RU2818037C1 - Method of determining radiation resource of devices - Google Patents
Method of determining radiation resource of devices Download PDFInfo
- Publication number
- RU2818037C1 RU2818037C1 RU2024102909A RU2024102909A RU2818037C1 RU 2818037 C1 RU2818037 C1 RU 2818037C1 RU 2024102909 A RU2024102909 A RU 2024102909A RU 2024102909 A RU2024102909 A RU 2024102909A RU 2818037 C1 RU2818037 C1 RU 2818037C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- radiation
- devices
- ionizing radiation
- diode
- current density
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 claims abstract description 32
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
Предлагаемое изобретение относится к области твердотельной электроники, микроэлектроники, а именно к способам контроля радиационных воздействий с использованием p-i-n диода и датчиков температуры.The present invention relates to the field of solid-state electronics, microelectronics, and in particular to methods for monitoring radiation exposure using a p-i-n diode and temperature sensors.
Предлагаемое изобретение предназначено для контроля радиационного ресурса приборов оборудования, функционирующего в полях ионизирующих излучений, с использованием p-i-n преобразователя путем определения накопленного уровня радиационных воздействий для предотвращения отказов. Диод на основе p-i-n структуры является в данном случае детектором ионизирующих излучений.The present invention is intended for monitoring the radiation resource of equipment operating in fields of ionizing radiation, using a p-i-n converter by determining the accumulated level of radiation exposure to prevent failures. A diode based on a p-i-n structure is in this case a detector of ionizing radiation.
Под радиационным ресурсом приборов принят максимальный уровень ионизирующего излучения, накапливаемого в течение времени, после воздействия которого параметры приборов сохраняют работоспособное состояние. То есть, это способность приборов сохранять в установленных пределах значения всех параметров, характеризующих способность выполнять требуемые функции в заданных режимах при определенном уровне ионизирующего излучения, накопившегося со временем.The radiation resource of devices is taken to be the maximum level of ionizing radiation accumulated over time, after exposure to which the parameters of the devices remain operational. That is, this is the ability of devices to maintain, within established limits, the values of all parameters that characterize the ability to perform the required functions in given modes at a certain level of ionizing radiation accumulated over time.
Применение p-i-n детектора в качестве чувствительного элемента дозиметров ионизирующих излучения достаточно широко известно, например [1]. Недостатком предлагаемого способа является отсутствие указания на контролируемый параметр, чувствительный к радиационному воздействию.The use of a p-i-n detector as a sensitive element of ionizing radiation dosimeters is quite widely known, for example [1]. The disadvantage of the proposed method is the lack of indication of the controlled parameter that is sensitive to radiation exposure.
В [2] представлен способ радиационного технического контроля и радиационного мониторинга с помощью матричного p-i-n диодного преобразователя с разной толщиной базы. Чувствительность к воздействию облучения определяется величиной изменения падения напряжения на p-i-n диодах с разной толщиной базы матрицы преобразователя при выбранном значении тока. Недостатком такого способа преобразования ионизирующего излучения в электрический сигнал является отсутствие учета влияния температур, что снижает точность преобразования.In [2], a method of radiation technical control and radiation monitoring using a matrix p-i-n diode converter with different base thicknesses is presented. Sensitivity to the effects of radiation is determined by the magnitude of the change in the voltage drop across p-i-n diodes with different base thicknesses of the converter matrix at a selected current value. The disadvantage of this method of converting ionizing radiation into an electrical signal is that it does not take into account the influence of temperatures, which reduces the accuracy of the conversion.
Наиболее близким к предлагаемому изобретению является способ анализа полей ионизирующих излучений [3], при котором рядом с транзисторами, используемыми в качестве датчиков излучения, размещают термопары для повышения точности определения уровня радиационных воздействий. Недостатком такого способа является применение для считывания информации с транзисторов и термопар электрической схемы с вычислительным устройством, что снижает надежность получения информации.The closest to the proposed invention is a method for analyzing ionizing radiation fields [3], in which thermocouples are placed next to transistors used as radiation sensors to increase the accuracy of determining the level of radiation exposure. The disadvantage of this method is the use of an electrical circuit with a computing device to read information from transistors and thermocouples, which reduces the reliability of obtaining information.
Техническим результатом предлагаемого изобретения является определение радиационного ресурса приборов при функционировании в полях ионизирующих излучений, для предотвращения неконтролируемых отказов и обеспечения безотказной эксплуатации в полях ионизирующих излучений.The technical result of the proposed invention is to determine the radiation life of devices when operating in fields of ionizing radiation, to prevent uncontrolled failures and ensure trouble-free operation in fields of ionizing radiation.
Как известно полупроводники являются более чувствительными к уровню радиационных воздействий, чем остальные компоненты ЭРИ (стекла и другие диэлектрики, металл) [4]. Поэтому ограниченной радиационной стойкостью характеризуется, как правило, полупроводниковые приборы и оборудование, содержащее полупроводниковые приборы.As is known, semiconductors are more sensitive to the level of radiation exposure than other components of electronic radiation (glass and other dielectrics, metal) [4]. Therefore, as a rule, semiconductor devices and equipment containing semiconductor devices are characterized by limited radiation resistance.
В настоящее время основная часть фактически всех электронных комплектующих состоит из полупроводников.Currently, the bulk of virtually all electronic components consist of semiconductors.
Некоторые полупроводниковые приборы сконструированы для применения в полях ионизирующих излучений и имеют повышенную радиационную стойкость. Для некоторых полупроводниковых приборов подтверждена радиационная стойкость к определенным уровням воздействующих ионизирующих излучений. Но, перечень таких приборов ограничен, и большинство полупроводниковых приборов обладают недостаточной (ограниченной) радиационной стойкостью, как и оборудование на их основе.Some semiconductor devices are designed for use in ionizing radiation fields and have increased radiation resistance. For some semiconductor devices, radiation resistance to certain levels of ionizing radiation has been confirmed. But the list of such devices is limited, and most semiconductor devices have insufficient (limited) radiation resistance, as does equipment based on them.
Указанный технический результат достигается за счет того, что p-i-n-диод и датчик температуры, монтируют в оборудование, предназначенное для работы в полях ионизирующих излучений. Диод на основе p-i-n структуры является в данном случае детектором ионизирующих излучений.This technical result is achieved due to the fact that a p-i-n diode and a temperature sensor are mounted in equipment designed to operate in fields of ionizing radiation. A diode based on a p-i-n structure is in this case a detector of ionizing radiation.
P-i-n - диод и датчик температуры устанавливают в местах размещения полупроводниковых приборов, так чтобы никакие изделия и элементы конструкции оборудования не являлись экранами между полупроводниковыми приборами и p-i-n-диодом с датчиком температуры при распространении ионизирующих излучений.The P-i-n diode and temperature sensor are installed in the locations of the semiconductor devices, so that no products or structural elements of the equipment act as screens between the semiconductor devices and the p-i-n diode with the temperature sensor during the propagation of ionizing radiation.
P-i-n - диод и датчик температуры могут быть выполнены в виде сборки, например, в едином корпусе.The P-i-n diode and temperature sensor can be made as an assembly, for example, in a single housing.
В процессе эксплуатации оборудования в полях ионизирующих излучений производится контроль (мониторинг) электрических параметров p-i-n-диода и контроль температуры с помощью теплового элемента. Мониторинг может проводиться в реальном времени, с заданной периодичностью или по завершению установленного этапа работы или перед началом использования облученного оборудования в зависимости от конкретного применения оборудования.During the operation of equipment in fields of ionizing radiation, the electrical parameters of the p-i-n diode are controlled (monitored) and temperature is controlled using a thermal element. Monitoring may be conducted in real time, at specified intervals, or upon completion of a specified phase of work or before use of irradiated equipment, depending on the specific application of the equipment.
Сначала определяют плотность прямого тока p-i-n диода от напряжения до радиационных воздействий, затем регистрируют плотность прямого тока p-i-n диода с увеличением уровня ионизирующих излучений. Затем фиксируют уровень ионизирующих излучений, при котором плотность прямого тока диода равна расчетному значению прямого тока p-i-n диода при температуре проведения измерений по соотношению (1) и считают этот уровень критерием уменьшения ресурса приборов, с ограниченной радиационной стойкостью, требующим их замены для обеспечения безотказной работы изделия.First, the forward current density of the p-i-n diode is determined from voltage to radiation exposure, then the forward current density of the p-i-n diode is recorded with increasing levels of ionizing radiation. Then they fix the level of ionizing radiation at which the density of the forward current of the diode is equal to the calculated value of the forward current of the p-i-n diode at the measurement temperature according to relation (1) and consider this level as a criterion for reducing the life of devices with limited radiation resistance, requiring their replacement to ensure trouble-free operation of the product .
На прямой ветви ВАХ всегда можно определяется точку, где:On the direct branch of the current-voltage characteristic it is always possible to determine the point where:
Это значит, что:It means that:
в точке по соотношению (1).at a point according to relation (1).
Согласно (1) прямое падение напряжения на диоде при облучении не меняется.According to (1), the forward voltage drop across the diode does not change during irradiation.
Согласно предлагаемому способу соотношение (1) предложено использовать в качестве критерия, при котором обеспечивается безотказная и безопасная работа в полях ионизирующих излучений.According to the proposed method, relation (1) is proposed to be used as a criterion that ensures trouble-free and safe operation in fields of ionizing radiation.
При разработке предлагаемого способа применяются принципы, изложенные, например, в [5].When developing the proposed method, the principles set forth, for example, in [5] are applied.
Полное падение напряжения при постоянной плотности прямого тока jпр=const равно [5]:The total voltage drop at a constant forward current density j pr =const is equal to [5]:
где Where
Upi; Uin - падение напряжения на переходах p-i и i-n диода, Upi ; U in - voltage drop across the pi and in junctions of the diode,
Uб - падение напряжения на i- области диода,U b - voltage drop across the i-region of the diode,
Uк - падение напряжения на приконтактных областях. Uk - voltage drop at the contact areas.
Падение напряжения на переходах и i- области диода согласно [5] составляет:The voltage drop across the transitions and i-region of the diode according to [5] is:
ρ=1/σρ=1/σ
Uк можно считать величиной постоянной.U k can be considered a constant value.
Можно считать Upi=Uin.You can consider U pi =U in .
Так как время жизни при облучении падает, то скорость уменьшения напряжения открытия перехода составляет:Since the lifetime decreases during irradiation, the rate of decrease in the junction opening voltage is:
Соотношение (6) позволяет учитывать влияние температуры.Relation (6) allows one to take into account the influence of temperature.
Согласно (5) с увеличением флюенса потоков частиц ионизирующего излучения напряжение на р-n переходе будет снижаться, так как время жизни будет снижаться. При этом падение напряжение на базе будет увеличиваться. Однако скорость роста Uб при облучении всегда выше скорости всегда выше скорости снижения напряжения перехода, поэтому при определенных Ф наблюдается рост Uпр с облучением, что подтверждается экспериментально [5]. Этот факт наглядно продемонстрирован на фиг. 1 [6].According to (5), with an increase in the fluence of particle fluxes of ionizing radiation, the voltage at the p-n junction will decrease, since the lifetime will decrease. In this case, the voltage drop at the base will increase. However, the rate of growth of Ub during irradiation is always higher than the rate of decrease in the transition voltage, therefore, at certain f, an increase in Upr with irradiation is observed, which is confirmed experimentally [5]. This fact is clearly demonstrated in Fig. 16].
Поэтому за критерий радиационной стойкости приборов принимается начало увеличения Uпр с облучением, а точку начала увеличения Uпр с увеличением уровня радиационных воздействий за точку уменьшения радиационного ресурса приборов с ограниченной радиационной стойкостью.Therefore, the beginning of an increase in U r with irradiation is taken as a criterion for the radiation resistance of devices, and the point of beginning of an increase in U r with an increase in the level of radiation exposure is taken as the point of decreasing the radiation life of devices with limited radiation resistance.
Так как время жизни носителей заряда больше, чем удельное сопротивление чувствительно к воздействию излучения [5], то соотношение (1) свидетельствует об уменьшении радиационного ресурса приборов с ограниченной радиационной стойкостью, что может приводить к неконтролируемым отказам оборудования.Since the lifetime of charge carriers is longer than the resistivity is sensitive to the effects of radiation [5], relation (1) indicates a decrease in the radiation life of devices with limited radiation resistance, which can lead to uncontrolled equipment failures.
Положение точки, определяемой соотношением (2) можно найти из выражения:The position of the point determined by relation (2) can be found from the expression:
где Where
σ - удельное сопротивление материала i-области,σ is the resistivity of the i-region material,
1≤m≤2, 0≤М≤1 - постоянные, определяемые уровнем инжекции и конструкцией p-i-n диода,1≤m≤2, 0≤M≤1 - constants determined by the injection level and the design of the p-i-n diode,
τ - время жизни неосновных носителей заряда,τ - lifetime of minority charge carriers,
Kτ - коэффициент радиационного изменения времени жизни,K τ - coefficient of radiative change in lifetime,
Т - температура окружающей среды,T - ambient temperature,
k - постоянная Больцмана,k - Boltzmann constant,
q - заряд электрона,q - electron charge,
Wб - толщина i-области,W b - thickness of the i-region,
Ф - флюенс частиц ионизирующего излучения.F - fluence of ionizing radiation particles.
При jпр<j0 пр напряжение Uпр при облучении уменьшается, а при jпр>j0 пр - растет, причем j0 пр будет тем ниже, чем больше ρ0 и Wб.When j pr <j 0 pr the voltage U pr decreases during irradiation, and when j pr >j 0 pr it increases, and j 0 pr will be lower, the greater ρ 0 and W b .
В связи с тем, что скорость роста Uб при облучении всегда выше скорости снижения Upn, при определенных значениях Ф должен наблюдаться Uпр с облучением.Due to the fact that the growth rate of U b during irradiation is always higher than the rate of decrease of U pn , at certain values of Ф U pr with irradiation should be observed.
Соотношение j0 пр≤jпр экс свидетельствует о введении в полупроводниковые структуры количества радиационных дефектов, приводящих к значительной деградации приборов.The ratio j 0 pr ≤j pr ex indicates the introduction of a number of radiation defects into semiconductor structures, leading to significant degradation of devices.
Именно точку j0 пр=jпр экс предлагается выбирать за точку критического уменьшения радиационного ресурса приборов с ограниченной радиационной стойкостью для предотвращения неконтролируемых отказов оборудования при работе в полях ионизирующих излучений.It is the point j 0 pr =j pr ex that is proposed to be chosen as the point of critical reduction in the radiation life of devices with limited radiation resistance to prevent uncontrolled equipment failures when operating in fields of ionizing radiation.
То есть, при плотности прямого тока p-i-n диода большей или равной значению, определенному по соотношению (7) считается, что ресурс приборов с ограниченной радиационной стойкостью исчерпан.That is, when the forward current density of the p-i-n diode is greater than or equal to the value determined by relation (7), it is considered that the resource of devices with limited radiation resistance has been exhausted.
Для реализации предлагаемого способа получают расчетный и экспериментальный массив данных прямой вольт-амперной характеристики применяемого p-i-n диода до радиационных воздействий и с их увеличением с учетом рабочих температур.To implement the proposed method, a calculated and experimental data array of the direct current-voltage characteristic of the used p-i-n diode is obtained before radiation effects and with their increase taking into account operating temperatures.
Затем фиксируют уровень ионизирующих излучений, при котором изменение прямого напряжения p-i-n диода перестает уменьшаться и начинает расти.Then the level of ionizing radiation is recorded at which the change in the forward voltage of the p-i-n diode stops decreasing and begins to increase.
Затем уточняют указанный уровень ионизирующих излучений значение прямого напряжения с помощью ВАХ, учитывая, что этой точке соответствует плотность прямого тока p-i-n диода, определяемая по соотношению (7).Then, the specified level of ionizing radiation is clarified, the value of the forward voltage using the current-voltage characteristic, taking into account that this point corresponds to the forward current density of the p-i-n diode, determined by relation (7).
Считают эти параметры критерием уменьшения ресурса приборов, с ограниченной радиационной стойкостью, требующим их замены для обеспечения безотказной работы оборудования.These parameters are considered to be a criterion for reducing the service life of devices with limited radiation resistance, requiring their replacement to ensure trouble-free operation of the equipment.
По результатам производиться заблаговременная браковка и замена узлов оборудования.Based on the results, early rejection and replacement of equipment components is carried out.
Основным преимуществом данного детектора является его малые размеры и технологичность схемы, обеспечивающая точность и надежность работы радиационной диагностики.The main advantage of this detector is its small size and manufacturability of the circuit, which ensures the accuracy and reliability of radiation diagnostics.
Также преимуществом p-i-n диода для предлагаемого способа является то, что при прямом напряжении смещения одновременно происходит инжекция дырок из р-области и электронов из n в i-область.Another advantage of the p-i-n diode for the proposed method is that at a forward bias voltage, holes are simultaneously injected from the p-region and electrons from n into the i-region.
Толщина базы p-i-n диода может составлять до 1 мм включительно. Это повышает чувствительность при небольших габаритных размерах детектора [3].The thickness of the p-i-n diode base can be up to 1 mm inclusive. This increases sensitivity with small overall dimensions of the detector [3].
Для учета и коррекции температурной зависимости используют элемент, позволяющий вести контроль за изменением температуры с высокой точностью.To take into account and correct temperature dependence, an element is used that allows monitoring temperature changes with high accuracy.
Технической задачей, на решение которой направлено предлагаемое изобретение, является обеспечение безотказной эксплуатации приборов, недостаточной (ограниченной) радиационной стойкостью и как результат, оборудования, содержащего такие приборы, при работе в полях ионизирующих излучений.The technical problem to be solved by the proposed invention is to ensure trouble-free operation of devices with insufficient (limited) radiation resistance and, as a result, equipment containing such devices when operating in fields of ionizing radiation.
Подписи к чертежуCaptions for the drawing
чертеж - изменение вольт-амперной характеристики кремниевого диодаdrawing - change in current-voltage characteristics of a silicon diode
1 - до облучения1 - before irradiation
2 - после облучения Фn=1014 см-2 2 - after irradiation Ф n =10 14 cm -2
Источники известностиSources of fame
1. Патент RU 2390800 16.04.2008 G01T 3/001. Patent RU 2390800 04/16/2008 G01T 3/00
2. Патент RU 2231809 01.07.2002 G01T 3/08; G01T 1/242. Patent RU 2231809 07/01/2002 G01T 3/08;
3. Патент RU 2650810 27.03.2017 G01T 3/003. Patent RU 2650810 03/27/2017 G01T 3/00
4. Л.О. Мырова, А.З. Чепиженко. Обеспечение стойкости аппаратуры связи к ионизирующим и электромагнитным излучениям. М., Радио и связь, 297 с.4. L.O. Myrova, A.Z. Chepizhenko. Ensuring the resistance of communication equipment to ionizing and electromagnetic radiation. M., Radio and communications, 297 p.
5. Ладыгин Е.А. Радиационная технология твердотельных электронных приборов. М.: ЦНИИ «Электроника», 1976, 345 с.5. Ladygin E.A. Radiation technology of solid-state electronic devices. M.: Central Research Institute "Electronics", 1976, 345 p.
6. Заитов Ф.А. Радиационная стойкость в оптоэлектронике. М.:Воениздат,1987, 166 с.6. Zaitov F.A. Radiation resistance in optoelectronics. M.: Voenizdat, 1987, 166 p.
Claims (1)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2818037C1 true RU2818037C1 (en) | 2024-04-23 |
Family
ID=
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2231809C2 (en) * | 2002-07-01 | 2004-06-27 | Уральский государственный технический университет | Detector of neutron-and gamma-radiations |
| RU2375719C1 (en) * | 2008-07-01 | 2009-12-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежская государственная лесотехническая академия" | Method for radiation-induced determination of potentially unstable semiconductor products |
| US8536885B2 (en) * | 2008-09-11 | 2013-09-17 | Indian Institute Of Technology, Bombay | Method and device for determining ionizing radiation |
| RU2650810C1 (en) * | 2017-03-27 | 2018-04-17 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Device for determination of research nuclear installation fields neutron characteristics |
| US10802164B2 (en) * | 2018-02-05 | 2020-10-13 | Rhombus Holdings Llc | Method and apparatus for performing pattern recognition for a tunable sensor system to detect neutron and gamma particles |
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2231809C2 (en) * | 2002-07-01 | 2004-06-27 | Уральский государственный технический университет | Detector of neutron-and gamma-radiations |
| RU2375719C1 (en) * | 2008-07-01 | 2009-12-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежская государственная лесотехническая академия" | Method for radiation-induced determination of potentially unstable semiconductor products |
| US8536885B2 (en) * | 2008-09-11 | 2013-09-17 | Indian Institute Of Technology, Bombay | Method and device for determining ionizing radiation |
| RU2650810C1 (en) * | 2017-03-27 | 2018-04-17 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Device for determination of research nuclear installation fields neutron characteristics |
| US10802164B2 (en) * | 2018-02-05 | 2020-10-13 | Rhombus Holdings Llc | Method and apparatus for performing pattern recognition for a tunable sensor system to detect neutron and gamma particles |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Eberhardt et al. | Evaluation of epitaxial n-GaAs for nuclear radiation detection | |
| US5519334A (en) | System and method for measuring charge traps within a dielectric layer formed on a semiconductor wafer | |
| Boudry et al. | Radiation damage of amorphous silicon, thin‐film, field‐effect transistors | |
| US4163240A (en) | Sensitive silicon pin diode fast neutron dosimeter | |
| Elliot | Thick junction radiation detectors made by ion drift | |
| Tiedje et al. | An rf bridge technique for contactless measurement of the carrier lifetime in silicon wafers | |
| Pell | Reverse current and carrier lifetime as a function of temperature in germanium junction diodes | |
| Frey et al. | Dark current–voltage characteristics of vacuum deposited multilayer amorphous selenium-alloy detectors and the effect of x-ray irradiation | |
| Abubakar et al. | Stability of silicon carbide particle detector performance at elevated temperatures | |
| RU2818037C1 (en) | Method of determining radiation resource of devices | |
| Newman | Photoconductivity in Gold-Germanium Alloys | |
| Charlton et al. | Radiation hardness and lifetime studies of photodiodes for the optical readout of the ATLAS semiconductor tracker | |
| Mekki et al. | Prediction of the response of the commercial BPW34FS silicon pin diode used as radiation monitoring sensors up to very high fluences | |
| Du et al. | Temporal response of CZT detectors under intense irradiation | |
| US4602352A (en) | Apparatus and method for detection of infrared radiation | |
| US10429522B1 (en) | Electrostatic hole trapping radiation detectors | |
| Bhoraskar et al. | Radiation damage and minority carrier lifetime in crystalline silicon | |
| Dowling et al. | Evaluation of Fe-$\beta $ Ga $ _ {\text {2}} $ O $ _ {\text {3}} $ for Photoconductive Semiconductor Switching | |
| Zdravkovic et al. | Temperature effects on photovoltaic components characteristics | |
| Singh | Development of temperature controlled probe station with Peltier elements | |
| Robbins et al. | Quality control and monitoring of radiation damage in charge coupled devices at the Stanford Linear Collider | |
| Menichelli et al. | Anomalous current transients related to defect discharge in irradiated silicon diodes | |
| JP3809518B2 (en) | Infrared signal detection method of radiation-resistant infrared detector doped with impurities | |
| Verger et al. | CdTe detectors responses to pulsed X-rays: comparison of different materials | |
| Schülera et al. | Spatially resolved determination of trapping parameters in p-doped silicon by microwave detected photoconductivity |