RU999439C - Способ получения монокристаллов алмаза - Google Patents

Способ получения монокристаллов алмаза

Info

Publication number
RU999439C
RU999439C SU2724713A RU999439C RU 999439 C RU999439 C RU 999439C SU 2724713 A SU2724713 A SU 2724713A RU 999439 C RU999439 C RU 999439C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diamond
alloy
carbon
single crystals
heat resistance
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
А.А. Шульженко
М.Я. Кацай
А.Ф. Гетьман
Original Assignee
Институт сверхтвердых материалов АН УССР
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт сверхтвердых материалов АН УССР filed Critical Институт сверхтвердых материалов АН УССР
Priority to SU2724713 priority Critical patent/RU999439C/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU999439C publication Critical patent/RU999439C/ru

Links

Images

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

Изобретение относится к способам получения сверхтвердых материалов, а именно монокристаллов алмаза, и может быть использовано в станкоинструментальной промышленности.
Известен способ получения монокристаллов алмаза, включающий воздействие высокого давления при температуре, соответствующей термодинамической устойчивости алмаза, на графит, находящийся в контакте с растворителем сплавом на основе кобальта, никеля и/или железа, имеющим сложный фигурный профиль.
Недостатками способа являются низкие выход (15-20 мас.) и термостойкость монокристаллов.
Наиболее близким техническим решением является способ получения монокристаллов алмаза, включающий воздействие высокого давления при температуре, соответствующей термодинамической устойчивости алмаза, на реакционную смесь порошков графита и растворителя сплава марганца и никеля и/или кобальта с 0,5-5 мас. углерода.
Недостатком способа является пониженная термостойкость монокристаллов алмазов, что объясняется примесью трудноудаляемых карбидов марганца.
Целью изобретения является повышение термостойкости монокристаллов алмазов.
Поставленная цель достигается тем, что способ получения монокристаллов алмаза включает воздействие высокого давления при температуре, соответствующей термодинамической устойчивости алмаза, на реакционную смесь порошков графита и растворителя сплава марганца, никеля и/или кобальта, содержащего 0,04-0,4 мас. углерода.
Отличие заключается в использовании сплава с 0,04-0,4 мас. углерода.
Экспериментальным путем установлено, что использование растворителя сплава марганца, никеля и/или кобальта с содержанием углерода 0,4-5,9 мас. резко снижает термостойкость алмаза. Это объясняется тем, что при увеличении концентрации углерода до свыше 0,4 мас. происходит образование карбидов. Образуются как крупные первичные карбиды в форме шестиугольной призмы, так и мелкие (2-4 мкм) двойной эвтектики, а также мелкопластинчатая, веерного типа тройная эвтектика из карбидов δ′ -фазы. Рентгенографически установлен состав карбида Mg7C3.
Таким образом, повышение содержания углерода ведет к увеличению доли карбидной фазы в сплаве, что приводит к снижению термостойкости алмазов.
При использовании сплава с содержанием углерода менее 0,04 мас. резко снижается общий выход алмаза.
Наилучшие результаты по термостойкости алмазов были получены при использовании сплава Ni-Mn, Co-Mn с содержанием углерода 0,08 мас.
П р и м е р 1. Готовят однородную смесь порошков, состоящую из 1 г графита и 1 г сплава Ni-Mn-Co; содержащего 0,04 мас. углерода, помещают смесь в камеру высокого давления, поднимают вначале давление до 40 кбар, затем температуру до 1300оС и при этих условиях содержимое камеры выдерживают 10 мин. Затем температуру и давление снижают и извлекают содержимое.
Выполняют 250 пресс-спеканий. После чего производят химическую очистку алмаза от примесей, извлеченные алмазы подвергаются дроблению и классификации. Выход крупных зернистостей алмаза 315/250 мкм и выше составляет 40%
П р и м е р 2. Готовят однородную смесь порошков, состоящую из 1 г графита и 1 г сплава Ni-Mn, содержащего 0,08 мас. углерода, смесь помещают в камеру высокого давления, поднимают вначале давление до 50 кбар, затем температуру до 1200оС, при этих условиях реакционную смесь выдерживают 10 мин. Затем последовательно снижают температуру и давление и извлекают содержимое.
Выполняют 350 пресс-спеканий, после чего производят химическую очистку алмаза от примесей, извлеченные алмазы подвергают дроблению и классификации. Выход крупных зернистостей алмаза 315/250 мкм и выше составляет 45%
П р и м е р 3. Готовят однородную смесь порошков, состоящую из 1 г сплава Ni-Mn, содержащего 0,2 мас. углерода, смесь помещают в устройство высокого давления, поднимают вначале давление до 60 кбар, затем температуру до 1160оС, при этих условиях реакционную смесь выдерживают 10 мин. Далее поступают как в примере 2.
Выполняют 300 пресс-спеканий, после чего производят химическую очистку алмаза от примесей, извлеченные алмазы подвергают дроблению и классификации. Выход крупных зернистостей алмаза 315/250 мкм и выше составляет 40%
П р и м е р 4. Готовят однородную смесь порошков, состоящую из 1 г графита и 1 г сплава Со-Mn, содержащего 0,4 мас. углерода. Смесь помещают в устройство высокого давления, поднимают вначале давление до 45 кбар, затем температуру до 1250оС, выдерживают реакционную смесь при этих условиях 10 мин.
Выполняют 200 пресс-спеканий, после чего производят химическую очистку, извлеченные алмазы подвергают дроблению и классификации.
Выход крупных зернистостей 315-250 мкм и выше составляет 35%
В таблице представлены сравнительные данные по термостойкости монокристаллов алмаза, полученных по предлагаемому способу и по способу-прототипу (с использованием сплава, содержащего 5,9 мас. углерода). Таким образом, использование сплава марганца с никелем и/или кобальтом, содержащего 0,04-0,4 мас. углерода позволяет повысить термостойкость синтезированных монокристаллов алмаза на 35-45% что подтверждает положительный эффект.

Claims (1)

  1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА, включающий воздействие высокого давления при температуре, соответствующей термодинамической устойчивости алмаза, на реакционную смесь порошков графита и растворителя сплава углерода с марганцем, никелем и/или кобальтом, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости монокристаллов алмаза, используют сплав с 0,04 0,4 мас. углерода.
SU2724713 1979-02-05 1979-02-05 Способ получения монокристаллов алмаза RU999439C (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2724713 RU999439C (ru) 1979-02-05 1979-02-05 Способ получения монокристаллов алмаза

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2724713 RU999439C (ru) 1979-02-05 1979-02-05 Способ получения монокристаллов алмаза

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU999439C true RU999439C (ru) 1995-05-27

Family

ID=20810214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2724713 RU999439C (ru) 1979-02-05 1979-02-05 Способ получения монокристаллов алмаза

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU999439C (ru)

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР N 587711, C 01B 31/06, 1975. *
Патент США N 3652220, кл. 23-209.1, 1972. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2992900A (en) Method for producing improved diamond crystals
US3944398A (en) Method of forming an abrasive compact of cubic boron nitride
US3743489A (en) Abrasive bodies of finely-divided cubic boron nitride crystals
US4931068A (en) Method for fabricating fracture-resistant diamond and diamond composite articles
JP3318002B2 (ja) ダイヤモンド合成用反応容器
JPH0745012B2 (ja) 破砕性ダイヤモンド粒子の製造方法
US4481180A (en) Diamond synthesis process
RU999439C (ru) Способ получения монокристаллов алмаза
US5443605A (en) Polycrystalline cubic boron nitride abrasive
EP0014589B1 (en) A method of making diamond particles and metal bond abrasive body produced therewith
US3124422A (en) Synthesis of diamonds
GB2058840A (en) Production of polycrystalline cubic boron nitride
US3890430A (en) Method of producing diamond materials
Kobayashi et al. Pressure and temperature stability region of cubic BN in the presence of ammonium borate
US6030596A (en) Synthesis of diamonds
Komanduri et al. Surface morphology of synthetic diamonds and cubic boron nitride
US4123504A (en) Method of making diamonds synthetically
JPH0437650A (ja) 耐破壊性ダイヤモンド及びダイヤモンド複合物品の加工方法
US3773903A (en) Method of manufacturing diamond crystals
JPS6225601B2 (ru)
JP2932300B2 (ja) ダイヤモンド合成法
DE1284405B (de) Verfahren zur Synthese von Diamant
RU2074114C1 (ru) Способ получения искусственных алмазов
US3607060A (en) Method of manufacturing diamond crystals
JP3206050B2 (ja) ダイヤモンド単結晶の合成方法