RU2820073C1 - Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ-диапазона с межслойным переходом - Google Patents
Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ-диапазона с межслойным переходом Download PDFInfo
- Publication number
- RU2820073C1 RU2820073C1 RU2024104221A RU2024104221A RU2820073C1 RU 2820073 C1 RU2820073 C1 RU 2820073C1 RU 2024104221 A RU2024104221 A RU 2024104221A RU 2024104221 A RU2024104221 A RU 2024104221A RU 2820073 C1 RU2820073 C1 RU 2820073C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- slot
- dielectric substrate
- substrate
- hole
- signal transmission
- Prior art date
Links
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 230000007704 transition Effects 0.000 title claims description 9
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 title abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Abstract
Изобретение относится к СВЧ технике. Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ-диапазона содержит диэлектрическую подложку, плоские металлические экраны, образующие щелевую линию. При этом часть симметричной щелевой линии расположена на одной стороне диэлектрической подложки, а часть – на другой стороне диэлектрической подложки, межслойный переход выполнен в виде частично металлизированного отверстия в диэлектрической подложке, центр которого находится в точке пересечения центра щели с плоскостью, в которой находятся края экранов, перпендикулярные щели; частичная металлизация отверстия попарно соединяет металлические экраны, расположенные с каждой из сторон щели на разных сторонах подложки, между собой, при этом сохраняется размер ширины щели на другой стороне подложки. Диаметр отверстия выбирается из следующих условий: 0.2 ≤ W ≤ 1.0; 1.5W ≤ D ≤ 2.5W, где W - ширина щели, мм; D - диаметр отверстия, мм. Технический результат - обеспечение передачи сигнала с одной стороны диэлектрической подложки на другую, улучшение массогабаритных характеристик устройства. 2 ил.
Description
Изобретение относится к электронной технике и может использоваться, например, в качестве линии передачи сигнала в гибридных интегральных схемах СВЧ и КВЧ-диапазона.
Известна симметричная щелевая линия (СЩЛ), представляющая собой узкую щель, вырезанную в проводящей плоскости, расположенной на одной из сторон плоскопараллельного магнитодиэлектрического слоя определенной толщины, образующего подложку, при этом в щели концентрируются линии электрического поля, при условии, что диэлектрическая проницаемость подложки больше единицы, а линии магнитного поля имеют вид эллипсов, переходящих в кривые типа «седло», образуя, таким образом, основную волну СЩЛ. Распределение тока в металлическом слое - экспоненциальное. На поверхности проводящих металлических полуплоскостей ток занимает относительно большую область, в силу чего потери у СЩЛ имеют, например, относительно несимметричной полосковой линии, малую величину [Е.И. Нефёдов. Электромагнитные поля и волны // М.: - «Академия», 2014 г. - С. 219-221].
Известна симметричная щелевая линия, содержащая подложку, на одной стороне которой нанесен полупроводниковый слой, и два металлических проводника, в которой с целью уменьшения вносимых потерь, на полупроводниковом слое дополнительно размещены две полосы, выполненные из легированного полупроводника, а два металлических проводника размещены на них. При этом проводимость легированного полупроводника более или равна 1 Ом/см, толщина каждой полосы составляет 0,02-0,1 толщины подложки и расстояние между ближайшими кромками полос составляет 0,0025-0,06 длины волны, а расстояние между каждой из этих кромок и ближайшей к ней кромкой металлического проводника выбрано не менее четверти длины волны [А.с. СССР №1224867 А, МПК Н01Р 3/08, приоритет 08.08.1984 г. Щелевая линия].
Известна симметричная щелевая линия, содержащая две металлические полоски, которые образуют щелевую линию, диаметрально противоположно расположенные на разных сторонах диэлектрической подложки. Вносимые потери такой щелевой линии находятся в диапазоне 1,6-2,4 дБ [Chang Wei Zhang. A Novel W-Band Waveguide-To-Microstrip Antipodal Finline Transition. / Proceeding of 2013 IEEE International Conference on Applied Superconductivity and Electromagnetic, China, October 25-27, 2013, p. 166-168. ID3062, ISBN 978-1-4799-0070-1/13].
Известна симметричная щелевая линия, содержащая щель, выполненную в проводящем покрытии, расположенном на одной стороне диэлектрической подложки [Патент РФ № 2776955 «Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ и КВЧ диапазонов», МПК H01P3/08, приоритет 07.09.2021, опубл. 29.07.2022, принят за прототип]. Для передачи сигнала в другую плоскость необходимо соединять две щелевые линии через дополнительное переходное устройство.
Недостатками аналогов и прототипа являются увеличение габаритов устройства при наличии необходимости передачи сигнала в другую плоскость за счет введения для соединения щелевых линий дополнительного устройства, обеспечивающего переход (переходника) и увеличение вносимых потерь мощности проходящего сигнала.
Предложенное техническое решение направлено на устранение недостатков аналогов и прототипа.
Технический результат – обеспечение передачи сигнала с одной стороны диэлектрической подложки на другую, улучшение массогабаритных характеристик устройства.
Технический результат достигается тем, что в симметричной щелевой линии передачи сигнала СВЧ–диапазона содержащей диэлектрическую подложку, плоские металлические экраны, образующие щелевую линию, часть симметричной щелевой линии расположена на одной стороне диэлектрической подложки, а часть – на другой стороне диэлектрической подложки, межслойный переход выполнен в виде частично металлизированного отверстия в диэлектрической подложке, центр которого находится в точке пересечения центра щели с плоскостью, в которой находятся края экранов, перпендикулярные щели; частичная металлизация отверстия попарно соединяет металлические экраны, расположенные с каждой из сторон щели на разных сторонах подложки, между собой, при этом сохраняется размер ширины щели на другой стороне подложки, причем, диаметр отверстия выбирается из следующих условий:
0.2 ≤ W ≤ 1.0
1.5W ≤ D ≤ 2.5W
где W-ширина щели, мм; D – диаметр отверстия, мм.
Сущность технического решения заключается в следующем. Отверстие с частичной металлизацией в диэлектрической подложке позволяет осуществить межслойный переход электромагнитной волны с одной стороны подложки на другую в одном устройстве, без использования дополнительных переходных устройств.
Выполнение частично металлизированного отверстия в точке пересечения центра щели с плоскостью, в которой находятся края металлических экранов и попарное соединение металлических экранов, расположенных на разных сторонах подложки, между собой через металлизацию на внутренней стороне отверстия, позволяет не только передать сигнал с одной стороны подложки на другую с малыми потерями, но и устраняет необходимость использовать специальные переходные устройства (переходники) для соединения щелевых линий, находящихся на разных сторонах, что улучшает массогабаритные характеристики устройства.
Выбор диапазона ширины щели W от 0.2 мм до 1.0 мм объясняется тем, что размер щели меньше 0.2 мм создает технологические трудности при изготовлении устройства, а увеличение ширины щели свыше 1.0 мм приводит к ухудшению массогабаритных характеристик.
Математическое моделирование геометрических и электрических характеристик щелевой линии передачи сигнала СВЧ – диапазона с межслойным переходом с использованием пакета программ ANSYS HFSS на основе трехмерного полноволнового алгоритма расчета электромагнитного поля в частотной области, использующего метод конечных элементов (Finite Element Method, FEM) для определения электрического поведения разрабатываемого устройства и их экспериментальная проверка, показали, что зависимость размера отверстия от геометрических характеристик щелевой линии (ширины щели и толщины подложки) в указанных пределах позволяет максимально эффективно передавать сигнал СВЧ-диапазона с минимальными потерями и массогабаритными характеристиками.
Выбор диапазона размера диаметра частично металлизированного отверстия от 1,5W до 2,5W объясняется тем, что нижний предел ограничен технологическими трудностями, а верхний предел обусловлен ухудшением массогабаритных характеристик.
Изобретение поясняется чертежами. На фиг.1 представлен общий вид симметричной щелевой линии передачи сигнала СВЧ-диапазона с межслойным переходом, на фиг.2 представлен вид устройства сверху (а) и разрез (б) по щелевой линии, где:
- плоские металлические экраны 1;
- щели 2;
- диэлектрическая подложка 3;
- частично металлизированное отверстие 4;
- металлизация отверстия 5.
Устройство работает следующим образом. Сигнал поступает на вход симметричной щелевой линии, расположенной на одной стороне подложки, проходит по симметричной щелевой линии, образованной металлическими экранами 1 и диэлектрической подложкой 3, и доходит до отверстия 4 с частичной металлизацией 5 в диэлектрической подложке 3, проходит по нему на другую симметричную щелевую линию, образованную металлическими экранами 1, находящимися на другой стороне диэлектрической подложки 3, и поступает на выход симметричной щелевой линии. Таким образом, осуществляется переход сигнала с одного слоя на другой слой диэлектрической подложки.
Пример 1. Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ–диапазона с межслойным переходом выполнена на диэлектрической подложке 3 из поликора (керамика ВК-100) с диэлектрической проницаемостью 9,8 и толщиной 0,5 мм. На диэлектрическую подложку с обеих сторон нанесены металлические экраны 1 со структурой металлизации: Cr напылённый (с поверхностным сопротивлением 100 Ом/мм2) - Cu напылённая (толщиной 1,2 мкм) - Cu гальванически осажденная (толщ. 3 мкм) - Ni гальванически наращенный (0,6 мкм) - Au гальванически наращенное (толщиной 3мкм) [См. В.А. Иовдальский. Конструкция и технология микрополосковых плат ГИС СВЧ-диапазона. / Учебное пособие. Под научной редакцией д.т.н., генерального директора АО «НПП «Исток» им. Шокина» А.А. Борисова, Москва, изд. КУРС, 2018, С.175.], образующие щель 2 между ними шириной 0,5 мм. Края металлических экранов 1, перпендикулярных щелевой линии передачи 2, расположены с обеих сторон подложки 3, находятся в одной плоскости перпендикулярной подложке 3 друг против друга на ее разных сторонах, и соединяются через частичную металлизацию 5 отверстия 4 диаметром 0.75 мм со структурой: Pd (химически осаждённый)-Ni химически осаждённый (толщиной 0,2 мкм) - Cu гальванически осажденная (толщ. 3 мкм)- Ni гальванически наращенный (0,6 мкм)-Au гальванически наращенное (толщиной 2мкм), приведённой в литературной ссылке (учебном пособии) указанной выше, для металлизации отверстий. При этом, металлизация 5 в отверстии 4 обеспечивает сохранение ширины щели 2, равную 0.5 мм. Измерения показали, что вносимые потери составили до -0,23 дБ.
Пример 2. Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ–диапазона шириной 0,4 мм с межслойным переходом выполнена на диэлектрической подложке 3 из материала Rogers TMM 4 с диэлектрической проницаемостью 4,5 и толщиной 0,3 мм. На диэлектрическую подложку 3 с обеих сторон нанесены металлические экраны 1 из меди толщиной 9 мкм. Края металлизации 5 в отверстии 4 диаметром 0,5 мм обеспечивают сохранение ширины щели 2. Измерения показали, что вносимые потери составили -0,2 дБ.
Анализ полученных результатов показывает, что вносимые потери предлагаемого устройства симметричной щелевой линии передачи сигнала СВЧ–диапазона с межслойным переходом незначительно отличаются от прототипа, что подтверждает достижение заявляемого технического результата.
Claims (4)
- Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ–диапазона с межслойным переходом, содержащая диэлектрическую подложку, плоские металлические экраны, образующие щелевую линию, отличающаяся тем, что часть симметричной щелевой линии расположена на одной стороне диэлектрической подложки, а часть - на другой стороне диэлектрической подложки, межслойный переход выполнен в виде частично металлизированного отверстия в диэлектрической подложке, центр которого находится в точке пересечения центра щели с плоскостью, в которой находятся края экранов, перпендикулярные щели; частичная металлизация отверстия попарно соединяет металлические экраны, расположенные с каждой из сторон щели на разных сторонах подложки, между собой, при этом сохраняется размер ширины щели на другой стороне подложки, причем диаметр отверстия выбирается из следующих условий:
- 0.2 ≤ W ≤ 1.0;
- 1.5W ≤ D ≤ 2.5W,
- где W - ширина щели, мм; D - диаметр отверстия, мм.
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2820073C1 true RU2820073C1 (ru) | 2024-05-28 |
Family
ID=
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU229279U1 (ru) * | 2024-07-11 | 2024-10-01 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И.Шокина" | Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ-диапазона с межслойным переходом |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5057798A (en) * | 1990-06-22 | 1991-10-15 | Hughes Aircraft Company | Space-saving two-sided microwave circuitry for hybrid circuits |
US6023211A (en) * | 1996-12-12 | 2000-02-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmission circuit using strip line in three dimensions |
JP2007288652A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波伝送線路 |
JP4008642B2 (ja) * | 2000-04-27 | 2007-11-14 | 松下電器産業株式会社 | ヘッドスライダ |
US20130057365A1 (en) * | 2010-03-09 | 2013-03-07 | Etsuo Mizushima | Electromagnetic field coupling structure, multi-layer transmission-line plate, method of manufacturing electromagnetic field coupling structure, and method of manufacturing multi-layer transmission-line plate |
US9496606B2 (en) * | 2012-12-03 | 2016-11-15 | Hitachi Metals, Ltd. | Transmission line and antenna device |
US9509032B2 (en) * | 2014-08-28 | 2016-11-29 | Cambium Networks Limited | Radio frequency connection arrangement |
CN106785285B (zh) * | 2016-12-27 | 2019-01-29 | 西安电子工程研究所 | 一种信号跨层传输结构设计方法 |
EP3344019B1 (en) * | 2015-08-26 | 2021-06-16 | NEC Space Technologies, Ltd. | Circuit structure |
US20220013880A1 (en) * | 2019-04-11 | 2022-01-13 | Fujikura Ltd. | Waveguide device |
RU2776955C1 (ru) * | 2021-09-07 | 2022-07-29 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ- и КВЧ-диапазонов |
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5057798A (en) * | 1990-06-22 | 1991-10-15 | Hughes Aircraft Company | Space-saving two-sided microwave circuitry for hybrid circuits |
US6023211A (en) * | 1996-12-12 | 2000-02-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmission circuit using strip line in three dimensions |
JP4008642B2 (ja) * | 2000-04-27 | 2007-11-14 | 松下電器産業株式会社 | ヘッドスライダ |
JP2007288652A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波伝送線路 |
US20130057365A1 (en) * | 2010-03-09 | 2013-03-07 | Etsuo Mizushima | Electromagnetic field coupling structure, multi-layer transmission-line plate, method of manufacturing electromagnetic field coupling structure, and method of manufacturing multi-layer transmission-line plate |
US9496606B2 (en) * | 2012-12-03 | 2016-11-15 | Hitachi Metals, Ltd. | Transmission line and antenna device |
US9509032B2 (en) * | 2014-08-28 | 2016-11-29 | Cambium Networks Limited | Radio frequency connection arrangement |
EP3344019B1 (en) * | 2015-08-26 | 2021-06-16 | NEC Space Technologies, Ltd. | Circuit structure |
CN106785285B (zh) * | 2016-12-27 | 2019-01-29 | 西安电子工程研究所 | 一种信号跨层传输结构设计方法 |
US20220013880A1 (en) * | 2019-04-11 | 2022-01-13 | Fujikura Ltd. | Waveguide device |
RU2776955C1 (ru) * | 2021-09-07 | 2022-07-29 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ- и КВЧ-диапазонов |
RU2789795C1 (ru) * | 2022-08-31 | 2023-02-10 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" им. А.И. Шокина" | Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ- и КВЧ-диапазонов |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU229279U1 (ru) * | 2024-07-11 | 2024-10-01 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И.Шокина" | Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ-диапазона с межслойным переходом |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6515562B1 (en) | Connection structure for overlapping dielectric waveguide lines | |
Mottonen et al. | Novel wide-band coplanar waveguide-to-rectangular waveguide transition | |
Chi et al. | Conductor-loss limited stripline resonator and filters | |
Su et al. | Mode composite coplanar waveguide | |
Taringou et al. | New substrate-integrated to coplanar waveguide transition | |
Aliakbari et al. | Wideband SIW-based low-cost multilayer slot antenna array for $ E $-band applications | |
Yang et al. | A low-loss broadband planar transition from ground coplanar waveguide to substrate-integrated coaxial line | |
Tajima et al. | Design and analysis of a waveguide-sandwich microwave filter (short papers) | |
US7002433B2 (en) | Microwave coupler | |
US20220059916A1 (en) | Transmission line and electronic apparatus | |
Yamazaki et al. | Broadband differential-line-to-waveguide transition in multi-layer dielectric substrates with an X-shaped patch element in 280 GHz band | |
RU2820073C1 (ru) | Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ-диапазона с межслойным переходом | |
CN106450598B (zh) | 一种宽带宽移相范围反射型可调移相器及其设计方法 | |
Ide et al. | 28 GHz one-sided directional slot array antenna for 5G application | |
Zhang et al. | Study of bend discontinuities in substrate integrated gap waveguide | |
CN109888491A (zh) | 基于siw的三波束天线系统 | |
US4882555A (en) | Plural plane waveguide coupler | |
Beeresha et al. | CPW to microstrip transition using different CPW ground plane structures | |
Krishnan et al. | A review on substrate integrated waveguide transitions | |
CN211670320U (zh) | 一种isgw波束扫描漏波天线 | |
Dey et al. | Millimeter-wave multicast chip-to-chip interconnect network using dielectric slab waveguide | |
Ting et al. | A cost-efficient air-filled substrate integrated ridge waveguide for mmWave application | |
RU2789795C1 (ru) | Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ- и КВЧ-диапазонов | |
RU229279U1 (ru) | Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ-диапазона с межслойным переходом | |
Dong et al. | Broadband stripline to rectangular waveguide transition |