RU77113U1 - Линейка лазерных диодов - Google Patents

Линейка лазерных диодов Download PDF

Info

Publication number
RU77113U1
RU77113U1 RU2008113644/22U RU2008113644U RU77113U1 RU 77113 U1 RU77113 U1 RU 77113U1 RU 2008113644/22 U RU2008113644/22 U RU 2008113644/22U RU 2008113644 U RU2008113644 U RU 2008113644U RU 77113 U1 RU77113 U1 RU 77113U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
radiation
laser diodes
mode
highly reflective
external
Prior art date
Application number
RU2008113644/22U
Other languages
English (en)
Inventor
Виктор Викторович Апполонов
Сергей Игоревич Державин
Николай Михайлович Лындин
Дмитрий Александрович Машковский
Валерий Николаевич Тимошкин
Original Assignee
Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Энергетические Технологии"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Энергетические Технологии" filed Critical Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Энергетические Технологии"
Priority to RU2008113644/22U priority Critical patent/RU77113U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU77113U1 publication Critical patent/RU77113U1/ru

Links

Landscapes

  • Lasers (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Полезная модель предназначена для улучшения диаграммы направленности излучения одномерного набора лазерных диодов. Использование цилиндрической микролинзы, коллимирующей излучение широкоапертурных многомодовых в поперечном направлении лазерных диодов, а также оптимизация длины внешнего резонатора, образованного плоским внешним зеркалом и высокоотражающим покрытием заднего глухого торца линейки, позволяют обеспечить одномодовый режим работы в поперечном направлении, повышенную мощность излучения в сфазированном режиме с сохранением дифракционного предела расходимости.
1 н.п.ф., 2 фиг.

Description

Полезная модель относится к области полупроводниковой лазерной техники и может применяться для улучшения диаграммы направленности излучения линеек лазерных диодов при использовании в системах волоконно-оптической связи, обработки материалов, мониторинге окружающей среды, медицине.
Известно устройство, синхронизирующее излучение инжекционных полупроводниковых лазеров, составляющих линейку лазерных диодов, которая расположена в передней фокальной плоскости микролинзы. В задней фокальной плоскости микролинзы по ходу излучения расположено плоское внешнее зеркало, перед которым установлен фильтр пространственных частот (см. J.Yaeli, W.Streifer, D.R.Scifres et al., Appl. Phys. Lett. 47 (2), 1985. p.p.89-91). Благодаря дифракционному обмену излучением между элементами устанавливается синхронизированный режим работы лазерных диодов. Однако, использование в данном устройстве маломощных одномодовых лазерных диодов не позволяет получить высокую среднюю мощность в сфазированном режиме. Пространственная фильтрация также снижает эффективность резонатора.
Наиболее близким к предлагаемой полезной модели и принятой за прототип является устройство, синхронизирующее излучение линейки инжекционных полупроводниковых лазеров с просветляющим покрытием
внешнего торца и высокоотражающим покрытием заднего глухого торца, оптические оси которых параллельны и лежат в одной плоскости (см. патент США №4813762, опубл. 21.03.1989). В данном устройстве излучение линейки лазерных диодов коллимируется набором микролинз Френеля, а на определенном расстоянии от них расположено плоское внешнее зеркало, образующее с высокоотражающим покрытием глухого торца линейки внешний резонатор. Указанное расстояние выбрано с учетом эффекта Тальбо, заключающегося в самовоспроизведении оптического поля периодической структуры по ходу распространения когерентного излучения, что сопутствует минимизации потерь и улучшению селективных свойств резонатора. Недостатком прототипа является необходимость применения маломощных одномодовых в поперечном направлении излучателей и ограничение возможности использования мощных излучателей. Кроме этого микролинзы Френеля с несколькими фазовыми уровнями достаточно сложны и дороги.
Задачей, на решение которой направлена предлагаемая полезная модель, является повышение яркости излучения в сфазированом режиме и упрощение конструкции.
Поставленная задача решается благодаря достижению технического результата, который заключается в применении конструкции, позволяющей использовать широкоапертурные многомодовые лазерные диоды в сфазированном режиме излучения с достижением дифракционного предела его расходимости.
Данный технический результат при реализации предлагаемой полезной модели достигается тем, что в линейке лазерных диодов, состоящей из лазерных диодов, оптические оси которых параллельны и лежат в одной плоскости, с просветляющим покрытием внешнего торца и высокоотражающим покрытием заднего глухого торца, коллимирующей линзы и плоского внешнего зеркала, образующего совместно с высокоотражающим покрытием заднего глухого торца внешний резонатор, в качестве коллимирующей линзы используется цилиндрическая микролинза с функцией коллимации излучения в плоскости перпендикулярной плоскости расположения р-n переходов лазерных диодов, а в качестве этих диодов используются широкоапертурные многомодовые в поперечном направлении лазерные диоды, причем длина внешнего резонатора L удовлетворяет условию:
,
где S - ширина полоска лазерного диода, λ - длина волны излучения.
Таким образом, режим работы лазерных диодов в заявляемой полезной модели, переведен из собственного многомодового в одномодовый в поперечном направлении во внешнем резонаторе. Такой режим работы наступает при выполнении заявляемого соотношения между длиной внешнего резонатора L, длиной волны излучения λ и шириной полоска лазерного диода S, а именно: L≥S2/4λ (см., например, Физический энциклопедический словарь, М. «Советская энциклопедия», 1983, стр.499; или П.Г.Елисеев «Введение в физику инжекционных лазеров», М. Наука 1983). Переведенные в одномодовый режим лазерные диоды синхронизируются за счет дифракционного обмена излучением
во внешнем резонаторе, а селекция высших поперечных мод резонатора позволяет достигнуть дифракционного предела расходимости излучения высокой мощности. Кроме этого, для обеспечения работоспособности заявляемого устройства длина внешнего резонатора должна быть не больше расстояния, определяемого уровнем максимально возможных дифракционных потерь, при котором не наступает срыв генерации во внешнем резонаторе с одновременным обеспечением дифракционного обмена излучением между лазерными диодами за счет отражения излучения от плоского внешнего зеркала и установления сфазированного режима работы линейки во внешнем резонаторе.
Сущность предлагаемой полезной модели поясняется чертежами.
На фиг.1. изображена схема заявляемого устройства. Оно состоит из широкоапертурных многомодовых лазерных диодов 1, которые в совокупности с просветляющим покрытием внешнего торца 2 и высокоотражающим покрытием заднего глухого торца 3 образуют линейку 4. Цилиндрическая микролинза 5 расположена на своем фокусном расстоянии от просветляющего покрытия внешнего торца 2, а на расстоянии L от высокоотражающего покрытия 3 установлено плоское внешнее зеркало 6.
На фиг.2 приведено распределение интенсивности в дальней зоне, полученное от синхронизированной линейки четырех широкоапертурных лазерных диодов, где 7 - теоретическая кривая, огибающая дифракционные пички, соответствующая гауссовскому распределению интенсивности излучения единичного лазерного диода; 8 - дифракционный пичок излучения синфазной поперечной моды заявляемого устройства.
Устройство работает следующим образом. Излучение лазерных диодов 1 линейки 4 расходится вследствие дифракции на выходной апертуре. Цилиндрическая микролинза 5 обеспечивает коллимацию этого излучения в плоскости перпендикулярной плоскости расположения лазерных диодов 1, что предотвращает большие дифракционные потери в указанной перпендикулярной р-n-переходу плоскости. Просветляющее покрытие внешнего торца 2 нанесено для предотвращения развития генерации на торцах лазерных диодов 1. Пройдя цилиндрическую микролинзу 5, излучение распространяется до плоского внешнего зеркала 6, образующего совместно с высокоотражающим покрытием заднего глухого торца 3 внешний резонатор. Благодаря дифракционному обмену излучением в плоскости р-n-перехода во внешнем резонаторе при отражении от плоского внешнего зеркала 6 и возвращению на линейку 4 лазерных диодов 1 происходит синхронизация их излучения с дифракционным пределом расходимости излучения, соответствующим синтезированной аппретуре D=NS (где N - число излучателей), с более высокой мощностью по сравнению с прототипом.
В примере наилучшей реализации заявляемого устройства экспериментально продемонстрирована синхронизация четырех широкоапертурных (S=120 мкм) лазерных диодов 1, излучающих на длине волны λ=0,8 мкм. Цилиндрическая микролинза 5 в данном устройстве расположена на фокусном расстоянии от внешнего просветленного торца 2 диодной линейки 4, равном 500 мкм. Плоское внешнее зеркало 6 установлено на расстоянии 1 см от цилиндрической микролинзы 5 так, что выполняется условие
превышения длины резонатора над величиной отношения квадрата ширины полоска лазерного диода 1 к учетверенной длине волны излучения (S2/4λ=0,45 см) и обеспечения, тем самым, одномодовости излучения. На фиг.2 представлено распределение интенсивности излучения в дальней зоне, полученное от четырех сфазированных широкоапертурных лазерных диодов, с шириной главного максимума 1,2 мрад, что подтверждает получение технического результата в заявляемой полезной модели, а именно уменьшение расходимости излучения лазерной диодной линейки по сравнению с расходимостью одиночного лазерного диода и, соответственно, повышение яркости излучения.
Таким образом, использование широкоапертурных многомодовых лазерных диодов повышает мощность излучения в сфазированном режиме, а за счет подбора размеров ширины полоска лазерных диодов и длины внешнего резонатора и использования цилиндрической микролинзы получен одномодовый в поперечном направлении, режим генерации излучения единичного лазерного диода, необходимый для минимизации расходимости и повышения яркости излучения.

Claims (1)

  1. Линейка лазерных диодов, состоящая из лазерных диодов, оптические оси которых параллельны и лежат в одной плоскости с просветляющим покрытием внешнего торца и высокоотражающим покрытием заднего глухого торца, коллимирующей линзы и плоского внешнего зеркала, образующего совместно с высокоотражающим покрытием заднего глухого торца внешний резонатор, отличающаяся тем, что в качестве коллимирующей линзы используется цилиндрическая микролинза с функцией коллимации излучения в плоскости, перпендикулярной плоскости расположения p-n переходов лазерных диодов, а в качестве этих диодов используются широкоапертурные многомодовые в поперечном направлении лазерные диоды, причем длина внешнего резонатора L удовлетворяет условию:
    Figure 00000001
    ,
    где S - ширина полоска лазерного диода, λ - длина волны излучения.
    Figure 00000002
RU2008113644/22U 2008-04-07 2008-04-07 Линейка лазерных диодов RU77113U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008113644/22U RU77113U1 (ru) 2008-04-07 2008-04-07 Линейка лазерных диодов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008113644/22U RU77113U1 (ru) 2008-04-07 2008-04-07 Линейка лазерных диодов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU77113U1 true RU77113U1 (ru) 2008-10-10

Family

ID=39928335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008113644/22U RU77113U1 (ru) 2008-04-07 2008-04-07 Линейка лазерных диодов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU77113U1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9596034B2 (en) High brightness dense wavelength multiplexing laser
US4972427A (en) Talbot cavity diode laser with uniform single-mode output
CN107615601B (zh) 激光模块及激光加工装置
Waarts et al. High‐power, cw, diffraction‐limited, GaAlAs laser diode array in an external Talbot cavity
EP0375216B1 (en) Optically pumped Lasers
CN101895057A (zh) 一种互注入锁定的二维表面发射激光器阵列
CN102868089B (zh) 利用单光栅外腔反馈实现多半导体激光合束的装置及方法
CN103199416B (zh) 一种半导体激光泵浦的光纤激光器
RU77113U1 (ru) Линейка лазерных диодов
CN104901162A (zh) 一种激光阵列合束装置
RU76174U1 (ru) Линейка лазерных диодов
CN204290027U (zh) 一种半导体激光泵浦匀化耦合装置
US7003010B2 (en) Multi-group multi-wavelength laser matrix
CN110109224A (zh) 一种基于导光板的激光阵列无线能量传输系统
RU76175U1 (ru) Линейка лазерных диодов
RU76173U1 (ru) Линейка лазерных диодов
CN101383479A (zh) 二维光纤激光阵列锁相和孔径装填装置
CN202840237U (zh) 利用单光栅外腔反馈实现多半导体激光合束的装置
Hengesbach et al. Design of a DFB/DBR diode laser module including spectral multiplexing based on VBGs
CN210201153U (zh) 中长波红外激光器
CN112688169A (zh) 一种半导体激光bar条以及半导体外腔
Derzhavin et al. Coherent summation of the radiation of a single-mode laser diode array
RU2166820C2 (ru) Линейка лазерных диодов
RU2166822C2 (ru) Линейка лазерных диодов
RU2166821C2 (ru) Линейка лазерных диодов

Legal Events

Date Code Title Description
MM1K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20150408