Claims (3)
1. Способ получения рельефно-фазовой голографической защитной метки, заключающийся в том, что на слой электронного фоторезиста, размещенный на, подслое, выполненном из непрозрачного для оптического излучения материала, экспонируют электронную голограмму и затем проявляют, отличающийся тем, что после проявления на полученный рельеф электронной голограммы наносят слой оптического фоторезиста, экспонируют аналоговую голограмму на участках оптического фоторезиста, не перекрывающих рельеф электронной голограммы, осуществляют дополнительную засветку слоя оптического фоторезиста с экспозицией, заведомо большей, чем необходимо для экспонирования аналоговой голограммы, и снова проявляют.1. A method of obtaining a relief-phase holographic security label, which consists in the fact that an electronic hologram is exposed to a layer of an electronic photoresist placed on a sublayer made of a material opaque to optical radiation and then developed, characterized in that after developing on the obtained relief of an electronic hologram, a layer of optical photoresist is applied, an analog hologram is exposed in areas of the optical photoresist that do not overlap the relief of the electronic hologram, an additional The illumination of an optical photoresist layer with an exposure that is known to be larger than necessary for exposing an analog hologram is again shown.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что перед нанесением слоя оптического фоторезиста полученный рельеф электронной голограммы переводят на подслой, а дополнительную засветку слоя оптического фоторезиста, осуществляют со стороны подслоя. 2. The method according to claim 1, characterized in that before applying the optical photoresist layer, the obtained hologram relief is transferred to the sublayer, and additional illumination of the optical photoresist layer is carried out from the side of the sublayer.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что перед нанесением слоя оптического фоторезиста полученный рельеф электронной голограммы задубливают через маску, дополнительно проявляют, а дополнительную засветку слоя оптического фоторезиста осуществляют через ту же маску. 3. The method according to claim 1, characterized in that before applying the optical photoresist layer, the obtained relief of the electronic hologram is blown through the mask, further developed, and additional illumination of the optical photoresist layer is carried out through the same mask.