RU2816104C1 - Детектор электромагнитного излучения - Google Patents
Детектор электромагнитного излучения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2816104C1 RU2816104C1 RU2023135752A RU2023135752A RU2816104C1 RU 2816104 C1 RU2816104 C1 RU 2816104C1 RU 2023135752 A RU2023135752 A RU 2023135752A RU 2023135752 A RU2023135752 A RU 2023135752A RU 2816104 C1 RU2816104 C1 RU 2816104C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- graphene
- dimensional material
- electromagnetic radiation
- radiation detector
- dimensional
- Prior art date
Links
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- -1 transition metal chalcogenide Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001931 thermography Methods 0.000 abstract description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 19
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 4
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000011540 sensing material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N cadmium;mercury;tellurium Chemical compound [Cd]=[Te]=[Hg] MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 230000005676 thermoelectric effect Effects 0.000 description 1
Abstract
Изобретение относится к области детекторов электромагнитного излучения терагерцового и инфракрасного диапазонов на основе двумерных материалов и может быть использовано в устройствах для получения изображения в указанных спектральных диапазонах, реализующих задачи тепловидения и термографии, мониторинга состава атмосферы, дистанционного обнаружения опасных веществ и многие другие. Сущность изобретения состоит в том, что в детекторе электромагнитного излучения, включающем чувствительный элемент из двумерного материала, графена, снабженном двумя примыкающими металлическими контактами, граница между одним контактом и двумерным материалом выполняется гладкой, а вторая граница - микроструктурированной в форме ломаной линии, содержащей острые углы, направленные остриями в сторону двумерного материала. Технические результаты заключаются в повышении чувствительности детектора, расширении диапазона рабочих температур вплоть до комнатной температуры, расширении диапазона детектируемых длин волн - от единиц микрометров до единиц миллиметров, возможности использования произвольных тонкопленочных материалов в качестве чувствительного элемента, в т.ч. многослойного графена и графена с произвольным значением электронной подвижности, с низкой подвижностью порядка и менее 103 см2/(В⋅с). 2 з.п. ф-лы, 5 ил.
Description
Изобретение относится к области детекторов электромагнитного излучения терагерцового и инфракрасного диапазонов на основе двумерных материалов и может быть использовано в устройствах для получения изображения в указанных спектральных диапазонах, реализующих задачи тепловидения и термографии, мониторинга состава атмосферы, дистанционного обнаружения опасных веществ и многие другие.
Детектирование электромагнитного излучения за пределами видимого диапазона необходимо для решения значительного количества прикладных задач. Так, инфракрасное излучение несет информацию о температуре тел, что применяется для дистанционной термографии, а также для обнаружения техники в условиях ограниченной видимости. Спектральные линии многих газовых и биологических молекул находятся в инфракрасном (ИК) и терагерцовом (ТГц) диапазонах, соответственно, что позволяет реализовывать мониторинг состава атмосферы и медицинскую диагностику с помощью инфракрасных и терагерцовых спектрометров. Наконец, переход к излучению суб-ТГц диапазона (0,1-0,3 ТГц) в системах беспроводной передачи данных позволит пропорционально повысить объемы передаваемой информации в единицу времени. Однако полноценное использование суб-ТГц излучения для беспроводных коммуникаций осложнено высоким атмосферным поглощением, для нивелирования данной проблемы необходимо создание высокочувствительных ТГц детекторов.
Основной проблемой детектирования инфракрасного излучения является малый коэффициент поглощения полупроводниковыми материалами в данной спектральной области. Действительно, энергия кванта в ИК и, особенно, в ТГц диапазоне недостаточна для межзонного поглощения, а поглощение на свободных носителях уже подавлено в условиях частоты электромагнитной волны, превышающей частоту столкновений носителей. Малое поглощение в ТГц и ИК диапазонах заставляет применять различные конструкции для концентрации электромагнитного поля, например, решетки или антенны. Помимо усложнения технологии изготовления фотодетектора в целом, подобные концентраторы поля обычно являются резонансными, то есть работают в узком, заранее заданном, спектральном диапазоне.
Второй существенной проблемой детектирования сверх-длинноволнового излучения является необходимость создания p-n-переходов в материалах, способных к поглощению в данном спектральном диапазоне. Однако технологии легирования таких узкощелевых материалов, как теллурид кадмия-ртути, арсенид индия, графен, еще не отработаны, и легирование приводит к ухудшению подвижности носителей и снижению времени отклика фотоприемного устройства.
Для решения этой проблемы предложены и реализованы детекторы, где генерация фототока не требует p-n - перехода, например, использующие явление фотонного ветра (P.A. Obraztsov, G.М. Mikheev, S.V. Garnov, А.N. Obraztsov, and Y.P. Svirko, "Polarization-sensitive photoresponse of nanographite," Appl. Phys. Lett., vol. 98, no. 9, pp. 0-3, Feb. 2011), плазмонного увлечения (V.M. Muravev, A.A. Fortunatov, A.A. Dremin, and I.V. Kukushkin, "Plasmonic interferometer for spectroscopy of microwave radiation," JETP Lett., vol. 103, no. 6, pp. 380-384, 2016), термоэлектрического эффекта на биметаллических контактах (X. Cai et al., "Sensitive room-temperature terahertz detection via the photothermoelectric effect in graphene," Nat. Nanotechnol., vol. 9, no. 10, pp. 814-819, 2014). Первый эффект является слабым в меру малости импульса фотона по сравнению с импульсом электрона в полупроводнике, второй требует полупроводниковых материалов со сверхвысокой электронной подвижностью, третий является сложным в реализации по причине множества процессов совмещения и литографии.
Известны технические решения на основе помещения ИК - чувствительных материалов (в том числе двумерных) в резонаторы для электромагнитных полей (см. например, патент на полезную модель CN 209766452 U), где слой графена помещен в резонатор на основе канавок в кремниевой подложке, боковая поверхность канавки образует ломаную линию. Помимо усложнения технологии изготовления фотодетектора в целом, подобные концентраторы поля обычно являются резонансными, то есть работают в узком, заранее заданном, спектральном диапазоне.
Известны технические решения для усиления поглощения, основанные на структурировании поверхности самого чувствительного материала - эффекты «развитой поверхности», описанные в патенте CN 111987111 А, где поверхность полупроводникового слоя, выполнена в виде ломаной линии и имеет вогнуто-выпуклую структуру, образованную ростом нанокристаллических зерен. Однако в этом случае фотодетектор приобретает большое количество поверхностных дефектов, что заметно снижает его скорость срабатывания.
Известен детектор терагерцового излучения на основе графена (В.М Хисамеева А.Р., Муравьев. Патент РФ на изобретение №2697568 «Детектор терагерцового излучения на основе графена», 15.08.2019), использующий для генерации фототока явления плазмонного резонанса в графене для усиления локальной напряженности поля и нелинейного детектирования на асимметричных проводящих контактах к двумерной системе. Усиление поглощения в данном детекторе достигается с помощью возбуждения так называемых «релятивистских плазменных волн». По сути, они являются колебаниями в LC-контуре, образованном индуктивностью двумерного материала и емкостью металлических контактов. Возбуждение данных мод требует индуктивного характера поверхностного импеданса двумерного материала.
Недостатки указанного детектора заключаются в том, что это требование заведомо невыполнимо в материалах с небольшой электронной подвижностью, например, графене, выращенным методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ). Также оно невыполнимо в инфракрасном диапазоне, где возбуждение плазмонов подавлено в силу диэлектрических потерь. В итоге, функционирование данного детектора ограничено использованием только материалов с высокой подвижностью и терагерцовым диапазоном частот.
Известны технические решения «металл - графеновые нанокомпозиты», и датчики на их основе (М. Jarrahi, S. Cakmakyapan. "Metallo-graphene nanocomposites and methods for using metallo-graphene nanocomposites for electromagnetic energy conversion." U.S. Patent No. 11,456,392. 27 Sep. 2022), среди которых представлены фотодетектирующие структуры «металл - графен» (Фиг. 1А). В патенте описан фотодетектор «металл-графен-металл», включающий расположенные на диэлектрической подложке чувствительный элемент из поглощающего слоя графена и металлические контактные электроды, примыкающие к нему, где один из контактов выполнен в форме прямоугольного меандра, то есть в виде связанных между собой с одной стороны прямоугольных полосок, а другой выполнен гладким. Детектор также снабжен измерительным устройством.
Недостатком указанного технического решения является необходимость достижения дипольного антенного резонанса в выступающих элементах для усиления поглощения. Однако это обеспечивает усиление поглощения лишь нескольких выделенных длинах волн. Далее, антенный дипольный резонанс требует размера выступа меандра, порядка длины волны излучения. Это приводит к нерациональному использованию площади детектирующего элемента - графена, особенно в дальнем ИК и терагерцовом диапазонах, где размер контакта составляет от десятков микрон до единиц миллиметров, что ограничивает чувствительность устройства.
Данное устройство наиболее близко по конструкции и принципу работы к заявляемому детектору электромагнитного излучения на основе двумерного материала, поэтому принято в качестве прототипа.
Технические задачи, на достижение которых направлено изобретение, заключаются в повышении чувствительности детектора, расширении диапазона рабочих температур вплоть до комнатной температуры, расширении диапазона детектируемых длин волн - от единиц микрометров до единиц миллиметров, возможностью использования графена с произвольным значением электронной подвижности, в т.ч. графена с низкой подвижностью порядка и менее 103 см2/(В⋅с), полученного методом химического осаждения из газовой фазы.
Техническим результатом, достигаемым в заявляемом детекторе, является увеличение фоточувствительности (фотонапряжения на единицу мощности падающего излучения) и снижении мощности, эквивалентной шуму, в широком диапазоне длин волн при комнатной температуре. Результат достигается благодаря усилению локальной интенсивности электромагнитного излучения на одном из контактов Шоттки «металл - двумерный материал», не зависящему от длины волны излучения и подвижности носителей в чувствительном элементе, что создает ненулевой средний фототок в двумерном материале без приложения напряжения смещения и обеспечивает низкую эквивалентную мощность шума
Технический результат достигается тем, что в известном детекторе электромагнитного излучения на основе двумерного материала, графена, снабженном двумя металлическими контактами к нему, одна из границ металла и двумерного материала выполняется гладкой, а вторая микроструктурированной в форме ломаной линии, содержащей острые углы, направленные остриями в сторону двумерного материала.
Результаты достигаются благодаря эффекту усиления локальной напряженности электрического поля электромагнитной волны вблизи заостренных объектов. Эффект является квазистатическим и нерезонансным, то есть наблюдается в широком диапазоне длин волн. Единственное ограничение на длину волны детектируемого излучения происходит из требования нахождения фоточувствительной части двумерного материала - барьера Шоттки длиной порядка сотни нанометров - внутри области усиленного поля. Ширина этой области усиленного поля составляет около одной десятой длины волны регистрируемого излучения. Это ограничивает детектируемую длину волны значением около 1 мкм снизу, но не ограничивает ее сверху. В отличие от эффекта плазмонного резонанса, использованного, в частности, в аналоге (патент РФ на изобретение №2697568), усиление поля вблизи заостренных объектов не зависит от электронной подвижности в двумерном материале. Это позволяет реализовывать детекторы на основе графена с относительно малой подвижностью порядка и менее 103 см2/(В⋅с), получаемого промышленным методом химического осаждения из газовой фазы, а также не накладывает никаких ограничений на рабочую температуру детекторов. Технически эффект усиления поля реализован в данном изобретении благодаря микроструктурированию одного из металлических контактов, то есть выполнению границы металла в виде ломаной линии, содержащей острые углы. Интенсивность электромагнитной волны локально усиливается нерезонансным образом вблизи каждого из острых углов. Второй контакт «металл - двумерный материал» выполняется без микроструктурирования, и усиления локальной интенсивности излучения вблизи него не происходит. Подобное асимметричное усиление поля только вблизи одного из контактов «металл - двумерный материал» обеспечивает возникновение фототока при нулевом напряжении смещения. Следствием этого является уменьшение мощности электрических шумов в детекторе, которые ограничиваются тепловыми шумами и имеют спектральную плотность порядка единиц нВ/Гц1/2 при комнатной температуре. Указанный эффект усиления также не требует резонансных металлических элементов типа антенн с размером порядка длины волны падающего излучения, и это позволяет масштабировать фотодетектор путем многократного последовательного повторения чувствительного элемента. Эффект усиления локальной интенсивности вблизи микроструктурированного контакта является независящим от конкретного рода чувствительного материала и имеет место пока толщина чувствительного материала в вертикальном направлении остается меньше длины волны излучения, деленной на показатель преломления этого материала. Это позволяет использовать в качестве чувствительного элемента произвольные материалы в тонкопленочном исполнении, например, многослойный графен, пленки халькогенидов переходных металлов, квантовые ямы с двумерными электронами, инверсионные слои полевых транзисторов.
Признаками, отличающими заявляемый детектор электромагнитного излучения от прототипа, являются:
- выполнение границы одного из металлических контактов к двумерному материалу, графену, микростуктурированной в форме ломаной линии с острыми углами, направленными остриями в сторону двумерного материала;
- размещение между двумя крайними металлическими контактами N≥1 дополнительных последовательных не смыкающихся металлических контактов, с микроструктурированной границей;
- использование в качестве чувствительного элемента произвольного материала в виде тонкой пленки с толщиной, меньшей длины волны излучения, деленной на показатель преломления этого материала, например, многослойного графена, халькогенидов переходных металлов, квантовых ям с двумерными электронами, инверсионных слоев полевых транзисторов.
Сущность изобретения поясняется чертежами на Фиг. 1, Фиг. 2, Фиг. 3.
На Фиг. 1. Схематично представлен детектор электромагнитного излучения на основе двумерного материала, графена, с микроструктурированным контактом.
На Фиг. 2. Схематично представлен детектор электромагнитного излучения на основе двумерного материала, графена, с несколькими микроструктурированными контактами.
На Фиг. 3. Схематично представлен, в качестве варианта исполнения, детектор электромагнитного излучения на основе квази-двумерного материала, в качестве примера которого приведена тонкая пленка из N≥1 последовательно составленных атомарных монослоев.
Детектор электромагнитного излучения (Фиг. 1) состоит из чувствительного двумерного канала из графена (3) с двумя металлическими контактами (2 и 4), один из которых является микроструктурированным, т.е. имеет границу в форме ломаной линии с острыми углами (2). Контакты 2 и 4 соединены с измерительным устройством 5 для регистрации фотонапряжения.
Принцип работы детектора электромагнитного излучения (Фиг. 1) состоит в следующем. Электромагнитное излучение 1 падает на прибор, включая его металлические элементы и чувствительный двумерный канал. Электрическое поле падающей волны многократно усиливается вблизи микроструктурированного контакта 2 и остается практически неизменным вблизи гладкого контакта 4. Освещение приводит к генерации фотонапряжения на каждом из Шоттки - переходов 2-3 и 3-4, знаки этих парциальных фотонапряжений являются противоположными. Однако, в силу большей локальной интенсивности электромагнитного поля на микроструктурированном контакте, фотонапряжение на переходе Шоттки 2-3 по абсолютной величине превосходит фотонапряжение на переходе 3-4. Это приводит к конечному сигналу фотонапряжения при нулевом токе смещения. Механизм генерации фотонапряжения может быть произвольным (например, термоэлектрическим или фотовольтаическим).
Принцип работы детектора электромагнитного излучения с несколькими микроструктурированными контактами (Фиг. 2) аналогичен таковому для прибора с одним микроструктурированным контактом. Однако здесь суммируются парциальные фотонапряжения от нескольких последовательных контактов, отстоящих друг от друга на расстоянии менее 1/10 длины волны регистрируемого излучения, что обеспечивает рост чувствительности по напряжению.
Пример реализации предложенного изобретения и достижения технического результата иллюстрируется графиками, приведенными на Фиг. 4 и Фиг. 5. На Фиг. 4 представлено изображение двух детекторов (А) и (Б), первый из которых является детектором с несколькими микроструктурированными контактами, а второй - детектором с контактами в виде меандра, известным ранее. Размеры обоих устройств составляют 30 мкм × 30 мкм. В качестве чувствительного материала использован однослойный графен, полученный методом химического осаждения из газовой фазы, с полевой подвижностью носителей менее 500 см2/В с. На Фиг. 5 представлено сравнение фоточувствительностей по напряжению и мощностей, эквивалентных шуму, для двух устройств (А) и (Б). Эти величины измерялись как функции концентрации носителей заряда n-p, где n - концентрация электронов, р - концентрация дырок. Концентрация носителей изменялась с помощью нижнего кремниевого затвора, который является опциональным для конструкции детектора. Сигнал фотонапряжения измерялся при освещении устройств излучением с длиной волны 8.2 мкм и мощностью порядка 300 мкВт. Из Фиг. 5 видно, что детектор с несколькими микроструктурированными контактами действительно обеспечивает большую по абсолютной величине фоточувствительность по сравнению с детектором с контактами в форме меандра (0.43 В/Вт против 0.16 В/Вт). Далее видно, что минимальная достижимая мощность, эквивалентная шуму, в устройстве (А) меньше, чем в устройстве (Б) и составляет 27 нВт/Гц1/2 против 90 нВт/Гц1/2. Указанные измерения подтверждают заявленный технический результат, то есть увеличение фоточувствительности и снижение мощности, эквивалентной шуму, в устройстве с микроструктурированными контактами по сравнению с аналогами, известными ранее.
Claims (4)
1. Детектор электромагнитного излучения, включающий чувствительный элемент из двумерного материала, графена, два примыкающих к нему металлических контакта, граница одного из которых и граница двумерного материала выполнены гладкими, и измерительную схему, отличающийся тем, что граница двумерного материала и второго контакта выполнена микроструктурированной в форме ломаной линии, содержащей острые углы, направленные остриями в сторону двумерного материала.
2. Детектор электромагнитного излучения по п. 1, отличающийся тем, что между двумя крайними контактами поверх двумерного материала размещено N≥1 дополнительных не смыкающихся металлических контактов, одна сторона каждого из которых является гладкой, а вторая - микроструктурированной.
3. Детектор электромагнитного излучения по п. 1, отличающийся тем, что двумерный материал чувствительного элемента - графен с произвольным значением электронной подвижности, включая графен с низкой подвижностью порядка и менее 103 см2/(В⋅с).
4. Детектор электромагнитного излучения по п. 1, отличающийся тем, что в качестве чувствительного элемента используется произвольный материал в форме пленки с толщиной, меньшей длины волны света, деленной на показатель преломления этого материала, например многослойный графен, халькогенид переходного металла, квантовая яма с двумерными электронами, инверсионный слой полевого транзистора.
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2816104C1 true RU2816104C1 (ru) | 2024-03-26 |
Family
ID=
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2473872C2 (ru) * | 2007-07-20 | 2013-01-27 | Юлис | Детектор электромагнитного излучения и способ изготовления такого детектора |
RU2517802C1 (ru) * | 2012-11-23 | 2014-05-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук | Детектор излучения |
RU2603129C2 (ru) * | 2012-06-08 | 2016-11-20 | Сименс Акциенгезелльшафт | Детектор излучения, в частности электромагнитного излучения большой мощности |
RU2662025C9 (ru) * | 2008-10-07 | 2018-11-21 | Юлис | Детектор электромагнитного излучения с микроинкапсуляцией и устройство для обнаружения электромагнитных излучений, использующее такие детекторы |
US11456392B2 (en) * | 2017-06-01 | 2022-09-27 | The Regents Of The University Of California | Metallo-graphene nanocomposites and methods for using metallo-graphene nanocomposites for electromagnetic energy conversion |
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2473872C2 (ru) * | 2007-07-20 | 2013-01-27 | Юлис | Детектор электромагнитного излучения и способ изготовления такого детектора |
RU2662025C9 (ru) * | 2008-10-07 | 2018-11-21 | Юлис | Детектор электромагнитного излучения с микроинкапсуляцией и устройство для обнаружения электромагнитных излучений, использующее такие детекторы |
RU2603129C2 (ru) * | 2012-06-08 | 2016-11-20 | Сименс Акциенгезелльшафт | Детектор излучения, в частности электромагнитного излучения большой мощности |
RU2517802C1 (ru) * | 2012-11-23 | 2014-05-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук | Детектор излучения |
US11456392B2 (en) * | 2017-06-01 | 2022-09-27 | The Regents Of The University Of California | Metallo-graphene nanocomposites and methods for using metallo-graphene nanocomposites for electromagnetic energy conversion |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Balocco et al. | Room-temperature operation of a unipolar nanodiode at terahertz frequencies | |
US10024723B2 (en) | Detection of electromagnetic radiation using nonlinear materials | |
Yuan et al. | Room temperature graphene mid-infrared bolometer with a broad operational wavelength range | |
RU2507544C2 (ru) | Устройство и способ для детектирования электромагнитного излучения | |
Tong et al. | Plasmonic semiconductor nanogroove array enhanced broad spectral band millimetre and terahertz wave detection | |
US11029213B2 (en) | Epitaxial graphene quantum dots for high-performance terahertz bolometers | |
US9163997B2 (en) | Terahertz detection cell | |
Nickels et al. | Metal hole arrays as resonant photo-coupler for charge sensitive infrared phototransistors | |
US9202952B2 (en) | Plasmon induced hot carrier device, method for using the same, and method for manufacturing the same | |
Yavarishad et al. | Room-temperature self-powered energy photodetector based on optically induced Seebeck effect in Cd3As2 | |
EP3514830A1 (en) | Electromagnetic wave detection element, electromagnetic wave sensor, electronic device and structure | |
WO2012148552A2 (en) | Rectifying electromagnetic nanosensors | |
Sizov et al. | Two-color detector: Mercury-cadmium-telluride as a terahertz and infrared detector | |
Zhou et al. | Graphene-based terahertz optoelectronics | |
US6987484B2 (en) | Detector for electromagnetic radiation and a method of detecting electromagnetic radiation | |
Titova et al. | Ultralow-noise Terahertz Detection by p–n Junctions in Gapped Bilayer Graphene | |
RU2816104C1 (ru) | Детектор электромагнитного излучения | |
WO2019074441A1 (en) | PHOTODETECTOR, METHOD OF FORMING THE SAME, CONTROL METHOD THEREFOR, AND PHOTODETECTOR ARRANGEMENT | |
Jakhar et al. | Room temperature terahertz detector based on single silicon nanowire junctionless transistor with high detectivity | |
CN113540260A (zh) | 一种太赫兹探测器 | |
Ito et al. | Polarisation‐sensitive sub‐terahertz‐wave detector implementing antenna‐integrated zero‐bias Schottky barrier diode | |
Qu et al. | High sensitivity of room-temperature sub-terahertz photodetector based on In0. 53Ga0. 47As material | |
Lu et al. | An Improved Room-Temperature Silicon Terahertz Photodetector on Sapphire Substrates | |
Kaya et al. | THz detectors | |
Qiu et al. | High sensitivity of room-temperature terahertz photodetector based on silicon |