RU96106184A - Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователяInfo
- Publication number
- RU96106184A RU96106184A RU96106184/25A RU96106184A RU96106184A RU 96106184 A RU96106184 A RU 96106184A RU 96106184/25 A RU96106184/25 A RU 96106184/25A RU 96106184 A RU96106184 A RU 96106184A RU 96106184 A RU96106184 A RU 96106184A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- metallization
- junctions
- spliced
- atm
- oriented
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
Claims (3)
1. Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя путем создания p-n переходов в пластине полупроводника, металлизации пластин, сборки пластин в столбик, разрезания столбика на структуры, создания дополнительных p-n переходов и изотипных переходов, присоединения токовыводящих контактов, нанесения просветляющего покрытия, отличающийся тем, что до создания p-n перехода исходные пластины с p+-p и n+-n структурой до металлизации ориентируют в одном кристаллографическом направлении и сращивают в монолитный столбик под давлением 0,5-15 атм при 800-1300oC.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что исходные пластины с n+-p(n)-p+ структурой до металлизации ориентируют в одном кристаллографическом направлении и сращивают в монолитный столбик под давлением 0,5-15 атм при 800- 1300oC.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что пластины с симметричной n-p-n структурой до металлизации ориентируют в одном кристаллографическом направлении и сращивают в монолитный столбик под давлением 0,5-15 атм при 800-1300oC.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU96106184/25A RU2127009C1 (ru) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU96106184/25A RU2127009C1 (ru) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU96106184A true RU96106184A (ru) | 1998-08-27 |
| RU2127009C1 RU2127009C1 (ru) | 1999-02-27 |
Family
ID=20178698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU96106184/25A RU2127009C1 (ru) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2127009C1 (ru) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009142529A1 (ru) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Tsoi Bronya | Преобразователь электромагнитного излучения и батарея |
| RU2444088C2 (ru) * | 2009-12-30 | 2012-02-27 | Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) | Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь и способ его изготовления (варианты) |
| RU2444089C2 (ru) * | 2010-02-10 | 2012-02-27 | Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) | Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления |
| RU2453013C1 (ru) * | 2011-01-19 | 2012-06-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский Электротехнический институт им. В.И. Ленина" (ФГУП ВЭИ) | Фотопреобразователь |
| RU2487437C1 (ru) * | 2012-02-02 | 2013-07-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский Электротехнический институт им. В.И. Ленина" (ФГУП ВЭИ) | Фотоэлектронный элемент |
| RU2513658C2 (ru) * | 2012-07-20 | 2014-04-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Кремниевый многопереходный фотоэлектрический преобразователь с наклонной конструкцией и способ его изготовления |
| RU2606794C2 (ru) * | 2015-03-03 | 2017-01-10 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ) | Устройство и способ изготовления двухстороннего кремниевого матричного солнечного элемента |
-
1996
- 1996-03-28 RU RU96106184/25A patent/RU2127009C1/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB2135512A (en) | Semiconductor photoelectric conversion device light-transparent substrate therefor and their manufacturing methods | |
| AU3035192A (en) | Method for manufacture of a solar cell and solar cell | |
| EP1394862A3 (en) | Photovoltaic element and method for producing the same | |
| TW330306B (en) | A semiconductor substrate and its fabrication method | |
| BR9106519A (pt) | Um metodo de fabricacao de componentes semicondutores bem como uma celula solar feita deste | |
| EP0747935A3 (en) | Process for the production of an SOI substrate | |
| DK387082A (da) | Tynde filmformige solceller af hetero-overgangstypen paa basisaf 1-111-v12-chalcopyrit-forbindelser samt fremgangsmaade og apparatur til fremstilling heraf | |
| WO1989005521A1 (en) | Solar cell panel | |
| RU96106184A (ru) | Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя | |
| EP0352472A3 (en) | Heteroepitaxy of lattice-mismatched semiconductor materials | |
| TW354430B (en) | Photodiode and method for fabricating the same | |
| CA2050435A1 (en) | Photo-sensing device | |
| JPS5760875A (en) | Photoelectric conversion element | |
| EP0328286A3 (en) | Multicollector vertical pnp transistor | |
| JPS55102268A (en) | Protecting circuit for semiconductor device | |
| RU96106186A (ru) | Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя | |
| RU2127009C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя | |
| JPS61226972A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS6213829B2 (ru) | ||
| JPS577975A (en) | Sollar battery | |
| KR100364924B1 (ko) | 대전력소자 제조방법 | |
| JPS56162867A (en) | Composite thyristor | |
| JPS57172790A (en) | Semiconductor laser device | |
| EVANS | Method of making a high voltage V-groove solar cell[Patent] | |
| KR960009302B1 (en) | Manufacturing method of semiconductor laser diode with multi lasing area |