Claims (1)
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при выпрямлении переменного тока. Цель изобретения - создание малогабаритного полупроводникового выпрямительного модуля, пригодного для работы с высокими токами и напряжениями, а также упрощение технологии создания подобных модулей. Изобретение заключается в том, что каждый полупроводниковый выпрямительный элемент по боковой поверхности окружен слоем полупроводникового материала первого типа проводимости (боковой слой), причем от материала второго типа проводимости вышеуказанный слой первого типа проводимости отделен замкнутой разделительной канавкой, пересекающей базовый p-n переход. Канавка выполнена со стороны противолежащей плоскости основания. Изобретение позволяет разместить анодную и катодную группы элементов на общее изолирующее основание, на котором в виде металлических полос выполнены контакты к общим точкам анодной и катодной группы. Верхние контакты объединены попарно от одного катодного и одного анодного элементов. В качестве выпрямительного элемента могут быть использованы диод, тиристор, симистор (триак), оптотиристор и оптосимистор. В случае использования диода наружная поверхность канавки расположена на границе бокового, например дырочного, слоя и исходного материала. Канавка может быть смещена от периферии, но в этом случае уменьшается полезная площадь прибора. Диодные элементы могут монтироваться в виде отдельных (гибридных) элементов, в виде двух монокристаллических блоков для анодной и катодной групп, изолированных воздушным промежутком, или в виде интегральной схемы. В последнем случае анодная и катодная группы выполнены в одном кристалле с общим боковым слоем p-типа, причем кристалл выполнен с двумя продольными разделительными канавками, наружные части которых расположены на границе общего бокового слоя p-типа и исходного материала. В другом варианте боковой слой p-типа выполнен с центральным изолирующим слоем n-типа, причем кристалл выполнен с верхней и нижней продольными разделительными канавками, дно которых расположено в центральном изолирующем слое n-типа. В качестве управляемого полупроводникового выпрямительного элемента может быть использован тиристор, управляемый со стороны анода, или тиристор, управляемый со стороны катода. Причем в качестве тиристора, управляемого со стороны анода, может быть использована многослойная структура с чередующимся типом проводимости. В качестве полупроводникового выпрямительного элемента могут быть также использованы оптотиристор, симистор, оптосимистор. В изобретении указываются размеры обязательного элемента модуля - разделительной канавки, обеспечивающие максимальное напряжение пробоя блокирующих p-n переходов.The invention relates to electrical engineering and can be used for rectification of alternating current. The purpose of the invention is the creation of a small-sized semiconductor rectifier module suitable for working with high currents and voltages, as well as simplifying the technology for creating such modules. The invention consists in the fact that each semiconductor rectifier element on the lateral surface is surrounded by a layer of semiconductor material of the first conductivity type (side layer), and from the material of the second conductivity type, the above layer of the first conductivity type is separated by a closed separation groove intersecting the base p-n junction. The groove is made on the side of the opposite plane of the base. The invention allows to place the anode and cathode groups of elements on a common insulating base, on which contacts to common points of the anode and cathode groups are made in the form of metal strips. The upper contacts are combined in pairs from one cathode and one anode elements. As a rectifier element, a diode, a thyristor, a triac (triac), an opto-thyristor and an opto-simistor can be used. In the case of using a diode, the outer surface of the groove is located at the boundary of the lateral, for example hole, layer and the source material. The groove may be offset from the periphery, but in this case the useful area of the device decreases. Diode elements can be mounted in the form of separate (hybrid) elements, in the form of two single-crystal blocks for the anode and cathode groups isolated by the air gap, or in the form of an integrated circuit. In the latter case, the anodic and cathodic groups are made in one crystal with a common p-type side layer, and the crystal is made with two longitudinal dividing grooves, the outer parts of which are located at the border of the common p-type side layer and the source material. In another embodiment, the p-type side layer is made with an n-type central insulating layer, the crystal being made with upper and lower longitudinal dividing grooves, the bottom of which is located in the n-type central insulating layer. As a controlled semiconductor rectifier element, a thyristor controlled from the anode side or a thyristor controlled from the cathode can be used. Moreover, as a thyristor controlled from the side of the anode, a multilayer structure with an alternating type of conductivity can be used. As a semiconductor rectifier element can also be used opto-thyristor, triac, opto-triac. In the invention, the dimensions of the required element of the module, the dividing groove, providing the maximum breakdown voltage of the blocking p-n junctions, are indicated.