Claims (1)
Способ относится к технологическим процессам формирования рельефного изображения на поверхности твердых тел (литография). В способе в качестве материала защитной резистивной маски использованы частицы, хемосорбированные на поверхности с энергией связи 0,8 - 1,1 эВ. На очищенную поверхность подложки наносится монослой хемосорбированных частиц (гидроксильные группы OH, молекулы парабензохинона, тетрацианэтилена), в котором с помощью потока низкотемпературной плазмы через шаблон с отверстиями, либо потоком излучения эксимерного лазера по заданному рисунку, либо электронным или ионным лучом, либо путем подачи импульса напряжения на иглу туннельного микроскопа создается скрытое изображение за счет удаления хемосорбированных частиц в монослое. При последующем химическом воздействии (травлении) процесс имеет избирательный характер, т. е. идет на освобожденных от хемосорбированных частиц участках поверхности, образуя заданный рисунок. Основным достоинством способ является его высокая размещающая способность за счет отсутствия в составе маски крупных макромолекул полимерных фоторезисторов, используемых в настоящее время для материала масок. Малые размеры хемосорбированных частиц, образующих маску, позволяют обеспечить уровень разрешения, необходимый для удовлетворения современных требований к нанотехнологии.The method relates to the technological processes of the formation of the relief image on the surface of solids (lithography). In the method, particles chemisorbed on the surface with a binding energy of 0.8 - 1.1 eV were used as the material of the protective resistive mask. A monolayer of chemisorbed particles (OH hydroxyl groups, parabenzoquinone, tetracyanoethylene molecules) is applied to the cleaned surface of the substrate, in which using a low-temperature plasma stream through a template with holes, or an excimer laser radiation flux according to a given pattern, or an electron or ion beam, or by impulse the voltage on the needle of the tunneling microscope creates a latent image by removing the chemisorbed particles in the monolayer. During the subsequent chemical action (etching), the process is selective, that is, it goes to the surface areas released from the chemisorbed particles, forming the given pattern. The main advantage of the method is its high placing capacity due to the absence of large macromolecules of polymer photoresistors in the mask, which are currently used for masks. The small size of the chemisorbed particles that make up the mask makes it possible to ensure the level of resolution necessary to meet modern requirements for nanotechnology.