RU82934U1 - BOLOMETRIC RADIATION RECEIVER - Google Patents
BOLOMETRIC RADIATION RECEIVER Download PDFInfo
- Publication number
- RU82934U1 RU82934U1 RU2009104427/22U RU2009104427U RU82934U1 RU 82934 U1 RU82934 U1 RU 82934U1 RU 2009104427/22 U RU2009104427/22 U RU 2009104427/22U RU 2009104427 U RU2009104427 U RU 2009104427U RU 82934 U1 RU82934 U1 RU 82934U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- substrate
- germanium
- bolometric
- recesses
- Prior art date
Links
Landscapes
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
1. Болометрический приемник излучения, содержащий расположенные над кремниевой подложкой чувствительные элементы, состоящие из слоев жесткости, отражающего, термочувствительного с выполненным в нем по крайней мере одним р-n переходом поглощающего и защитного слоев, причем термочувствительный слой выполнен из находящихся в аморфном или поликристаллическом состояниях кремния, или германия, или твердых растворов кремний-германий. ! 2. Болометрический приемник излучения по п.1, отличающийся тем, что чувствительные элементы расположены над углублениями в кремниевой подложке. ! 3. Болометрический приемник излучения по п.2, отличающийся тем, что подложка выполнена из кремния с кристаллографической ориентацией <100>, а углубления в подложке выполнены пирамидальной формы.1. A bolometric radiation detector containing sensitive elements located above the silicon substrate, consisting of stiffness layers, reflective, thermosensitive with at least one pn transition of the absorbing and protective layers made in it, the thermally sensitive layer being made of amorphous or polycrystalline states silicon, or germanium, or solid solutions of silicon-germanium. ! 2. The bolometric radiation detector according to claim 1, characterized in that the sensitive elements are located above the recesses in the silicon substrate. ! 3. The bolometric radiation detector according to claim 2, characterized in that the substrate is made of silicon with a crystallographic orientation <100>, and the recesses in the substrate are made in a pyramidal shape.
Description
Предлагаемая полезная модель относится к области фотоэлектрических приборов и предназначена для работы в качестве приемника оптического излучения в широком диапазоне длин волн в устройствах для формирования изображения, определения координат исследуемых объектов, теплопеленгации, автоматического управления, контроля и измерения параметров излучения, экологического мониторинга, медицинской диагностики и неразрушающего контроля.The proposed utility model relates to the field of photovoltaic devices and is designed to operate as a receiver of optical radiation in a wide range of wavelengths in devices for imaging, determining the coordinates of the studied objects, heat direction finding, automatic control, monitoring and measurement of radiation parameters, environmental monitoring, medical diagnostics and non-destructive testing.
Известные высокочувствительные микроболометрические приемники (в частности, работающие в системах формирования изображения - тепловизорах) имеют достаточно малые площади чувствительных элементов (до нескольких сотен мкм), низкую теплоемкость чувствительного элемента ~10-8 Дж/К и высокую степень теплоизоляции -теплопроводность ~10-7 Вт/К (используются, как правило, конструкции типа «мембрана» либо «мостик» (см., например, М. Clement, Е. Iborra, J. Sangrador, and I. Barberan, "Amorphous GeSi О sputtered thin films for integrated sensor applications", J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 19, No. 1, pp. 294-298, 2001). Чувствительный элемент болометрических матриц включает термочувствительную пленку, которая имеет высокую степень зависимости одного или нескольких электрических параметров от температуры и низкие флуктуации этих параметров. Для достижения необходимого уровня чувствительности неохлаждаемых болометрических приемников термочувствительный слой, например, терморезистор должен иметь температурный коэффициент сопротивления (ТКС) не менее 2% К-1. В качестве термочувствительного слоя используют терморезистивные пленки полупроводниковых материалов, в частности аморфного гидрогенизированного кремния или поликристаллических твердых растворов SiGe. Недостатком этих материалов является их высокое сопротивление и высокое значение шумов 1/f. Высокое электрическое сопротивление пленок этих материалов требует сложных конструктивных решений при создании болометрических элементов (например, использование структур типа «сэндвич», «гребенка»), что приводит к нежелательному повышению теплоемкости чувствительного элемента.Known high-sensitivity microbolometric detectors (in particular, those operating in imaging systems - thermal imagers) have rather small areas of sensitive elements (up to several hundred microns), low heat capacity of the sensitive element ~ 10 -8 J / K and a high degree of thermal insulation - thermal conductivity ~ 10 -7 W / K (typically membrane or bridge designs are used (see, e.g., M. Clement, E. Iborra, J. Sangrador, and I. Barberan, "Amorphous GeSi O sputtered thin films for integrated sensor applications ", J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 19, No. 1, pp. 294-298, 2001). Sensitive an element of bolometric matrices includes a thermosensitive film, which has a high degree of dependence of one or several electrical parameters on temperature and low fluctuations of these parameters.To achieve the required sensitivity level of uncooled bolometric receivers, a thermosensitive layer, for example, a thermistor, must have a temperature coefficient of resistance (TCR) of at least 2 % K -1 . As a thermosensitive layer, thermoresistive films of semiconductor materials, in particular amorphous hydrogenated silicon or polycrystalline SiGe solid solutions, are used. The disadvantage of these materials is their high resistance and high noise value 1 / f. The high electrical resistance of the films of these materials requires complex structural solutions when creating bolometric elements (for example, the use of structures such as "sandwich", "comb"), which leads to an undesirable increase in the heat capacity of the sensitive element.
В частных случаях чувствительные элементы могут располагаться над углублениями, выполненными в кремниевой подложке, а подложка может быть выполнена из кремния с кристаллографической ориентацией <100> с углублениями пирамидальной формы. Приемник излучения может быть как одноэлементным, так и многоэлементным.In special cases, the sensitive elements can be located above the recesses made in the silicon substrate, and the substrate can be made of silicon with a crystallographic orientation <100> with pyramidal recesses. The radiation receiver can be either single-element or multi-element.
Новым в предложенной конструкции является то, что термочувствительный слой, содержащий один или несколько р-n-переходов, выполнен из кремния, или германия, или твердых растворов кремний-германий в аморфном или поликристаллическом состоянии. При нанесении аморфных или поликристаллических материалов на поверхность диэлектрика не возникает технологических трудностей, как при выращивании монокристаллического слоя. Кроме того, эти процессы проводят при более низкой температуре, что уменьшает ее влияние на уже сформированную структуру схемы считывания (мультиплексора) в кремниевой подложке и повышает выход годных приборов.New in the proposed design is that the heat-sensitive layer containing one or more pn junctions is made of silicon, or germanium, or silicon-germanium solid solutions in an amorphous or polycrystalline state. When applying amorphous or polycrystalline materials to the surface of a dielectric, there are no technological difficulties, as when growing a single-crystal layer. In addition, these processes are carried out at a lower temperature, which reduces its effect on the already formed structure of the readout circuit (multiplexer) in the silicon substrate and increases the yield of suitable devices.
В ряде случаев целесообразно выполнять теплоизоляцию термочувствительных элементов с использованием углублений, расположенных под чувствительными элементами. При этом углубления под чувствительными элементами формируются непосредственно в кремниевой подложке без использования «жертвенного» слоя, что уменьшает количество операций при изготовлении приемника.In some cases, it is advisable to perform thermal insulation of heat-sensitive elements using recesses located under the sensitive elements. In this case, the recesses under the sensitive elements are formed directly in the silicon substrate without the use of a "sacrificial" layer, which reduces the number of operations in the manufacture of the receiver.
Целесообразным является выполнение подложки из кремния с кристаллографической ориентацией <100>. Это позволяет сформировать под чувствительными элементами углубления пирамидальной формы, оптимальные для ограничения передачи тепла в подложку и отражения регистрируемого излучения от граней пирамиды, что улучшает чувствительность и другие технические характеристики приемника в целом.It is advisable to perform a silicon substrate with a crystallographic orientation <100>. This makes it possible to form pyramidal depressions under the sensitive elements that are optimal for limiting heat transfer to the substrate and reflecting the detected radiation from the faces of the pyramid, which improves the sensitivity and other technical characteristics of the receiver as a whole.
Заявляемое техническое решение поясняется чертежом, на котором схематически изображен чувствительный элемент болометрического приемника излучения на подложке.The claimed technical solution is illustrated by the drawing, which schematically shows the sensitive element of the bolometric radiation detector on the substrate.
Болометрический приемник излучения содержит расположенные на кремниевой подложке 1 чувствительные элементы, состоящие из слоев жесткости 2 и 3, отражающего слоя 4, термочувствительного слоя 5, поглощающего 6 и защитного 7 слоев. В качестве термочувствительного слоя 5 использованы аморфные или поликристаллические слои кремния, или германия, или твердых растворов кремний-германий, содержащие один или несколько р-n-переходов. В подложке 1 под чувствительными элементами выполнены углубления 8, причем целесообразно в качестве материала подложки использовать The bolometric radiation detector contains sensitive elements located on the silicon substrate 1, consisting of hardness layers 2 and 3, a reflective layer 4, a heat-sensitive layer 5, an absorbing 6 and a protective 7 layers. As a heat-sensitive layer 5, amorphous or polycrystalline layers of silicon, or germanium, or silicon-germanium solid solutions containing one or more pn junctions are used. In the substrate 1, recesses 8 are made under the sensitive elements, and it is advisable to use as the substrate material
В частных случаях чувствительные элементы могут располагаться над углублениями, выполненными в кремниевой подложке, а подложка может быть выполнена из кремния с кристаллографической ориентацией <100> с углублениями пирамидальной формы. Приемник излучения может быть как одноэлементным, так и многоэлементным.In special cases, the sensitive elements can be located above the recesses made in the silicon substrate, and the substrate can be made of silicon with a crystallographic orientation <100> with pyramidal recesses. The radiation receiver can be either single-element or multi-element.
Новым в предложенной конструкции является то, что термочувствительный слой, содержащий один или несколько р-n-переходов, выполнен из кремния, или германия, или твердых растворов кремний-германий в аморфном или поликристаллическом состоянии. При нанесении аморфных или поликристаллических материалов на поверхность диэлектрика не возникает технологических трудностей, как при выращивании монокристаллического слоя. Кроме того, эти процессы проводят при более низкой температуре, что уменьшает ее влияние на уже сформированную структуру схемы считывания (мультиплексора) в кремниевой подложке и повышает выход годных приборов.New in the proposed design is that the heat-sensitive layer containing one or more pn junctions is made of silicon, or germanium, or silicon-germanium solid solutions in an amorphous or polycrystalline state. When applying amorphous or polycrystalline materials to the surface of a dielectric, there are no technological difficulties, as when growing a single-crystal layer. In addition, these processes are carried out at a lower temperature, which reduces its effect on the already formed structure of the readout circuit (multiplexer) in the silicon substrate and increases the yield of suitable devices.
В ряде случаев целесообразно выполнять теплоизоляцию термочувствительных элементов с использованием углублений, расположенных под чувствительными элементами. При этом углубления под чувствительными элементами формируются непосредственно в кремниевой подложке без использования «жертвенного» слоя, что уменьшает количество операций при изготовлении приемника.In some cases, it is advisable to perform thermal insulation of heat-sensitive elements using recesses located under the sensitive elements. In this case, the recesses under the sensitive elements are formed directly in the silicon substrate without the use of a "sacrificial" layer, which reduces the number of operations in the manufacture of the receiver.
Целесообразным является выполнение подложки из кремния с кристаллографической ориентацией <100>. Это позволяет сформировать под чувствительными элементами углубления пирамидальной формы, оптимальные для ограничения передачи тепла в подложку и отражения регистрируемого излучения от граней пирамиды, что улучшает чувствительность и другие технические характеристики приемника в целом.It is advisable to perform a silicon substrate with a crystallographic orientation <100>. This makes it possible to form pyramidal depressions under the sensitive elements that are optimal for limiting heat transfer to the substrate and reflecting the detected radiation from the faces of the pyramid, which improves the sensitivity and other technical characteristics of the receiver as a whole.
Заявляемое техническое решение поясняется чертежом, на котором схематически изображен чувствительный элемент болометрического приемника излучения на подложке.The claimed technical solution is illustrated by the drawing, which schematically shows the sensitive element of the bolometric radiation detector on the substrate.
Болометрический приемник излучения содержит расположенные на кремниевой подложке 1 чувствительные элементы, состоящие из слоев жесткости 2 и 3, отражающего слоя 4, термочувствительного слоя 5, поглощающего 6 и защитного 7 слоев. В качестве термочувствительного слоя 5 использованы аморфные или поликристаллические слои кремния, или германия, или твердых растворов кремний-германий, содержащие один или несколько р-n-переходов. В подложке 1 под чувствительными элементами выполнены углубления 8, причем целесообразно в качестве материала подложки использовать The bolometric radiation detector contains sensitive elements located on the silicon substrate 1, consisting of hardness layers 2 and 3, a reflective layer 4, a heat-sensitive layer 5, an absorbing 6 and a protective 7 layers. As a heat-sensitive layer 5, amorphous or polycrystalline layers of silicon, or germanium, or silicon-germanium solid solutions containing one or more pn junctions are used. In the substrate 1, recesses 8 are made under the sensitive elements, and it is advisable to use as the substrate material
кремний с кристаллографической ориентацией <100>, а углубления выполнять пирамидальной формы. Для снятия сигнала и передачи его для обработки и регистрации на сформированную в подложке 1 схему считывания (мультиплексор) чувствительный элемент снабжен токопроводящими дорожками 9.silicon with a crystallographic orientation <100>, and the recesses perform a pyramidal shape. To remove the signal and transmit it for processing and registration to the reading circuit formed in the substrate 1 (multiplexer), the sensitive element is equipped with conductive tracks 9.
При попадании на чувствительный элемент оптическое излучение в поглощающем слое 6 преобразуется в тепловую энергию, которая нагревает термочувствительный слой 5. При изменении температуры термочувствительного слоя изменяются вольтамперные характеристики р-n-переходов, расположенных на нем. При подаче напряжения смещения в прямом или обратном направлении возникает зависящий от температуры термочувствительного слоя электрический сигнал, который обрабатывается схемой считывания (мультиплексором). Отражающий слой 4 обеспечивает повторное прохождение излучения через поглощающий слой 6, при этом достигается максимальный разогрев термочувствительного слоя 5. Углубление 8 изолирует подложку от нагрева, причем наилучшая защита осуществляется в углублении пирамидальной формы, так как она в больней степени соответствует конфигурации теплового поля чувствительного элемента.When it hits a sensitive element, the optical radiation in the absorbing layer 6 is converted into thermal energy, which heats the thermally sensitive layer 5. When the temperature of the thermally sensitive layer changes, the current-voltage characteristics of the pn junctions located on it change. When bias voltage is applied in the forward or reverse direction, an electric signal depending on the temperature of the thermally sensitive layer appears, which is processed by the readout circuit (multiplexer). The reflecting layer 4 provides a repeated passage of radiation through the absorbing layer 6, while achieving the maximum heating of the heat-sensitive layer 5. The recess 8 isolates the substrate from heating, and the best protection is carried out in the pyramidal recess, since it corresponds to the configuration of the thermal field of the sensitive element to a painful degree.
В качестве слоев жесткости 2 и 3, определяющих механическую прочность чувствительного элемента, могут использоваться, например, слои двуокиси кремния и нитрида кремния. Отражающий слой 4 может быть выполнен из алюминия, поглощающий слой 6 - из пленки NiO2, защитный 7 - из нитрида кремния, токопроводящие дорожки - из алюминия.As stiffness layers 2 and 3, which determine the mechanical strength of the sensing element, for example, silicon dioxide and silicon nitride layers can be used. The reflecting layer 4 can be made of aluminum, the absorbing layer 6 is made of a NiO 2 film, the protective layer 7 is made of silicon nitride, and the conductive paths are made of aluminum.
При изготовлении предложенной конструкции на кремниевую подложку с предварительно сформированной схемой считывания (мультиплексором) и слоями жесткости (SiO2, Si3N4) методом магнетронного распыления наносят отражающий слой, например, алюминия (А1)In the manufacture of the proposed design on a silicon substrate with a pre-formed reading circuit (multiplexer) and stiffness layers (SiO 2 , Si 3 N 4 ) by the method of magnetron sputtering, a reflective layer is applied, for example, aluminum (A1)
Термочувствительный слой из материалов:Heat-sensitive layer of materials:
- поликристаллического кремния,- polycrystalline silicon,
- поликристаллического германия,- polycrystalline germanium,
- поликристаллических твердых растворов кремний-германия, -- polycrystalline solid solutions of silicon-germanium, -
получают нанесением пленки методом молекуляро-лучевой эпитаксии. Для создания р- и n- областей в термочувствительном слое во время эпитаксии проводят легирование в процессе роста из ячеек Кнудсена. Для создания р- областей применяют кристаллический бор, для создания n- областей применяют кристаллическую сурьму. Термочувствительный слой из материалов:obtained by applying a film by molecular beam epitaxy. To create p- and n-regions in the heat-sensitive layer during epitaxy, doping is carried out in the process of growth from Knudsen cells. Crystalline boron is used to create p-regions; crystalline antimony is used to create n-regions. Heat-sensitive layer of materials:
аморфного кремния,amorphous silicon
аморфного германия,amorphous germany,
аморфного кремний-германия,-amorphous silicon-germanium, -
получают методом низкотемпературного химического газофазного осаждения (LCVD) с применением следующих газов: для аморфного кремния - газ моносилан SiH4, для аморфного германия- газ герман GеН4, для аморфного кремний-германия- смесь газов моносилана SiH4 и германа GeH4. Для создания р- и n- областей в термочувствительном слое во время осаждения аморфного материала проводят легирование в процессе роста соответствующей примесью с использованием следующих газов: для <В> - диборан, для <Р> - фосфин. Аморфные материалы можно получить также методом магнетронного распыления.obtained by the method of low-temperature chemical gas-phase deposition (LCVD) using the following gases: for amorphous silicon — gas monosilane SiH 4 , for amorphous germanium — gas germanium GeH 4 , for amorphous silicon-germanium — a mixture of gas monosilane SiH 4 and germanium GeH 4 . To create p- and n-regions in the heat-sensitive layer during the deposition of amorphous material, alloying is carried out during growth with an appropriate impurity using the following gases: for <B>, diborane, for <P>, phosphine. Amorphous materials can also be obtained by magnetron sputtering.
Поглощающий слой, например, NiO2 наносят методом магнетронного распыления никеля в атмосфере кислорода.The absorbing layer, for example, NiO 2 is applied by magnetron sputtering of nickel in an oxygen atmosphere.
Защитный слой - нитрид кремния - наносят плазмохимическим разложением силана в атмосфере азота.The protective layer - silicon nitride - is applied by plasma-chemical decomposition of silane in a nitrogen atmosphere.
Токопроводящие дорожки - термическим осаждением алюминия.Conducting paths - by thermal deposition of aluminum.
Для образования углублений пирамидальной формы используют селективное травление кремния, например в КОН при температуре 85°С.For the formation of pyramidal depressions, selective etching of silicon is used, for example, in KOH at a temperature of 85 ° C.
Подбор параметров наносимых слоев, толщины отражающего и поглощающего слоев, а также слоев жесткости выбираются для получения максимального поглощения регистрируемого излучения и достижения необходимых теплофизических характеристик болометрического приемника при реализации необходимой прочности фоточувствительного элемента. Оптимальность выбора этих слоев определяется, в частности, по результатам измерений чувствительности, ее частотной зависимости и механических испытаний болометрического приемника. Полученные болометрические приемники излучения обеспечивали надежную работу и необходимый уровень выходных параметров.The selection of the parameters of the applied layers, the thickness of the reflecting and absorbing layers, as well as the stiffness layers are selected to obtain the maximum absorption of the detected radiation and achieve the necessary thermophysical characteristics of the bolometric receiver while realizing the necessary strength of the photosensitive element. The optimality of the choice of these layers is determined, in particular, by the results of measurements of sensitivity, its frequency dependence and mechanical tests of a bolometric receiver. The obtained bolometric radiation detectors ensured reliable operation and the required level of output parameters.
Таким образом, при изготовлении предложенной полезной модели используют недорогие материалы, стандартную хорошо отработанную кремниевую технологию, при этом применяются низкотемпературные и хорошо воспроизводимые процессы, а также по сравнению с прототипом уменьшается количество операций, что в целом обеспечивает снижение затрат на производство и повышает выход годных приборов.Thus, in the manufacture of the proposed utility model, inexpensive materials, standard well-developed silicon technology are used, low-temperature and well-reproducible processes are used, and the number of operations is reduced in comparison with the prototype, which generally reduces production costs and increases the yield of suitable devices .
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009104427/22U RU82934U1 (en) | 2009-02-11 | 2009-02-11 | BOLOMETRIC RADIATION RECEIVER |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009104427/22U RU82934U1 (en) | 2009-02-11 | 2009-02-11 | BOLOMETRIC RADIATION RECEIVER |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU82934U1 true RU82934U1 (en) | 2009-05-10 |
Family
ID=41020671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009104427/22U RU82934U1 (en) | 2009-02-11 | 2009-02-11 | BOLOMETRIC RADIATION RECEIVER |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU82934U1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2568946C2 (en) * | 2010-03-02 | 2015-11-20 | Сенсонор Ас | Focal matrix receiver and its fabrication |
| RU2568953C2 (en) * | 2010-03-02 | 2015-11-20 | Сенсонор Ас | Focal matrix receiver and its fabrication |
-
2009
- 2009-02-11 RU RU2009104427/22U patent/RU82934U1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2568946C2 (en) * | 2010-03-02 | 2015-11-20 | Сенсонор Ас | Focal matrix receiver and its fabrication |
| RU2568953C2 (en) * | 2010-03-02 | 2015-11-20 | Сенсонор Ас | Focal matrix receiver and its fabrication |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4597677B2 (en) | Electromagnetic radiation detection device having an integrated housing with two overlapping detectors | |
| Iborra et al. | IR uncooled bolometers based on amorphous Ge/sub x/Si/sub 1-x/O/sub y/on silicon micromachined structures | |
| Garcı́a et al. | IR bolometers based on amorphous silicon germanium alloys | |
| JP6046630B2 (en) | Transition film growth of conductive semiconductor materials. | |
| Varpula et al. | Thermoelectric thermal detectors based on ultra-thin heavily doped single-crystal silicon membranes | |
| Li et al. | A front-side microfabricated tiny-size thermopile infrared detector with high sensitivity and fast response | |
| JP2010109073A (en) | Infrared detecting element and sensor, and method of manufacturing infrared detecting element | |
| Baer et al. | A 32-element micromachined thermal imager with on-chip multiplexing | |
| JP3573754B2 (en) | Temperature sensor structure | |
| RU82934U1 (en) | BOLOMETRIC RADIATION RECEIVER | |
| KR102613786B1 (en) | electromagnetic radiation detector | |
| Dobrzański et al. | Micromachined silicon bolometers as detectors of soft X-ray, ultraviolet, visible and infrared radiation | |
| Poglitsch et al. | Far-infrared photoconductor arrays for Herschel and SOFIA | |
| Gray et al. | Semiconducting YBaCuO as infrared-detecting bolometers | |
| KR101072290B1 (en) | thermoelectric sensor using Ge material | |
| Wang et al. | Modification of electrical properties of amorphous vanadium oxide (a-VOx) thin film thermistor for microbolometer | |
| Neuzil et al. | Micromachined bolometer with single-crystal silicon diode as temperature sensor | |
| Cole et al. | High performance infrared detector arrays using thin film microstructures | |
| Wang et al. | Film bulk acoustic-wave resonator (FBAR) based infrared sensor | |
| Timofeev et al. | Thermoelectric bolometers based on ultra-thin heavily doped single-crystal silicon membranes | |
| RU2242728C2 (en) | Heat flux sensor | |
| Rana et al. | Amorphous Ge x Si 1-x and Ge x Si 1-x O y thin films for uncooled microbolometers | |
| 길태현 | The fabrication and performance analysis of vanadium oxide thin films for microbolometer application | |
| Neli et al. | Characterization of fast-response and low-noise poly si uncooled far infrared sensor | |
| Shin et al. | SiGe Thermoelectric Film for Gas Sensor Micro-Devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM1K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20100212 |