RU31454U1 - Устройство нагрева силовых полупроводниковых приборов - Google Patents

Устройство нагрева силовых полупроводниковых приборов Download PDF

Info

Publication number
RU31454U1
RU31454U1 RU2003107729/20U RU2003107729U RU31454U1 RU 31454 U1 RU31454 U1 RU 31454U1 RU 2003107729/20 U RU2003107729/20 U RU 2003107729/20U RU 2003107729 U RU2003107729 U RU 2003107729U RU 31454 U1 RU31454 U1 RU 31454U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
power semiconductor
semiconductor devices
channels
heat
conducting body
Prior art date
Application number
RU2003107729/20U
Other languages
English (en)
Inventor
С.М. Курмашев
Е.Б. Зазыбина
В.И. Паленик
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Петербургский государственный университет путей сообщения
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Петербургский государственный университет путей сообщения filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Петербургский государственный университет путей сообщения
Priority to RU2003107729/20U priority Critical patent/RU31454U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU31454U1 publication Critical patent/RU31454U1/ru

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

УСТРОЙСТВО НАГРЕВА СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
Полезная модель относится к электротехнике и может быть использованапритемпературныхиспытанияхсиловых
полупроводниковых приборов.
Известно устройство для термостабилизации силовых полупроводниковых приборов, содержащее датчик температуры, усилитель, дифференциатор, сумматор, компаратор, исполнительный элемент t ОИзвестно также устройство для проверки температурной характеристики оптического полупроводникового элемента, содержащее термоиспытательный столик, термокамеру, кондиционер С-3.
Недостатком известных устройств является то, что они имеют больщое время нагрева до рабочей температуры испытаний и не обеспечивают равномерного нагрева силовых полупроводниковых приборов в короткие промежутки времени.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому устройству нагрева силовых полупроводниковых приборов является выбранное в качестве прототипа устройство для охлаждения и нагрева полупроводника, содержащее теплопроводящее тело, в форме барабана с каналами, между которыми размещены нагреватели или охладители С }Недостатком известного устройства является невозможность обеспечения быстрого равномерного нагрева силовых полупроводниковых приборов.
Задачей полезной модели является уменьщение времени равномерного нагрева силовых полупроводниковых приборов, повьпцение точности поддержания температуры при испытаниях, что позволяет обеспечить автоматизацию температурных испытаний силовых полупроводниковых приборов.
2003107729
illlllllllllllllllllllllllllllllllllllll
- О : 1 : °
MnK:G01R 31/26
ПРИБОРОВ
Для достижения указанного технического результата устройство нагрева силовых полупроводниковых приборов. содержащее теплопроводящее тело в виде барабана с каналами, между которыми расположены нагреватели, снабжено поворотным столом на котором расположено теплопроводящее тело, в каждом вертикальном цилиндрическом канале с расщирением в верхней части находится подвижный поршень с гнездом для установки силовых полупроводниковых приборов, соединенный с электродвигателем в нижней части канала, вход электродвигателя соединен с первым выводом источника питания, расположенным в нижней части теплопроводящего тела, нагреватели расположены в теплопроводящем теле между каналами и соединены входами с другими выводами источника питания, трансформаторным маслом, расположенным внутри теплопроводящего тела, металлическими щариками, расположенными внутри каналов.
Сопоставительный анализ с прототипом показывает, что заявляемое устройство нагрева силовых полупроводниковых приборов отличается наличием новых блоков: поворотным столом, подвижными порщнями с гнездами для крепления силовых полупроводниковых приборов, электродвигателем, вертикальными цилиндрическими каналами с расширением в верхней части, основным теплоносителем трансформаторным маслом, дополнительным теплоносителем в виде металлических шариков, источником питания.
На чертеже показана схема устройства нагрева силовых полупроводниковых приборов. Устройство нагрева силовых полупроводниковых приборов содержит поворотный стол 1, на котором закреплено теплопроводящее тело в виде барабана 2 с вертикальными цилиНлЧрическими каналами 3 с расширением в верхней части, в вертикальных цилиндрических каналах 3 находятся подвижные поршни 4. перемещающиеся с помощью электродвигателя 5, который механически соединен с источником питания 6, а также гнезда 7 для крепления силовых
полупроводниковых приборов, нагреватели 8, расположенные вертикально между каналами 3 и соединенные своими входами с выводами источника питания 6, основной теплоноситель - трансформаторное масло 9, находящийся внутри барабана 2 между каналами 3, дополнительный теплоноситель - металлические шарики 10.
Перед началом испытаний силовых полупроводниковых приборов металлические шарики 10 засыпаются внутрь каналов 3, и осуществляется предварительный разогрев с помошью нагревателей 8 основного и дополнительного теплоносителей - трансформаторного масла 9 и металлических шариков 10 соответственно. Входы нагревателей 8 соединены с выводами источника питания 6.
С помошью поворотного стола 1 барабан 2 с каналами 3 поворачивается по окружности. Количество каналов 3 зависит от марки испытуемых силовых полупроводниковых приборов. В начале процесса нагрева силовых полупроводниковых приборов подвижный поршень 4 с помошью электродвигателя 5 приводится в движение и поднимается на верх канала 3. В гнездо 7 загружается холодный силовой полупроводниковый прибор и с помощью подвижного поршня 4, приводимого в движение электродвигателем 5 опускается на дно канала 3. Вход электродвигателя 5 соединен с первым выводом источника питания 6. Металлические шарики 10 сами засыпаются поверх испытуемого полупроводникового прибора за счет конструкции канала 3 - расширения в верхней части. Применение дополнительных теплоносителей металлических шариков 10 обеспечивает контактный нагрев силовых полупроводниковых приборов и позволяет решить проблему равномерного нагрева силового полупроводникового прибора за счет исключения теплоотвода.
Экспериментальные исследования заявляемого устройства нагрева силовых полупроводниковых приборов показали, что по сравнению с прототипом заявляемое устройство обеспечивает быстрый и равномерный
нагрев силовых полупроводниковых приборов, и позволяет автоматизировать
испытания силовых полупроводниковых приборов.
Источники информации:
1.ГамаюновА.В., Гармашов А.В. Устройство для термостабилизации силовых полупроводниковых приборов /У Применение полупроводниковой техники в устройствах электрических железных дорог: Сб.тр. ЛИИЖТа; Под ред. А.Т. Буркова. - ЛИИЖТ-СПб., 1985.-С.68-70.
2.Патент Японии №2935344 В2 , G01R 31/26; (16.08.1999.).
3.Патент Японии №2868325 В2 , G01R 31/26; (10.03.1999.).
.
4

Claims (1)

  1. Устройство нагрева силовых полупроводниковых приборов, содержащее теплопроводящее тело в виде барабана с каналами, нагреватели, отличающееся тем, что оно снабжено поворотным столом, на котором расположено теплопроводящее тело, в каждом вертикальном цилиндрическом канале с расширением в верхней части которого находится подвижный поршень с гнездом для установки силовых полупроводниковых приборов, соединенный механически с электродвигателем в нижней части канала, вход электродвигателя соединен с первым выводом источника питания, расположенным в нижней части теплопроводящего тела, а нагреватели расположены в теплопроводящем теле между каналами и соединены входами с другими выводами источника питания, теплопроводящее тело заполнено между каналами трансформаторным маслом, каналы снабжены металлическими шариками.
    Figure 00000001
RU2003107729/20U 2003-03-24 2003-03-24 Устройство нагрева силовых полупроводниковых приборов RU31454U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2003107729/20U RU31454U1 (ru) 2003-03-24 2003-03-24 Устройство нагрева силовых полупроводниковых приборов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2003107729/20U RU31454U1 (ru) 2003-03-24 2003-03-24 Устройство нагрева силовых полупроводниковых приборов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU31454U1 true RU31454U1 (ru) 2003-08-10

Family

ID=35560963

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2003107729/20U RU31454U1 (ru) 2003-03-24 2003-03-24 Устройство нагрева силовых полупроводниковых приборов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU31454U1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107607849B (zh) 热电器件发电性能测试装置及方法
CN102435321B (zh) 一种用于分置式杜瓦热负载测试的高兼容多功能测试杜瓦
CN102768158A (zh) 陶瓷材料抗热震性自动测试仪
CN107228877B (zh) 一种倾角可调的平板热管传热性能测试装置
CN107422191B (zh) 一种运行工况下车载电缆终端频域介电谱实验系统与方法
CN109444215B (zh) 非稳态超高温隔热性能试验装置及试验方法
RU31454U1 (ru) Устройство нагрева силовых полупроводниковых приборов
CN111122647A (zh) 一种锂离子电池极片导热性能的测试方法
CN106990268A (zh) 电化学综合测试仪
CN107247071B (zh) 橡胶材料耐温性能测试仪器
CN207530303U (zh) 一种小功率芯片老化机
CN111624501A (zh) 一种动力电池恒温充放电测试用的恒温箱
CN115166394A (zh) 一种热电器件循环实验装置
CN105806889B (zh) 一种保温材料导热系数测试装置
CN109030878A (zh) 一种液压安装结构及其组成的测试模块
CN212780596U (zh) 一种新型膨胀仪
CN107167493A (zh) 在外加物理场下测量材料散热性能的装置
CN108760818B (zh) 一种新型的热刺激电流测量装置
RU37232U1 (ru) Устройство нагрева силовых полупроводниковых приборов
CN111551462A (zh) 一种微焊点热疲劳的测试设备和方法
CN113352248B (zh) 一种非导电陶瓷热震测试设备夹具
RU49279U1 (ru) Устройство нагрева силовых полупроводниковых приборов
CN218727707U (zh) 一种oled模组老化测试装置
CN211180081U (zh) 一种芯片检测装置
KR101713443B1 (ko) 발열체 평가장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM1K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20040325