RU37232U1 - DEVICE FOR HEATING POWER SEMICONDUCTOR DEVICES - Google Patents
DEVICE FOR HEATING POWER SEMICONDUCTOR DEVICES Download PDFInfo
- Publication number
- RU37232U1 RU37232U1 RU2003135036/20U RU2003135036U RU37232U1 RU 37232 U1 RU37232 U1 RU 37232U1 RU 2003135036/20 U RU2003135036/20 U RU 2003135036/20U RU 2003135036 U RU2003135036 U RU 2003135036U RU 37232 U1 RU37232 U1 RU 37232U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- power semiconductor
- channels
- semiconductor devices
- heaters
- electromagnet
- Prior art date
Links
Description
УСТРОЙСТВО НАГРЕВА СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХPOWER SEMICONDUCTOR HEATING DEVICE
ПРИБОРОВDEVICES
Полезная модель относится к электротехнике и может быть использована при испытаниях силовых полупроводниковых приборов с целью их нагрева до рабочих температур.The utility model relates to electrical engineering and can be used in testing power semiconductor devices with the aim of heating them to operating temperatures.
Известно устройство для проверки температурной характеристики оптическогополупроводниковогоэлемента,содержащееA device for checking the temperature characteristics of an optical semiconductor element containing
гермоиспытательный столик, термокамеру, кондиционер (Патент Японии .N 2935344 В2 .G01R 31/26; 16.08.1999.).pressure testing table, heat chamber, air conditioning (Japanese Patent .N 2935344 B2 .G01R 31/26; 08/16/1999.).
Известно также устройство для охлаждения и нагрева полупроводника, содержащее теплопроводящее тело, в форме барабана с каналами, между которыми раз.мещены нагреватели или охладители (Патент Японии №2868325 В2 . 31/26: 10.03.1999.).It is also known a device for cooling and heating a semiconductor containing a heat-conducting body in the form of a drum with channels between which heaters or coolers are placed (Japanese Patent No. 2868325 B2. 31/26: 03/10/1999.).
Педостатком известных устройств является то. что они не обеспечивают равномерный и быстрый нагрев силовых полупроводниковых приборов до температуры испытаний.The downside of known devices is that. that they do not provide uniform and fast heating of power semiconductor devices to the test temperature.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемом} устройству нагрева силовых полупроводниковых приборов является выбранное в качестве прототипа устройство нагрева силовых полупроводниковых приборов, содержащее теплопроводящее тело в виде барабана с каналами, нагреватели, поворотный стол, трансформаторное масло, металлические щарики, подвижный порилень, электропривод (Патент РФ на полезную модель №31454, G01R31/26: 10.08.2003.).The closest in technical essence to the proposed} device for heating power semiconductor devices is a device for heating power semiconductor devices selected as a prototype, which contains a heat-conducting body in the form of a drum with channels, heaters, a rotary table, transformer oil, metal balls, movable brittle, electric drive (Patent RF for utility model No. 31454, G01R31 / 26: 08/10/2003.).
Недостатком известного устройства является сложность механической части устройства, недостаточная скорость нагрева силовых полупроводниковых приборов, а также больщие габариты.A disadvantage of the known device is the complexity of the mechanical part of the device, the insufficient heating rate of power semiconductor devices, as well as large dimensions.
г о о 5 1 3 5 о 3r o o 5 1 3 5 o 3
МПК: GOlR3l26IPC: GOlR3l26
нагрева силовых полупроводниковых приооров. а также повышение коэффициента полезного действия устройства за счет перераспределения тепловых потоков при размещении нагревателей в горизонтальном положении под каналами.heating power semiconductor priors. as well as increasing the efficiency of the device due to the redistribution of heat flows when placing the heaters in a horizontal position under the channels.
Технический результат достигается тем. что чстройство нагрева силовых полупроводниковых приборов, содержащее теплопроводяшее тело в виде барабана с каналами, установленное на поворотном столе и заполненное трансформаторным маслом между каналами, которые заполнены металлическими щариками. нагреватели, выводы которых соединены с выво11ами источника питания нагревателей, снабжено элеклромагнитом. жестко соединенным с кронщтейном и установленным над теплопроводящим телом, источником питания электромагнита, вывод которого подключен через контактор к электромагниту, а нагреватели, расположены в горизонтальном положении под каналами.The technical result is achieved by that. that a heating device for power semiconductor devices, comprising a heat-conducting body in the form of a drum with channels, mounted on a turntable and filled with transformer oil between the channels, which are filled with metal balls. heaters, the terminals of which are connected to the leads of the heater power supply, is equipped with an electromagnet. rigidly connected to the bracket and mounted above the heat-conducting body, the power supply of the electromagnet, the output of which is connected through the contactor to the electromagnet, and the heaters are located in a horizontal position under the channels.
Сопоставительный анатиз с прототипом показывает, что заявляемое устройство нагрева силовых полупроводниковых приборов отличается наличием новых блоков: электромагнитом. источником питания электромагнига. контактором.кронщтейном. нагревателями,Comparative analysis with the prototype shows that the inventive heating device for power semiconductor devices is characterized by the presence of new units: an electromagnet. power supply electromagnet. contactor. heaters
расположенными горизонтально под каналами.located horizontally under the channels.
На чертеже показана схема устройства нагрева силовых полупроводниковых приборов. Услройство нагрева силовых полупроводниковых приборов содержит поворотный стол 1. на котором закреплено теплопроводящее тело в виде барабана 2 с каналами 3 для укладки силовых полупроводниковых приборов. нагреватели 4. расположенные горизонтально под каналами 3 и соединенные своими выводами с выводами источника питания 5 нагревателей, трансформаторное масло 6. находящееся внутри барабана 2 межд каналами 3. металлические щарики 7. электромагнит 8. соединенный ме.ханически с кронщтейном 9 и находящийся над теплопроводяшимThe drawing shows a diagram of a device for heating power semiconductor devices. The heating device for power semiconductor devices includes a rotary table 1. on which is mounted a heat-conducting body in the form of a drum 2 with channels 3 for laying power semiconductor devices. heaters 4. located horizontally under the channels 3 and connected by their leads to the leads of the power source 5 heaters, transformer oil 6. located inside the drum 2 between the channels 3. metal balls 7. electromagnet 8. connected mechanically with the bracket 9 and located above the heat-conducting
телом 2. контактором 10, вход которого соединен выводом источника питания электромагнита 1 1, а выход с электромагнитом 8.body 2. contactor 10, the input of which is connected by the output of the power source of the electromagnet 1 1, and the output with the electromagnet 8.
С помощью поворотного стола 1 барабан 2 с каналами 3 поворачивается по окружности. Количество каналов 3 зависит от марки испытуемых силовых полупроводниковых приборов. Перед началом испытаний силовьгх полупроводниковых приборов осуществляется предварительный разогрев металлических щариков 7 в каналах 3 с помощью нагревателей 4 и трансформаторного масла 6.Using the rotary table 1, the drum 2 with channels 3 is rotated around the circumference. The number of channels 3 depends on the brand of the tested power semiconductor devices. Before starting the tests of power semiconductor devices, metal balls 7 are preheated in channels 3 using heaters 4 and transformer oil 6.
В начале процесса нагрева силовых полупроводниковых приборов с гюмощью контактора 10 приводится во включенное состояние электро.магнит 8. под действием которого металлические шарики 7 последовательно подни.маются из каналов 3. После чего на дно канала 3 опускается холодный силовой полупроводниковый прибор. После повторного нажатия контактора 10 электромагнит 8 приводится в нерабочее состояние, и металлические шарики 7 под действием силы засыпаются в канал 3 с испытуемым полупроводниковым прибором.At the beginning of the heating process of power semiconductor devices with the power of the contactor 10, the electro-magnet 8 is turned on. Under the action of which, the metal balls 7 are successively lifted from the channels 3. Then, a cold power semiconductor device is lowered to the bottom of the channel 3. After pressing the contactor 10 again, the electromagnet 8 is brought into an inoperative state, and metal balls 7 are poured into the channel 3 under the action of force with the tested semiconductor device.
Раз.мещение нагревателей 4 в горизонтальном положении под каналами 3 позволяет повысить коэффициент полезного действия устройства за счет перераспределения тепловых потоков нафевателей 4, а применение электромагнита 3 позволяет уменьшить габариты и упростить конструкцию механической части устройства.The placement of the heaters 4 in a horizontal position under the channels 3 allows you to increase the efficiency of the device due to the redistribution of heat fluxes of the drinkers 4, and the use of electromagnet 3 can reduce the size and simplify the design of the mechanical part of the device.
/ / ///
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2003135036/20U RU37232U1 (en) | 2003-12-03 | 2003-12-03 | DEVICE FOR HEATING POWER SEMICONDUCTOR DEVICES |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2003135036/20U RU37232U1 (en) | 2003-12-03 | 2003-12-03 | DEVICE FOR HEATING POWER SEMICONDUCTOR DEVICES |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU37232U1 true RU37232U1 (en) | 2004-04-10 |
Family
ID=36389357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2003135036/20U RU37232U1 (en) | 2003-12-03 | 2003-12-03 | DEVICE FOR HEATING POWER SEMICONDUCTOR DEVICES |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU37232U1 (en) |
-
2003
- 2003-12-03 RU RU2003135036/20U patent/RU37232U1/en not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN206627393U (en) | Electromagnetic induction thermal fatigue tester | |
CN102768158A (en) | Automatic tester for thermal shock resistance of ceramic material | |
CN108645739A (en) | A kind of vacuum thermal shock circulation testing machine | |
CN105758758B (en) | A kind of thermal fatigue tester | |
CN203965269U (en) | A kind of thermal fatigue test apparatus | |
CN108398350A (en) | One kind is for ceramic material lifting/lowering warm impact test apparatus and test method | |
CN111057844B (en) | Roasted pellet cooling machine for laboratory and application method thereof | |
CN104596916B (en) | The epoxidation experiments device and oxidation susceptibility method of testing of a kind of slider-crank mechanism control | |
CN109061273A (en) | A kind of automation thermally stimulated current test macro and its test method | |
RU37232U1 (en) | DEVICE FOR HEATING POWER SEMICONDUCTOR DEVICES | |
CN107727951A (en) | A kind of thermo-electric generation monomer module thermoelectricity capability test table | |
CN108279718B (en) | High-flux forging heat control method | |
CN102865969A (en) | Pressure sensor temperature characteristic testing device | |
CN205482351U (en) | Split type thermal shock stove and thermal shock resistance experimental apparatus | |
CN106053259B (en) | A kind of thin plate hot forming limit testing device | |
CN203658333U (en) | Thermal cycle test system for automobile oxygen sensor | |
CN114963608B (en) | Optical module rapid temperature rising and falling device based on TEC | |
CN111289693A (en) | Device for directly measuring multi-card effect | |
CN111551462B (en) | Device and method for testing thermal fatigue of micro-welding point | |
RU49279U1 (en) | DEVICE FOR HEATING POWER SEMICONDUCTOR DEVICES | |
CN202683248U (en) | Test-tube heating thermostat used in thermal decomposition test | |
CN204380715U (en) | A kind of low-temperature refrigeration device for low frequency mechanoscopy test experiments | |
CN208109739U (en) | The micro full-automatic analyzer of close flash point | |
CN100405077C (en) | Applied instrument for measuring magnetic field in high temperature | |
CN104215539A (en) | Thermal-stress testing automatic device used for PCB industry |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM1K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20041204 |