RU99100670A -
STAMP PILLOW AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE
- Google Patents
STAMP PILLOW AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE
Info
Publication number
RU99100670A
RU99100670ARU99100670/12ARU99100670ARU99100670ARU 99100670 ARU99100670 ARU 99100670ARU 99100670/12 ARU99100670/12 ARU 99100670/12ARU 99100670 ARU99100670 ARU 99100670ARU 99100670 ARU99100670 ARU 99100670A
1. Штемпельная подушка, содержащая помещенный в кювету блок двухслойного носителя краски в котором верхний слой низкопористый, а нижний высокопористый, отличающаяся тем, что блок носителя краски дополнительно содержит непроницаемую для краски подложку, при этом высокопористый нижний слой носителя краски выполнен из тканого или нетканого термопластичного материала.1. An ink pad containing a block of a two-layer ink carrier placed in a cuvette in which the upper layer is low porous and the lower highly porous, characterized in that the ink carrier block further comprises an ink-impervious substrate, while the high-porous lower layer of the ink carrier is made of woven or non-woven thermoplastic material. 2. Способ изготовления штемпельной подушки по п.1 путем вырезания блока носителя краски и заполнения его краской, отличающийся тем, что до вырезания блока носитель краски высокопористым нижним слоем соединяют с непроницаемой для краски подложкой, затем заполняют его краской, укрывают со стороны низкопористого верхнего слоя защитной изолирующей пленкой и далее вырезают лазерным лучом блок необходимый формы и размеров. 2. A method of manufacturing the stamp pad according to claim 1 by cutting out the ink carrier block and filling it with paint, characterized in that prior to cutting the block, the ink carrier is connected with a high porous lower layer to the ink-impervious substrate, then filled with paint, covered from the side of the low porous upper layer a protective insulating film and then cut out with a laser beam a block of the necessary shape and size.
RU99100670/12A1999-01-251999-01-25Ink-pad and method for its manufacture
RU2172260C2
(en)
Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of preparing semiconductor member using the etching solution