RU2820073C1 - Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ-диапазона с межслойным переходом - Google Patents

Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ-диапазона с межслойным переходом Download PDF

Info

Publication number
RU2820073C1
RU2820073C1 RU2024104221A RU2024104221A RU2820073C1 RU 2820073 C1 RU2820073 C1 RU 2820073C1 RU 2024104221 A RU2024104221 A RU 2024104221A RU 2024104221 A RU2024104221 A RU 2024104221A RU 2820073 C1 RU2820073 C1 RU 2820073C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
slot
dielectric substrate
substrate
hole
signal transmission
Prior art date
Application number
RU2024104221A
Other languages
English (en)
Inventor
Сергей Борисович Клюев
Виктор Анатольевич Иовдальский
Валерий Витальевич Демшевский
Original Assignee
Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А. И. Шокина"
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А. И. Шокина" filed Critical Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А. И. Шокина"
Application granted granted Critical
Publication of RU2820073C1 publication Critical patent/RU2820073C1/ru

Links

Abstract

Изобретение относится к СВЧ технике. Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ-диапазона содержит диэлектрическую подложку, плоские металлические экраны, образующие щелевую линию. При этом часть симметричной щелевой линии расположена на одной стороне диэлектрической подложки, а часть – на другой стороне диэлектрической подложки, межслойный переход выполнен в виде частично металлизированного отверстия в диэлектрической подложке, центр которого находится в точке пересечения центра щели с плоскостью, в которой находятся края экранов, перпендикулярные щели; частичная металлизация отверстия попарно соединяет металлические экраны, расположенные с каждой из сторон щели на разных сторонах подложки, между собой, при этом сохраняется размер ширины щели на другой стороне подложки. Диаметр отверстия выбирается из следующих условий: 0.2 ≤ W ≤ 1.0; 1.5W ≤ D ≤ 2.5W, где W - ширина щели, мм; D - диаметр отверстия, мм. Технический результат - обеспечение передачи сигнала с одной стороны диэлектрической подложки на другую, улучшение массогабаритных характеристик устройства. 2 ил.

Description

Изобретение относится к электронной технике и может использоваться, например, в качестве линии передачи сигнала в гибридных интегральных схемах СВЧ и КВЧ-диапазона.
Известна симметричная щелевая линия (СЩЛ), представляющая собой узкую щель, вырезанную в проводящей плоскости, расположенной на одной из сторон плоскопараллельного магнитодиэлектрического слоя определенной толщины, образующего подложку, при этом в щели концентрируются линии электрического поля, при условии, что диэлектрическая проницаемость подложки больше единицы, а линии магнитного поля имеют вид эллипсов, переходящих в кривые типа «седло», образуя, таким образом, основную волну СЩЛ. Распределение тока в металлическом слое - экспоненциальное. На поверхности проводящих металлических полуплоскостей ток занимает относительно большую область, в силу чего потери у СЩЛ имеют, например, относительно несимметричной полосковой линии, малую величину [Е.И. Нефёдов. Электромагнитные поля и волны // М.: - «Академия», 2014 г. - С. 219-221].
Известна симметричная щелевая линия, содержащая подложку, на одной стороне которой нанесен полупроводниковый слой, и два металлических проводника, в которой с целью уменьшения вносимых потерь, на полупроводниковом слое дополнительно размещены две полосы, выполненные из легированного полупроводника, а два металлических проводника размещены на них. При этом проводимость легированного полупроводника более или равна 1 Ом/см, толщина каждой полосы составляет 0,02-0,1 толщины подложки и расстояние между ближайшими кромками полос составляет 0,0025-0,06 длины волны, а расстояние между каждой из этих кромок и ближайшей к ней кромкой металлического проводника выбрано не менее четверти длины волны [А.с. СССР №1224867 А, МПК Н01Р 3/08, приоритет 08.08.1984 г. Щелевая линия].
Известна симметричная щелевая линия, содержащая две металлические полоски, которые образуют щелевую линию, диаметрально противоположно расположенные на разных сторонах диэлектрической подложки. Вносимые потери такой щелевой линии находятся в диапазоне 1,6-2,4 дБ [Chang Wei Zhang. A Novel W-Band Waveguide-To-Microstrip Antipodal Finline Transition. / Proceeding of 2013 IEEE International Conference on Applied Superconductivity and Electromagnetic, China, October 25-27, 2013, p. 166-168. ID3062, ISBN 978-1-4799-0070-1/13].
Известна симметричная щелевая линия, содержащая щель, выполненную в проводящем покрытии, расположенном на одной стороне диэлектрической подложки [Патент РФ № 2776955 «Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ и КВЧ диапазонов», МПК H01P3/08, приоритет 07.09.2021, опубл. 29.07.2022, принят за прототип]. Для передачи сигнала в другую плоскость необходимо соединять две щелевые линии через дополнительное переходное устройство.
Недостатками аналогов и прототипа являются увеличение габаритов устройства при наличии необходимости передачи сигнала в другую плоскость за счет введения для соединения щелевых линий дополнительного устройства, обеспечивающего переход (переходника) и увеличение вносимых потерь мощности проходящего сигнала.
Предложенное техническое решение направлено на устранение недостатков аналогов и прототипа.
Технический результат – обеспечение передачи сигнала с одной стороны диэлектрической подложки на другую, улучшение массогабаритных характеристик устройства.
Технический результат достигается тем, что в симметричной щелевой линии передачи сигнала СВЧ–диапазона содержащей диэлектрическую подложку, плоские металлические экраны, образующие щелевую линию, часть симметричной щелевой линии расположена на одной стороне диэлектрической подложки, а часть – на другой стороне диэлектрической подложки, межслойный переход выполнен в виде частично металлизированного отверстия в диэлектрической подложке, центр которого находится в точке пересечения центра щели с плоскостью, в которой находятся края экранов, перпендикулярные щели; частичная металлизация отверстия попарно соединяет металлические экраны, расположенные с каждой из сторон щели на разных сторонах подложки, между собой, при этом сохраняется размер ширины щели на другой стороне подложки, причем, диаметр отверстия выбирается из следующих условий:
0.2 ≤ W ≤ 1.0
1.5W ≤ D ≤ 2.5W
где W-ширина щели, мм; D – диаметр отверстия, мм.
Сущность технического решения заключается в следующем. Отверстие с частичной металлизацией в диэлектрической подложке позволяет осуществить межслойный переход электромагнитной волны с одной стороны подложки на другую в одном устройстве, без использования дополнительных переходных устройств.
Выполнение частично металлизированного отверстия в точке пересечения центра щели с плоскостью, в которой находятся края металлических экранов и попарное соединение металлических экранов, расположенных на разных сторонах подложки, между собой через металлизацию на внутренней стороне отверстия, позволяет не только передать сигнал с одной стороны подложки на другую с малыми потерями, но и устраняет необходимость использовать специальные переходные устройства (переходники) для соединения щелевых линий, находящихся на разных сторонах, что улучшает массогабаритные характеристики устройства.
Выбор диапазона ширины щели W от 0.2 мм до 1.0 мм объясняется тем, что размер щели меньше 0.2 мм создает технологические трудности при изготовлении устройства, а увеличение ширины щели свыше 1.0 мм приводит к ухудшению массогабаритных характеристик.
Математическое моделирование геометрических и электрических характеристик щелевой линии передачи сигнала СВЧ – диапазона с межслойным переходом с использованием пакета программ ANSYS HFSS на основе трехмерного полноволнового алгоритма расчета электромагнитного поля в частотной области, использующего метод конечных элементов (Finite Element Method, FEM) для определения электрического поведения разрабатываемого устройства и их экспериментальная проверка, показали, что зависимость размера отверстия от геометрических характеристик щелевой линии (ширины щели и толщины подложки) в указанных пределах позволяет максимально эффективно передавать сигнал СВЧ-диапазона с минимальными потерями и массогабаритными характеристиками.
Выбор диапазона размера диаметра частично металлизированного отверстия от 1,5W до 2,5W объясняется тем, что нижний предел ограничен технологическими трудностями, а верхний предел обусловлен ухудшением массогабаритных характеристик.
Изобретение поясняется чертежами. На фиг.1 представлен общий вид симметричной щелевой линии передачи сигнала СВЧ-диапазона с межслойным переходом, на фиг.2 представлен вид устройства сверху (а) и разрез (б) по щелевой линии, где:
- плоские металлические экраны 1;
- щели 2;
- диэлектрическая подложка 3;
- частично металлизированное отверстие 4;
- металлизация отверстия 5.
Устройство работает следующим образом. Сигнал поступает на вход симметричной щелевой линии, расположенной на одной стороне подложки, проходит по симметричной щелевой линии, образованной металлическими экранами 1 и диэлектрической подложкой 3, и доходит до отверстия 4 с частичной металлизацией 5 в диэлектрической подложке 3, проходит по нему на другую симметричную щелевую линию, образованную металлическими экранами 1, находящимися на другой стороне диэлектрической подложки 3, и поступает на выход симметричной щелевой линии. Таким образом, осуществляется переход сигнала с одного слоя на другой слой диэлектрической подложки.
Пример 1. Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ–диапазона с межслойным переходом выполнена на диэлектрической подложке 3 из поликора (керамика ВК-100) с диэлектрической проницаемостью 9,8 и толщиной 0,5 мм. На диэлектрическую подложку с обеих сторон нанесены металлические экраны 1 со структурой металлизации: Cr напылённый (с поверхностным сопротивлением 100 Ом/мм2) - Cu напылённая (толщиной 1,2 мкм) - Cu гальванически осажденная (толщ. 3 мкм) - Ni гальванически наращенный (0,6 мкм) - Au гальванически наращенное (толщиной 3мкм) [См. В.А. Иовдальский. Конструкция и технология микрополосковых плат ГИС СВЧ-диапазона. / Учебное пособие. Под научной редакцией д.т.н., генерального директора АО «НПП «Исток» им. Шокина» А.А. Борисова, Москва, изд. КУРС, 2018, С.175.], образующие щель 2 между ними шириной 0,5 мм. Края металлических экранов 1, перпендикулярных щелевой линии передачи 2, расположены с обеих сторон подложки 3, находятся в одной плоскости перпендикулярной подложке 3 друг против друга на ее разных сторонах, и соединяются через частичную металлизацию 5 отверстия 4 диаметром 0.75 мм со структурой: Pd (химически осаждённый)-Ni химически осаждённый (толщиной 0,2 мкм) - Cu гальванически осажденная (толщ. 3 мкм)- Ni гальванически наращенный (0,6 мкм)-Au гальванически наращенное (толщиной 2мкм), приведённой в литературной ссылке (учебном пособии) указанной выше, для металлизации отверстий. При этом, металлизация 5 в отверстии 4 обеспечивает сохранение ширины щели 2, равную 0.5 мм. Измерения показали, что вносимые потери составили до -0,23 дБ.
Пример 2. Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ–диапазона шириной 0,4 мм с межслойным переходом выполнена на диэлектрической подложке 3 из материала Rogers TMM 4 с диэлектрической проницаемостью 4,5 и толщиной 0,3 мм. На диэлектрическую подложку 3 с обеих сторон нанесены металлические экраны 1 из меди толщиной 9 мкм. Края металлизации 5 в отверстии 4 диаметром 0,5 мм обеспечивают сохранение ширины щели 2. Измерения показали, что вносимые потери составили -0,2 дБ.
Анализ полученных результатов показывает, что вносимые потери предлагаемого устройства симметричной щелевой линии передачи сигнала СВЧ–диапазона с межслойным переходом незначительно отличаются от прототипа, что подтверждает достижение заявляемого технического результата.

Claims (4)

  1. Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ–диапазона с межслойным переходом, содержащая диэлектрическую подложку, плоские металлические экраны, образующие щелевую линию, отличающаяся тем, что часть симметричной щелевой линии расположена на одной стороне диэлектрической подложки, а часть - на другой стороне диэлектрической подложки, межслойный переход выполнен в виде частично металлизированного отверстия в диэлектрической подложке, центр которого находится в точке пересечения центра щели с плоскостью, в которой находятся края экранов, перпендикулярные щели; частичная металлизация отверстия попарно соединяет металлические экраны, расположенные с каждой из сторон щели на разных сторонах подложки, между собой, при этом сохраняется размер ширины щели на другой стороне подложки, причем диаметр отверстия выбирается из следующих условий:
  2. 0.2 ≤ W ≤ 1.0;
  3. 1.5W ≤ D ≤ 2.5W,
  4. где W - ширина щели, мм; D - диаметр отверстия, мм.
RU2024104221A 2024-02-20 Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ-диапазона с межслойным переходом RU2820073C1 (ru)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2820073C1 true RU2820073C1 (ru) 2024-05-28

Family

ID=

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU229279U1 (ru) * 2024-07-11 2024-10-01 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И.Шокина" Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ-диапазона с межслойным переходом

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5057798A (en) * 1990-06-22 1991-10-15 Hughes Aircraft Company Space-saving two-sided microwave circuitry for hybrid circuits
US6023211A (en) * 1996-12-12 2000-02-08 Sharp Kabushiki Kaisha Transmission circuit using strip line in three dimensions
JP2007288652A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Mitsubishi Electric Corp 高周波伝送線路
JP4008642B2 (ja) * 2000-04-27 2007-11-14 松下電器産業株式会社 ヘッドスライダ
US20130057365A1 (en) * 2010-03-09 2013-03-07 Etsuo Mizushima Electromagnetic field coupling structure, multi-layer transmission-line plate, method of manufacturing electromagnetic field coupling structure, and method of manufacturing multi-layer transmission-line plate
US9496606B2 (en) * 2012-12-03 2016-11-15 Hitachi Metals, Ltd. Transmission line and antenna device
US9509032B2 (en) * 2014-08-28 2016-11-29 Cambium Networks Limited Radio frequency connection arrangement
CN106785285B (zh) * 2016-12-27 2019-01-29 西安电子工程研究所 一种信号跨层传输结构设计方法
EP3344019B1 (en) * 2015-08-26 2021-06-16 NEC Space Technologies, Ltd. Circuit structure
US20220013880A1 (en) * 2019-04-11 2022-01-13 Fujikura Ltd. Waveguide device
RU2776955C1 (ru) * 2021-09-07 2022-07-29 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ- и КВЧ-диапазонов

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5057798A (en) * 1990-06-22 1991-10-15 Hughes Aircraft Company Space-saving two-sided microwave circuitry for hybrid circuits
US6023211A (en) * 1996-12-12 2000-02-08 Sharp Kabushiki Kaisha Transmission circuit using strip line in three dimensions
JP4008642B2 (ja) * 2000-04-27 2007-11-14 松下電器産業株式会社 ヘッドスライダ
JP2007288652A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Mitsubishi Electric Corp 高周波伝送線路
US20130057365A1 (en) * 2010-03-09 2013-03-07 Etsuo Mizushima Electromagnetic field coupling structure, multi-layer transmission-line plate, method of manufacturing electromagnetic field coupling structure, and method of manufacturing multi-layer transmission-line plate
US9496606B2 (en) * 2012-12-03 2016-11-15 Hitachi Metals, Ltd. Transmission line and antenna device
US9509032B2 (en) * 2014-08-28 2016-11-29 Cambium Networks Limited Radio frequency connection arrangement
EP3344019B1 (en) * 2015-08-26 2021-06-16 NEC Space Technologies, Ltd. Circuit structure
CN106785285B (zh) * 2016-12-27 2019-01-29 西安电子工程研究所 一种信号跨层传输结构设计方法
US20220013880A1 (en) * 2019-04-11 2022-01-13 Fujikura Ltd. Waveguide device
RU2776955C1 (ru) * 2021-09-07 2022-07-29 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ- и КВЧ-диапазонов
RU2789795C1 (ru) * 2022-08-31 2023-02-10 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" им. А.И. Шокина" Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ- и КВЧ-диапазонов

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU229279U1 (ru) * 2024-07-11 2024-10-01 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И.Шокина" Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ-диапазона с межслойным переходом

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6515562B1 (en) Connection structure for overlapping dielectric waveguide lines
Mottonen et al. Novel wide-band coplanar waveguide-to-rectangular waveguide transition
Chi et al. Conductor-loss limited stripline resonator and filters
Su et al. Mode composite coplanar waveguide
Taringou et al. New substrate-integrated to coplanar waveguide transition
Aliakbari et al. Wideband SIW-based low-cost multilayer slot antenna array for $ E $-band applications
Yang et al. A low-loss broadband planar transition from ground coplanar waveguide to substrate-integrated coaxial line
Tajima et al. Design and analysis of a waveguide-sandwich microwave filter (short papers)
US7002433B2 (en) Microwave coupler
US20220059916A1 (en) Transmission line and electronic apparatus
Yamazaki et al. Broadband differential-line-to-waveguide transition in multi-layer dielectric substrates with an X-shaped patch element in 280 GHz band
RU2820073C1 (ru) Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ-диапазона с межслойным переходом
CN106450598B (zh) 一种宽带宽移相范围反射型可调移相器及其设计方法
Ide et al. 28 GHz one-sided directional slot array antenna for 5G application
Zhang et al. Study of bend discontinuities in substrate integrated gap waveguide
CN109888491A (zh) 基于siw的三波束天线系统
US4882555A (en) Plural plane waveguide coupler
Beeresha et al. CPW to microstrip transition using different CPW ground plane structures
Krishnan et al. A review on substrate integrated waveguide transitions
CN211670320U (zh) 一种isgw波束扫描漏波天线
Dey et al. Millimeter-wave multicast chip-to-chip interconnect network using dielectric slab waveguide
Ting et al. A cost-efficient air-filled substrate integrated ridge waveguide for mmWave application
RU2789795C1 (ru) Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ- и КВЧ-диапазонов
RU229279U1 (ru) Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ-диапазона с межслойным переходом
Dong et al. Broadband stripline to rectangular waveguide transition