RU89529U1 - SOURCE OF HIGH FREQUENCY ELECTROMAGNETIC OSCILLATIONS OF THE PLASMA CHEMICAL REACTOR - Google Patents
SOURCE OF HIGH FREQUENCY ELECTROMAGNETIC OSCILLATIONS OF THE PLASMA CHEMICAL REACTOR Download PDFInfo
- Publication number
- RU89529U1 RU89529U1 RU2009130916/22U RU2009130916U RU89529U1 RU 89529 U1 RU89529 U1 RU 89529U1 RU 2009130916/22 U RU2009130916/22 U RU 2009130916/22U RU 2009130916 U RU2009130916 U RU 2009130916U RU 89529 U1 RU89529 U1 RU 89529U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electromagnetic waves
- frequency
- electromagnetic
- chemical reactor
- working chamber
- Prior art date
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Источник высокочастотных электромагнитных колебаний плазмохимического реактора, содержащий высокочастотный генератор электромагнитных колебаний, усилитель мощности электромагнитных колебаний и устройство ввода электромагнитных колебаний в рабочую камеру плазмохимического реактора, отличающийся тем, что высокочастотный генератор электромагнитных колебаний выполнен в виде высокочастотного генератора электромагнитных колебаний со случайными амплитудой и фазой, при этом в устройство введен полосовой фильтр частот электромагнитных колебаний, вход которого соединен с выходом высокочастотного генератора электромагнитных колебаний, а выход - с входом усилителя мощности электромагнитных колебаний, кроме того, введен высокочастотный вентиль, вход которого соединен с выходом усилителя мощности электромагнитных колебаний, а выход - с входом устройства ввода электромагнитных колебаний в рабочую камеру плазмохимического реактора, при этом частотная характеристика fф полосового фильтра частот электромагнитных колебаний выбрана из соотношения: ! , ! где: Gк - требуемая спектральная характеристика частот электромагнитных колебаний в рабочей камере плазмохимического реактора; ! Gг - спектральная характеристика частот высокочастотного генератора электромагнитных колебаний в полосе частот рабочей камеры плазмохимического реактора; ! fб - общая амплитудно-частотная характеристика усилителя мощности электромагнитных колебаний, высокочастотного вентиля и устройства ввода электромагнитных колебаний в рабочую камеру плазмохимического реактора.A source of high-frequency electromagnetic waves of a plasma chemical reactor containing a high-frequency generator of electromagnetic waves, a power amplifier of electromagnetic waves and a device for inputting electromagnetic waves into the working chamber of a plasma-chemical reactor, characterized in that the high-frequency generator of electromagnetic waves is made in the form of a high-frequency generator of electromagnetic waves with random amplitude and phase, with an electromagnetic bandpass filter is introduced into the device oscillations, the input of which is connected to the output of the high-frequency electromagnetic oscillation generator, and the output - to the input of the electromagnetic oscillation power amplifier, in addition, a high-frequency valve is introduced, the input of which is connected to the output of the electromagnetic oscillation power amplifier, and the output - to the input of the electromagnetic oscillation input device the working chamber of the plasma chemical reactor, while the frequency response fph of the bandpass filter of frequencies of electromagnetic waves is selected from the relation:! ! where: Gk is the required spectral characteristic of the frequencies of electromagnetic waves in the working chamber of the plasma chemical reactor; ! Gg is the spectral characteristic of the frequencies of the high-frequency generator of electromagnetic waves in the frequency band of the working chamber of the plasma chemical reactor; ! fb - the general amplitude-frequency characteristic of the power amplifier of electromagnetic waves, a high-frequency valve and a device for inputting electromagnetic waves into the working chamber of a plasma chemical reactor.
Description
Предлагаемая полезная модель относится к источникам электромагнитных колебаний для устройств плазмохимической обработки различных поверхностей с большой площадью и может быть использована при нанесении тонких пленок, модификации поверхности, очистке и травлении, в частности, при создании наноструктуризированных покрытий и пленок.The proposed utility model relates to sources of electromagnetic waves for plasma-chemical treatment of various surfaces with a large area and can be used when applying thin films, surface modification, cleaning and etching, in particular, when creating nanostructured coatings and films.
Известен электронно-циклотронный резонансный (ЭЦР) плазменный источник для обработки полупроводниковых структур (RU, C1 №2216818, МПК: H01L 21/3065; H01L 21/8258; H01L 27/04, опубликован 20.11.2003 г., [1]) с вводом сверхвысокочастотной (СВЧ) мощности, в котором генератор высокочастотных электромагнитных колебаний, предназначенных для создания СВЧ разряда, создает колебания на двух частотах - 2,45 ГГц и 1,23 ГГц. В процессе работы реактора устройства используется одна частота, в соответствии с которой устанавливается напряженность магнитного поля. При этом условия электронного циклотронного резонанса создаются в ограниченном объеме.Known electron-cyclotron resonance (ECR) plasma source for processing semiconductor structures (RU, C1 No. 2216818, IPC: H01L 21/3065; H01L 21/8258; H01L 27/04, published November 20, 2003, [1]) input microwave power, in which the generator of high-frequency electromagnetic waves, designed to create a microwave discharge, creates oscillations at two frequencies - 2.45 GHz and 1.23 GHz. In the process of the reactor operation of the device, one frequency is used, in accordance with which the magnetic field strength is set. In this case, the conditions of electron cyclotron resonance are created in a limited volume.
Недостатком ЭЦР-плазменного источника [1] является возможность создавать пленки и покрытия относительно малой площади.The disadvantage of an ECR plasma source [1] is the ability to create films and coatings with a relatively small area.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому техническому решению и выбранным в качестве прототипа является используемый в описанном плазмохимическом реакторе высокочастотный (ВЧ) источник электромагнитных колебаний (US, В1 №6468603, МПК: С23С 16/26, опубликован 22.10.2002 г., [2]), который содержит ВЧ генератор электромагнитных колебании и устройство ввода электромагнитных колебаний в рабочую камеру реактора. Используемый в устройстве-прототипе ВЧ генератор электромагнитных колебаний, работает в относительно узком диапазоне частот с центральной частотой 2,5 ГГц. Перестройка частоты выполняется вручную или с помощью управляющего электрического сигнала. Следовательно, в каждый момент времени генератор создает колебания на одной частоте. С выхода генератора электромагнитные колебания поступают на устройство ввода электромагнитных колебаний в рабочую камеру.The closest in technical essence to the proposed technical solution and selected as a prototype is the high-frequency (HF) source of electromagnetic waves used in the described plasma-chemical reactor (US, В1 No. 6468603, IPC: С23С 16/26, published October 22, 2002, [2 ]), which contains an RF generator of electromagnetic waves and a device for inputting electromagnetic waves into the working chamber of the reactor. The electromagnetic oscillator used in the prototype RF device operates in a relatively narrow frequency range with a central frequency of 2.5 GHz. Frequency tuning is performed manually or using a control electric signal. Therefore, at each moment of time, the oscillator creates oscillations at one frequency. From the output of the generator, electromagnetic waves arrive at the device for inputting electromagnetic waves into the working chamber.
Недостатком ВЧ источника электромагнитных колебаний [2] является использование для возбуждения плазмы электромагнитного колебания одной фиксированной частоты, поэтому электронно-циклотронный резонансный разряд возникает в относительно ограниченной зоне камеры. А так как по объективным причинам магнитное поле не может иметь одинаковую напряженность в зоне формирования плазмы, то при использовании для возбуждения ЭЦР-разряда узкополосного сигнала условие циклотронного резонанса выполняется в малом части объема рабочей камеры, что приводит к сильной неоднородности распределения плазмы. Поэтому для возбуждения электронного циклотронного резонанса необходимо иметь электромагнитные колебания не с одной частотой, а с определенным, достаточно широким спектром частот. Кроме того, при создании сверхвысокочастотного разряда и образовании плазмы в рабочей камере создается среда с нестабильным волновым сопротивлением. В моменты времени, когда волновое сопротивление среды отличается от волнового сопротивления устройства ввода СВЧ колебаний, возникает отраженная волна, которая приводит к изменению амплитуды и фазы колебаний. Это, в свою очередь, приводит к нестабильности плазмы и увеличению неоднородности ее потока на обрабатываемый объект, а также может приводить к сбоям работы источника электромагнитных колебаний.The disadvantage of an RF source of electromagnetic waves [2] is the use of a single fixed frequency electromagnetic field to excite a plasma, therefore, an electron-cyclotron resonant discharge occurs in a relatively limited area of the chamber. And since, for objective reasons, the magnetic field cannot have the same intensity in the plasma formation zone, when using a narrow-band signal to excite an ECR discharge, the cyclotron resonance condition is satisfied in a small part of the working chamber volume, which leads to a strong inhomogeneity of the plasma distribution. Therefore, in order to excite electron cyclotron resonance, it is necessary to have electromagnetic oscillations not with a single frequency, but with a certain, sufficiently wide spectrum of frequencies. In addition, when creating a microwave discharge and the formation of plasma in the working chamber, an environment with an unstable wave impedance is created. At times when the wave impedance of the medium differs from the wave impedance of the input device for microwave oscillations, a reflected wave arises, which leads to a change in the amplitude and phase of the oscillations. This, in turn, leads to instability of the plasma and an increase in the heterogeneity of its flow to the treated object, and can also lead to malfunctions of the source of electromagnetic waves.
В основу предлагаемого технического решения поставлена задача создания источника ВЧ электромагнитных колебаний для плазменного реактора, обеспечивающего:The basis of the proposed technical solution is the task of creating a source of high-frequency electromagnetic waves for a plasma reactor, providing:
- расширение объема рабочей камеры, заполненного плазмой;- expansion of the volume of the working chamber filled with plasma;
- уменьшение неоднородности потока плазмы на обрабатываемый объект;- reducing the heterogeneity of the plasma flow to the processed object;
- уменьшение воздействия отраженной волны на параметры плазмы и источник электромагнитных колебаний.- reducing the effect of the reflected wave on the plasma parameters and the source of electromagnetic waves.
Техническим эффектом от реализации поставленной задачи является:The technical effect of the implementation of the task is:
- обеспечение возможности обработки объектов с большой поверхностью за один технологический процесс, что уменьшает продолжительность обработки;- providing the ability to process objects with a large surface in one technological process, which reduces the processing time;
- увеличение равномерности наносимых покрытий;- increase the uniformity of the applied coatings;
- увеличение КПД плазмохимического реактора;- increase the efficiency of the plasma chemical reactor;
- повышение надежности источника электромагнитных колебаний и реактора в целом.- improving the reliability of the source of electromagnetic waves and the reactor as a whole.
Решение поставленной задачи и соответствующий технический результат достигаются тем, что в источнике высокочастотных электромагнитных колебаний для плазмохимических реакторов, содержащем высокочастотный генератор электромагнитных колебаний, усилитель мощности электромагнитных колебаний и устройство ввода электромагнитных колебаний в рабочую камеру плазмохимического реактора, высокочастотный генератор электромагнитных колебаний выполнен в виде высокочастотного генератора электромагнитных колебаний со случайными амплитудой и фазой, при этом в устройство введен полосовой фильтр частот электромагнитных колебаний, вход которого соединен с выходом высокочастотного генератора электромагнитных колебаний, а выход - с входом усилителя мощности электромагнитных колебаний, кроме того, введен высокочастотный вентиль, вход которого соединен с выходом усилителя мощности электромагнитных колебаний, а выход - с входом устройства ввода электромагнитных колебаний в рабочую камеру плазмохимического реактора, при этом частотная характеристика fф полосового фильтра частот электромагнитных колебаний выбрана из соотношения:The solution of the problem and the corresponding technical result are achieved by the fact that in the source of high-frequency electromagnetic waves for plasma-chemical reactors, containing a high-frequency generator of electromagnetic waves, a power amplifier of electromagnetic waves and a device for inputting electromagnetic waves into the working chamber of a plasma-chemical reactor, the high-frequency generator of electromagnetic waves is made in the form of a high-frequency generator electromagnetic waves with random amplitude phase, in this case, a band-pass filter of frequencies of electromagnetic waves is introduced into the device, the input of which is connected to the output of the high-frequency generator of electromagnetic waves, and the output is connected to the input of the power amplifier of electromagnetic waves, in addition, a high-frequency valve is inserted, the input of which is connected to the output of the power amplifier of electromagnetic waves, and the output is with the input of the device for inputting electromagnetic waves into the working chamber of the plasma chemical reactor, and the frequency response f f of the bandpass filter is often t of electromagnetic waves is selected from the relation:
, ,
где: Gк - требуемая спектральная характеристика частот электромагнитных колебаний в рабочей камере плазмохимического реактора;where: G to - the required spectral characteristic of the frequencies of electromagnetic waves in the working chamber of the plasma chemical reactor;
Gг - спектральная характеристика частот высокочастотного генератора электромагнитных колебаний в полосе частот рабочей камеры плазмохимического реактора;G g - spectral characteristic of the frequencies of the high-frequency generator of electromagnetic waves in the frequency band of the working chamber of the plasma chemical reactor;
fб - общая амплитудно-частотная характеристика усилителя мощности электромагнитных колебаний, высокочастотного вентиля и устройства ввода электромагнитных колебаний в рабочую камеру плазмохимического реактора.f b - the general amplitude-frequency characteristic of the power amplifier of electromagnetic oscillations, a high-frequency valve and a device for inputting electromagnetic oscillations into the working chamber of a plasma-chemical reactor.
Благодаря применению в качестве высокочастотного генератора электромагнитных колебаний высокочастотного генератора колебаний со случайными амплитудой и фазой расширяется объем камеры, в котором выполняется условие циклотронного резонанса, что приводит к увеличению объема, занятого плазмой, и снижению ее неоднородности, а, следовательно, обеспечивает обработку объектов с большой площадью в одном процессе и с высокой равномерностью покрытий.Due to the use of a high-frequency oscillator with random amplitude and phase as a high-frequency generator of electromagnetic oscillations, the chamber volume expands, in which the condition of cyclotron resonance is fulfilled, which leads to an increase in the volume occupied by the plasma and a decrease in its inhomogeneity, and, therefore, provides processing of objects with large area in one process and with high uniformity of coatings.
Благодаря введению в устройство полосового фильтра частот электромагнитных колебаний обеспечивается повышение КПД источника высокочастотных колебаний плазмохимического реактора.Thanks to the introduction of electromagnetic frequency oscillation bandpass filter into the device, the efficiency of the source of high-frequency oscillations of the plasma-chemical reactor is increased.
Благодаря применению высокочастотного вентиля, препятствующего прохождению электромагнитных колебаний, отраженных от рабочей камеры, обеспечивается защита усилителя мощности электромагнитных колебаний от сбоев работы и повреждений, что повышает надежность высокочастотного источника электромагнитных колебаний и плазмохимического реактора в целом. Одновременно с этим увеличивается равномерность наносимых покрытий за счет уменьшения воздействия отраженной волны на параметры плазмы.Thanks to the use of a high-frequency valve that prevents the passage of electromagnetic waves reflected from the working chamber, the power amplifier of electromagnetic waves is protected from malfunctions and damage, which increases the reliability of the high-frequency source of electromagnetic waves and the plasma chemical reactor as a whole. At the same time, the uniformity of the applied coatings increases due to a decrease in the effect of the reflected wave on the plasma parameters.
Наличие совокупности признаков, отличающих предлагаемое техническое решение от устройства-прототипа и от других известных источников информаций, позволяет сделать вывод о соответствии его критерию «новизна».The presence of a set of features that distinguish the proposed technical solution from the prototype device and from other known sources of information, allows us to conclude that its criterion of "novelty".
На фигуре, поясняющей предлагаемую полезную модель, схематически изображен источник высокочастотных электромагнитных колебаний для плазмохимического реактора.The figure illustrating the proposed utility model, schematically shows a source of high-frequency electromagnetic waves for a plasma chemical reactor.
Предлагаемый источник высокочастотных электромагнитных колебаний содержит: высокочастотный генератор электромагнитных колебаний со случайной амплитудой и фазой - 1; полосовой фильтр частот электромагнитных колебаний - 2; усилитель мощности электромагнитных колебаний - 3; высокочастотный вентиль - 4; устройство ввода электромагнитных колебаний 5 в рабочую камеру (не показана) плазмохимического реактора.The proposed source of high-frequency electromagnetic waves contains: a high-frequency generator of electromagnetic waves with random amplitude and phase - 1; band-pass filter of frequencies of electromagnetic waves - 2; power amplifier of electromagnetic waves - 3; high-frequency valve - 4; a device for inputting electromagnetic waves 5 into a working chamber (not shown) of a plasma-chemical reactor.
Заявленная модель имеет следующее устройство. Источником электромагнитных СВЧ колебаний является ВЧ генератор 1, создающий колебания со случайной амплитудой и фазой и с широким спектром частот. Высокочастотный генератор 1 электромагнитных колебаний со случайной амплитудой и фазой зачастую выполняется в виде последовательно включенных транзисторных усилителей, усиливающих собственные шумовые колебания. Существуют также ВЧ генераторы на базе тиратронов, газотронов и т.п.The claimed model has the following device. The source of electromagnetic microwave oscillations is the RF generator 1, which creates oscillations with a random amplitude and phase and with a wide spectrum of frequencies. The high-frequency generator 1 of electromagnetic waves with random amplitude and phase is often performed in the form of series-connected transistor amplifiers that amplify their own noise vibrations. There are also RF generators based on thyratrons, gasotrons, etc.
Выход ВЧ генератора 1 подключен к входу полосового фильтра частот 2, который имеет центральную частоту и полосу частот, выбираемые в зависимости от вида изготовляемого объекта, параметров технологического процесса, спектра частот ВЧ генератора 1 случайных колебаний и амплитудно-частотных характеристик устройств 3, 4 и 5, следующих за полосовым фильтром частот 2. Полосовой фильтр частот 2 может быть выполнен, например, в виде объемного резонатора или полосковой линии. Для настройки заданной полосы частот в резонатор вводятся изменяемые по длине металлические стержни или перемещающиеся диэлектрические пластины.The output of the RF generator 1 is connected to the input of a bandpass filter of frequencies 2, which has a central frequency and a frequency band selected depending on the type of object being manufactured, process parameters, frequency spectrum of the RF generator 1 random oscillations and amplitude-frequency characteristics of devices 3, 4, and 5 following the bandpass filter of frequencies 2. The bandpass filter of frequencies 2 can be performed, for example, in the form of a volume resonator or a strip line. To adjust a given frequency band, metal rods or moving dielectric plates that are variable in length are introduced into the resonator.
Выход полосового фильтра 2 подключен к входу усилителя мощности 3, увеличивающего мощность электромагнитных колебаний до необходимой величины. Для усиления случайных колебаний с широким спектром, способных инициировать электронно-циклотронный резонансный (ЭЦР) разряд, необходимо иметь относительно мощный широкополосный усилитель мощности электромагнитных колебаний 3. Такой усилитель мощности 3 может быть выполнен на базе лампы бегущей волны.The output of the bandpass filter 2 is connected to the input of a power amplifier 3, increasing the power of electromagnetic waves to the required value. To amplify random oscillations with a wide spectrum capable of initiating electron-cyclotron resonance (ECR) discharge, it is necessary to have a relatively powerful broadband power amplifier of electromagnetic waves 3. Such a power amplifier 3 can be made on the basis of a traveling wave lamp.
Выход усилителя мощности 3 подключен к входу ВЧ вентиля 4 (в частности, СВЧ вентиля), обеспечивающего прохождение электромагнитных колебаний в направлении рабочей камеры плазмохимического реактора и уменьшающего мощность отраженных колебаний путем поглощения их. В качестве ВЧ вентиля 4 могут быть использованы известные волноводные и коаксиальные устройства, принцип действия которых основан на дифференциации затухания электромагнитной волны в зависимости от направления ее движения. В ВЧ вентиле 4 волна, идущая в сторону рабочей камеры, практически не затухает, а обратная волна затухает на 20 дБ и более.The output of the power amplifier 3 is connected to the input of the RF gate 4 (in particular, the microwave valve), which ensures the passage of electromagnetic waves in the direction of the working chamber of the plasma chemical reactor and reduces the power of the reflected waves by absorbing them. As the RF gate 4, known waveguide and coaxial devices can be used, the principle of which is based on the differentiation of the attenuation of the electromagnetic wave depending on the direction of its movement. In the RF gate 4, the wave going towards the working chamber practically does not fade, and the backward wave attenuates by 20 dB or more.
Выход ВЧ вентиля 4 подключен к входу устройства ввода 5 электромагнитных колебаний в рабочую камеру.The output of the RF gate 4 is connected to the input of the input device 5 of electromagnetic waves in the working chamber.
Устройство работает следующим образом. Включением высокочастотного генератора колебаний 1 со случайными амплитудой и фазой обеспечивают подачу широкополосного сигнала на вход полосового фильтра частот 2. Спектральная характеристика сигнала на выходе полосового фильтра частот 2 является оптимальной для генерации плазмы заданной конфигурации. Сигнал подается на широкополосный усилитель мощности 3 электромагнитных колебаний, обеспечивающий требуемый уровень мощности высокочастотных колебаний в рабочей камере. Усиленный сигнал через ВЧ вентиль 4 подается на устройство ввода электромагнитных колебаний 5 в рабочую камеру. При помощи ВЧ вентиля 4 обеспечивается защита усилителя мощности 3 электромагнитных колебаний от отраженных от рабочей камеры колебаний.The device operates as follows. By switching on a high-frequency oscillation generator 1 with random amplitude and phase, a broadband signal is supplied to the input of the bandpass filter of frequencies 2. The spectral characteristic of the signal at the output of the bandpass filter of frequencies 2 is optimal for generating a plasma of a given configuration. The signal is fed to a broadband power amplifier 3 electromagnetic waves, providing the required power level of high-frequency oscillations in the working chamber. The amplified signal through the RF valve 4 is fed to the input device of electromagnetic waves 5 in the working chamber. By means of an RF valve 4, a power amplifier 3 of electromagnetic oscillations is protected from oscillations reflected from the working chamber.
При этом требуемая спектральная характеристика частот электромагнитных колебаний в рабочей камере Gк определяется экспериментально или путем расчета с использованием результатов измерения напряженности магнитного поля. Спектральная характеристика частот ВЧ генератора 1 электромагнитных колебаний Gг и общая амплитудно-частотная характеристика усилителя мощности 3, ВЧ вентиля 4 и устройства ввода 5 электромагнитных колебаний в рабочую камеру fб определяются путем измерения.In this case, the required spectral characteristic of the frequencies of electromagnetic waves in the working chamber G k is determined experimentally or by calculation using the results of measuring the magnetic field strength. The spectral characteristic of the frequencies of the HF generator 1 of electromagnetic waves G g and the general amplitude-frequency characteristic of the power amplifier 3, HF gate 4 and the input device 5 of electromagnetic waves in the working chamber f b are determined by measurement.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009130916/22U RU89529U1 (en) | 2009-08-14 | 2009-08-14 | SOURCE OF HIGH FREQUENCY ELECTROMAGNETIC OSCILLATIONS OF THE PLASMA CHEMICAL REACTOR |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009130916/22U RU89529U1 (en) | 2009-08-14 | 2009-08-14 | SOURCE OF HIGH FREQUENCY ELECTROMAGNETIC OSCILLATIONS OF THE PLASMA CHEMICAL REACTOR |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU89529U1 true RU89529U1 (en) | 2009-12-10 |
Family
ID=41490001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009130916/22U RU89529U1 (en) | 2009-08-14 | 2009-08-14 | SOURCE OF HIGH FREQUENCY ELECTROMAGNETIC OSCILLATIONS OF THE PLASMA CHEMICAL REACTOR |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU89529U1 (en) |
-
2009
- 2009-08-14 RU RU2009130916/22U patent/RU89529U1/en not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6698033B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JP5817906B2 (en) | Plasma processing apparatus and high frequency generator | |
| Glyavin et al. | Terahertz gyrotrons: State of the art and prospects | |
| CN107801289B (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP6491888B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
| JP6643034B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| RU89529U1 (en) | SOURCE OF HIGH FREQUENCY ELECTROMAGNETIC OSCILLATIONS OF THE PLASMA CHEMICAL REACTOR | |
| Wright et al. | Multipactor suppression via asymmetric grooves in S-band waveguide | |
| Ryskin | Study of the nonlinear dynamics of a traveling-wave-tube oscillator with delayed feedback | |
| Petelin | The gyrotron: physical genealogy | |
| JP4600928B2 (en) | Microwave directional coupler, plasma generator, and plasma processing apparatus | |
| JP2005353364A (en) | Plasma generator, plasma treatment device and plasma treatment method | |
| JP7437981B2 (en) | plasma processing equipment | |
| JP4900768B2 (en) | Plasma generator and plasma processing apparatus | |
| RU105906U1 (en) | SOURCE OF HIGH FREQUENCY ELECTROMAGNETIC OSCILLATIONS OF THE PLASMA CHEMICAL REACTOR | |
| RU117440U1 (en) | SOURCE OF HIGH FREQUENCY ELECTROMAGNETIC OSCILLATIONS OF THE PLASMA CHEMICAL REACTOR | |
| JP5676675B2 (en) | Plasma generator and plasma processing apparatus | |
| Muchkaev et al. | Electron flow modulation in double-gap cavity with a multiple ratio of the two modes frequencies | |
| Bogdankevich et al. | Control over the radiation spectrum of a microwave plasma relativistic oscillator | |
| RU2444081C1 (en) | Controlled generator on virtual cathode | |
| Rozental et al. | Novel source of the chaotic microwave radiation based on the gyro-backward-wave oscillator | |
| Butler et al. | Twin traveling-wave tube amplifiers driven by a relativistic backward-wave oscillator | |
| Strelkov et al. | Normal Doppler effect in experiments on the interaction of relativistic electron beams with plasma: Plasma relativistic microwave amplifier | |
| KR102358938B1 (en) | Method for presetting tuner of plasma processing apparatus and plasma processing apparatus | |
| Madveika et al. | Theoretical analysis of low vacuum microwave discharge exciting and maintaining conditions in resonator type plasmatron |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM1K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20140815 |