RU99110763A -
SILICON OXIDATION METHOD
- Google Patents
SILICON OXIDATION METHOD
Info
Publication number
RU99110763A
RU99110763ARU99110763/12ARU99110763ARU99110763ARU 99110763 ARU99110763 ARU 99110763ARU 99110763/12 ARU99110763/12 ARU 99110763/12ARU 99110763 ARU99110763 ARU 99110763ARU 99110763 ARU99110763 ARU 99110763A
Application filed by Институт физики полупроводников СО РАН, Юрий Игоревич Яковлев, Сергей Иванович РомановfiledCriticalИнститут физики полупроводников СО РАН
Priority to RU99110763/12ApriorityCriticalpatent/RU2165481C2/en
Priority claimed from RU99110763/12Aexternal-prioritypatent/RU2165481C2/en
Publication of RU99110763ApublicationCriticalpatent/RU99110763A/en
Application grantedgrantedCritical
Publication of RU2165481C2publicationCriticalpatent/RU2165481C2/en
Способ окисления кремния, основанный на анодной поляризации кремния в растворах электролитов, отличающийся тем, что в качестве окислителей используют растворы электролитов в легких гомофункциональных кетонах.A method of silicon oxidation based on the anodic polarization of silicon in electrolyte solutions, characterized in that electrolyte solutions in light homofunctional ketones are used as oxidizing agents.