen står en så hög spänning, att transistorn 31 blir modulerad.The one series connection 53, jü provided with the branch 81, is connected with an inverted pole connection parallel to the base injector distance of the transistor 31. The second series connection, consisting of the resistor 61 and the respective diode 71, is likewise connected in a reverse pole connection between the branch 81 and the one connection 1. By reverse pole connection is meant here that the diode has an opposite pole connection, such as the diodes 51 ; 52 and 7 in figure 2 resp. Figure 5. If the positive voltage at terminal 1 exceeds the voltage at terminal 2 exceeds the predetermined threshold value, diodes 51, 25 and 7 become conductive and since diode 7 total lock voltage is lower than diode 52 total lock voltage and transistor 31 base injector distance becomes transistor conductive controlled. For this purpose it is admittedly necessary that at the resistor 6, which is in the order of magnitude between 10 and 100 through the current flowing already through the diode 7, there is such a high voltage that the transistor 31 is modulated.
Ligger vid klämman 2 en högre spänning än vid klämman 1, så inträdor begränsningen av spänningen l'sä Full, när diodurnu 53 och Sü ävensom dioden 71 blir ledande och spänningsfullet vid motståndet 61, som har samma motståndsvärde som motståndet 6, har blivit så stort, att transistorn 31 hädanefter blir styrd i invers drift.If there is a higher voltage at terminal 2 than at terminal 1, the limitation of the voltage l'sä Full occurs, when diode turn 53 and Sü also diode 71 become conductive and the voltage full at resistor 61, which has the same resistance value as resistor 6, has become so large , that the transistor 31 will henceforth be controlled in inverse operation.
Byggelementen hos kopplingsanordningen enligt föreliggande upp- finning, i synnerhet dioderna och motstånden, belastas blott med en mycket ringa förlusteffekt, så att de kan realiseras så små som tekniskt möjligt. Även uppträder störningseffekten vid halvledaranordningen vid varje tillfälle blott under kort tid, 7713151-4 så att även halvledaranordníngen gör inte anspråk pá mycken plats och alltså kan den totala kopplingsannrdningen i flera fall anordnas på en enda halvledarskiva. Det är i sa fall särskilt gynnsamt när ett flertal ledningar eller kopplingar skall skyddas för överspänningar.The building elements of the coupling device according to the present invention, in particular the diodes and the resistors, are loaded with only a very small loss effect, so that they can be realized as small as technically possible. Also, the disturbing effect of the semiconductor device appears at each occasion only for a short time, so that even the semiconductor device does not claim much space and thus the total coupling device can in several cases be arranged on a single semiconductor wafer. In this case, it is particularly favorable when a plurality of wires or connections are to be protected against overvoltages.
Det ringa platsbehovet för kopplingsanordningen enligt före- liggande uppfinning tillåter till och med i svagströmsanlägg- ningar att integrera kopplingsanordningen enligt uppfinningen gemensamt med elektroniska kopplingskontakter.The small space requirement for the switching device according to the present invention allows even in low-voltage systems to integrate the switching device according to the invention in common with electronic switching contacts.
En särskild fördel med kopplingsanordningen enligt föreliggande uppfinning kan man se däri, att denna kan användas som en passiv tvåpol. Det är alltså inte erforderligt med några ytterligare driftsspänningar. l monopolitisk integrerad utformning kan den vanliga negativa substratförspänningen bortfalla, eftersom sub- stratströmmen på grund av felen i mättning av drivna tran- sistorer kan bli misskött.A particular advantage of the coupling device according to the present invention can be seen in the fact that it can be used as a passive bipolar. Thus, no additional operating voltages are required. In a monopolitically integrated design, the usual negative substrate bias can be eliminated, since the substrate current can be mismanaged due to errors in the saturation of driven transistors.
Claims (7)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2654419A DE2654419C2 (en) | 1976-12-01 | 1976-12-01 | Circuit arrangement for voltage limitation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE7713151L SE7713151L (en) | 1978-06-02 |
| SE421094B true SE421094B (en) | 1981-11-23 |
Family
ID=5994391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE7713151A SE421094B (en) | 1976-12-01 | 1977-11-22 | VOLTAGE LIMIT CONNECTOR |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT356187B (en) |
| AU (1) | AU2901477A (en) |
| BE (1) | BE861307A (en) |
| CA (1) | CA1083667A (en) |
| DE (1) | DE2654419C2 (en) |
| FR (1) | FR2373181A1 (en) |
| GB (1) | GB1574078A (en) |
| GR (1) | GR59256B (en) |
| IT (1) | IT1090802B (en) |
| NL (1) | NL7708817A (en) |
| SE (1) | SE421094B (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1982002287A1 (en) * | 1980-12-23 | 1982-07-08 | Hammarberg Lars Erik | Voltage controlled transient protection unit |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2843213C2 (en) * | 1978-10-04 | 1984-03-29 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Circuit arrangement for voltage limitation |
| US4533846A (en) * | 1979-01-24 | 1985-08-06 | Xicor, Inc. | Integrated circuit high voltage clamping systems |
| FR2512598A1 (en) * | 1981-09-09 | 1983-03-11 | Texas Instruments France | On-chip overvoltage protection for bipolar integrated circuits - uses zener array in base of power transistor shunt across input of bipolar circuit to divert overvoltage |
| DE3301800A1 (en) * | 1983-01-20 | 1984-08-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Protection circuit which can be integrated |
| DE3338124A1 (en) * | 1983-10-20 | 1985-05-02 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | NOISE PROTECTION CIRCUIT FOR INTEGRATED CIRCUITS |
| AU580679B2 (en) * | 1985-07-18 | 1989-01-27 | Alcatel Australia Limited | A telephone line switch |
| KR940011757B1 (en) * | 1985-07-18 | 1994-12-23 | 알카텔 엔. 브이. | Telephone line switch |
| WO1987000717A1 (en) * | 1985-07-18 | 1987-01-29 | International Standard Electric Corporation | A telephone line switch |
| GB2206749A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-11 | Sealand Ind Co Ltd | A voltage adaptor |
| JPH02280622A (en) * | 1989-03-16 | 1990-11-16 | Siemens Ag | Transistor circuit |
| JPH02280621A (en) * | 1989-03-16 | 1990-11-16 | Siemens Ag | Transistor circuit |
| EP0677925B1 (en) * | 1994-04-12 | 1998-10-07 | STMicroelectronics S.r.l. | Three-terminal insulated-gate power electronic device with a variable-slope saturated output characteristic depending in a discontinuous way on the output current |
| JP3755675B2 (en) * | 1995-11-20 | 2006-03-15 | ソニー株式会社 | Clamp circuit, CMOS chip IC and contactless information card |
| DE102006021847B4 (en) | 2006-05-10 | 2015-07-02 | Austriamicrosystems Ag | Circuit arrangement for protection against electrostatic discharges |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1538440B2 (en) * | 1966-11-23 | 1972-03-16 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | CIRCUIT ARRANGEMENT FOR DC VOLTAGE STABILIZATION ACCORDING TO A Z DIODE |
| FR1575884A (en) * | 1968-06-11 | 1969-07-25 | ||
| US3610948A (en) * | 1969-10-23 | 1971-10-05 | Bell Telephone Labor Inc | Current-switching detector |
| DE2216092B2 (en) * | 1972-04-01 | 1975-10-09 | Semikron Gesellschaft Fuer Gleichrichterbau Und Elektronik Mbh, 8500 Nuernberg | Circuit arrangement for overvoltage limitation with a selenium overvoltage limiter |
| US3846696A (en) * | 1973-07-20 | 1974-11-05 | Rca Corp | Current attenuator |
-
1976
- 1976-12-01 DE DE2654419A patent/DE2654419C2/en not_active Expired
-
1977
- 1977-08-10 NL NL7708817A patent/NL7708817A/en not_active Application Discontinuation
- 1977-09-21 GR GR54403A patent/GR59256B/en unknown
- 1977-09-22 AU AU29014/77A patent/AU2901477A/en active Pending
- 1977-10-04 AT AT705077A patent/AT356187B/en not_active IP Right Cessation
- 1977-10-06 GB GB41646/77A patent/GB1574078A/en not_active Expired
- 1977-11-22 SE SE7713151A patent/SE421094B/en unknown
- 1977-11-29 BE BE183017A patent/BE861307A/en not_active IP Right Cessation
- 1977-11-30 IT IT52014/77A patent/IT1090802B/en active
- 1977-11-30 FR FR7736056A patent/FR2373181A1/en active Pending
- 1977-11-30 CA CA292,047A patent/CA1083667A/en not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1982002287A1 (en) * | 1980-12-23 | 1982-07-08 | Hammarberg Lars Erik | Voltage controlled transient protection unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2373181A1 (en) | 1978-06-30 |
| AU2901477A (en) | 1979-03-29 |
| GB1574078A (en) | 1980-09-03 |
| DE2654419A1 (en) | 1978-06-08 |
| DE2654419C2 (en) | 1983-06-09 |
| NL7708817A (en) | 1978-06-05 |
| SE7713151L (en) | 1978-06-02 |
| ATA705077A (en) | 1979-09-15 |
| IT1090802B (en) | 1985-06-26 |
| CA1083667A (en) | 1980-08-12 |
| BE861307A (en) | 1978-03-16 |
| AT356187B (en) | 1980-04-10 |
| GR59256B (en) | 1977-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SE421094B (en) | VOLTAGE LIMIT CONNECTOR | |
| US4331884A (en) | Two-pole overcurrent protection device | |
| US4178619A (en) | Protective integrated circuit network, particularly for connection to an inductive load | |
| US4849846A (en) | Telephone protection circuit | |
| FI68488C (en) | SPAENNINGSSTYRT TRANSIENTSKYDD | |
| US9680468B2 (en) | Bidirectional power switch with improved switching performance | |
| US5696391A (en) | Overload protection circuit | |
| SE464327B (en) | PHONE CONNECTOR CIRCUIT WITH OVERVOLTAGE PROTECTION | |
| EP0651490B1 (en) | Overvoltage protection circuit | |
| CA1306769C (en) | Protection devices and arrangements for telephone lines | |
| US5003588A (en) | Circuit arrangement for protecting electronic interface circuit of subscriber line circuits | |
| EP0589963B1 (en) | A semiconductor component for transient voltage limiting | |
| SE455558B (en) | TRANSISTORIZED RECTIFIER BRIDGE CIRCUIT WITH SHOCK STRIP PROTECTION | |
| US4727571A (en) | Circuit for surge voltage protection in electronic telephone stations | |
| US20020075619A1 (en) | Overvoltage protection circuit` | |
| US4439802A (en) | Overvoltage guard for electronic circuits | |
| EP0388022A2 (en) | Solid state overcurrent protection device | |
| WO1990007213A1 (en) | A protection circuit | |
| US4947426A (en) | Telephone protection circuit | |
| CA1307315C (en) | Telephone protection circuit | |
| US4323792A (en) | Two terminal circuitry for voltage limitation | |
| EP0422486B1 (en) | Negative overvoltage protection circuit, in particular for output stages | |
| SE450068B (en) | CONTROL CIRCUIT FOR GRIND CONTROLLED DIODOSTS | |
| US3261983A (en) | Transistor switch employing diodes for voltage protection | |
| AU7300887A (en) | Telephone protection circuit |